JPS62216320A - レ−ザアニ−ル装置 - Google Patents
レ−ザアニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS62216320A JPS62216320A JP61060289A JP6028986A JPS62216320A JP S62216320 A JPS62216320 A JP S62216320A JP 61060289 A JP61060289 A JP 61060289A JP 6028986 A JP6028986 A JP 6028986A JP S62216320 A JPS62216320 A JP S62216320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trestle
- laser
- wafer
- movable
- pedestal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レーザ装置の架台とＸ、 Ｙステージの架台を分離し、
後者の架台をバネにより抑えて前者の架台に対して所定
範囲内で可動にし、該ステージの往復動に伴なう衝撃を
吸収するようにしたレーザアニール装置。
後者の架台をバネにより抑えて前者の架台に対して所定
範囲内で可動にし、該ステージの往復動に伴なう衝撃を
吸収するようにしたレーザアニール装置。
本発明は、レーザアニールによりウェーハ上の多結晶シ
リコンを単結晶にする装置に関する。
リコンを単結晶にする装置に関する。
レーザ再結晶法は、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏ
ｎ Ｉｎ５ｕｌ−ａｔｏｒ）構造のＭＯＳ ＦＥＴを製
造するのに有力な方法である。ＳＯ■構造のＭ（ｉｓ
ＦＩＥＴを利用するとｓ。
ｎ Ｉｎ５ｕｌ−ａｔｏｒ）構造のＭＯＳ ＦＥＴを製
造するのに有力な方法である。ＳＯ■構造のＭ（ｉｓ
ＦＩＥＴを利用するとｓ。
ｌ−ＩＣや３次元ＩＣのような高速かつ高集積度のＩＣ
（集積回路）を作ることができるので、レーザ再結晶法
には近年多くの研究開発が進められている。
（集積回路）を作ることができるので、レーザ再結晶法
には近年多くの研究開発が進められている。
レーザ再結晶装置は概略第３図に示す構成を有する。１
０はガスレーザ装置、１２，１４．１６はミラー、１８
はフォーカシングレンズ、２０はシリコンウェーハで加
熱装置（ホットチャック）２２により保持される。２６
はＸステージ（Ｘ方向移動機構）で、この上にＹステー
ジ（Ｙ方向移動機構）２４が取付けられ、加熱装置２２
はＹステージに乗る。
０はガスレーザ装置、１２，１４．１６はミラー、１８
はフォーカシングレンズ、２０はシリコンウェーハで加
熱装置（ホットチャック）２２により保持される。２６
はＸステージ（Ｘ方向移動機構）で、この上にＹステー
ジ（Ｙ方向移動機構）２４が取付けられ、加熱装置２２
はＹステージに乗る。
ウェーハ２０は第４図（ａｌに示すように例えば４００
μｍの厚さのシリコン基板Ｓｔ、その表面を熱酸化して
形成させた１、０μｍ程度の厚さの二酸化シリコンＳｉ
Ｏ２、その上にＣＶＤ法により形成した多結晶シリコン
ｐｏｌｉ−３ｔからなる。レーザ装Ｗ１０はアルゴンガ
スレーザで、第４図（ｂｌに示すように発振管１０ａと
、その両端の発振用ミラー１０ｂ、ｌＯｃを備える。
μｍの厚さのシリコン基板Ｓｔ、その表面を熱酸化して
形成させた１、０μｍ程度の厚さの二酸化シリコンＳｉ
Ｏ２、その上にＣＶＤ法により形成した多結晶シリコン
ｐｏｌｉ−３ｔからなる。レーザ装Ｗ１０はアルゴンガ
スレーザで、第４図（ｂｌに示すように発振管１０ａと
、その両端の発振用ミラー１０ｂ、ｌＯｃを備える。
レーザ装置１０より出たレーザ光３０は径２鶴程度で、
ミラー１２．１４．１６により図示の如く導かれ、レン
ズ１８で径２０〜１００μｍに絞られ、ウェーハ２０に
投射される。ウェーハにレーザ光が投射されると、加熱
装置２２により既に５００℃程度に加熱されているウェ
ーハの最上層の多結晶シリコンは直ちに溶融し、Ｘ、Ｙ
ステージ２６．２４によるＸ、 Ｙ方向移動で多結晶シ
リコン層は第４図（Ｃ）に示すように全面的に溶融、凝
固が行なわれ、これにより単結晶化される。この第４図
ｆｃｌで１，２．・・・・・・は１回目、２回目、・・
・・・・のＸ方向移動で溶融、凝固される領域を示しく
但しこれは説明上のもの）、これらはレーザ光の径には
ｙ等しい幅を持つ細幅帯状領域である。全面塗りつぶし
的な処理であるからこれらの帯状領域は若干型ならせで
ある。矢印は移動方向を示す。
ミラー１２．１４．１６により図示の如く導かれ、レン
ズ１８で径２０〜１００μｍに絞られ、ウェーハ２０に
投射される。ウェーハにレーザ光が投射されると、加熱
装置２２により既に５００℃程度に加熱されているウェ
ーハの最上層の多結晶シリコンは直ちに溶融し、Ｘ、Ｙ
ステージ２６．２４によるＸ、 Ｙ方向移動で多結晶シ
リコン層は第４図（Ｃ）に示すように全面的に溶融、凝
固が行なわれ、これにより単結晶化される。この第４図
ｆｃｌで１，２．・・・・・・は１回目、２回目、・・
・・・・のＸ方向移動で溶融、凝固される領域を示しく
但しこれは説明上のもの）、これらはレーザ光の径には
ｙ等しい幅を持つ細幅帯状領域である。全面塗りつぶし
的な処理であるからこれらの帯状領域は若干型ならせで
ある。矢印は移動方向を示す。
レーザアニールでは２０μｍという様な細いレーザ光を
照射しく照射位置は固定）、ウェーハをＸ方向に移動し
、次に微小長Ｙ方向に移動したのち同じＸ方向ではある
が逆方向に移動し、か＼るジグザグ状移動でウェーハを
全面的に溶融、凝固して行く。上記Ｙ方向微小長は熔融
凝固帯が重なるようにするので本例では２０μｍ以下で
