JPS62218596A - コバルト−ガドリニウム合金めつき浴 - Google Patents
コバルト−ガドリニウム合金めつき浴Info
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
彦」ししΩオｍ１年厨一
本発明は電析法によってコバルト−ガドリニウム（Ｇｏ
−Ｇｄ）合金めっき膜を得ることができるコバルト−ガ
ドリニウム合金めっき浴に関する。
−Ｇｄ）合金めっき膜を得ることができるコバルト−ガ
ドリニウム合金めっき浴に関する。
来の び ■が しようとする１１悪コバルト−
ガドリニウム（Ｇｏ−Ｇｄ）非晶質合金薄膜はフェリ磁
性を持ち、垂直磁気異方性を有するため、光磁気ディス
クメモリーとしての使用が注目されている。このメモリ
一方式は従来の磁気メモリーよりも高密度記録が可能で
あり、このため次世代のメモリ一方式として期待されて
いるものである。
ガドリニウム（Ｇｏ−Ｇｄ）非晶質合金薄膜はフェリ磁
性を持ち、垂直磁気異方性を有するため、光磁気ディス
クメモリーとしての使用が注目されている。このメモリ
一方式は従来の磁気メモリーよりも高密度記録が可能で
あり、このため次世代のメモリ一方式として期待されて
いるものである。
従来、このＧ ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金薄膜は、スパッ
タリング法もしくは真空蒸留法の乾式法によって作成さ
れていたが、これらの乾式法は真空条件が必要であり、
また比較的小型の部品しか適用し難く、生産性の点で問
題がある上、コストが高い等の難点がある。
タリング法もしくは真空蒸留法の乾式法によって作成さ
れていたが、これらの乾式法は真空条件が必要であり、
また比較的小型の部品しか適用し難く、生産性の点で問
題がある上、コストが高い等の難点がある。
このため、真空系を用いないので生産性が良く、大面積
化が可能であり、しかも生産コストが低い等の利点を有
する電析法によりＧ ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金薄膜を得
る方法が望まれる。
化が可能であり、しかも生産コストが低い等の利点を有
する電析法によりＧ ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金薄膜を得
る方法が望まれる。
問題点を解 するための手段 び作
本発明者らは、上記要望に応えるべく、湿式法である電
析法によってＧｏ−Ｇｄ非晶質合金薄膜を得ることにつ
き種々検討を行なった。その結果、ガドリニウムはアル
カリ金Ｊρｔと同様に電気化学的にかなり卑な金属であ
るため、水溶液系からは電析が困難であったが、コバル
ト塩とガドリニウム塩とを可溶化する非水溶媒、例えば
ホルムアミドを用いた場合、コバルトとガドリニウムを
合金として非晶質状態で電析し得ることを知見した。し
かし、単にコバルト塩、ガドリニウム塩を非水溶媒に溶
解しただけの浴では、めっき浴温度を高温下、好適には
１００℃程度にする必要がある。このため、本発明者ら
はめっき浴温度を低下しても支障なく良好なＧ ｏ −
Ｇ ｄ合金めっき膜を得ることができるＣｏ−Ｇｄ合金
めっき浴につき更に検討を行なった結果、コバルト塩と
、ガドリニウム塩と、これらの塩を可溶化する非水溶媒
とからなる浴に対し、エチレンジアミン等のアミン類を
添加することが有効であり、このようなアミン類を添加
したＧ ｏ −Ｇ ｄ合金めっき浴を使用する場合には
、浴の安定性が増大し、５０℃程度の低温でも非晶質で
強磁性を有し、しかもＧｄ量の増大した良好なＣｏ−Ｇ
ｄ合金めっき膜が得られることを知見し、本発明をなす
に至った。
析法によってＧｏ−Ｇｄ非晶質合金薄膜を得ることにつ
き種々検討を行なった。その結果、ガドリニウムはアル
カリ金Ｊρｔと同様に電気化学的にかなり卑な金属であ
るため、水溶液系からは電析が困難であったが、コバル
ト塩とガドリニウム塩とを可溶化する非水溶媒、例えば
ホルムアミドを用いた場合、コバルトとガドリニウムを
合金として非晶質状態で電析し得ることを知見した。し
かし、単にコバルト塩、ガドリニウム塩を非水溶媒に溶
解しただけの浴では、めっき浴温度を高温下、好適には
１００℃程度にする必要がある。このため、本発明者ら
はめっき浴温度を低下しても支障なく良好なＧ ｏ −
Ｇ ｄ合金めっき膜を得ることができるＣｏ−Ｇｄ合金
