JPS62220009A - Broad band power amplifier - Google Patents

Broad band power amplifier

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Publication number
JPS62220009A
JPS62220009A JP6433886A JP6433886A JPS62220009A JP S62220009 A JPS62220009 A JP S62220009A JP 6433886 A JP6433886 A JP 6433886A JP 6433886 A JP6433886 A JP 6433886A JP S62220009 A JPS62220009 A JP S62220009A
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JP
Japan
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pin diode
signal
frequency
amplifier
lower limit
Prior art date
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Application number
JP6433886A
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Japanese (ja)
Inventor
Fumiaki Morinaga
森永 文秋
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To eliminate harmonics of the lower limit frequency by extracting a signal at the lower limit frequency of an amplifier and using the signal to switch a pin diode element. CONSTITUTION:When a signal at the lower limit frequency band of the amplifier is inputted, a series resonance circuit comprising an inductor element 32 and a capacitor 33 is resonated. Then a part of the signal appears at the anode side of a detection diode 35, the signal is detected by the detection diode 35 and a DC signal is obtained, which is inputted to an arithmetic unit 39 via a resistor 38. When an output voltage of an operational amplifier 39 reaches a prescribed value or over, a switching transistor (TR) 44 is turned on and a switching TR 49 is turned off, a pin diode 27 is turned on and a pin diode 55 is turned off. a parallel resonance circuit comprising a capacitor 25 and an inductor element 26 is the pass band at the lower limit frequency and has an infinite impedance at a frequency twice the lower limit frequency.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、無線器等に使用される増幅器に関し、特に広
帯域、高出力で、高調波の少い広帯域電力増幅器に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an amplifier used in a radio device, etc., and particularly to a wideband power amplifier with a wide band, high output, and few harmonics.

従来の技術 従来、この種の増幅器は、所要周波数帯域が1オクタ一
ブ以上と広く更に高出力が要求されるため、高調波が多
く、その高調波を除去することが、非常に困難であった
。例えば、増幅器の入力周波数が、所要周波数帯域の下
限(fL とする)であるとすると、その周波数「、の
2倍の高調波2fLは、増幅器の帯域が1オクタ一ブ以
上あるので、増幅器の帯域内にある。従って、そのよう
な高調波2fLを整合回路及びローパスフィルタ等で除
去することは困難である。そのため、そのような高調波
を発生しないような高出力でダイナミックレンジの高い
トランジスタを選定する必要があった。
Conventional technology Conventionally, this type of amplifier has a wide required frequency band of more than one octave and is required to have a high output, so it has many harmonics, and it is extremely difficult to remove the harmonics. Ta. For example, if the input frequency of the amplifier is the lower limit of the required frequency band (denoted as fL), the harmonic 2fL, which is twice that frequency, is the lower limit of the required frequency band. Therefore, it is difficult to remove such harmonics 2fL with matching circuits, low-pass filters, etc. Therefore, it is necessary to use transistors with high output and high dynamic range that do not generate such harmonics. It was necessary to make a selection.

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来の広帯域増幅器は、選定したトラン
ジスタ素子によって高調波が決まり、高調波(特に2倍
波)の極めて少い増幅器を開発するに当たっては、先ず
トランジスタ素子の選定から始めなければならない。し
かし、このことは非常に困難である。トランジスタは、
使用条件もかぎられており、又、高調波を極力抑えたト
ランジスタ素子は、一般に高価であり、そのようなトラ
ンジスタを複雑段使用する増幅器においては、増幅器と
しての価格が、非常に高くなる問題があった。
Problems to be Solved by the Invention As mentioned above, in conventional wideband amplifiers, the harmonics are determined by the selected transistor elements, and in developing an amplifier with extremely low harmonics (particularly second harmonics), the first step is to select transistor elements. We must start by selecting the elements. However, this is extremely difficult. The transistor is
The usage conditions are also limited, and transistor elements that suppress harmonics as much as possible are generally expensive, so amplifiers that use complex stages of such transistors have the problem of becoming extremely expensive. there were.

