JPS62208595A - マイクロ波放電装置 - Google Patents
マイクロ波放電装置Info
- Publication number
- JPS62208595A JPS62208595A JP4965986A JP4965986A JPS62208595A JP S62208595 A JPS62208595 A JP S62208595A JP 4965986 A JP4965986 A JP 4965986A JP 4965986 A JP4965986 A JP 4965986A JP S62208595 A JPS62208595 A JP S62208595A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- transformer
- discharge
- rectifier circuit
- power source
- Prior art date
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- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波放電を利用した装置に関するも
のである。
のである。
第3図は例えば特開昭56−126250号公報に示さ
れたマイクロ波放電装置の一例としてマイクロ波放電光
源装置を示す縦断面図であり、(1)はマイクロ波発振
器で1例えばマグネトロン、(2ン)エマグネトロンア
ンテナ、+3)12導波管、(4目1内壁の形状を回転
対称形に構成されたマイクロ波空胴壁で金属メツシュ板
(5)とでマイクロ波空胴(6)を形成する。(7)は
空胴壁(4)と導波管(3)の接合部に設けられたマイ
クロ波給電口、(8)は球形に形成された放電灯、(9
)はファン、 Qlは導波管(3)の一部に設けられた
通気口、住υはマグネトロン+1)、導波管(3)。
れたマイクロ波放電装置の一例としてマイクロ波放電光
源装置を示す縦断面図であり、(1)はマイクロ波発振
器で1例えばマグネトロン、(2ン)エマグネトロンア
ンテナ、+3)12導波管、(4目1内壁の形状を回転
対称形に構成されたマイクロ波空胴壁で金属メツシュ板
(5)とでマイクロ波空胴(6)を形成する。(7)は
空胴壁(4)と導波管(3)の接合部に設けられたマイ
クロ波給電口、(8)は球形に形成された放電灯、(9
)はファン、 Qlは導波管(3)の一部に設けられた
通気口、住υはマグネトロン+1)、導波管(3)。
空胴(6)等を覆う箱体である。
次に動作について説明する。電源(図示せず)より駆動
されてマグネトロン(1)から発生したマイクロ波(ユ
、マグネトロンアンテナ(2)を通じて導波管(3)中
に放射される。このマイクロ波(1導波管(3)を伝播
し、給電口(7)を通して空胴16)中に放射され。
されてマグネトロン(1)から発生したマイクロ波(ユ
、マグネトロンアンテナ(2)を通じて導波管(3)中
に放射される。このマイクロ波(1導波管(3)を伝播
し、給電口(7)を通して空胴16)中に放射され。
空胴(61中にマイクロ波電磁界を形成する。このマィ
クロ波電磁界により、放電灯(8)中のガスが放電し、
放電灯内壁が熱せられ、管中に封入されたプラズマ生成
媒体である水銀等の金属が蒸発しガス化されて放電は金
属ガスの放電に移る。この時。
クロ波電磁界により、放電灯(8)中のガスが放電し、
放電灯内壁が熱せられ、管中に封入されたプラズマ生成
媒体である水銀等の金属が蒸発しガス化されて放電は金
属ガスの放電に移る。この時。
金属の種類に応じた特定の発光スペクトルを持つ光が発
生する。この光を有効に利用するため、空胴壁(4)の
内面で反射面を形成させるとともに油面をマイクロ波は
透過させないが、光は透過させるメツシュ板(5)で覆
い、光を…■方のみに放射させている。
生する。この光を有効に利用するため、空胴壁(4)の
内面で反射面を形成させるとともに油面をマイクロ波は
透過させないが、光は透過させるメツシュ板(5)で覆
い、光を…■方のみに放射させている。
ここで、マグネトロンfl+を駆動する電源は例えば実
開昭56−162899号公報に示されるように50〜
601(zの商用交流電源を昇圧トランスで昇圧した後
整流した高圧の脈流を用いている。
開昭56−162899号公報に示されるように50〜
601(zの商用交流電源を昇圧トランスで昇圧した後
整流した高圧の脈流を用いている。
この時の整流回路が全波整流回路の場合、マグネトロン
(1)の電源として用いられる高圧は100〜120H
zの脈流となり、マグネトロン(1目工100〜12Q
flzのパルス状のマイクロ波を発生する。
(1)の電源として用いられる高圧は100〜120H
zの脈流となり、マグネトロン(1目工100〜12Q
flzのパルス状のマイクロ波を発生する。
放電灯(8)中のガスはこのように、100〜120f
izで変調されたマイクロ波により放電している。
