JPS62220009A - 広帯域電力増幅器 - Google Patents
広帯域電力増幅器Info
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- JPS62220009A JPS62220009A JP6433886A JP6433886A JPS62220009A JP S62220009 A JPS62220009 A JP S62220009A JP 6433886 A JP6433886 A JP 6433886A JP 6433886 A JP6433886 A JP 6433886A JP S62220009 A JPS62220009 A JP S62220009A
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- Japan
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- pin diode
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- frequency
- amplifier
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- Prior art date
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Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、無線器等に使用される増幅器に関し、特に広
帯域、高出力で、高調波の少い広帯域電力増幅器に関す
るものである。
帯域、高出力で、高調波の少い広帯域電力増幅器に関す
るものである。
従来の技術
従来、この種の増幅器は、所要周波数帯域が1オクタ一
ブ以上と広く更に高出力が要求されるため、高調波が多
く、その高調波を除去することが、非常に困難であった
。例えば、増幅器の入力周波数が、所要周波数帯域の下
限(fL とする)であるとすると、その周波数「、の
2倍の高調波2fLは、増幅器の帯域が1オクタ一ブ以
上あるので、増幅器の帯域内にある。従って、そのよう
な高調波2fLを整合回路及びローパスフィルタ等で除
去することは困難である。そのため、そのような高調波
を発生しないような高出力でダイナミックレンジの高い
トランジスタを選定する必要があった。
ブ以上と広く更に高出力が要求されるため、高調波が多
く、その高調波を除去することが、非常に困難であった
。例えば、増幅器の入力周波数が、所要周波数帯域の下
限(fL とする)であるとすると、その周波数「、の
2倍の高調波2fLは、増幅器の帯域が1オクタ一ブ以
上あるので、増幅器の帯域内にある。従って、そのよう
な高調波2fLを整合回路及びローパスフィルタ等で除
去することは困難である。そのため、そのような高調波
を発生しないような高出力でダイナミックレンジの高い
トランジスタを選定する必要があった。
発明が解決しようとする問題点
以上のように、従来の広帯域増幅器は、選定したトラン
ジスタ素子によって高調波が決まり、高調波(特に2倍
波)の極めて少い増幅器を開発するに当たっては、先ず
トランジスタ素子の選定から始めなければならない。し
かし、このことは非常に困難である。トランジスタは、
使用条件もかぎられており、又、高調波を極力抑えたト
ランジスタ素子は、一般に高価であり、そのようなトラ
ンジスタを複雑段使用する増幅器においては、増幅器と
しての価格が、非常に高くなる問題があった。
ジスタ素子によって高調波が決まり、高調波(特に2倍
波)の極めて少い増幅器を開発するに当たっては、先ず
トランジスタ素子の選定から始めなければならない。し
かし、このことは非常に困難である。トランジスタは、
使用条件もかぎられており、又、高調波を極力抑えたト
ランジスタ素子は、一般に高価であり、そのようなトラ
ンジスタを複雑段使用する増幅器においては、増幅器と
しての価格が、非常に高くなる問題があった。
そこで、本発明は、従来の欠点を解消して、使用トラン
ジスタに高い品質を要求することなく、高調波、特に2
倍高調波を除去することができる広帯域電力増幅器を提
供せんとするものである。
ジスタに高い品質を要求することなく、高調波、特に2