そこで、本発明は、従来の欠点を解消して、使用トラン
ジスタに高い品質を要求することなく、高調波、特に2
倍高調波を除去することができる広帯域電力増幅器を提
供せんとするものである。
Therefore, the present invention eliminates the conventional drawbacks and eliminates harmonics, especially 2
It is an object of the present invention to provide a wideband power amplifier that can remove double harmonics.

問題点を 決するだめの手段 すなわち、本発明によるならば、広帯域の電力増幅回路
と、該電力増幅回路の出力に接続された第1のピンダイ
オードと、該第1のピンダイオードに並列に接続された
LC並列共振回路と、前記第1のピンダイオードの入力
側に一端が接続されたLC直列共振回路と、該LC直列
共振回路の他端に第2のピンダイオードを介して接続さ
れた終端手段と、前記電力増幅回路の入力段に接続され
て入力信号の周波数成分を検出して前記2つのピンダイ
オードのいずれか一方をオン状態に且つ他方をオフ状態
に選択的にする制御回路とを具(rir+することを特
徴とする広帯域電力増幅器が提供される。
According to the present invention, a means for solving the problem is a broadband power amplifier circuit, a first pin diode connected to the output of the power amplifier circuit, and a first pin diode connected in parallel to the first pin diode. an LC parallel resonant circuit, an LC series resonant circuit having one end connected to the input side of the first pin diode, and a termination means connected to the other end of the LC series resonant circuit via a second pin diode. and a control circuit connected to the input stage of the power amplifier circuit to detect the frequency component of the input signal and selectively turn on one of the two pin diodes and turn the other one off. (rir+) is provided.

一作月 以上のような本発明による広帯域電力増幅器において、
LC並列共振回路とLC直列共振回路は、それらが共振
状態にあるとき、LC並列共振回路は、インピーダンス
無限大として機能し、LC直列共振回路は、インピーダ
ンス雰として機能する。
In the broadband power amplifier according to the present invention, such as more than one month,
When the LC parallel resonant circuit and the LC series resonant circuit are in a resonant state, the LC parallel resonant circuit functions as an infinite impedance, and the LC series resonant circuit functions as an impedance atmosphere.

従って、LC並列共振回路とLC直列共振回路の共振周
波数を、所定の周波数の入力信号の高調波周波数に設定
すれば、制御回路によりその所定周波数成分が入力信号
を実質的に占めることを検出したとき、第1のピンダイ
オードをオフ状態にし第2のピンダイオードをオン状態
にすることにより、所定周波数の入力信号の高調波を除
去することができる。
Therefore, if the resonant frequencies of the LC parallel resonant circuit and the LC series resonant circuit are set to the harmonic frequency of the input signal of a predetermined frequency, the control circuit detects that the predetermined frequency component substantially occupies the input signal. At this time, harmonics of the input signal of a predetermined frequency can be removed by turning off the first pin diode and turning on the second pin diode.

すなわち、この状態において、入力信号の高調波成分は
、その高調波に対してインピーダンス零として機能する
LC直列共振回路とオン状態のピンダイオードとを介し
て終端手段に逃がされる。
That is, in this state, harmonic components of the input signal are released to the termination means via the LC series resonant circuit that functions as zero impedance for the harmonics and the pin diode in the on state.

一方、入力信号の高調波成分は、オフ状態の第1のピン
ダイオードを通過することはできず、また、その高調波
に対してインピーダンス無限大として機能するLC並列
共振回路にも通過が阻止される。
On the other hand, the harmonic components of the input signal cannot pass through the first pin diode that is in the off state, and are also blocked by the LC parallel resonant circuit, which functions as an infinite impedance for the harmonics. Ru.

従って、高調波成分は出力されない。Therefore, harmonic components are not output.

他方、入力信号の基本波成分に対しては、LC直列共振
回路は実質的なインピーダンスを有し、また、LC並列
共振回路は、インピーダンスは低い。従って、入力信号
の基本波成分は、LC直列共振回路を介して終端手段に
逃がされることなく、LC並列共振回路を介して出力さ
れる。
On the other hand, with respect to the fundamental wave component of the input signal, the LC series resonant circuit has substantial impedance, and the LC parallel resonant circuit has low impedance. Therefore, the fundamental wave component of the input signal is outputted via the LC parallel resonant circuit without being released to the termination means via the LC series resonant circuit.