めっき浴につき更に検討を行なった結果、コバルト塩と
、ガドリニウム塩と、これらの塩を可溶化する非水溶媒
とからなる浴に対し、エチレンジアミン等のアミン類を
添加することが有効であり、このようなアミン類を添加
したＧ ｏ −Ｇ ｄ合金めっき浴を使用する場合には
、浴の安定性が増大し、５０℃程度の低温でも非晶質で
強磁性を有し、しかもＧｄ量の増大した良好なＣｏ−Ｇ
ｄ合金めっき膜が得られることを知見し、本発明をなす
に至った。
従って、本発明は、コバルト塩と、ガドリニウム塩と、
これらの塩を可溶化する非水溶媒と、アミン類とを含有
するＧｏ−Ｇｄ合金めっき浴を提供するものである。
これらの塩を可溶化する非水溶媒と、アミン類とを含有
するＧｏ−Ｇｄ合金めっき浴を提供するものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のＧｏ−Ｇｄ合金めっき浴は、」１記したように
コバルト塩と、ガドリニウム塩と、これらを可溶化する
非水溶媒とを含有するものである。
コバルト塩と、ガドリニウム塩と、これらを可溶化する
非水溶媒とを含有するものである。
ここで、コバルト塩としては特に制限されないが、例え
ば塩酸コバルト、硫酸コバルトなどが用いられ、ガドリ
ニウム塩も制限されないが、塩化ガドリニウム、硫酸ガ
ドリニウム等が使用される。これらコバルト塩と、ガド
リニウム塩の濃度はそれぞれ０．００１〜２モル／Ｑ、
特に０．００５〜０．５モル／Ｑとすることが好ましく
、またコバルト塩とガドリニウム塩との比率はモル比と
して１：１〜１：２０、特に１：２〜１：１５とするこ
とが好ましい。
ば塩酸コバルト、硫酸コバルトなどが用いられ、ガドリ
ニウム塩も制限されないが、塩化ガドリニウム、硫酸ガ
ドリニウム等が使用される。これらコバルト塩と、ガド
リニウム塩の濃度はそれぞれ０．００１〜２モル／Ｑ、
特に０．００５〜０．５モル／Ｑとすることが好ましく
、またコバルト塩とガドリニウム塩との比率はモル比と
して１：１〜１：２０、特に１：２〜１：１５とするこ
とが好ましい。
また、コバルト塩とガドリニウム塩とを可溶化する非水
溶媒としては、これも必ずしも制限されないが、ホルム
アミド等が好適に用いられる。
溶媒としては、これも必ずしも制限されないが、ホルム
アミド等が好適に用いられる。
本発明のめっき浴は、上述した浴に更にアミン類を加え
るものであり、これにより浴を安定化し得、低温めっき
が可能となると共に、析出膜中のＧｄ量を増大させるこ
とができる。ここで、アミン類としてはエチレンジアミ
ン、アルカノールアミン等が好適に使用でき、またその
濃度は０．０１〜１モルＩＱ、特に０．０２〜０．２モ
ル／Ｑとすることが好ましい。
るものであり、これにより浴を安定化し得、低温めっき
が可能となると共に、析出膜中のＧｄ量を増大させるこ
とができる。ここで、アミン類としてはエチレンジアミ
ン、アルカノールアミン等が好適に使用でき、またその
濃度は０．０１〜１モルＩＱ、特に０．０２〜０．２モ
ル／Ｑとすることが好ましい。
このめっき浴をめっきする場合の条件は、析出膜中のＧ
ｄ量が１重量％以」二の濃度となるような条件を採用す
ることが好ましく、めっき温度としては２０〜沸点とす
ることができるが１本発明浴はアミン類の添加により高
温でなくても良好なめっき膜が得られるので、通常は４
０〜８０℃、特に４０〜６０℃の温度条件を採用するこ
とができる。なお、陰極電流密度は２０ｍ＊Ａ／ａＪ〜
５００ｗａ Ａ ／ ａＪ程度とすることが好ましい。
ｄ量が１重量％以」二の濃度となるような条件を採用す
ることが好ましく、めっき温度としては２０〜沸点とす
ることができるが１本発明浴はアミン類の添加により高
温でなくても良好なめっき膜が得られるので、通常は４
０〜８０℃、特に４０〜６０℃の温度条件を採用するこ
とができる。なお、陰極電流密度は２０ｍ＊Ａ／ａＪ〜
５００ｗａ Ａ ／ ａＪ程度とすることが好ましい。
本発明めっき浴から得られるＧ ｏ −Ｇ ｄ合金め４
一 つき膜はＧｄ量が１重量％以上で非晶質であり、このＧ
ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金膜の熱的安定性は高く、４０
０℃程度の熱処理では結晶化せず、５００℃程度の熱処
理で結晶化する。また、このＣｏ−Ｇｄ合金めっき膜は
強磁性体であり、膜中のＧｄ量の増加とともに膜面に垂
直方向の透磁率が増加するものである。