倍高調波を除去することができる広帯域電力増幅器を提
供せんとするものである。
問題点を 決するだめの手段
すなわち、本発明によるならば、広帯域の電力増幅回路
と、該電力増幅回路の出力に接続された第1のピンダイ
オードと、該第1のピンダイオードに並列に接続された
LC並列共振回路と、前記第1のピンダイオードの入力
側に一端が接続されたLC直列共振回路と、該LC直列
共振回路の他端に第2のピンダイオードを介して接続さ
れた終端手段と、前記電力増幅回路の入力段に接続され
て入力信号の周波数成分を検出して前記2つのピンダイ
オードのいずれか一方をオン状態に且つ他方をオフ状態
に選択的にする制御回路とを具(rir+することを特
徴とする広帯域電力増幅器が提供される。
と、該電力増幅回路の出力に接続された第1のピンダイ
オードと、該第1のピンダイオードに並列に接続された
LC並列共振回路と、前記第1のピンダイオードの入力
側に一端が接続されたLC直列共振回路と、該LC直列
共振回路の他端に第2のピンダイオードを介して接続さ
れた終端手段と、前記電力増幅回路の入力段に接続され
て入力信号の周波数成分を検出して前記2つのピンダイ
オードのいずれか一方をオン状態に且つ他方をオフ状態
に選択的にする制御回路とを具(rir+することを特
徴とする広帯域電力増幅器が提供される。
一作月
以上のような本発明による広帯域電力増幅器において、
LC並列共振回路とLC直列共振回路は、それらが共振
状態にあるとき、LC並列共振回路は、インピーダンス
無限大として機能し、LC直列共振回路は、インピーダ
ンス雰として機能する。
LC並列共振回路とLC直列共振回路は、それらが共振
状態にあるとき、LC並列共振回路は、インピーダンス
無限大として機能し、LC直列共振回路は、インピーダ
ンス雰として機能する。
従って、LC並列共振回路とLC直列共振回路の共振周
波数を、所定の周波数の入力信号の高調波周波数に設定
すれば、制御回路によりその所定周波数成分が入力信号
を実質的に占めることを検出したとき、第1のピンダイ
オードをオフ状態にし第2のピンダイオードをオン状態
にすることにより、所定周波数の入力信号の高調波を除
去することができる。
波数を、所定の周波数の入力信号の高調波周波数に設定
すれば、制御回路によりその所定周波数成分が入力信号
を実質的に占めることを検出したとき、第1のピンダイ
オードをオフ状態にし第2のピンダイオードをオン状態
にすることにより、所定周波数の入力信号の高調波を除
去することができる。
すなわち、この状態において、入力信号の高調波成分は
、その高調波に対してインピーダンス零として機能する
LC直列共振回路とオン状態のピンダイオードとを介し
て終端手段に逃がされる。
、その高調波に対してインピーダンス零として機能する
LC直列共振回路とオン状態のピンダイオードとを介し
て終端手段に逃がされる。
一方、入力信号の高調波成分は、オフ状態の第1のピン
ダイオードを通過することはできず、また、その高調波
に対してインピーダンス無限大として機能するLC並列
共振回路にも通過が阻止される。
ダイオードを通過することはできず、また、その高調波
に対してインピーダンス無限大として機能するLC並列
共振回路にも通過が阻止される。
従って、高調波成分は出力されない。
他方、入力信号の基本波成分に対しては、LC直列共振
回路は実質的なインピーダンスを有し、また、LC並列
共振回路は、インピーダンスは低い。従って、入力信号
の基本波成分は、LC直列共振回路を介して終端手段に
逃がされることなく、LC並列共振回路を介して出力さ
れる。
回路は実質的なインピーダンスを有し、また、LC並列
共振回路は、インピーダンスは低い。従って、入力信号
の基本波成分は、LC直列共振回路を介して終端手段に
逃がされることなく、LC並列共振回路を介して出力さ
れる。
しかし、以上の場合以外は、制御回路は、第1のピンダ
イオードをオン状態にし第2のピンダイオードをオフ状
態にする。従って、出力信号は、第1のピンダイオード
を介して出力される。
イオードをオン状態にし第2のピンダイオードをオフ状
態にする。従って、出力信号は、第1のピンダイオード
を介して出力される。
実施例
次に、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。添
