JPS58101426A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS58101426A JPS58101426A JP56199826A JP19982681A JPS58101426A JP S58101426 A JPS58101426 A JP S58101426A JP 56199826 A JP56199826 A JP 56199826A JP 19982681 A JP19982681 A JP 19982681A JP S58101426 A JPS58101426 A JP S58101426A
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- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 claims 2
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 claims 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 10
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＷＡはＸ−露光装置に関するものである。
従来、−わゆる軟ｘ１ｍを転写光源とするｘｌＩ露党装
置に於いては、有限の大きさを有するｘＩＩ焦点源（以
下Ｘｍ＠と称する）と、これと一定の距離を置いて、平
面が、Ｘ線束と喬直になるように配置されたパターン転
写用Ｘ＊ｆｆ、Ｘり（以下Ｘ線マスクと称する）と、該
Ｘ線マスクの近傍に腋Ｘ纏マスクとは埋平行に配置され
丸線光用しジストｍ布済みのり＝バー（以稜りエハーと
称する）とから成る基本的な配置関係を有し、Ｘ＠マス
タ上のパターン（以後徴収体パターンと称する）１皺ウ
エハー上のレジストに転写することを行りている・こｔ
）従来０Ｘｌｌ露光装置に於いて嬬、Ｘ纏マスク上の徴
収体パターンがそａｔ＼つ菖バーに転写されることから
、必然的に鋏ｘ１１ ｗスタ上の徴収体パターン（一般
に、該パターンはｘｌｌＩｖｔｌｋ収する金属から構成
される）そｏｔｏｔ転写を賛意する寸法で形成する必要
がある・ 上記の必然性から、例えば、１＃ｍ以下の一寸法を有す
る・ｈわゆる超微細パターンを転写するためＫは、歇収
体パターンもｔた超微細的な寸法を持つて形成すること
が畳求されるが、このよう表超微細パターン管有する徴
収体１形成する技＊Ｆｉ充分と＃ｉ云えない・ 本尭明Ｏ＠的は、上記の困難柱管除去し、現状達成でき
る吸収体パターン形成技ＩＩ（略〜１声１１１）管もっ
てしても、いわゆる超微細パターンを転写できるＸ１ｍ
露光装置を提供するととにある。
置に於いては、有限の大きさを有するｘＩＩ焦点源（以
下Ｘｍ＠と称する）と、これと一定の距離を置いて、平
面が、Ｘ線束と喬直になるように配置されたパターン転
写用Ｘ＊ｆｆ、Ｘり（以下Ｘ線マスクと称する）と、該
Ｘ線マスクの近傍に腋Ｘ纏マスクとは埋平行に配置され
丸線光用しジストｍ布済みのり＝バー（以稜りエハーと
称する）とから成る基本的な配置関係を有し、Ｘ＠マス
タ上のパターン（以後徴収体パターンと称する）１皺ウ
エハー上のレジストに転写することを行りている・こｔ
）従来０Ｘｌｌ露光装置に於いて嬬、Ｘ纏マスク上の徴
収体パターンがそａｔ＼つ菖バーに転写されることから
、必然的に鋏ｘ１１ ｗスタ上の徴収体パターン（一般
に、該パターンはｘｌｌＩｖｔｌｋ収する金属から構成
される）そｏｔｏｔ転写を賛意する寸法で形成する必要
がある・ 上記の必然性から、例えば、１＃ｍ以下の一寸法を有す
る・ｈわゆる超微細パターンを転写するためＫは、歇収
体パターンもｔた超微細的な寸法を持つて形成すること
が畳求されるが、このよう表超微細パターン管有する徴
収体１形成する技＊Ｆｉ充分と＃ｉ云えない・ 本尭明Ｏ＠的は、上記の困難柱管除去し、現状達成でき
る吸収体パターン形成技ＩＩ（略〜１声１１１）管もっ
てしても、いわゆる超微細パターンを転写できるＸ１ｍ
露光装置を提供するととにある。
本発明によれげ、ＸＪＩマスク上ＫＮ成する徴収体パタ
ーンのサイズは所望の転写パターンのサイズの数倍〜数
１０倍であれば良い為、吸収体パターンを廖威する＠に
％翼状達成できる形成技術で充分であり、かつ転写に利
用されるｘＩＩ束の平行性が、極めて嵐好となる結果、
転写ｎ度がＩＩｊｌｌ＃に上昇させることが可能となる
〇 以下率１ａｌ１４について実施例を示す１１１面を用い
