JPS63300557A - 光センサとその製造方法 - Google Patents
光センサとその製造方法Info
- Publication number
- JPS63300557A JPS63300557A JP62133345A JP13334587A JPS63300557A JP S63300557 A JPS63300557 A JP S63300557A JP 62133345 A JP62133345 A JP 62133345A JP 13334587 A JP13334587 A JP 13334587A JP S63300557 A JPS63300557 A JP S63300557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- organic dye
- film
- optical sensor
- cds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ファクシミリ装置や光ディスクなどのＯＡ機
器の画像入力部に用いられる光センサとその製造方法に
関するものである。
器の画像入力部に用いられる光センサとその製造方法に
関するものである。
（従来の技Ｗ）
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性能
面での向上すなわちカラー化や画品質の向上が強く望ま
れている。
部の小型化や画像ひずみの改善を目指して原稿幅と同一
寸法の密着型ラインセンサが開発され、これを用いた画
像読取装置が使用され始めており、さらに現在では性能
面での向上すなわちカラー化や画品質の向上が強く望ま
れている。
さて、ＣｄＳ、 Ｃｄ５ａあるいは固容体ＣｄＳ −Ｃ
ｄＳｅを主体として成る光センサは、光電流が大きいの
が特徴で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセ
ンサでは、周辺回路の設計が容易となる。現在この系統
の材料では、その光電流の温度依存性や波長感度と光源
Ｌ Ｅ Ｄ （５７０ｎｍ）とのマツチングの都合上Ｃ
ｄＳ、、ｓＳｅ、、、なる組成のものが主として使われ
ており、少しその枠を広げても Ｃｄ５６−ｔｓＳｅａ−ａｓからＣｄＳ、 、 、 Ｓ
ｅａ 、、程度にとどまる。
ｄＳｅを主体として成る光センサは、光電流が大きいの
が特徴で、このためこのセンサを用いた密着型ラインセ
ンサでは、周辺回路の設計が容易となる。現在この系統
の材料では、その光電流の温度依存性や波長感度と光源
Ｌ Ｅ Ｄ （５７０ｎｍ）とのマツチングの都合上Ｃ
ｄＳ、、ｓＳｅ、、、なる組成のものが主として使われ
ており、少しその枠を広げても Ｃｄ５６−ｔｓＳｅａ−ａｓからＣｄＳ、 、 、 Ｓ
ｅａ 、、程度にとどまる。
ＣｄＳ＠−１ｓｅｏ−４センサの場合、光電流は５８０
ｎｍ４こピークを有し、短波長側では４ＱＱｎｍでもピ
ーク値の１／４以上の感度を有しているが、長波長側で
は６３０ｎｍにもなるとピーク値の１７１０以下と極端
に小さくなってしまう。
ｎｍ４こピークを有し、短波長側では４ＱＱｎｍでもピ
ーク値の１／４以上の感度を有しているが、長波長側で
は６３０ｎｍにもなるとピーク値の１７１０以下と極端
に小さくなってしまう。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、センサの感度が可視光域において波長によ
り著しく異なるとカラー化の上で不都合であるという問
題点があった。
り著しく異なるとカラー化の上で不都合であるという問
題点があった。
また、ＣｄＳｅの組成比を高くすると光電流の長波長側
の感度を高くするが温度変化が大きくなり、不純物Ｃｕ
の量を増やしても長波長側の感度を若干高めるが、１
／１０以下の感度を精々数１０％高める程度の効果しか
ないという問題があった。
の感度を高くするが温度変化が大きくなり、不純物Ｃｕ
の量を増やしても長波長側の感度を若干高めるが、１
／１０以下の感度を精々数１０％高める程度の効果しか
ないという問題があった。
したがって、本発明は、可視光域において、長波長側の
感度を高くすることができる光センサとその製造方法を
提供することを目的とするものである。
感度を高くすることができる光センサとその製造方法を
提供することを目的とするものである。
また、本発明は、光電流Ｊｐの温度変化が小さいまま、
その波長感度を可視光域全域に拡げる光センサとその製
造方法を提供することを目的とするものである。
その波長感度を可視光域全域に拡げる光センサとその製
造方法を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明の光センサは、絶縁
性透明基板上にＣｄＳ −ＣｄＳｅの光導電体薄膜、対
向電極、有機染料薄膜が順次形成されており、上記有機
染料薄膜は、保護膜も兼ねることができる。
性透明基板上にＣｄＳ −ＣｄＳｅの光導電体薄膜、対
向電極、有機染料薄膜が順次形成されており、上記有機
染料薄膜は、保護膜も兼ねることができる。
また、本発明の光センサ製造方法は、絶縁性透明基板上
にＣｄＳ −ＣｄＳｅを主体として成る光導電体簿膜を
形成し、前記薄膜を高温でＣｄＳｅ２の蒸気に暴露し光
電的に活性化した後、対向電極を設け。
にＣｄＳ −ＣｄＳｅを主体として成る光導電体簿膜を
形成し、前記薄膜を高温でＣｄＳｅ２の蒸気に暴露し光
電的に活性化した後、対向電極を設け。
さらに有機染料を含む薄膜を形成することを特徴とする
。
。
（作 用）
本発明の光センサによれば、ＣｄＳ −ＣｄＳｅセンサ
の光電流の温度変化が小さいという特長を損わずして、
しかもその長波長側の感度を著しく高め、可視光域での
感度の平坦化が可能となるものである。その理由は、Ｃ
ｄＳ −ＣｄＳｅセンサに吸収されない長波長の光が有
機染料により吸収され、ここで、発生した電子がＣｄＳ
−ＣｄＳｅセンサに注入され光キャリアとして有効に
働くためである。
の光電流の温度変化が小さいという特長を損わずして、
しかもその長波長側の感度を著しく高め、可視光域での