izで変調されたマイクロ波により放電している。
ところが、整流回路が全波整流回路の場合、昇圧トラン
スの2次巻線は巻き始め1巻き終わり共に接地すること
ができないため絶縁を確保するのにトランス全体が大き
くなる。また、トランス以外の部分でも非常な高圧が発
生し9部品の信頼性が低下するなどの不都合がある。一
方整流回路を半波整流回路にずれは、昇圧トランスの2
次巻線は片側が接地できるため、上記の問題は低下でき
るが、マグネトロンil+に印加される電圧が電ふの半
周期で0になり、8〜10m5はマイクロ波が休止する
ため、放電灯(8)の立ち上り時に放電が維持できな(
なり、放電の立ち消えが起る恐れがある。
スの2次巻線は巻き始め1巻き終わり共に接地すること
ができないため絶縁を確保するのにトランス全体が大き
くなる。また、トランス以外の部分でも非常な高圧が発
生し9部品の信頼性が低下するなどの不都合がある。一
方整流回路を半波整流回路にずれは、昇圧トランスの2
次巻線は片側が接地できるため、上記の問題は低下でき
るが、マグネトロンil+に印加される電圧が電ふの半
周期で0になり、8〜10m5はマイクロ波が休止する
ため、放電灯(8)の立ち上り時に放電が維持できな(
なり、放電の立ち消えが起る恐れがある。
従来のマイクロ波放電装置は以上のように構成されてい
るので、商用周波数の昇圧トランスを用い、全波整流し
てマイクロ波発振器の電源とすると、装置全体が重くな
ると共に、電力の制御も困難である。さらにトランスの
絶縁不良が生じゃすいなどの問題点があった。
るので、商用周波数の昇圧トランスを用い、全波整流し
てマイクロ波発振器の電源とすると、装置全体が重くな
ると共に、電力の制御も困難である。さらにトランスの
絶縁不良が生じゃすいなどの問題点があった。
また、半波整流してマイクロ波発振器の電源とすると、
放電の立ち消えが起る恐れがあるという問題点があった
。
放電の立ち消えが起る恐れがあるという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、装置を軽くできると共に、電力の制御、すな
わち放電の制御も簡単に行なうことができ、さらに安定
した放電が得られるマイクロ波放電装置を得ることを目
的とする。
たもので、装置を軽くできると共に、電力の制御、すな
わち放電の制御も簡単に行なうことができ、さらに安定
した放電が得られるマイクロ波放電装置を得ることを目
的とする。
この発明に係るマイクロ波放電装置は、電源で駆動され
たマイクロ波発振器から発生したマイクロ波により、放
電管中に封入されたプラズマ生成媒体を放電させるマイ
クロ波放電装置において。
たマイクロ波発振器から発生したマイクロ波により、放
電管中に封入されたプラズマ生成媒体を放電させるマイ
クロ波放電装置において。
直流電源を半導体のインバータでI Kllz以上の高
周波とし、この高周波をトランスで昇圧した後、整流回
路により整流して上記電源を構成したものである。
周波とし、この高周波をトランスで昇圧した後、整流回
路により整流して上記電源を構成したものである。
この発明におけるマイクロ波発振2;の電源はインバー
タでI Kllz以上の高周波とすることにより。
タでI Kllz以上の高周波とすることにより。
昇圧トランスが軽量、小型になり、高圧整流回路に半波
整流回路を用いてもマイクロ波の休止期間が短く、マイ
クロ波放電光源装置に用いた時にも放電灯が立ち消えを
起こ丁恐れがな(なると共に。
整流回路を用いてもマイクロ波の休止期間が短く、マイ
クロ波放電光源装置に用いた時にも放電灯が立ち消えを
起こ丁恐れがな(なると共に。
電力の制御が可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、σ2は商用交流電源、(13はダイオード
ブリッジ、 (1aa)、(14b)、(14c)
isダイオ−1/、 (1sa)、(+sb)は半
導体で例えばFETt’あり、ダイオード(14a)、
(1ab)とFET (15a)、 (15b)とでイ
ンバータt1)19を構成する′。(17a)、 (1
7b) IJコンデン?、+IIはトランスで、昇圧ト
ランス。
図において、σ2は商用交流電源、(13はダイオード
ブリッジ、 (1aa)、(14b)、(14c)
isダイオ−1/、 (1sa)、(+sb)は半
導体で例えばFETt’あり、ダイオード(14a)、
(1ab)とFET (15a)、 (15b)とでイ
ンバータt1)19を構成する′。(17a)、 (1
7b) IJコンデン?、+IIはトランスで、昇圧ト
ランス。
(18a)はこの昇圧トランスσ汐の1次巻線のセンタ
ータップ、σ!j(工F E T (15a)、(15
b)全駆動スルドラ4ブ回路、■はドライブ回路α→に
PWMで制御されたパルスをその出力(2oa)、 (
2ob)より送る制御回路、Qυはマイクロ波発振器1
例えばマグネトロンfi+のフィラメント電源、のは整