付第1図は、本発明を実施した広帯域電力増幅器の例を
示す回路図である。
付第1図は、本発明を実施した広帯域電力増幅器の例を
示す回路図である。
入力側子1には、結合コンデンサ2を介して前置増幅器
3の入力が接続され、その前置増幅器3には更にもう1
つの前置増幅器4が接続されている。そして、その前置
増幅器4は、結合コンデンサ5を介して電界効果トラン
ジスタ(以下FETと称す)11のゲートに接続されて
おり、そのFET1lのソースは接地されている。その
FETのゲートは、電流制限用抵抗6を介して電圧分割
用抵抗8及び9の中間接続点に接続されている。その抵
抗8の他端は接地され、また、抵抗8には高周波阻止用
コンデンサ7が並列に接続されている。
3の入力が接続され、その前置増幅器3には更にもう1
つの前置増幅器4が接続されている。そして、その前置
増幅器4は、結合コンデンサ5を介して電界効果トラン
ジスタ(以下FETと称す)11のゲートに接続されて
おり、そのFET1lのソースは接地されている。その
FETのゲートは、電流制限用抵抗6を介して電圧分割
用抵抗8及び9の中間接続点に接続されている。その抵
抗8の他端は接地され、また、抵抗8には高周波阻止用
コンデンサ7が並列に接続されている。
一方、抵抗9の他端は、電源印加用端子10に接続され
ている。
ている。
FETIIのドレインは、平滑用コイル13を介して電
源印加用端子20に接続され、その平滑用コイル13の
電源印加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサ
が接続されている。更に、FET11のドレインは、結
合コンデンサ14を介してもう1つのFE’T19のゲ
ートに接続されている。そのゲートも、電流制限用抵抗
15を介して、電圧分割用抵抗16及び17の中間接続
点に接続されている。その抵抗17は、その他端が接地
され、更に高周波阻止用コンデンサ18が並列に接続さ
れている。一方、抵抗16の他端は、電源印加用端子1
0に接続されている。また、FETIIのソースは接地
され、ドレインは、平滑用コイル23を介して電源印加
用端子20に接続され、その平滑用コイル13の電源印
加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサが接続
されている。
源印加用端子20に接続され、その平滑用コイル13の
電源印加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサ
が接続されている。更に、FET11のドレインは、結
合コンデンサ14を介してもう1つのFE’T19のゲ
ートに接続されている。そのゲートも、電流制限用抵抗
15を介して、電圧分割用抵抗16及び17の中間接続
点に接続されている。その抵抗17は、その他端が接地
され、更に高周波阻止用コンデンサ18が並列に接続さ
れている。一方、抵抗16の他端は、電源印加用端子1
0に接続されている。また、FETIIのソースは接地
され、ドレインは、平滑用コイル23を介して電源印加
用端子20に接続され、その平滑用コイル13の電源印
加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサが接続
されている。
更に、FET11のドレインは、結合コンデンサ23、
ピンダイオード27及び結合コンデンサ29を介して出
力端子30に接続されている。そのピンダイオード27
のカソードは、抵抗28を介して接地され、更に、ピン
ダイオード27の両り11(には、結合コンデンサ24
を介して、コンデンサ25とインダクタ2Gとからなる
並列共振回路が並列に接続されている。
ピンダイオード27及び結合コンデンサ29を介して出
力端子30に接続されている。そのピンダイオード27
のカソードは、抵抗28を介して接地され、更に、ピン
ダイオード27の両り11(には、結合コンデンサ24
を介して、コンデンサ25とインダクタ2Gとからなる
並列共振回路が並列に接続されている。
一方、ピンダイオード27のアノードは、インダクタ5
3及びコンデンサ53からなる直列共振回路を介しても
う1つのピンダイオード55のアノードに接続されてい
る。そして、そのピンダイオード55のカソードは、抵
抗58を介して接地されると共に、無反射終端器57に
接続されている。
