JPS62208631A - 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 - Google Patents
縮小型ｘ線リソグラフイ装置Info
- Publication number
- JPS62208631A JPS62208631A JP61051033A JP5103386A JPS62208631A JP S62208631 A JPS62208631 A JP S62208631A JP 61051033 A JP61051033 A JP 61051033A JP 5103386 A JP5103386 A JP 5103386A JP S62208631 A JPS62208631 A JP S62208631A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- reflecting
- monochromator
- reflecting mirror
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は縮小型Ｘ線リングラフィ装置に関する。
口）従来の技術
半導体分野に於て１囲以下の微細加工は可視光や紫外光
はその波長が長過ぎて使用出来ない。
はその波長が長過ぎて使用出来ない。
従ってそれ等の光より波長の短いＸ線を用いる事が提案
され、一部実用化されつつある。例えは、第２９回応用
物理学関係連合会講演会予稿集３６４頁（３Ｐ−Ａ−１
８）記事１ンンクロ１〜ロン軌道放射光利用によるレジ
ストの露光特性の検討」に示されている。
され、一部実用化されつつある。例えは、第２９回応用
物理学関係連合会講演会予稿集３６４頁（３Ｐ−Ａ−１
８）記事１ンンクロ１〜ロン軌道放射光利用によるレジ
ストの露光特性の検討」に示されている。
ハ）発明が解決しようとする問題点
ところがＸ線領域で使えるレンスが存在しないので、通
常フォトリソグラフィで使用している縮小投影法は採用
出来ない。従って１・１転写のためのアライナ−やステ
ッパーの開発が行なわれている。然し乍ら線幅１７４即
の数種類のパターンを重ねて転写するためにはマスクの
位置合わせ精度として０． ＯＩＩｍ以上の高いものが
要求されるので、この高精度のアライナ−やステッパー
の出現が待たれているのが現状である。
常フォトリソグラフィで使用している縮小投影法は採用
出来ない。従って１・１転写のためのアライナ−やステ
ッパーの開発が行なわれている。然し乍ら線幅１７４即
の数種類のパターンを重ねて転写するためにはマスクの
位置合わせ精度として０． ＯＩＩｍ以上の高いものが
要求されるので、この高精度のアライナ−やステッパー
の出現が待たれているのが現状である。
二）問題点を解決するための手段
本発明は単結晶によるＸ線の非対称ブラッグ反射現象を
用いて斯る問題点を解決している。
用いて斯る問題点を解決している。
ホ）作用
単結晶によるＸ線の非対称ブラッグ反射現象を用いるこ
とに依ってＸ線領域であるにも拘らず、通常のフォトリ
ソグラフィと同様の縮小投影法が採用できる。
とに依ってＸ線領域であるにも拘らず、通常のフォトリ
ソグラフィと同様の縮小投影法が採用できる。
へ）実施例
第２図に本発明に用いている単結晶によるＸ線の非対称
ブラッグ反射現象を示す。同図（ａ）はブラ／グ反Ｉ４
の原理の説明図であって等間隔の平行線で模式的に示し
た単結晶（１）の格子面にブラッグ角θで入射したＸ線
（２）は対称的に反射する。
ブラッグ反射現象を示す。同図（ａ）はブラ／グ反Ｉ４
の原理の説明図であって等間隔の平行線で模式的に示し
た単結晶（１）の格子面にブラッグ角θで入射したＸ線
（２）は対称的に反射する。
一方、第２図（ｂ）に示すようにＸ線が入射する結晶表
面を格子面に対して角度αだけ傾斜させておけば、Ｘ線
の反射条件は変わらないがＸ線束の幅が変化する。ブラ
ッグ角θは結晶の種類、使用する反射面、使用するＸ線
の波長に依って種々選択可能で、格子面を入射Ｘ線との
角度グと、ブラッグ角０との組合わせに依って縮小率は
任意に制御出来る。
面を格子面に対して角度αだけ傾斜させておけば、Ｘ線
の反射条件は変わらないがＸ線束の幅が変化する。ブラ
ッグ角θは結晶の種類、使用する反射面、使用するＸ線
の波長に依って種々選択可能で、格子面を入射Ｘ線との
角度グと、ブラッグ角０との組合わせに依って縮小率は
任意に制御出来る。
第１図に本発明装置の構成を示す。同図において、（３
）は所望の波長のＸ線のみを通過させるモノクロメータ
、（４）はこのモノクロメータから得られる所望波長の
Ｘ線をＸ方向に反射させる第１の反射ミラー、〈５）は
第一のミラーで反射して来たＸ線をＹ方向に反射させる
第２の反射ミラーで、これ等の第１、第２の反射ミラー
は、第２図（ｂ）に示した単結晶に依るＸ線の非対称ブ
ラッグ反射ミラーから成る。（６〉は上記モノクロメー
タ−と第１の反射ミラー（４）との間に配置されたマス
クで、所望のパターンが描かれている。このマスク（６
）に描かれているパターンは最終的な露光パターンと１
＝１ではなく、数倍の大きさのものである。（７）は第
２の反射ミラーく５）を経て得られるＸ線にて照射露光
されるレジスト膜が塗布きれた露光基板である。
）は所望の波長のＸ線のみを通過させるモノクロメータ
、（４）はこのモノクロメータから得られる所望波長の
Ｘ線をＸ方向に反射させる第１の反射ミラー、〈５）は
第一のミラーで反射して来たＸ線をＹ方向に反射させる
第２の反射ミラーで、これ等の第１、第２の反射ミラー
は、第２図（ｂ）に示した単結晶に依るＸ線の非対称ブ
ラッグ反射ミラーから成る。（６〉は上記モノクロメー
タ−と第１の反射ミラー（４）との間に配置されたマス
クで、所望のパターンが描かれている。このマスク（６
）に描かれているパターンは最終的な露光パターンと１
＝１ではなく、数倍の大きさのものである。（７）は第
２の反射ミラーく５）を経て得られるＸ線にて照射露光
されるレジスト膜が塗布きれた露光基板である。
次に本発明の具体的実施例を数値を挙げて説明する。
入射線束の幅ａと反射線束の幅すの比はａ：ｂ＝ｓｉｎ
（θ＋ａ ）：５ｉｎ（θ−ａ）である。
（θ＋ａ ）：５ｉｎ（θ−ａ）である。
−例として波長３人のＸ線がシリコン単結晶（格子定数