流回路で。
ータップ、σ!j(工F E T (15a)、(15
b)全駆動スルドラ4ブ回路、■はドライブ回路α→に
PWMで制御されたパルスをその出力(2oa)、 (
2ob)より送る制御回路、Qυはマイクロ波発振器1
例えばマグネトロンfi+のフィラメント電源、のは整
流回路で。
例えはコンデンサ(17b)とダイオード(14りとで
構成される半波倍電圧整流回路である。このマグネトロ
ンfilで発生するマイクロ波を例えば第3図に示すマ
イクロ波放電光源装置で用いている。
構成される半波倍電圧整流回路である。このマグネトロ
ンfilで発生するマイクロ波を例えば第3図に示すマ
イクロ波放電光源装置で用いている。
次に動作について説明する。商用電諒aりから送られる
交流[hi1ダイオードブリッジαJにより全波整流さ
れた後、コンデンサ(17a)で平滑されて直流電圧に
なる。即ち、これで直流電諒を構成している。一方、制
御回路CI!G 12 PIえはスイッチングレギュレ
ータを源用ICのTL 494(Ti社製、商品名)
を主として構成されており、その出力(20a)、 (
201))にパルスを交互に出丁ようになっている。さ
らにはパルス巾を可変1こすることもできる。このパル
スを人力とL/1:、 FET (1sa)。
交流[hi1ダイオードブリッジαJにより全波整流さ
れた後、コンデンサ(17a)で平滑されて直流電圧に
なる。即ち、これで直流電諒を構成している。一方、制
御回路CI!G 12 PIえはスイッチングレギュレ
ータを源用ICのTL 494(Ti社製、商品名)
を主として構成されており、その出力(20a)、 (
201))にパルスを交互に出丁ようになっている。さ
らにはパルス巾を可変1こすることもできる。このパル
スを人力とL/1:、 FET (1sa)。
(15b)を交互に導通状態にするようにドライブ回路
四が構成されている。F ET (1sa)、 (+s
b)が交互に導通状態(オン状態)になるため、昇圧ト
ランスu8の1次巻線のセンタータップ(18a)より
上下に交互に電流が流れる。したがって昇圧トランスu
8の2次巻線には、1次巻線との巻線比で昇圧された交
流電圧が発生する。この交流電圧は。
四が構成されている。F ET (1sa)、 (+s
b)が交互に導通状態(オン状態)になるため、昇圧ト
ランスu8の1次巻線のセンタータップ(18a)より
上下に交互に電流が流れる。したがって昇圧トランスu
8の2次巻線には、1次巻線との巻線比で昇圧された交
流電圧が発生する。この交流電圧は。
コンデンサ(j7k))、ダイオード(14りからなる
倍電圧整流回路Qにより高圧の脈流に変換され、マグネ
トロン(1)に印加されてマグネトロン(1)が駆動さ
れる。このようにしてマグネトロン(1)ハ高圧の脈流
で動作するため1発生するマイクロ波もパルス状となる
。このマイクロ波の様子を第2図に示す。第2図1)横
軸が時間で縦軸がマイクロ波出力の大きさを表わす。第
1図のFET(1sb)がオン状態の時、昇圧トランス
σ&の2次側にはダイオード(14C)に対し順方向の
′屯田が発生し、コンデンサ(17b)への充電々流が
流れコンデンサ(17b)が充電される。次にFET(
15b)がオフ状態になった後、 FET (15a)
がオン状態となり昇圧トランスaυの2次側にはコンデ
ンサ(17b)に対し逆方向の電圧が発生し、ダイオー
ド(14c)はオフ状態になる。従って昇圧トランス賭
の2次側の電圧と。
倍電圧整流回路Qにより高圧の脈流に変換され、マグネ
トロン(1)に印加されてマグネトロン(1)が駆動さ
れる。このようにしてマグネトロン(1)ハ高圧の脈流
で動作するため1発生するマイクロ波もパルス状となる
。このマイクロ波の様子を第2図に示す。第2図1)横
軸が時間で縦軸がマイクロ波出力の大きさを表わす。第
1図のFET(1sb)がオン状態の時、昇圧トランス
σ&の2次側にはダイオード(14C)に対し順方向の
′屯田が発生し、コンデンサ(17b)への充電々流が
流れコンデンサ(17b)が充電される。次にFET(
15b)がオフ状態になった後、 FET (15a)
がオン状態となり昇圧トランスaυの2次側にはコンデ
ンサ(17b)に対し逆方向の電圧が発生し、ダイオー
ド(14c)はオフ状態になる。従って昇圧トランス賭
の2次側の電圧と。
コンドンサ(17b)に充電されていた電圧の和がマグ
ネトロンTl+に印加される。即ち第2図に示す時間t
1がFET(15a)がオン状態である時間になる。こ
のように、 FET (15a)がオン状態になる毎に
マグネトロン+1)が動作してマイクロ波が発生する。
ネトロンTl+に印加される。即ち第2図に示す時間t
1がFET(15a)がオン状態である時間になる。こ
のように、 FET (15a)がオン状態になる毎に
マグネトロン+1)が動作してマイクロ波が発生する。
つまり、F8期Tで時間【1の巾のマイクロ波パルスが