しかし、以上の場合以外は、制御回路は、第1のピンダ
イオードをオン状態にし第2のピンダイオードをオフ状
態にする。従って、出力信号は、第1のピンダイオード
を介して出力される。
However, in cases other than the above, the control circuit turns on the first pin diode and turns off the second pin diode. Therefore, the output signal is output via the first pin diode.

実施例 次に、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。添
付第1図は、本発明を実施した広帯域電力増幅器の例を
示す回路図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. The attached FIG. 1 is a circuit diagram showing an example of a wideband power amplifier embodying the present invention.

入力側子1には、結合コンデンサ2を介して前置増幅器
3の入力が接続され、その前置増幅器3には更にもう1
つの前置増幅器4が接続されている。そして、その前置
増幅器4は、結合コンデンサ5を介して電界効果トラン
ジスタ(以下FETと称す)11のゲートに接続されて
おり、そのFET1lのソースは接地されている。その
FETのゲートは、電流制限用抵抗6を介して電圧分割
用抵抗8及び9の中間接続点に接続されている。その抵
抗8の他端は接地され、また、抵抗8には高周波阻止用
コンデンサ7が並列に接続されている。
The input of a preamplifier 3 is connected to the input side 1 via a coupling capacitor 2, and the preamplifier 3 is connected to another one.
Two preamplifiers 4 are connected. The preamplifier 4 is connected to the gate of a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 11 via a coupling capacitor 5, and the source of the FET 1l is grounded. The gate of the FET is connected via a current limiting resistor 6 to an intermediate connection point between voltage dividing resistors 8 and 9. The other end of the resistor 8 is grounded, and a high frequency blocking capacitor 7 is connected in parallel to the resistor 8.

一方、抵抗9の他端は、電源印加用端子10に接続され
ている。
On the other hand, the other end of the resistor 9 is connected to a power supply terminal 10.

FETIIのドレインは、平滑用コイル13を介して電
源印加用端子20に接続され、その平滑用コイル13の
電源印加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサ
が接続されている。更に、FET11のドレインは、結
合コンデンサ14を介してもう1つのFE’T19のゲ
ートに接続されている。そのゲートも、電流制限用抵抗
15を介して、電圧分割用抵抗16及び17の中間接続
点に接続されている。その抵抗17は、その他端が接地
され、更に高周波阻止用コンデンサ18が並列に接続さ
れている。一方、抵抗16の他端は、電源印加用端子1
0に接続されている。また、FETIIのソースは接地
され、ドレインは、平滑用コイル23を介して電源印加
用端子20に接続され、その平滑用コイル13の電源印
加用端子20側端には、高周波阻止用コンデンサが接続
されている。
The drain of FET II is connected to the power supply terminal 20 via the smoothing coil 13, and a high frequency blocking capacitor is connected to the end of the smoothing coil 13 on the power supply terminal 20 side. Further, the drain of FET 11 is connected to the gate of another FE'T 19 via a coupling capacitor 14. Its gate is also connected to an intermediate connection point between voltage dividing resistors 16 and 17 via a current limiting resistor 15. The other end of the resistor 17 is grounded, and a high frequency blocking capacitor 18 is connected in parallel. On the other hand, the other end of the resistor 16 is connected to the power supply terminal 1
Connected to 0. Further, the source of FET II is grounded, and the drain is connected to the power supply terminal 20 via the smoothing coil 23, and a high frequency blocking capacitor is connected to the end of the smoothing coil 13 on the power supply terminal 20 side. has been done.

更に、FET11のドレインは、結合コンデンサ23、
ピンダイオード27及び結合コンデンサ29を介して出
力端子30に接続されている。そのピンダイオード27
のカソードは、抵抗28を介して接地され、更に、ピン
ダイオード27の両り11(には、結合コンデンサ24
を介して、コンデンサ25とインダクタ2Gとからなる
並列共振回路が並列に接続されている。
Furthermore, the drain of the FET 11 is connected to a coupling capacitor 23,
It is connected to an output terminal 30 via a pin diode 27 and a coupling capacitor 29. That pin diode 27
The cathode of is grounded via a resistor 28, and both pin diodes 27 (11) are connected to a coupling capacitor 24.
A parallel resonant circuit consisting of a capacitor 25 and an inductor 2G is connected in parallel through the capacitor 25 and the inductor 2G.