あり、これでウェーハ全面を溶融、凝固するには移動速
度を高速にしないと処理に長時間を要することになる。
照射しく照射位置は固定）、ウェーハをＸ方向に移動し
、次に微小長Ｙ方向に移動したのち同じＸ方向ではある
が逆方向に移動し、か＼るジグザグ状移動でウェーハを
全面的に溶融、凝固して行く。上記Ｙ方向微小長は熔融
凝固帯が重なるようにするので本例では２０μｍ以下で
あり、これでウェーハ全面を溶融、凝固するには移動速
度を高速にしないと処理に長時間を要することになる。
そこでスループット向上のため走査速度は３０Ｑ ｍｍ
／ ｓ程度の値が採用されており、往復運動であるの
で加速度は１〜１０ｍ／ｓ２ になる。ところで、ウ
ェーハ自体は軽量であり、高速、高加速度に何ら支障は
ないが、加熱装置２２が重量物で、高加速に難がある。
／ ｓ程度の値が採用されており、往復運動であるの
で加速度は１〜１０ｍ／ｓ２ になる。ところで、ウ
ェーハ自体は軽量であり、高速、高加速度に何ら支障は
ないが、加熱装置２２が重量物で、高加速に難がある。
加熱装置２２は第４図（ｄ）（ｅ）に示すようにウェー
ハを真空吸着するための吸排気機構、加熱するためのヒ
ーター、Ｘ、Ｙステージを加熱しないための水冷機構か
らなり、６“ φウェーハ用で１８ｈ以上になる。この
ような重量物が高速運動を行なうと、例えば加速度を５
ｍ／ｓ２、Ｙステージ重量を２．０ ＫｇとしてＸステ
ージの加速度運動中の衝撃は２０Ｋｇ・５ｍ／ｓ２ ＝
１００Ｎとなり、レーザ装置のミラーや光学系の位置ず
れを生じたり、振動を与えたりして、精密な位置決めや
、長期間の安定したレーザ照射を困難にする。
ハを真空吸着するための吸排気機構、加熱するためのヒ
ーター、Ｘ、Ｙステージを加熱しないための水冷機構か
らなり、６“ φウェーハ用で１８ｈ以上になる。この
ような重量物が高速運動を行なうと、例えば加速度を５
ｍ／ｓ２、Ｙステージ重量を２．０ ＫｇとしてＸステ
ージの加速度運動中の衝撃は２０Ｋｇ・５ｍ／ｓ２ ＝
１００Ｎとなり、レーザ装置のミラーや光学系の位置ず
れを生じたり、振動を与えたりして、精密な位置決めや
、長期間の安定したレーザ照射を困難にする。
レーザ装置１０は第３図（ｂ）に示したように発振チュ
ーブの両端に発振用のミラー１０ｂ、１０ｃが置かれ、
ミラーはバネで抑え、反対側からマイクロメータで押し
て所望位置にセットする構成になっているので、光軸方
向に可動である。そこで上記衝撃がレーザ装置の光軸方
向に加わるとミラー位置が変動し、パワー値が変る。
ーブの両端に発振用のミラー１０ｂ、１０ｃが置かれ、
ミラーはバネで抑え、反対側からマイクロメータで押し
て所望位置にセットする構成になっているので、光軸方
向に可動である。そこで上記衝撃がレーザ装置の光軸方
向に加わるとミラー位置が変動し、パワー値が変る。
往復動型のレーザ走査をする限り衝撃発生は避けられな
いが、レーザ装置の出力低下などがあって均一なレーザ
アニールが出来ないのは問題である。そこで本発明はこ
の衝撃を可及的に無害化しようとするものである。
いが、レーザ装置の出力低下などがあって均一なレーザ
アニールが出来ないのは問題である。そこで本発明はこ
の衝撃を可及的に無害化しようとするものである。
本発明は、レーザ装置（１０）と、ｘ、 Ｘステージ（
２６，２４）にのせられウェーハ（２０）を保持、加熱
する装置（２２）と、レーザ装置からのレーザ光をウェ
ーハに投射する光学系（１２，１４，’１６．１８）を
備え、レーザ光を投射しながらＸ、Ｙステージによりウ
ェーハをＸ方向に高速往復動、Ｙ方向に精密移動させて
該ウェーハ表面の多結晶シリコン層を単結晶化するレー
ザアニール装置において、前記レーザ装置は固定架台（
３２）に取付け、前記Ｘ、Ｙステージおよび加熱装置は
、バネを介して抑えられ所定範囲内でＸ方向に可動な架
台（２８）に取付け、前記光学系のレーザ光通路にはＸ
方向と平行な部分を持たせて該通路のレーザ装置側光学
系は固定架台に、そして該通路のウェーハ側光学系は可
動架台に取付けてなることを特徴とするものである。
２６，２４）にのせられウェーハ（２０）を保持、加熱
する装置（２２）と、レーザ装置からのレーザ光をウェ
ーハに投射する光学系（１２，１４，’１６．１８）を
備え、レーザ光を投射しながらＸ、Ｙステージによりウ
ェーハをＸ方向に高速往復動、Ｙ方向に精密移動させて
該ウェーハ表面の多結晶シリコン層を単結晶化するレー
ザアニール装置において、前記レーザ装置は固定架台（
３２）に取付け、前記Ｘ、Ｙステージおよび加熱装置は
、バネを介して抑えられ所定範囲内でＸ方向に可動な架
台（２８）に取付け、前記光学系のレーザ光通路にはＸ
方向と平行な部分を持たせて該通路のレーザ装置側光学
系は固定架台に、そして該通路のウェーハ側光学系は可
動架台に取付けてなることを特徴とするものである。
レーザアニールでは、レーザビーム位置は固定とし、Ｘ
、ＹステージによりウェーハをＸ方向に高速往復動、Ｙ
方向に微小長スキップさせ、このためＸ方向に強い衝撃
力が発生する。そこで第１図に示すようにレーザ装置の
架台とステージの架台を分離し、高速往復動による衝撃
がレーザ装置には加わらないようにする。
、ＹステージによりウェーハをＸ方向に高速往復動、Ｙ
方向に微小長スキップさせ、このためＸ方向に強い衝撃
力が発生する。そこで第１図に示すようにレーザ装置の
架台とステージの架台を分離し、高速往復動による衝撃
がレーザ装置には加わらないようにする。
この第１図で３２は固定架台で、レーザ装置１０は該架
台３２に固定する。架台２８は可動とし、両端はバネ３
６ａ、３６ｂを介して固定架台３２の突出部材３４ａ、
３４ｂにより抑える。従って可動架台２８はこれらの突
出部材間で可動である。
台３２に固定する。架台２８は可動とし、両端はバネ３
６ａ、３６ｂを介して固定架台３２の突出部材３４ａ、