3及びコンデンサ53からなる直列共振回路を介しても
う1つのピンダイオード55のアノードに接続されてい
る。そして、そのピンダイオード55のカソードは、抵
抗58を介して接地されると共に、無反射終端器57に
接続されている。
更に、結合コンデンサ2には、抵抗31を介して、イン
ダクタ32とコンデンサ33からなる直列共振回路が接
続されている。そして、コンデンサ33の出力端には、
RF信号分割用抵抗34が接続され、また、検波ダイオ
ード35の一端が接続されている。
ダクタ32とコンデンサ33からなる直列共振回路が接
続されている。そして、コンデンサ33の出力端には、
RF信号分割用抵抗34が接続され、また、検波ダイオ
ード35の一端が接続されている。
その検波ダイオード35の他端には、高周波阻止用コン
デンサ36と、負荷抵抗兼可変抵抗37とが接続されて
いる。そして、その可変抵抗37の可変端子は、人力抵
抗38を介して演算増幅器39の非反転入力に接続され
ている。演算増幅器39の反転入力は、抵抗40を介し
て接地され且つ抵抗41を介して出力に接続され、それ
ら抵抗40.41により増幅器の直流堆幅度が決定され
ている。
デンサ36と、負荷抵抗兼可変抵抗37とが接続されて
いる。そして、その可変抵抗37の可変端子は、人力抵
抗38を介して演算増幅器39の非反転入力に接続され
ている。演算増幅器39の反転入力は、抵抗40を介し
て接地され且つ抵抗41を介して出力に接続され、それ
ら抵抗40.41により増幅器の直流堆幅度が決定され
ている。
演算増幅器39の出力は、定電圧ダイオード42及び電
流制限用抵抗43を介して第1のスイッチングトランジ
スタ44のベースに接続されている。そのスイッチング
トランジスタのエミッタは接地され、コレクタは抵抗4
5を介して正電源端子46に接続されている。その第1
のスイッチングトランジスタ44のコレクタは、更に、
コンデンサ47及び抵抗48の並列回路を介して、第2
のスイッチングトランジスタ49のベースに接続されて
いる。このコンデンサ47は、抵抗48と、スイッチン
グトランジスタ49のB−E間容蚤とで生じる時定数を
補正するスピードアップ用コンデンサである。その第2
のスイッチングトランジスタ49も、エミッタは接地さ
れ、コレクタは抵抗50を介して正電源端子46に接続
されている。
流制限用抵抗43を介して第1のスイッチングトランジ
スタ44のベースに接続されている。そのスイッチング
トランジスタのエミッタは接地され、コレクタは抵抗4
5を介して正電源端子46に接続されている。その第1
のスイッチングトランジスタ44のコレクタは、更に、
コンデンサ47及び抵抗48の並列回路を介して、第2
のスイッチングトランジスタ49のベースに接続されて
いる。このコンデンサ47は、抵抗48と、スイッチン
グトランジスタ49のB−E間容蚤とで生じる時定数を
補正するスピードアップ用コンデンサである。その第2
のスイッチングトランジスタ49も、エミッタは接地さ
れ、コレクタは抵抗50を介して正電源端子46に接続
されている。
従って、スイッチングトランジスタ44及び49のコレ
クタレベルは互いに反対の関係にある。スイッチングト
ランジスタ44のコレクタは、電流制限用抵抗51を介
してピンダイオード27のアノードに接続されている、
更に、高周波阻止用コンデンサ52にも接続されている
。また、スイッチングトランジスタ49のコレクタは、
ピンダイオード55のアノードに接続されている。
クタレベルは互いに反対の関係にある。スイッチングト
ランジスタ44のコレクタは、電流制限用抵抗51を介
してピンダイオード27のアノードに接続されている、
更に、高周波阻止用コンデンサ52にも接続されている
。また、スイッチングトランジスタ49のコレクタは、
ピンダイオード55のアノードに接続されている。
以上のような広帯域増幅器において、入力側子IにRF
倍信号入力されたとすると、そのRF倍信号、前置増幅
器3.4によって増幅され、更にFETII、19によ
って増幅され、高電力が出力端子30より出力される。
倍信号入力されたとすると、そのRF倍信号、前置増幅
器3.4によって増幅され、更にFETII、19によ
って増幅され、高電力が出力端子30より出力される。
今、広帯域増幅器の帯域を1オクターブに設計し、下限
周波数をfL、上限周波数をfll、中心周波数を「。