一 つき膜はＧｄ量が１重量％以上で非晶質であり、このＧ
ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金膜の熱的安定性は高く、４０
０℃程度の熱処理では結晶化せず、５００℃程度の熱処
理で結晶化する。また、このＣｏ−Ｇｄ合金めっき膜は
強磁性体であり、膜中のＧｄ量の増加とともに膜面に垂
直方向の透磁率が増加するものである。
及咽の効果
本発明のめっき浴によれば、浴の安定性が高く、非晶質
で強磁性を有し、結晶化温度の高いＣｏ−Ｇｄ合金めっ
き膜を電析法により１０μｍをも越えて安定に、しかも
比較的低温で析出させることができ、まためっき膜中の
Ｇｄ量を容易に高めることができる。
で強磁性を有し、結晶化温度の高いＣｏ−Ｇｄ合金めっ
き膜を電析法により１０μｍをも越えて安定に、しかも
比較的低温で析出させることができ、まためっき膜中の
Ｇｄ量を容易に高めることができる。
次に実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明する
。
。
下記組成のＣｏ −Ｇ ｄ合金めっき浴（電解液）を作
成し、浴温３０〜８０℃、陰極電流密度１０〜８０ｍＡ
／ｃｄの範囲の条件でめっきを行なった。
成し、浴温３０〜８０℃、陰極電流密度１０〜８０ｍＡ
／ｃｄの範囲の条件でめっきを行なった。
重−原基
ホルムアミド ５００ｍｆｌ
Ｃ，ｏＣＱ、 ０．０１モル／ＱＧｄ（１
２０，０９ＩＩ エチレンジアミン ０．１゜ 比較のため、上記電解液よりエチレンジアミンを除いた
浴を作成し、同様にめっきを行なった。
２０，０９ＩＩ エチレンジアミン ０．１゜ 比較のため、上記電解液よりエチレンジアミンを除いた
浴を作成し、同様にめっきを行なった。
ここで、めっきに用いた電解セルは内径１２０ｆｆｌ１
１１、深さ１１０ｍｍののパイレックス容器でできてお
り、溶液中及びセル内に乾燥窒素ガスを送り込めるよう
にしてあり、完全密閉形である。アノードは２５ｍ！Ｉ
ＩＸ ２０ｍｍの白金板を用い、素地としてのカソード
は１０ｍｍＸ １０ｍｍの１．Ｔ、Ｏガラスをアセトン
で脱脂した後に用いた。電解セルは電解に先立ち約２０
分間乾燥窒素ガス置換を行ない、定電流密度で電解した
。
１１、深さ１１０ｍｍののパイレックス容器でできてお
り、溶液中及びセル内に乾燥窒素ガスを送り込めるよう
にしてあり、完全密閉形である。アノードは２５ｍ！Ｉ
ＩＸ ２０ｍｍの白金板を用い、素地としてのカソード
は１０ｍｍＸ １０ｍｍの１．Ｔ、Ｏガラスをアセトン
で脱脂した後に用いた。電解セルは電解に先立ち約２０
分間乾燥窒素ガス置換を行ない、定電流密度で電解した
。
得られた析出膜について、Ｘ線回折法により結晶構造を
調べ、蛍光Ｘ線分析法によりｃｏとＧｄの定量を行なっ
た。非晶質膜の結晶化温度は、高真空赤外線熱処理炉を
用いて加熱し、Ｘ線回折法により決定した。
調べ、蛍光Ｘ線分析法によりｃｏとＧｄの定量を行なっ
た。非晶質膜の結晶化温度は、高真空赤外線熱処理炉を
用いて加熱し、Ｘ線回折法により決定した。
第１図に本発明浴（Ａ）と比較浴（Ｂ）における電流密
度と析出膜中のＧｄ濃度との関係を示す。
度と析出膜中のＧｄ濃度との関係を示す。
ここで、本発明浴（Ａ）は浴温５０℃、比較浴（Ｂ）は
浴温９０℃でめっきを行なった場合の結果である。第１
図より、本発明浴によって低温で操作でき、かつＧｄを
より多く析出させ得ることとが認められた。
浴温９０℃でめっきを行なった場合の結果である。第１
図より、本発明浴によって低温で操作でき、かつＧｄを
より多く析出させ得ることとが認められた。
また、第２図に本発明浴（Ａ）にお（プる浴温と析出膜
中のＧｄ濃度との関係を示す。この結果から浴温か低い
ほどＧｄ濃度が高くなることが認められ、ＧｄはＧｏに
誘起共析されて電析されることが知見された。
中のＧｄ濃度との関係を示す。この結果から浴温か低い
ほどＧｄ濃度が高くなることが認められ、ＧｄはＧｏに
誘起共析されて電析されることが知見された。
次に、上記実験において、液組成、浴温を一定にした場
合の電流密度の変化に伴う析出膜の結晶構造を調べた結
果、２０ｍＡ／ｃｎ？以下の電流密度においては微細結
晶粒の集合体としての構造をとり、２０ｍＡ／ｃＪ以上
では非晶質構造をとっており、また電流密度、浴温を一
定にした場合の液組成の変化に伴う析出膜の結晶構造を
調べた結果、電解質の濃度比が１：１の場合、析出膜は