３４ｂにより抑える。従って可動架台２８はこれらの突
出部材間で可動である。
この可動方向はＸ方向に合せる。Ｘステージの高速往復
動で発生する衝撃はＸ方向であるから、該衝撃で架台２
８は移動し、一方のバネを圧縮、他方のバネを伸長し、
衝撃解除で該バネの力により復帰し、こうして衝撃は吸
収される。振動性にならないように、架台２８に適当な
走行抵抗を与えておくとよい。
動で発生する衝撃はＸ方向であるから、該衝撃で架台２
８は移動し、一方のバネを圧縮、他方のバネを伸長し、
衝撃解除で該バネの力により復帰し、こうして衝撃は吸
収される。振動性にならないように、架台２８に適当な
走行抵抗を与えておくとよい。
レーザ装置１０からのレーザ光は、図示のようにミラー
１２．１４．１６によるコ字状光路を通るが、その水平
部つまりミラー１４．１６間をＸ方向に選んでおき、そ
の水平部のレーザ装置側光学系１２．１４は固定架台３
２より支持し、ステージ側光学系１６．１８は可動架台
２８より支持するようにすると、前記衝撃で可動架台２
８がＸ方向に移動しても、上記水平部の長さが変るだけ
で、ウェーハ２０へのレーザ光投射に何ら影響がない。
１２．１４．１６によるコ字状光路を通るが、その水平
部つまりミラー１４．１６間をＸ方向に選んでおき、そ
の水平部のレーザ装置側光学系１２．１４は固定架台３
２より支持し、ステージ側光学系１６．１８は可動架台
２８より支持するようにすると、前記衝撃で可動架台２
８がＸ方向に移動しても、上記水平部の長さが変るだけ
で、ウェーハ２０へのレーザ光投射に何ら影響がない。
光学系は全て固定架台３２に支持させることも考えられ
るが、この場合はレーザ光の投射位置は変らないのであ
るから、可動架台２８の移動だけ投射位置がずれてしま
い、ウェーハ上のＸ方同走査始、終端がバラバラになる
。この点用１図の支持方法によれば、ミラー１６及びレ
ンズ１８は可動架台２８と共に移動するので、ウェーハ
上のレーザ光投射位置は変らず、Ｘ方向走査始、終端が
ギザギザになるようなことはない。なお第４図ｆＱｌに
示したようにウェーハ２０を全面的にＸ、Ｙ方向走査し
てレーザアニールする場合は、Ｙ方向は高精度でなけれ
ばならない（低精度では重なり代が負になる、即ち開い
て未処理部分が発生する恐れがある）が、Ｘ方向はそれ
埋置精度であることを要しない（少し多口に走査幅をと
っておけばよい）。しかしウェーハ内での局部的な処理
の場合は、Ｘ方向でも大きな過不足があるのは好ましく
ない。
るが、この場合はレーザ光の投射位置は変らないのであ
るから、可動架台２８の移動だけ投射位置がずれてしま
い、ウェーハ上のＸ方同走査始、終端がバラバラになる
。この点用１図の支持方法によれば、ミラー１６及びレ
ンズ１８は可動架台２８と共に移動するので、ウェーハ
上のレーザ光投射位置は変らず、Ｘ方向走査始、終端が
ギザギザになるようなことはない。なお第４図ｆＱｌに
示したようにウェーハ２０を全面的にＸ、Ｙ方向走査し
てレーザアニールする場合は、Ｙ方向は高精度でなけれ
ばならない（低精度では重なり代が負になる、即ち開い
て未処理部分が発生する恐れがある）が、Ｘ方向はそれ
埋置精度であることを要しない（少し多口に走査幅をと
っておけばよい）。しかしウェーハ内での局部的な処理
の場合は、Ｘ方向でも大きな過不足があるのは好ましく
ない。
可動架台２８はＸ方向には可動であるが、Ｙ方向には固
定であるのがよい。第２図はこのようにした実施例を示
し、固定架台３２に取付けたローラ３８ ａ、 ３８
ｂ、・・・・・・により可動架台２８の側面を抑えて
、該架台２８のＹ方向の移動を抑止する。
定であるのがよい。第２図はこのようにした実施例を示
し、固定架台３２に取付けたローラ３８ ａ、 ３８
ｂ、・・・・・・により可動架台２８の側面を抑えて
、該架台２８のＹ方向の移動を抑止する。
可動架台２８と固定架台３２との間にはローラ、車輪、
又は摺動軸受を設けておく。前述のように加熱装置２２
は例えば１８Ｋｇもあり、Ｙステージ２４は２Ｋｇ、Ｘ
ステージ２６は４Ｋｇであり、これに可動架台２８の重
量を加えると全体では相当な重量になるので、単なる接
触、摺動ではなく、上記のようにしておくのがよい。
又は摺動軸受を設けておく。前述のように加熱装置２２
は例えば１８Ｋｇもあり、Ｙステージ２４は２Ｋｇ、Ｘ
ステージ２６は４Ｋｇであり、これに可動架台２８の重
量を加えると全体では相当な重量になるので、単なる接
触、摺動ではなく、上記のようにしておくのがよい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、ステージの高速往
復動により発生する衝撃によるレーザ装置の光軸のずれ
、出力低下などを防止し、レーザアニール装置の寿命の
向上、特性の安定化などを図ることができ、有効である
。
復動により発生する衝撃によるレーザ装置の光軸のずれ
、出力低下などを防止し、レーザアニール装置の寿命の
向上、特性の安定化などを図ることができ、有効である
。
第１図は本発明の説明図、
第２図は実施例を示す概略斜視図、
第３図は従来装置の説明図、
第４図は第３図の各部の説明図である。
第１図で１０はレーザ装置、２４はＹステージ、２６は
Ｘステージ、２０はウェーハ、２２は加熱装置、１２，
１４，１６．１８は光学系、３２は固定架台、２８は可
動架台、３６ａ、３６ｂはバネ、１４〜１６はＸ方向に
平行な部分である。
Ｘステージ、２０はウェーハ、２２は加熱装置、１２，
１４，１６．１８は光学系、３２は固定架台、２８は可
動架台、３６ａ、３６ｂはバネ、１４〜１６はＸ方向に
平行な部分である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ装置（１０）と、Ｘ、Ｙステージ（２６、２４）
にのせられウェーハ（２０）を保持、加熱する装置（２