周波数をfL、上限周波数をfll、中心周波数を「。
とじて、周波数fLを持つRF倍信号入力側子1に入力
されたと仮定する。そのRF倍信号持つ周波数fLの第
2次高調波2ftは、増幅器が持つ帯域の上限(f、、
l)に当り、その第2次高調波“2fLを除去すること
は従来困難であった。
されたと仮定する。そのRF倍信号持つ周波数fLの第
2次高調波2ftは、増幅器が持つ帯域の上限(f、、
l)に当り、その第2次高調波“2fLを除去すること
は従来困難であった。
図示の実施例では、以下に説明するように、そのような
高調波を所望の値にまで抑制することができる。増幅器
が持つ帯域の下限周波数rLを持つRF倍信号人力され
た時に、インダクタ素子32とコンデンサ33との直列
共振回路が周波数「、に共振するように前置って設定し
おく。それにより、検波ダイオード35のアノード側に
上記RF倍信号一部が現れ、検波ダイオード35のよっ
て検波され直流信号に変換される。この変換された直流
信号は、可変抵抗器37に依って所望の値に分割され、
抵抗38を介して演算増幅器39に人力される。
高調波を所望の値にまで抑制することができる。増幅器
が持つ帯域の下限周波数rLを持つRF倍信号人力され
た時に、インダクタ素子32とコンデンサ33との直列
共振回路が周波数「、に共振するように前置って設定し
おく。それにより、検波ダイオード35のアノード側に
上記RF倍信号一部が現れ、検波ダイオード35のよっ
て検波され直流信号に変換される。この変換された直流
信号は、可変抵抗器37に依って所望の値に分割され、
抵抗38を介して演算増幅器39に人力される。
今、この可変抵抗器37、抵抗40.41を、演算増幅
器39の出力電圧が所定(定電圧グイオートのツェナー
電圧と、スイッチングトランジスタ44のB−E間電圧
の合成)の電圧(■、)以上になるように調整しておけ
ば、スイッチングトランジスタ44はオン、スイッチン
グトランジスタ49はオフとなり、その結果、ピンダイ
オード27はオン、ピンダイオード55はオフとなる。
器39の出力電圧が所定(定電圧グイオートのツェナー
電圧と、スイッチングトランジスタ44のB−E間電圧
の合成)の電圧(■、)以上になるように調整しておけ
ば、スイッチングトランジスタ44はオン、スイッチン
グトランジスタ49はオフとなり、その結果、ピンダイ
オード27はオン、ピンダイオード55はオフとなる。
予め、並列共振回路(コンデンサ25、インダクタ素子
26)と直列共振回路(インダクタ素子53、コンデン
サ54)を周波数2fL(”f++)に共振するように
設定しておけば、並列共振回路は、人力周波数fLでは
通過域、高1稠波2’ f Lでは;IW限大のインピ
ーダンスを持つことになり遮断器となる。逆に直列共振
回路は、入力周波数fLでは、1lji(限小のインピ
ーダンスとなり、通過域となる。
26)と直列共振回路(インダクタ素子53、コンデン
サ54)を周波数2fL(”f++)に共振するように
設定しておけば、並列共振回路は、人力周波数fLでは
通過域、高1稠波2’ f Lでは;IW限大のインピ
ーダンスを持つことになり遮断器となる。逆に直列共振
回路は、入力周波数fLでは、1lji(限小のインピ
ーダンスとなり、通過域となる。
このようにして、周波数fLを持つRF倍信号入力側子
1に現れると、基本周波数fLは、出力端子30に増幅
器の利得を持って出力され、高調波2fLは並列共振回
路にて反射され、無反射終端器57に吸収される。
1に現れると、基本周波数fLは、出力端子30に増幅
器の利得を持って出力され、高調波2fLは並列共振回
路にて反射され、無反射終端器57に吸収される。
次に入力周波数を除々に上昇させていくと直列共振回路
(インダクタ素子32、コンデンサ33)のインピーダ
ンスが増加し、検波ダイオード35からの直流信号が減
少し、演算増幅器39の出力電圧が下がり、定電圧ダイ
オード42がカットオフとなりスイッチングトランジス
タ44はオフ、スイッチングトランジスタ′49はオン
状態となる。従って、ピンダイオード素子27はオン、
ピンダイオード素子 。
(インダクタ素子32、コンデンサ33)のインピーダ
ンスが増加し、検波ダイオード35からの直流信号が減
少し、演算増幅器39の出力電圧が下がり、定電圧ダイ
オード42がカットオフとなりスイッチングトランジス
