JPS6221632U - - Google Patents

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JPS6221632U
JPS6221632U JP1986091796U JP9179686U JPS6221632U JP S6221632 U JPS6221632 U JP S6221632U JP 1986091796 U JP1986091796 U JP 1986091796U JP 9179686 U JP9179686 U JP 9179686U JP S6221632 U JPS6221632 U JP S6221632U
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JP
Japan
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transmission
transistor
current
circuit
semiconductor
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Application number
JP1986091796U
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/68—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching AC currents or voltages

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に基づくスイツチング回路を示
した図、第２図は集積回路形式で構成された一対
の対称型トランスミツシヨントランジスタの上面
図、第３図は第２図の線２―２に沿つた断面図で
ある。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ ３つの端子を有するトランスミツシヨンスイ
    ツチングトランジスタおよびそのバイアス回路か
    ら成る半導体伝送回路において、 トランスミツシヨンスイツチングトランジスタ
    が対称型であり、第１及び第２の電気的特性の等
    しいトランスミツシヨン領域とベース領域から成
    り； バイアス回路が高インピーダンス回路からなり
    、該高インピーダンス回路は前記トランジスタの
    １つの端子を介してトランスミツシヨン領域の一
    方と、また該トランジスタの他の端子を介してベ
    ース領域とに接続され、ベース領域と前記トラン
    スミツシヨン領域の一方に等振幅の直流電流を流
    すようにし、もつてトランジスタのトランスミツ
    シヨン領域を通して伝達される信号電流が該バイ
    アス回路と結合しないことを特徴とする半導体伝
    送回路。 ２ 実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体
    伝送回路において、 前記バイアス回路が２個の高インピーダンス回
    路を含み、その各々は前記トランスミツシヨン領
    域のいずれか一方とベース領域との間に接続され
    、各トランスミツシヨン領域の直流電流の和をベ
    ース領域の電流と等しい値に維持することを特徴
    とする半導体伝送回路。 ３ 実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体
    伝送回路において、 前記スイツチングトランジスタはバイポーラバ
    イラテラルトランジスタであり、該バイアス回路
    はトランジスタを通つて伝送される交流信号に対
    して該トランジスタを常に飽和状態にバイアスす
    るのに用いられることを特徴とする半導体伝送回
    路。 ４ 実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体
    伝送回路において、 前記バイアス回路は第１（例えば１０７）及び
    第２（例えば１０８）の高インピーダンス電流源
    を含み、各々等しい定電流を供給し、その一方は
    バイアス回路の接続される該トランスミツシヨン
    領域の一方に接続され、 前記電流源の別の１個と該トランジスタのベー
    ス領域間に接続され、前記トランジスタのベース
    電流を前記電流源からの電流に等しい値に維持す
    るための電流調整手段（例えば１１３、１３１）
    さらに含むことを特徴とする半導体伝送回路。 ５ 実用新案登録請求の範囲第４項記載の半導体
    伝送回路において、 前記第１及び第２の電流源が同一トランジスタ
    の異なるコレクタ領域から成ることを特徴とする
    半導体伝送回路。
JP1986091796U 1977-03-28 1986-06-16 Pending JPS6221632U (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/781,789 US4096399A (en) 1977-03-28 1977-03-28 Crosspoint bias circuit arrangement

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Publication Number Publication Date
JPS6221632U true JPS6221632U (ja) 1987-02-09

Family

ID=25123946

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3492878A Pending JPS53120360A (en) 1977-03-28 1978-03-28 Semiconductor transmission circuit
JP1986091796U Pending JPS6221632U (ja) 1977-03-28 1986-06-16

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US (1) US4096399A (ja)
JP (2) JPS53120360A (ja)
BE (1) BE865244A (ja)
CA (1) CA1090432A (ja)
CH (1) CH626203A5 (ja)
DE (1) DE2812785A1 (ja)
ES (1) ES468295A1 (ja)
FR (1) FR2392549A1 (ja)
GB (1) GB1596249A (ja)
IT (1) IT1093919B (ja)
NL (1) NL7803201A (ja)
SE (1) SE439228B (ja)

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Also Published As

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US4096399A (en) 1978-06-20
CA1090432A (en) 1980-11-25
NL7803201A (nl) 1978-10-02
FR2392549A1 (fr) 1978-12-22
IT7821619A0 (it) 1978-03-24
ES468295A1 (es) 1978-11-16
FR2392549B1 (ja) 1980-09-19
CH626203A5 (ja) 1981-10-30
JPS53120360A (en) 1978-10-20
IT1093919B (it) 1985-07-26
SE7803063L (sv) 1978-09-29
SE439228B (sv) 1985-06-03
DE2812785A1 (de) 1978-10-05
GB1596249A (en) 1981-08-19
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