２）と、レーザ装置からのレーザ光をウェーハに投射す
る光学系（１２、１４、１６、１８）を備え、レーザ光
を投射しながらＸ、ＹステージによりウェーハをＸ方向
に高速往復動、Ｙ方向に精密移動させて該ウェーハ表面
の多結晶シリコン層を単結晶化するレーザアニール装置
において、 前記レーザ装置は固定架台（３２）に取付け、前記Ｘ、
Ｙステージおよび加熱装置は、バネを介して抑えられ所
定範囲内でＸ方向に可動な架台（２８）に取付け、 前記光学系のレーザ光通路にはＸ方向と平行な部分を持
たせて該通路のレーザ装置側光学系は固定架台に、そし
て該通路のウェーハ側光学系は可動架台に取付けてなる
ことを特徴とするレーザアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060289A JPH0763055B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | レ−ザアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61060289A JPH0763055B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | レ−ザアニ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216320A true JPS62216320A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0763055B2 JPH0763055B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=13137848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61060289A Expired - Lifetime JPH0763055B2 (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | レ−ザアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763055B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| JP2003509845A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 順次側方凝固法を用いた低温での単結晶または多結晶のシリコンフィルムの生産システム及び方法 |
| JP2003133254A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニ−ル装置及びそれを用いた薄膜トランジスタの作製方法 |
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US7300516B2 (en) | 2001-10-30 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device |
| JP2009164637A (ja) * | 2001-08-10 | 2009-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及びレーザー照射装置 |
| US7622374B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating an integrated circuit |
| US7902052B2 (en) | 2003-02-19 | 2011-03-08 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques |
| US7906414B2 (en) | 2002-08-19 | 2011-03-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US8278659B2 (en) | 1996-05-28 | 2012-10-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8411713B2 (en) | 2002-08-19 | 2013-04-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
| US8463116B2 (en) | 2008-07-01 | 2013-06-11 | Tap Development Limited Liability Company | Systems for curing deposited material using feedback control |
| US8476144B2 (en) | 2003-09-16 | 2013-07-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts in edge regions, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination |
| JP2013149924A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Japan Display Central Co Ltd | レーザアニール装置 |