５．４３０１人）の（１１１）反射で反射する場合をと
る。ブラッグ角はθ＝ ２８．５８５’である。
５．４３０１人）の（１１１）反射で反射する場合をと
る。ブラッグ角はθ＝ ２８．５８５’である。
結晶表面の傾き角改を種々変えた時の縮小率はａ＝１０
．３０°の時ａ：ｂ＝ ２：１ａ ＝ １９．９８＠
の時ａ：ｂ＝ ５：１．２ ＝ ２４．０５＠の時ａ
：ｂ＝１０：１ である。
．３０°の時ａ：ｂ＝ ２：１ａ ＝ １９．９８＠
の時ａ：ｂ＝ ５：１．２ ＝ ２４．０５＠の時ａ
：ｂ＝１０：１ である。
角度グをθに近ずければ縮小率は大きくなる。実際に使
用出来る角度範囲は理論的にはＱ＜ｄ＜θ〈４５ｍであ
るが０が４５°に近いとＸ線の反射率が低下し、θ＝
４５’でＯになるので実際に使用できる範囲はもう少し
狭い。結晶としてシリコンを取ったがもし完全結晶であ
ればゲルマニウムの様に重い結晶の方が望ましい。さら
に長波長のＸ線を使う必要がある場合には格子定数の大
きい単結晶が必要である。
用出来る角度範囲は理論的にはＱ＜ｄ＜θ〈４５ｍであ
るが０が４５°に近いとＸ線の反射率が低下し、θ＝
４５’でＯになるので実際に使用できる範囲はもう少し
狭い。結晶としてシリコンを取ったがもし完全結晶であ
ればゲルマニウムの様に重い結晶の方が望ましい。さら
に長波長のＸ線を使う必要がある場合には格子定数の大
きい単結晶が必要である。
ト）発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、Ｘ線が入射する
単結晶表面を格子面に対して傾斜した一対の反射ミラー
を互いに直交する方向に反射すべく配置しているので、
Ｘ線をレンズ系を用いる事なく実質的に集光させる事が
出来る。その結果、現存のアライナ−やステッパーを用
いて１１ＪＩ′１１以下の微細加工が可能となる。
単結晶表面を格子面に対して傾斜した一対の反射ミラー
を互いに直交する方向に反射すべく配置しているので、
Ｘ線をレンズ系を用いる事なく実質的に集光させる事が
出来る。その結果、現存のアライナ−やステッパーを用
いて１１ＪＩ′１１以下の微細加工が可能となる。
第１図は本発明装置の構成を示す斜視図、第２図は本発
明の基本原理を説明するための断面図である。 （１）・・・単結晶、（２）・・・Ｘ線、（３）・・・
モノクロメータ、（４）（５）・・・反射ミラー、（６
）・・・マスク、（７）・・・露光基板。
明の基本原理を説明するための断面図である。 （１）・・・単結晶、（２）・・・Ｘ線、（３）・・・
モノクロメータ、（４）（５）・・・反射ミラー、（６
）・・・マスク、（７）・・・露光基板。
Claims (1)
- 所望の波長のＸ線のみを通過させるモノクロメータと、
このモノクロメータから得られる所望波長のＸ線を互に
直交する方向に反射させる第１、第２の反射ミラーとを
備え、この反射ミラーは夫々Ｘ線が入射する単結晶表面
を格子面に対して所望の角度傾斜しており、上記モノク
ロメータと第１の反射ミラーとの間にマスクを配置する
と共に第２の反射ミラーを経て得られるＸ線にてレジス
ト膜を照射する事を特徴とした縮小型Ｘ線リソグラフィ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051033A JPS62208631A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61051033A JPS62208631A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62208631A true JPS62208631A (ja) | 1987-09-12 |
Family
ID=12875492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61051033A Pending JPS62208631A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62208631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153520A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107774A (en) * | 1976-03-08 | 1977-09-09 | Toshiba Corp | Microscopic figure copy unit |
| JPS5342679A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Xonics Inc | Apparatus for and method of manufacturing miniature object such as integrated circuit and the like |
| JPS58101426A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP61051033A patent/JPS62208631A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107774A (en) * | 1976-03-08 | 1977-09-09 | Toshiba Corp | Microscopic figure copy unit |
| JPS5342679A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Xonics Inc | Apparatus for and method of manufacturing miniature object such as integrated circuit and the like |
| JPS58101426A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153520A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
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