感度の平坦化が可能となるものである。その理由は、Ｃ
ｄＳ −ＣｄＳｅセンサに吸収されない長波長の光が有
機染料により吸収され、ここで、発生した電子がＣｄＳ
−ＣｄＳｅセンサに注入され光キャリアとして有効に
働くためである。
（実施例）
以下、本発明の実施例をＣｄＳ、、、Ｓｓ、、４を例に
とり説明する。ガラス基板（コーニング社、 ＃７０５
９．２３０ Ｘ ２５ Ｘ １．２＋ａｍ’）上に厚さ
４０００人のＣｄ５０．、Ｓｓ、、、：Ｃｕ（０，０５
モル％）の蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより主
走査方向に島状（９０Ｘ ３５０ｐｍ” ）に８ビツト
／ｒａｔｓの割合で１７２８ビツト配置する。この島状
のＣｄＳ、 、、 Ｓｅ、 、、膜を５００℃でＣｄ（
Ｊ、の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化して光
導電体薄膜にした後、その島状の膜の各々に対向電極（
ＮｉＣｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を
形成する。
とり説明する。ガラス基板（コーニング社、 ＃７０５
９．２３０ Ｘ ２５ Ｘ １．２＋ａｍ’）上に厚さ
４０００人のＣｄ５０．、Ｓｓ、、、：Ｃｕ（０，０５
モル％）の蒸着膜を形成し、フォトエツチングにより主
走査方向に島状（９０Ｘ ３５０ｐｍ” ）に８ビツト
／ｒａｔｓの割合で１７２８ビツト配置する。この島状
のＣｄＳ、 、、 Ｓｅ、 、、膜を５００℃でＣｄ（
Ｊ、の飽和蒸気中で加熱処理して光電的に活性化して光
導電体薄膜にした後、その島状の膜の各々に対向電極（
ＮｉＣｒ／Ａｕ蒸着膜）すなわち共通電極と個別電極を
形成する。
対向電極のギャップは、６０Ｉ１ｍである。このように
して得たセンサ部の上に、さらに有機染料薄膜を形成す
る。すなわち、Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｌｏｏ重量部に
対して有機染料Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌ Ｂ
ｌｕｅ（ＴＢＰＢ）を５重量部分散した２０００人厚の
薄膜である。
して得たセンサ部の上に、さらに有機染料薄膜を形成す
る。すなわち、Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅｌｏｏ重量部に
対して有機染料Ｔｅｔｒａｂｒｏｍｏｐｈｅｎｏｌ Ｂ
ｌｕｅ（ＴＢＰＢ）を５重量部分散した２０００人厚の
薄膜である。
Ｐｏ１ｙｓｔｙｒｅｎｅ有機染料はＣｆ −ｂｅｎｚｅ
ｎｅなどの溶剤に溶かして塗布後乾燥する。Ｐｏ１ｙｓ
ｔｙｒｅｎｅは、光導電体薄膜と対向電極との保護膜を
兼ねる。有機染料としては、このほか６００〜７００ｎ
＋ｓに吸収の著しい３ 、３’ −ｄｉｅｔｈｙ ｌ−
６、６’ −ｄｉｅｔｈｏｘｙ−ｔｈｉｏｃａｒｂｏｃ
ｙａｎｉｎｅｉｏｄｉｄｅなども効果的であり、分散体
としてはＰｏ１ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、 Ｐｏ１ｙ−ｖ
ｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅなどでも良い、有機染料薄
膜は、蒸着法で形成することも可能である。この場合は
別途、Ｐｏ１ｙｓｔｙｒｅｎｅなどの保護膜を積層する
。さて、このようにして得た光センサの分光感度を第２
図に示す。６００ｎｍ以下での光感度は、従来のままで
あるが、６００ｎｍ以上での光感度は著しく増大する。
ｎｅなどの溶剤に溶かして塗布後乾燥する。Ｐｏ１ｙｓ
ｔｙｒｅｎｅは、光導電体薄膜と対向電極との保護膜を
兼ねる。有機染料としては、このほか６００〜７００ｎ
＋ｓに吸収の著しい３ 、３’ −ｄｉｅｔｈｙ ｌ−
６、６’ −ｄｉｅｔｈｏｘｙ−ｔｈｉｏｃａｒｂｏｃ
ｙａｎｉｎｅｉｏｄｉｄｅなども効果的であり、分散体
としてはＰｏ１ｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、 Ｐｏ１ｙ−ｖ
ｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅなどでも良い、有機染料薄
膜は、蒸着法で形成することも可能である。この場合は
別途、Ｐｏ１ｙｓｔｙｒｅｎｅなどの保護膜を積層する
。さて、このようにして得た光センサの分光感度を第２
図に示す。６００ｎｍ以下での光感度は、従来のままで
あるが、６００ｎｍ以上での光感度は著しく増大する。
従って、カラー画像を読取る際には、従来のセンサでは
、赤色光源に特に強い光を必要としたが、本発明のセン
サでは単一の白色光源とカラーフィルタの組合せでバラ
ンスよく用いることが可能となる。
、赤色光源に特に強い光を必要としたが、本発明のセン
サでは単一の白色光源とカラーフィルタの組合せでバラ
ンスよく用いることが可能となる。
（発明の効果）
本発明によれば、光導電体薄膜上に長波長の光を吸収す
る有機染料薄膜を形成したのでセンサの光電流の温度変
化が小さいにも拘わらず長波長側の感度が著しく高めら
れる。その結果、本発明は、光電流値の大きいＣｄＳ
−ＣｄＳｅ光センサの分光感度の汎色性を著しく高める
のでカラー化に大きな偉力を発揮することができる。
る有機染料薄膜を形成したのでセンサの光電流の温度変
化が小さいにも拘わらず長波長側の感度が著しく高めら
れる。その結果、本発明は、光電流値の大きいＣｄＳ
−ＣｄＳｅ光センサの分光感度の汎色性を著しく高める
のでカラー化に大きな偉力を発揮することができる。
第１図は、本発明の光センサの構成断面を示す図である
。第２図は、本発明の光センサと従来の光センサの分光
感度を示す図である。 １ ・・・絶縁性透明基板、 ２・・・ＣｄＳ −Ｃｄ
５ａ薄膜、 ３・・・対向電極、４・・・有機染料薄膜
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １゛°°絶縁性達明基板 ２ − Ｃｄ５−ＣｄＳｅ 簿１！ ３°°゛対勾電極 ４・・有楕采肘庫廉 ５・・・入射光
。第２図は、本発明の光センサと従来の光センサの分光
感度を示す図である。 １ ・・・絶縁性透明基板、 ２・・・ＣｄＳ −Ｃｄ
５ａ薄膜、 ３・・・対向電極、４・・・有機染料薄膜
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 １゛°°絶縁性達明基板 ２ − Ｃｄ５−ＣｄＳｅ 簿１！ ３°°゛対勾電極 ４・・有楕采肘庫廉 ５・・・入射光
Claims (3)
- （１）絶縁性透明基板上にＣｄＳ−ＣｄＳｅ光導電体薄
膜、対向電極、有機染料薄膜が順次形成されていること
を特徴とする光センサ。 - （２）前記有機染料薄膜は保護膜を兼ねることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）記載の光センサ。 - （３）絶縁性透明基板上にＣｄＳ−ＣｄＳｅを主体とし
て成る光導電体薄膜を形成し、前記薄膜を高温でＣｄＣ
ｌ＿２の蒸気に暴露し光電的に活性化した後、対向電極
を設け、さらに有機染料を含む薄膜を形成することを特
徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62133345A JPS63300557A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62133345A JPS63300557A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光センサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300557A true JPS63300557A (ja) | 1988-12-07 |
Family
ID=15102549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62133345A Pending JPS63300557A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63300557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196438A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｃｄ系２―６族化合物半導体薄膜単結晶粒の製造方法及び機能素子 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP62133345A patent/JPS63300557A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196438A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｃｄ系２―６族化合物半導体薄膜単結晶粒の製造方法及び機能素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05502783A (ja) | 光電変換素子上における静電荷制御用被覆層 | |
| EP0030476A1 (en) | Solid state color imager and method of manufacturing the same | |
| JPS58182267A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS55104176A (en) | Solidstate pick up unit | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| JPH0715144Y2 (ja) | コプラナ−型光センサ− | |
| JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH04233759A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH0247110B2 (ja) | ||
| JPH01220478A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS60109273A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS63249366A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS62204656A (ja) | 光電変換装置 | |
| KR830001454B1 (ko) | 칼러용 고체 촬상 소자 | |
| KR100327418B1 (ko) | 고체촬상소자제조방법 | |
| JP2658078B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS59224169A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0612833B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPH03255666A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS62243374A (ja) | 光導電型光センサの製造方法 | |
| JPS62252968A (ja) | 非晶質シリコンイメ−ジセンサ | |
| JPH0612832B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS61199661A (ja) | 密着型光電変換装置 | |
| JPS6046068A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0433144B2 (ja) |