発生するわけである。ここで周期Tを例えば10μsに
設定し1周波数fを100KHzにする。
発生するわけである。ここで周期Tを例えば10μsに
設定し1周波数fを100KHzにする。
即ち、 F ET (4sa)、 (1sb)を100
能でオン−オフさせれば、昇圧トランスα81!IQO
Kflzの高尚波で励磁されるため、再出トランス鰻5
zso〜6QHzの低周波の昇圧トランスに比べ小さな
ものでよい。
能でオン−オフさせれば、昇圧トランスα81!IQO
Kflzの高尚波で励磁されるため、再出トランス鰻5
zso〜6QHzの低周波の昇圧トランスに比べ小さな
ものでよい。
また、この場合、高圧側の整流回路は半波倍電圧整流回
路を用いているが、マイクロ波の休止時間、Tなわち第
2図の時間t2は1周波数fが100KIIzの高周波
であるため10μs以下となる。
路を用いているが、マイクロ波の休止時間、Tなわち第
2図の時間t2は1周波数fが100KIIzの高周波
であるため10μs以下となる。
一方、放電灯(8)中のプラズマ生成媒体が希ガス。
あるい(l希ガスと水銀、金属のように一般に放電灯に
使用されるものであれは、いわゆるアフターグロー1!
1 m S程度以上である。従ってマイクロ波が休止
してもアフターグロー甲に次のマイクロ波パルスが加え
られるため、放電は容易に持続する一flll?、1)
Iffの立ち消iの恐れがないへここで。
使用されるものであれは、いわゆるアフターグロー1!
1 m S程度以上である。従ってマイクロ波が休止
してもアフターグロー甲に次のマイクロ波パルスが加え
られるため、放電は容易に持続する一flll?、1)
Iffの立ち消iの恐れがないへここで。
上記の実施例では周波数fを100龜としたが。
周期がtms以下以下9数波数fえばI Kuz以上で
あれば同様の効果があるのは明らかである。
あれば同様の効果があるのは明らかである。
以上のよう匡、高圧側の整流回路を半波倍電圧整流回路
にで自るため、トランスα段の2次巻線の片側を接地で
き、2次巻線の巻き始めはトランス謁のコアに接触して
もよく1巻き終わりとコア間。
にで自るため、トランスα段の2次巻線の片側を接地で
き、2次巻線の巻き始めはトランス謁のコアに接触して
もよく1巻き終わりとコア間。
巻き終わりと1次巻線間等の絶縁を考慮するだけでよ(
絶縁が簡単になる。
絶縁が簡単になる。
又、PWM制御によりマイクロ波電力を制御しても放電
灯(8)の立ち消えが起る恐れがないから。
灯(8)の立ち消えが起る恐れがないから。
例えばピーク電力を大きくしてパルス巾を縮めて。
平均電カ一定で、ピークの高いマイクロ波を加えること
もでき、様々な放電の制御が可能である。
もでき、様々な放電の制御が可能である。
なお、上記実施例ではインバータQf9を構成する半導
体としてトランジスタを用いているがこれに限るもので
はない。
体としてトランジスタを用いているがこれに限るもので
はない。
また、インバータ回路四にプッシュプル回路を用いたが
、−石フォワード回路、あるいはハーフブリッジ回路や
フルブリッジ回路等どのような回路を用いてもよい。
、−石フォワード回路、あるいはハーフブリッジ回路や
フルブリッジ回路等どのような回路を用いてもよい。
また、直流電源として、商用交流電源をダイオードブリ
ッジとコンデンサを用いて直流電圧を得ているが、これ
に限るものではない。
ッジとコンデンサを用いて直流電圧を得ているが、これ
に限るものではない。
さらに、上記の実施例では、マイクロ波放電装置として
マイクロ波放電光源装置を例にあげて説明したが、その
他例えばECR(ElectronCyclotron
Re5onance ) に用いられるマイクロ
波放電装置や、プラズマCVD用のマイクロ波放電装置
等でも、プラズマ生成媒体のアフターグローは少なくと
も1mS程度は存在するので・上記実施例と同様の効果
を奏する。
マイクロ波放電光源装置を例にあげて説明したが、その
他例えばECR(ElectronCyclotron
Re5onance ) に用いられるマイクロ
波放電装置や、プラズマCVD用のマイクロ波放電装置
等でも、プラズマ生成媒体のアフターグローは少なくと
も1mS程度は存在するので・上記実施例と同様の効果
を奏する。
以上のようにこの発明によれば、電源で駆動されたマイ
クロ波発振器から発生したマイクロ波により、放を管中
に封入されたプラズマ生成媒体を放電させるマイクロ波
放電装置において、直流電源を半導体のインバータで1
龍以上の高周波とし。
クロ波発振器から発生したマイクロ波により、放を管中
に封入されたプラズマ生成媒体を放電させるマイクロ波
放電装置において、直流電源を半導体のインバータで1
龍以上の高周波とし。
この高周波をトランスで昇圧した後、整流回路により整
流してマイクロ波発振器の電源を構成することにより、
装置を軽くできると共に、電力の制御、即ち放電の制御
が簡単にでき、さらに安定した放電が得られるマイクロ