て説明する。
ーンのサイズは所望の転写パターンのサイズの数倍〜数
１０倍であれば良い為、吸収体パターンを廖威する＠に
％翼状達成できる形成技術で充分であり、かつ転写に利
用されるｘＩＩ束の平行性が、極めて嵐好となる結果、
転写ｎ度がＩＩｊｌｌ＃に上昇させることが可能となる
〇 以下率１ａｌ１４について実施例を示す１１１面を用い
て説明する。
菖１閣及び菖２ｍ鉱本発明の原履會示す漸画図及び、そ
の部分拡大−である〇 両１１１ｍにおいて、入射１１１束１（必ずしも平行性
は良くなくて良い）がＸ＊マスク２に＠射されるとき、
皺ｘＩＩマスク２の一画上に形成された吸収体パターン
３に対応したコントラストを含んだ透過ｘｍ束４は、モ
ノクロメータ５によりて反射する・ 腋モノクロメータ５は、Ｘ＠が入射する表面に対して反
射面６が、−だけ傾いた構造＃Ｃ加工してあり、かつ、
透過Ｘ線束４とモノクロメータ５０表両となす角の方が
、反射！ｍ束７と皺ａｍとなす餉より大きくなるように
配置されている。
の部分拡大−である〇 両１１１ｍにおいて、入射１１１束１（必ずしも平行性
は良くなくて良い）がＸ＊マスク２に＠射されるとき、
皺ｘＩＩマスク２の一画上に形成された吸収体パターン
３に対応したコントラストを含んだ透過ｘｍ束４は、モ
ノクロメータ５によりて反射する・ 腋モノクロメータ５は、Ｘ＠が入射する表面に対して反
射面６が、−だけ傾いた構造＃Ｃ加工してあり、かつ、
透過Ｘ線束４とモノクロメータ５０表両となす角の方が
、反射！ｍ束７と皺ａｍとなす餉より大きくなるように
配置されている。
透過Ｘｍ束４が、モノクロメータ５０反射画６によりて
ブラッグ反射し、反射Ｘ＃束７を生じる場合のブラッグ
角管−とすると、透過ｘＩＩ束４とモノタロメータ５０
表面となす角＃ｉ＃＋ｇ％反射Ｘ纏束７と該表面となす
角はト１とな９、つねに、＃ ＋ ｇ ） ＃ −ｇと
なる条件で、皺モノク゛ｐメータを加工し、配置するこ
とが、肝畳である。
ブラッグ反射し、反射Ｘ＃束７を生じる場合のブラッグ
角管−とすると、透過ｘＩＩ束４とモノタロメータ５０
表面となす角＃ｉ＃＋ｇ％反射Ｘ纏束７と該表面となす
角はト１とな９、つねに、＃ ＋ ｇ ） ＃ −ｇと
なる条件で、皺モノク゛ｐメータを加工し、配置するこ
とが、肝畳である。
例えば、ｅ””４５°、ａさ３１７°となるようにモノ
クロメータの材質及び、Ｘ−の波長を選択すれば、＄１
２１１に示すように、県がＷである吸収体パターン３の
コントラストが、反射Ｘ線束７に於ける；ントラストに
変換され、その＠Ｗ’−Ｗ１５のパターンとしてウェハ
ー８上Ｋｍ布された７＃トレジスト９に転写される。し
たがりて転写パターンが所望のサイズＷ′を持つえめＫ
ｌｋ、上記の転写条件での１収体パターン０１１−イズ
はｗ−ｓｗ’で良％Ａことになる。例えｄ、ｙオドレジ
スト上ＫＷ’Ｈ１ｓ ｗｒのパターンを転写したい場合
＃Ｃはｓ １４’ −Ｓ ｊｍ Ｏ吸収体パターンを形
成すれば東く、現状の徴収体パターン影威技ｌＩをもり
てすれば、ζＯＩＩ直Ｏナイズ０１１Ｉｌｔ、体を加工
することは極めて容易である。
クロメータの材質及び、Ｘ−の波長を選択すれば、＄１
２１１に示すように、県がＷである吸収体パターン３の
コントラストが、反射Ｘ線束７に於ける；ントラストに
変換され、その＠Ｗ’−Ｗ１５のパターンとしてウェハ
ー８上Ｋｍ布された７＃トレジスト９に転写される。し
たがりて転写パターンが所望のサイズＷ′を持つえめＫ
ｌｋ、上記の転写条件での１収体パターン０１１−イズ
はｗ−ｓｗ’で良％Ａことになる。例えｄ、ｙオドレジ
スト上ＫＷ’Ｈ１ｓ ｗｒのパターンを転写したい場合
＃Ｃはｓ １４’ −Ｓ ｊｍ Ｏ吸収体パターンを形
成すれば東く、現状の徴収体パターン影威技ｌＩをもり
てすれば、ζＯＩＩ直Ｏナイズ０１１Ｉｌｔ、体を加工
することは極めて容易である。
上記Ｏ第１ＩＩ及び１Ｍ２１！ＪＫ示した実施例では、
紙面に平行表寸法を一歩して転写することを示したが、
紙面Ｋｍｒ１１に方向については寸法Ｏ口止は行われな
い。１１１１３図に、この方向の寸法も縮ホ、即ち・Ｘ
ＩＩマスク上の徴収体パターン管二次元釣に１１本して
フォトレジストに転写するＸ線露光装置の基本的な構成
を示す斜ＩＩｌ閣である。Ｘ纏マスクｎの一画上に形成
され九ａ収体パターン３１を透過した透過Ｘ−束は、第
一のモノクーメータ５１で、二次元面内の一方向だけ縮
少されて反射Ｘａｌｌ信と′＆り、そ０’Ｉｔ＠が、さ
ら＃ｃｅｏ０ｕ転ｔ、ｔｍｔらに射するように設置され
九第二のモノクロメータ５２によりて、二次元画内の他