結晶質構造をとるが、その他の場合は全て非晶質構造を
とっており、これらの結果からＧｄを１重量％以上含む
合金析出膜は非晶質状態となることが認められた。従っ
て、電析法によりＧ ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金膜を得る
ためには、Ｇｄが１重量％以」二のｃｏ−Ｇｄ合金膜を
形成するようなめっき条件を採用することが好適である
ことが知見された。
合の電流密度の変化に伴う析出膜の結晶構造を調べた結
果、２０ｍＡ／ｃｎ？以下の電流密度においては微細結
晶粒の集合体としての構造をとり、２０ｍＡ／ｃＪ以上
では非晶質構造をとっており、また電流密度、浴温を一
定にした場合の液組成の変化に伴う析出膜の結晶構造を
調べた結果、電解質の濃度比が１：１の場合、析出膜は
結晶質構造をとるが、その他の場合は全て非晶質構造を
とっており、これらの結果からＧｄを１重量％以上含む
合金析出膜は非晶質状態となることが認められた。従っ
て、電析法によりＧ ｏ −Ｇ ｄ非晶質合金膜を得る
ためには、Ｇｄが１重量％以」二のｃｏ−Ｇｄ合金膜を
形成するようなめっき条件を採用することが好適である
ことが知見された。
また、得られたＣｏ−Ｇｄ非晶質合金膜の結晶化温度に
ついて調べた結果、４００℃程度の熱処理でも結晶化せ
ず、５００℃程度で結晶化が認められたことから、電析
法によるＧｏ−Ｇｄ非晶質合金膜は熱的に安定であるこ
とが知見された。
ついて調べた結果、４００℃程度の熱処理でも結晶化せ
ず、５００℃程度で結晶化が認められたことから、電析
法によるＧｏ−Ｇｄ非晶質合金膜は熱的に安定であるこ
とが知見された。
なお、通常の条件で得られた析出膜はいずれも平滑であ
りクラックのないものであった。
りクラックのないものであった。
ここで、第３図に析出膜中のＧｄ濃度と飽和磁化（Ｍｓ
）、保磁力との関係を示し、第４図に析出膜中のＧｄ濃
度と透磁率との関係を示す。なお、第４図中Ｍは垂直方
向の透磁率、Ｎは平行方向の透磁率を示し、第４図から
析出膜中のＧｄ濃度が約２０％重量以上になると、垂直
磁気異方性を有するようになることがわかる。
）、保磁力との関係を示し、第４図に析出膜中のＧｄ濃
度と透磁率との関係を示す。なお、第４図中Ｍは垂直方
向の透磁率、Ｎは平行方向の透磁率を示し、第４図から
析出膜中のＧｄ濃度が約２０％重量以上になると、垂直
磁気異方性を有するようになることがわかる。
第１図は本発明浴と比較浴における電流密度と析出膜中
のＧｄ濃度との関係を示すグラフ、第２図は本発明浴に
おける浴温と析出膜中のＧｄ濃度との関係を示すグラフ
、第３図は析出膜中のＧｄ濃度と飽和磁化、保磁力との
関係を示すグラフ、第４図は析出膜中のＧｄ濃度と透磁
率との関係を示すグラフである。
のＧｄ濃度との関係を示すグラフ、第２図は本発明浴に
おける浴温と析出膜中のＧｄ濃度との関係を示すグラフ
、第３図は析出膜中のＧｄ濃度と飽和磁化、保磁力との
関係を示すグラフ、第４図は析出膜中のＧｄ濃度と透磁
率との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、コバルト塩と、ガドリニウム塩と、これらの塩を可
溶化する非水溶媒と、アミン類とを含有することを特徴
とするコバルト−ガドリニウム合金めっき浴。 ２、非水溶媒がホルムアミドである特許請求の範囲第１
項記載のめっき浴。 ３、アミン類がエチレンジアミンである特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のめっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034886A JPS62218596A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | コバルト−ガドリニウム合金めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6034886A JPS62218596A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | コバルト−ガドリニウム合金めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62218596A true JPS62218596A (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=13139566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6034886A Pending JPS62218596A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | コバルト−ガドリニウム合金めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62218596A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4435862B1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-03-24 | 謙治 出分 | 銀含有合金メッキ浴、およびこれを用いた電解メッキ方法 |
| WO2010089840A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Dewaki Kenji | ガドリニウム含有金属層を有する製品 |
| WO2011013252A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社Ｍテック・ジャパン | スズ含有合金メッキ浴、これを用いた電解メッキ方法および該電解メッキが堆積された基体 |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP6034886A patent/JPS62218596A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4435862B1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-03-24 | 謙治 出分 | 銀含有合金メッキ浴、およびこれを用いた電解メッキ方法 |
| WO2010089882A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Dewaki Kenji | 銀含有合金メッキ浴、およびこれを用いた電解メッキ方法 |
| WO2010089840A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Dewaki Kenji | ガドリニウム含有金属層を有する製品 |
| CN102308030A (zh) * | 2009-02-06 | 2012-01-04 | 出分谦治 | 含银合金电镀浴以及使用该电镀浴的电解电镀方法 |
| JPWO2010089840A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2012-08-09 | 謙治 出分 | ガドリニウム含有金属層を有する製品 |
| KR101286661B1 (ko) * | 2009-02-06 | 2013-07-16 | 데와키 유카리 | 은 함유 합금 도금욕 및 이를 이용한 전해 도금 방법 |
| US9574281B2 (en) | 2009-02-06 | 2017-02-21 | M-Tech Japan Co., Ltd. | Silver-containing alloy plating bath and method for electrolytic plating using same |
| WO2011013252A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 株式会社Ｍテック・ジャパン | スズ含有合金メッキ浴、これを用いた電解メッキ方法および該電解メッキが堆積された基体 |
| US9080247B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-07-14 | Shinji Dewaki | Tin-containing alloy plating bath, electroplating method using same, and substrate with the electroplating deposited thereon |
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