| US8796159B2 (en) | 2003-09-16 | 2014-08-05 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US8871022B2 (en) | 2007-11-21 | 2014-10-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films |
| US8889569B2 (en) | 2009-11-24 | 2014-11-18 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral soldification |
| US9012309B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-04-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP61060289A patent/JPH0763055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7179726B2 (en) | 1992-11-06 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
| US8859436B2 (en) | 1996-05-28 | 2014-10-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8680427B2 (en) | 1996-05-28 | 2014-03-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and gain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| US8278659B2 (en) | 1996-05-28 | 2012-10-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors formed using sequential lateral solidification and devices formed thereon |
| JP2003509845A (ja) * | 1999-09-03 | 2003-03-11 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 順次側方凝固法を用いた低温での単結晶または多結晶のシリコンフィルムの生産システム及び方法 |
| JP2001085353A (ja) * | 2000-08-10 | 2001-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー処理方法 |
| US7863541B2 (en) | 2001-08-10 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| JP2009164637A (ja) * | 2001-08-10 | 2009-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及びレーザー照射装置 |
| JP2003133254A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザーアニ−ル装置及びそれを用いた薄膜トランジスタの作製方法 |
| US7300516B2 (en) | 2001-10-30 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device |
| US8479681B2 (en) | 2002-08-19 | 2013-07-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US7906414B2 (en) | 2002-08-19 | 2011-03-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US8411713B2 (en) | 2002-08-19 | 2013-04-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and structure of such film regions |
| US8883656B2 (en) | 2002-08-19 | 2014-11-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
| US7902052B2 (en) | 2003-02-19 | 2011-03-08 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques |
| US8476144B2 (en) | 2003-09-16 | 2013-07-02 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts in edge regions, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination |
| US9466402B2 (en) | 2003-09-16 | 2016-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US8796159B2 (en) | 2003-09-16 | 2014-08-05 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions |
| US7622374B2 (en) | 2005-12-29 | 2009-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method of fabricating an integrated circuit |