〇一方向ｔＩｉｌ−されて反射ｘ１ｓ束７１となりた上
で、クエへ−８１の上に塗布され九７＃トレジスト９１
の上に転写される。
紙面に平行表寸法を一歩して転写することを示したが、
紙面Ｋｍｒ１１に方向については寸法Ｏ口止は行われな
い。１１１１３図に、この方向の寸法も縮ホ、即ち・Ｘ
ＩＩマスク上の徴収体パターン管二次元釣に１１本して
フォトレジストに転写するＸ線露光装置の基本的な構成
を示す斜ＩＩｌ閣である。Ｘ纏マスクｎの一画上に形成
され九ａ収体パターン３１を透過した透過Ｘ−束は、第
一のモノクーメータ５１で、二次元面内の一方向だけ縮
少されて反射Ｘａｌｌ信と′＆り、そ０’Ｉｔ＠が、さ
ら＃ｃｅｏ０ｕ転ｔ、ｔｍｔらに射するように設置され
九第二のモノクロメータ５２によりて、二次元画内の他
〇一方向ｔＩｉｌ−されて反射ｘ１ｓ束７１となりた上
で、クエへ−８１の上に塗布され九７＃トレジスト９１
の上に転写される。
菖−のモノクロメータ５１と第二の毫ノクロメータ纏と
が同一形状のｔのであれば、二次元的１に徴収体パター
ンの直交する二方向の寸法は、同じ割合で縮小されるこ
とＫｌｋる０例えば、先に記した条件で、嬉−及び第二
のモノクロメータを構成設置すれば〜５４ ｍ Ｘ ％
ｐ ｍ Ｏ吸収体パターンは、フォトレジスト上では
１声醜Ｘ１ｊ＋論と＆）、ｌｓｍＸｌａｍ（）パターン
転写を行うため＃Ｃは、ＳμｍＸｒｓｓ脂の徴収体パタ
ーンを、＊＊すれば農いことに１５、ｘｌＩ露光露光用
タスク作が極めて容易になる。
が同一形状のｔのであれば、二次元的１に徴収体パター
ンの直交する二方向の寸法は、同じ割合で縮小されるこ
とＫｌｋる０例えば、先に記した条件で、嬉−及び第二
のモノクロメータを構成設置すれば〜５４ ｍ Ｘ ％
ｐ ｍ Ｏ吸収体パターンは、フォトレジスト上では
１声醜Ｘ１ｊ＋論と＆）、ｌｓｍＸｌａｍ（）パターン
転写を行うため＃Ｃは、ＳμｍＸｒｓｓ脂の徴収体パタ
ーンを、＊＊すれば農いことに１５、ｘｌＩ露光露光用
タスク作が極めて容易になる。
このようＫ、本発明のＸ線露光装置は表面が、反射格子
′ｒＩｉＫ対して同一条件で非対称にカッドされた二個
のモノクロメータを用い、第一〇モノクーメータＫｊり
てパターンの一方向をＳ＋し、さもＫＩＩｇ二のモノク
ロメータによりて、前記方向に直交する他の方向管縮会
する結果、吸収体の持つ二次元パターンを全体的に＠ホ
することがで自る利点管提供するか、その他に、ｘＩｓ
ｉスク上ｃａｓｔｓ体パターンの加工精度も壕九縮歩さ
れるという第二〇利点をもつ。即ち、例えば±０．２５
ｍ０加工１１ＩＩ度をもりえ平均５声ｍ Ｅ） Ａ ／
−ンは、８１１図及びＩｇ！４！ｌｌ０ＩＩ！―に用い
良書では、１μｍ±００４ｓｗａｔ）パターンと１にう
て転写される。現状ｏｘｌＩＩｊＩ光技術では、±０．
０４βｒｎＯ加工精度をもった加工体パターンを形成す
ることは不可能に近い〇さもに、第三の利点として、フ
ォトレジスト＃ｃｌＫ射されるところの、モノクロメー
タから０反射Ｘ纏東７又は７１は、本質的和平行性が高
いため、転写パターンのボクが少（なゐ・ 上記の実１例では、ブラッグ反射角がｍ＝４ｈＯで入射
Ｘ１１束と反射Ｘ１１束がほぼ直交しているが、これは
必ずし１必ｌ！条件でないこと＃ｉ勿論でありて、二次
元的ｔａ収鉢体パターン一方向がＪＩ治される間係を満
足するならば、ブラッグ反射角−１及び格子画ｏｈｍか
らの頷き一社任意の角度で良いＯ
′ｒＩｉＫ対して同一条件で非対称にカッドされた二個
のモノクロメータを用い、第一〇モノクーメータＫｊり
てパターンの一方向をＳ＋し、さもＫＩＩｇ二のモノク
ロメータによりて、前記方向に直交する他の方向管縮会
する結果、吸収体の持つ二次元パターンを全体的に＠ホ
することがで自る利点管提供するか、その他に、ｘＩｓ
ｉスク上ｃａｓｔｓ体パターンの加工精度も壕九縮歩さ
れるという第二〇利点をもつ。即ち、例えば±０．２５
ｍ０加工１１ＩＩ度をもりえ平均５声ｍ Ｅ） Ａ ／
−ンは、８１１図及びＩｇ！４！ｌｌ０ＩＩ！―に用い
良書では、１μｍ±００４ｓｗａｔ）パターンと１にう
て転写される。現状ｏｘｌＩＩｊＩ光技術では、±０．
０４βｒｎＯ加工精度をもった加工体パターンを形成す
ることは不可能に近い〇さもに、第三の利点として、フ
ォトレジスト＃ｃｌＫ射されるところの、モノクロメー
タから０反射Ｘ纏東７又は７１は、本質的和平行性が高
いため、転写パターンのボクが少（なゐ・ 上記の実１例では、ブラッグ反射角がｍ＝４ｈＯで入射
Ｘ１１束と反射Ｘ１１束がほぼ直交しているが、これは
必ずし１必ｌ！条件でないこと＃ｉ勿論でありて、二次