波放電装置を提供できる効果がある。
流してマイクロ波発振器の電源を構成することにより、
装置を軽くできると共に、電力の制御、即ち放電の制御
が簡単にでき、さらに安定した放電が得られるマイクロ
波放電装置を提供できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるマイクロ波放電装置
に係るマイクロ波発振器の電源を示す回路図、第2図は
この発明の一実施例に係るマイクロ波の発振波形を示す
波形図、第3図は一般的なマイクロ波放電光源装置を示
す縦断面図である。 +1)・・・マイクロ波発振3. (1sa)、 (
15b)・・・半導体、αG・・・インバータ、賭・・
・トランス、四・・・整流回路。 なお1図中、同一符号は同一、又(工相当部分を示す。
に係るマイクロ波発振器の電源を示す回路図、第2図は
この発明の一実施例に係るマイクロ波の発振波形を示す
波形図、第3図は一般的なマイクロ波放電光源装置を示
す縦断面図である。 +1)・・・マイクロ波発振3. (1sa)、 (
15b)・・・半導体、αG・・・インバータ、賭・・
・トランス、四・・・整流回路。 なお1図中、同一符号は同一、又(工相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)電源で駆動されたマイクロ波発振器から発生した
マイクロ波により、放電管中に封入されたプラズマ生成
媒体を放電させるマイクロ波放電装置において、直流電
源を半導体のインバータで1KHz以上の高周波とし、
この高周波をトランスで昇圧した後、整流回路により整
流して上記電源を構成したことを特徴とするマイクロ波
放電装置。 - (2)整流回路は、半波倍電圧整流回路であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波放電装
置。 - (3)半導体は、トランジスタであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項又は第2項記載のマイクロ波放電
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4965986A JPS62208595A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | マイクロ波放電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4965986A JPS62208595A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | マイクロ波放電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208595A true JPS62208595A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12837308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4965986A Pending JPS62208595A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | マイクロ波放電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208595A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835861A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波放電光源装置 |
| JPS59203399A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-17 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波放電光源装置 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4965986A patent/JPS62208595A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5835861A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波放電光源装置 |
| JPS59203399A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-17 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波放電光源装置 |
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