| US9012309B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-04-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors |
| US8871022B2 (en) | 2007-11-21 | 2014-10-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films |
| US8463116B2 (en) | 2008-07-01 | 2013-06-11 | Tap Development Limited Liability Company | Systems for curing deposited material using feedback control |
| US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
| US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
| US8889569B2 (en) | 2009-11-24 | 2014-11-18 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral soldification |
| JP2013149924A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Japan Display Central Co Ltd | レーザアニール装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0763055B2 (ja) | 1995-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0763055B2 (ja) | レ−ザアニ−ル装置 | |
| US6597002B1 (en) | Scanning exposure apparatus and its making method, and device manufacturing method | |
| JP5139922B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
| TWI307526B (en) | Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device | |
| JP3363662B2 (ja) | 走査ステージ装置およびこれを用いた露光装置 | |
| US20090213350A1 (en) | Coherence-reduction devices and methods for pulsed lasers | |
| US6987558B2 (en) | Reaction mass for a stage device | |
| WO2001027978A1 (en) | Substrate, stage device, method of driving stage, exposure system and exposure method | |
| KR20020009483A (ko) | 스테이지 장치 및 노광장치 | |
| US20130258307A1 (en) | Magnet Array Configuration for Higher Efficiency Planar Motor | |
| US10534277B2 (en) | Movable body apparatus, exposure apparatus, manufacturing method of flat panel display, and device manufacturing method | |
| JP2919145B2 (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JPWO1999004481A1 (ja) | 励磁ユニットおよびそれを用いた直線型または平面型モータ、およびそれを用いたステージ装置、およびそれを用いた露光装置 | |
| JP2597464B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
| JPWO2003063212A1 (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
| JP2004165416A (ja) | 露光装置及び建屋 | |
| JPS62216318A (ja) | レ−ザアニ−ル装置 | |
| JP3286184B2 (ja) | 走査露光装置および方法 | |
| JPS62259437A (ja) | レ−ザ−アニ−ル装置 | |
| JP4122815B2 (ja) | リニアモータおよびステージ装置並びにリニアモータの制御方法 | |
| JP2002198285A (ja) | ステージ装置およびその制振方法並びに露光装置 | |
| JP2003045785A (ja) | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JPS6318621A (ja) | レ−ザ−アニ−ル装置 | |
| JPH0438833B2 (ja) | ||
| JPH0763054B2 (ja) | レ−ザアニ−ル装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |