JPS6220606B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6220606B2 JPS6220606B2 JP54077159A JP7715979A JPS6220606B2 JP S6220606 B2 JPS6220606 B2 JP S6220606B2 JP 54077159 A JP54077159 A JP 54077159A JP 7715979 A JP7715979 A JP 7715979A JP S6220606 B2 JPS6220606 B2 JP S6220606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic flux
- film
- present
- eddy current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度記録における性能向上を目指し
た磁気ヘツドに関する。
た磁気ヘツドに関する。
最近、高密度記録を目指してメタルテープのよ
うな高保持力の磁気テープが開発され、磁気ヘツ
ドではコア材料の高磁束密度化および狭ギヤツプ
化が進められている。
うな高保持力の磁気テープが開発され、磁気ヘツ
ドではコア材料の高磁束密度化および狭ギヤツプ
化が進められている。
周知のようにVTRなどで広く使用されている
フエライトヘツド（例えば第１図に示す如き構造
を持つている）は高保持力の磁気テープに対して
は磁束密度が小さくて充分な記録を行うことがで
きず、高密度記録を実現するためには記録特性の
優れた磁気ヘツドが必要である。
フエライトヘツド（例えば第１図に示す如き構造
を持つている）は高保持力の磁気テープに対して
は磁束密度が小さくて充分な記録を行うことがで
きず、高密度記録を実現するためには記録特性の
優れた磁気ヘツドが必要である。
本発明は上記した従来の磁気ヘツドの持つ問題
点を解決し、高密度記録における記録特性を向上
させた磁気ヘツドを得ることを目的とする。
点を解決し、高密度記録における記録特性を向上
させた磁気ヘツドを得ることを目的とする。
本発明によれば、磁気ヘツドの主磁路を構成す
る高電気抵抗体コアの少なくとも動作ギヤツプ突
き合せ面に、この面に直角方向の磁束変化に対し
ては充分な渦電流効果を有し、この面に沿う方向
の磁束変化に対してはその膜厚がスキンデプスの
２倍以下の低電気伝導率で高磁束密度の磁性体膜
を形成した磁気ヘツドが提供される。
る高電気抵抗体コアの少なくとも動作ギヤツプ突
き合せ面に、この面に直角方向の磁束変化に対し
ては充分な渦電流効果を有し、この面に沿う方向
の磁束変化に対してはその膜厚がスキンデプスの
２倍以下の低電気伝導率で高磁束密度の磁性体膜
を形成した磁気ヘツドが提供される。
コアは望ましくは高電気抵抗率の酸化物磁性体
コアとし、その少なくとも動作ギヤツプ形成部に
低電気抵抗率で高磁束密度の磁性体膜を所定の膜
厚で形成する。該磁性体膜の渦電流効果を利用し
てギヤツプ磁束密度を増大し、高密度記録に対す
る記録特性の向上が実現される。
コアとし、その少なくとも動作ギヤツプ形成部に
低電気抵抗率で高磁束密度の磁性体膜を所定の膜
厚で形成する。該磁性体膜の渦電流効果を利用し
てギヤツプ磁束密度を増大し、高密度記録に対す
る記録特性の向上が実現される。
次に本発明を実施例について具体的に説明す
る。第２図は本発明の磁気ヘツドの概略図であ
り、主磁路を構成する高電気抵抗率の磁性体フエ
ライトコア１ａ，１ｂとしては、例えばMn−Zn
フエライトコアなどを用い、前部ギヤツプ突き合
せ面上には低電気抵抗の高磁束密度磁性体膜３と
して例えばセンダスト膜をスパツタリング技術な
どによつて各コアに形成し、SiO2膜などの非磁
性体のギヤツプスペーサを介在せしめることによ
つて前部ギヤツプ２が形成される。
る。第２図は本発明の磁気ヘツドの概略図であ
り、主磁路を構成する高電気抵抗率の磁性体フエ
ライトコア１ａ，１ｂとしては、例えばMn−Zn
フエライトコアなどを用い、前部ギヤツプ突き合
せ面上には低電気抵抗の高磁束密度磁性体膜３と
して例えばセンダスト膜をスパツタリング技術な
どによつて各コアに形成し、SiO2膜などの非磁
性体のギヤツプスペーサを介在せしめることによ
つて前部ギヤツプ２が形成される。
本発明はこの低電気抵抗の高磁束密度磁性体膜
３の渦電流効果に基づく現象を利用するものであ
つて、単に精密なギヤツプを形成するだけの従来
公知の技術とは本質的に異なるものである。
３の渦電流効果に基づく現象を利用するものであ
つて、単に精密なギヤツプを形成するだけの従来
公知の技術とは本質的に異なるものである。
第４図ａは本発明の磁気ヘツドの前部ギヤツプ
部のモデル的な図である。磁束密度B0の高電気
抵抗率の磁性体コア１ａ，１ｂ（例えばμ＝
500）のギヤツプ突き合せ面に、膜厚ｔμｍの低
電気抵抗率（ρμΩcm）で高磁束密度の磁性体膜
３がそれぞれ形成されている。この場合、渦電流
効果によつてＡ−A′断面の磁束分布は第４図ｂ
に示す如くなつており、縁部において磁束密度は
B1となり、渦電流効果によつて磁束集中が生じ
ている。このときの磁束集中度B1／B0を周波数
ｆ＝４メガヘルツについて近似的に計算した結果
を第５図に示す。図に明らかの如く磁束集中度
B1／B0は磁性体膜の膜厚ｔと電気抵抗率ρとの
比によつて変化し、ｔ（μｍ）／ρ（μΩcm）＝
0.03以上で顕著な磁束集中が生じている。本発明
はこの磁性体膜の渦電流効果に起因する磁束集中
を利用して磁気ヘツドの記録特性の向上を図つた
ものである。この場合磁性体膜の膜厚を厚くする
と、再生特性に関与する磁性体膜の膜面内方向の
透磁率が膜面内方向での磁束変化による渦電流効
果によつて減少する。そこで磁性体膜の膜厚をス
キンデプスの２倍以下に限定することが再生特性
の劣化を防止するために重要となる。
部のモデル的な図である。磁束密度B0の高電気
抵抗率の磁性体コア１ａ，１ｂ（例えばμ＝
500）のギヤツプ突き合せ面に、膜厚ｔμｍの低
電気抵抗率（ρμΩcm）で高磁束密度の磁性体膜
３がそれぞれ形成されている。この場合、渦電流
効果によつてＡ−A′断面の磁束分布は第４図ｂ
に示す如くなつており、縁部において磁束密度は
B1となり、渦電流効果によつて磁束集中が生じ
ている。このときの磁束集中度B1／B0を周波数
ｆ＝４メガヘルツについて近似的に計算した結果
を第５図に示す。図に明らかの如く磁束集中度
B1／B0は磁性体膜の膜厚ｔと電気抵抗率ρとの
比によつて変化し、ｔ（μｍ）／ρ（μΩcm）＝
0.03以上で顕著な磁束集中が生じている。本発明
はこの磁性体膜の渦電流効果に起因する磁束集中
を利用して磁気ヘツドの記録特性の向上を図つた
ものである。この場合磁性体膜の膜厚を厚くする
と、再生特性に関与する磁性体膜の膜面内方向の
透磁率が膜面内方向での磁束変化による渦電流効
果によつて減少する。そこで磁性体膜の膜厚をス
キンデプスの２倍以下に限定することが再生特性
の劣化を防止するために重要となる。
本発明による低電気抵抗の高磁束密度磁性体膜
の膜厚ｔ（μｍ）は次式によつて限定される。
の膜厚ｔ（μｍ）は次式によつて限定される。
0.03ρ≦ｔ≦２√２２０
ここでμ０：真空の透磁率
次に本発明の実施例について説明する。
高電気抵抗率の磁性体コアとして飽和磁束密度
ＢS＝4800G、4MHzにおける比透磁率μ＝500の
Mn−Znフエライト単結晶コアを使用し、低電気
抵抗率の高磁束密度磁性体膜として飽和磁束密度
Ｂs＝9800G、電気抵抗率90μΩcm、膜厚10μｍ
のセンダスト合金膜をスパツタリング技術によつ
て形成し、ギヤツプ0.4μｍのSi2O膜を第２図に
示す如く本発明によるVTR用磁気ヘツドとして
構成し、これをセンダスト合金膜を持たない第１
図に示す従来構造の磁気ヘツドと比較した。第６
図は保持力Ｈc＝1260Oeの高密度記録用の磁気テ
ープについて本発明〔曲線２〕と従来例〔曲線
１〕との自己記録再生特性を比較したものであ
る。第６図から明らかのように飽和磁束密度
5000G程度の従来のフエライトヘツドでは、保持
力Ｈcが約1000Oe以上のメタルテープのような高
保持力の磁気テープに対しては記録能力が十分で
はないが、本発明のヘツドでは十分の記録能力を
有することが、明らかである。なお、再生特性に
ついても従来のヘツドと比較して十分な能力を有
している。
ＢS＝4800G、4MHzにおける比透磁率μ＝500の
Mn−Znフエライト単結晶コアを使用し、低電気
抵抗率の高磁束密度磁性体膜として飽和磁束密度
Ｂs＝9800G、電気抵抗率90μΩcm、膜厚10μｍ
のセンダスト合金膜をスパツタリング技術によつ
て形成し、ギヤツプ0.4μｍのSi2O膜を第２図に
示す如く本発明によるVTR用磁気ヘツドとして
構成し、これをセンダスト合金膜を持たない第１
図に示す従来構造の磁気ヘツドと比較した。第６
図は保持力Ｈc＝1260Oeの高密度記録用の磁気テ
ープについて本発明〔曲線２〕と従来例〔曲線
１〕との自己記録再生特性を比較したものであ
る。第６図から明らかのように飽和磁束密度
5000G程度の従来のフエライトヘツドでは、保持
力Ｈcが約1000Oe以上のメタルテープのような高
保持力の磁気テープに対しては記録能力が十分で
はないが、本発明のヘツドでは十分の記録能力を
有することが、明らかである。なお、再生特性に
ついても従来のヘツドと比較して十分な能力を有
している。
上記した本発明のヘツドの記録特性の大幅な向
上が渦電流効果に起因するものであることが第７
図に示される。図において１は従来のヘツドにつ
いてインダクタンスの周波数特性を示し、２は非
磁性のフエライト基板にセンダスト合金膜をスパ
ツタリングした本発明によるヘツドの特性を示し
ており、比透磁率μは約600で周波数に対して僅
かに変化するのみであるにも拘らず、インダクタ
ンスは渦電流効果によつて顕著に変化している。
上が渦電流効果に起因するものであることが第７
図に示される。図において１は従来のヘツドにつ
いてインダクタンスの周波数特性を示し、２は非
磁性のフエライト基板にセンダスト合金膜をスパ
ツタリングした本発明によるヘツドの特性を示し
ており、比透磁率μは約600で周波数に対して僅
かに変化するのみであるにも拘らず、インダクタ
ンスは渦電流効果によつて顕著に変化している。
上述のように本発明の磁気ヘツドを用いること
によつて、メタルテープ等の高保持力テープの記
録再生が可能となり、高密度記録が実現可能とな
る。本発明の磁気ヘツドは現在VTR用ヘツドと
して広く使用されているフエライトヘツドの製造
工程および製造設備がほとんどそのまま利用する
ことを可能とし、量産性およびコストの面でも有
利なものである。
によつて、メタルテープ等の高保持力テープの記
録再生が可能となり、高密度記録が実現可能とな
る。本発明の磁気ヘツドは現在VTR用ヘツドと
して広く使用されているフエライトヘツドの製造
工程および製造設備がほとんどそのまま利用する
ことを可能とし、量産性およびコストの面でも有
利なものである。
第１図は従来例の磁気ヘツドを示す斜視図、第
２図、第３図は本発明の磁気ヘツドを示す斜視
図、第４図は本発明の磁気ヘツドの磁束の状態を
示す概略図、第５図は磁束集中度を示す計算結果
を示す図、第６図は出力と記録電流との関係を示
すグラフ、第７図はインダクタンスの周波数特性
を示すグラフである。 １ａ，１ｂ……フエライトコア、２……動作ギ
ヤツプ、３……磁性体膜、５……コイル。
２図、第３図は本発明の磁気ヘツドを示す斜視
図、第４図は本発明の磁気ヘツドの磁束の状態を
示す概略図、第５図は磁束集中度を示す計算結果
を示す図、第６図は出力と記録電流との関係を示
すグラフ、第７図はインダクタンスの周波数特性
を示すグラフである。 １ａ，１ｂ……フエライトコア、２……動作ギ
ヤツプ、３……磁性体膜、５……コイル。
Claims (1)
- １ 磁気ヘツドの主磁路を構成する高電気抵抗体
コアの少なくとも動作ギヤツプ突き合せ面に、こ
の面に直角な方向の磁束変化に対しては充分な渦
電流効果を有し、面に沿う方向の磁束変化に対し
てはその膜厚がスキンデプスの２倍以下の低電気
伝導率で高磁束密度の磁性体膜を形成したことを
特徴とする前記磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7715979A JPS563424A (en) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7715979A JPS563424A (en) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS563424A JPS563424A (en) | 1981-01-14 |
| JPS6220606B2 true JPS6220606B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=13626006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7715979A Granted JPS563424A (en) | 1979-06-19 | 1979-06-19 | Magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS563424A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7099121B2 (en) * | 2002-06-06 | 2006-08-29 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head having a reduced field under the return pole and minimal eddy current losses |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5122649U (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-19 | ||
| JPS5347811A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS5573918A (en) * | 1978-11-27 | 1980-06-04 | Sony Corp | Magnetic head |
| JPS55157121A (en) * | 1979-05-19 | 1980-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic head core |
-
1979
- 1979-06-19 JP JP7715979A patent/JPS563424A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS563424A (en) | 1981-01-14 |
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