タ44はオフ、スイッチングトランジスタ′49はオン
状態となる。従って、ピンダイオード素子27はオン、
ピンダイオード素子 。
55はオフとなり、入力周波数fL以上の周波数fLL
からfu迄の周波数を持つRF倍信号、ピンダイオード
素子27を介して出力端子30に損失無く出力される。
からfu迄の周波数を持つRF倍信号、ピンダイオード
素子27を介して出力端子30に損失無く出力される。
勿論、直列共振回路(インダクタ素子32、コンデンサ
33)のQと、可変抵抗器37を調整することにより、
上記スレッシホールド点の周波数fLLを自由に設定で
きることは言うまでもない。
33)のQと、可変抵抗器37を調整することにより、
上記スレッシホールド点の周波数fLLを自由に設定で
きることは言うまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明による広帯域電力増幅器は、
増幅器が持つ周波数帯域の下限においてのみ、RF倍信
号一部を抽出できるように構成し、その抽出信号によっ
てピンダイオード素子を切換えらでいる。従って、上記
下限周波数の高調波(特に2次高調波)が除去でき、ま
た、外部信号も不要であるので、周辺装置の設計が容易
で、しかも、高価なトランジスタを使用することも無く
、安価な増幅器を設計できる。
増幅器が持つ周波数帯域の下限においてのみ、RF倍信
号一部を抽出できるように構成し、その抽出信号によっ
てピンダイオード素子を切換えらでいる。従って、上記
下限周波数の高調波(特に2次高調波)が除去でき、ま
た、外部信号も不要であるので、周辺装置の設計が容易
で、しかも、高価なトランジスタを使用することも無く
、安価な増幅器を設計できる。
添付第1図は本発明を実施した広帯域増幅器の回路図で
ある。 〔主な参照番号〕 1・・・・・・・・入力側子 3.4・・・・前置増幅器
ある。 〔主な参照番号〕 1・・・・・・・・入力側子 3.4・・・・前置増幅器
Claims (1)
- 広帯域の電力増幅回路と、該電力増幅回路の出力に接続
された第1のピンダイオードと、該第1のピンダイオー
ドに並列に接続されたLC並列共振回路と、前記第1の
ピンダイオードの入力側に一端が接続されたLC直列共
振回路と、該LC直列共振回路の他端に第2のピンダイ
オードを介して接続された終端手段と、前記電力増幅回
路の入力段に接続されて入力信号の周波数成分を検出し
て前記2つのピンダイオードのいずれか一方をオン状態
に且つ他方をオフ状態に選択的にする制御回路とを具備
することを特徴とする広帯域電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6433886A JPS62220009A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 広帯域電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6433886A JPS62220009A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 広帯域電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220009A true JPS62220009A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13255354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6433886A Pending JPS62220009A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 広帯域電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62220009A (ja) |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6433886A patent/JPS62220009A/ja active Pending
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