元的ｔａ収鉢体パターン一方向がＪＩ治される間係を満
足するならば、ブラッグ反射角−１及び格子画ｏｈｍか
らの頷き一社任意の角度で良いＯ
第ｉｌｌ、第２図、及び第３閣は本発明Ｏ鳳ｌ會駅明す
るための図で、図において、１は入射Ｘ鐘束、２及び２
１はＸ！Ｉマスク、３及び３１ ＃ｉｍｌ ＊体パター
ン、４及び／ｌｌ／は透過Ｘ−束、５．５１及ヒ５２ハ
モノクロメータ、６ｔｊ反射格子函、７及び７１は反射
Ｘ＊束、８及び８１Ｆｉウエハー、９及び９１ｔｌｊフ
オトレジスト。 オ １ 囚 才２目 −ｇ オ ３ 胆 引
るための図で、図において、１は入射Ｘ鐘束、２及び２
１はＸ！Ｉマスク、３及び３１ ＃ｉｍｌ ＊体パター
ン、４及び／ｌｌ／は透過Ｘ−束、５．５１及ヒ５２ハ
モノクロメータ、６ｔｊ反射格子函、７及び７１は反射
Ｘ＊束、８及び８１Ｆｉウエハー、９及び９１ｔｌｊフ
オトレジスト。 オ １ 囚 才２目 −ｇ オ ３ 胆 引
Claims (1)
- 表面が、反射格子ｍに対して非対称にカットされえ、籐
−のモノタロメータによりて、二次元パターンの一方向
がＳ小され−ｋＷｋ、Ｐｌじ〈非対称にカットされた露
二のモノクロメータによりて、前記方向と直交する方向
が縮小されるように、二個のモノクロメ〜りが、Ｘ線マ
スクと転写レジストとの関に設置されたことを特徴とす
るｘｉｉｕ＋ｉ光鋏置Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199826A JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199826A JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101426A true JPS58101426A (ja) | 1983-06-16 |
| JPH0359569B2 JPH0359569B2 (ja) | 1991-09-11 |
Family
ID=16414280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199826A Granted JPS58101426A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101426A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629632A (ja) * | 1985-07-06 | 1987-01-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 投影露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
| JPH02153520A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
| US5153898A (en) * | 1986-07-11 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199826A patent/JPS58101426A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629632A (ja) * | 1985-07-06 | 1987-01-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 投影露光装置 |
| JPS62208631A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 縮小型ｘ線リソグラフイ装置 |
| US5153898A (en) * | 1986-07-11 | 1992-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| EP0947882A3 (en) * | 1986-07-11 | 1999-10-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| JPH02153520A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359569B2 (ja) | 1991-09-11 |
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