一方、ピンダイオード27のアノードは、インダクタ5
3及びコンデンサ53からなる直列共振回路を介しても
う1つのピンダイオード55のアノードに接続されてい
る。そして、そのピンダイオード55のカソードは、抵
抗58を介して接地されると共に、無反射終端器57に
接続されている。
On the other hand, the anode of the pin diode 27 is connected to the inductor 5.
3 and a capacitor 53 to the anode of another pin diode 55. The cathode of the pin diode 55 is grounded via a resistor 58 and connected to a non-reflective terminator 57.

更に、結合コンデンサ2には、抵抗31を介して、イン
ダクタ32とコンデンサ33からなる直列共振回路が接
続されている。そして、コンデンサ33の出力端には、
RF信号分割用抵抗34が接続され、また、検波ダイオ
ード35の一端が接続されている。
Further, a series resonant circuit consisting of an inductor 32 and a capacitor 33 is connected to the coupling capacitor 2 via a resistor 31. And, at the output end of the capacitor 33,
An RF signal dividing resistor 34 is connected, and one end of a detection diode 35 is also connected.

その検波ダイオード35の他端には、高周波阻止用コン
デンサ36と、負荷抵抗兼可変抵抗37とが接続されて
いる。そして、その可変抵抗37の可変端子は、人力抵
抗38を介して演算増幅器39の非反転入力に接続され
ている。演算増幅器39の反転入力は、抵抗40を介し
て接地され且つ抵抗41を介して出力に接続され、それ
ら抵抗40.41により増幅器の直流堆幅度が決定され
ている。
The other end of the detection diode 35 is connected to a high frequency blocking capacitor 36 and a load resistor/variable resistor 37. A variable terminal of the variable resistor 37 is connected to a non-inverting input of an operational amplifier 39 via a human resistor 38. The inverting input of the operational amplifier 39 is connected to ground via a resistor 40 and to the output via a resistor 41, which determine the DC amplitude of the amplifier.

演算増幅器39の出力は、定電圧ダイオード42及び電
流制限用抵抗43を介して第1のスイッチングトランジ
スタ44のベースに接続されている。そのスイッチング
トランジスタのエミッタは接地され、コレクタは抵抗4
5を介して正電源端子46に接続されている。その第1
のスイッチングトランジスタ44のコレクタは、更に、
コンデンサ47及び抵抗48の並列回路を介して、第2
のスイッチングトランジスタ49のベースに接続されて
いる。このコンデンサ47は、抵抗48と、スイッチン
グトランジスタ49のB−E間容蚤とで生じる時定数を
補正するスピードアップ用コンデンサである。その第2
のスイッチングトランジスタ49も、エミッタは接地さ
れ、コレクタは抵抗50を介して正電源端子46に接続
されている。
The output of the operational amplifier 39 is connected to the base of a first switching transistor 44 via a constant voltage diode 42 and a current limiting resistor 43. The emitter of the switching transistor is grounded, and the collector is resistor 4.
5 to the positive power supply terminal 46. The first
The collector of the switching transistor 44 further includes:
The second
The base of the switching transistor 49 is connected to the base of the switching transistor 49. This capacitor 47 is a speed-up capacitor that corrects the time constant caused by the resistor 48 and the BE capacitance of the switching transistor 49. The second
The emitter of the switching transistor 49 is also grounded, and the collector is connected to the positive power supply terminal 46 via the resistor 50.

従って、スイッチングトランジスタ44及び49のコレ
クタレベルは互いに反対の関係にある。スイッチングト
ランジスタ44のコレクタは、電流制限用抵抗51を介
してピンダイオード27のアノードに接続されている、
更に、高周波阻止用コンデンサ52にも接続されている
。また、スイッチングトランジスタ49のコレクタは、
ピンダイオード55のアノードに接続されている。
Therefore, the collector levels of switching transistors 44 and 49 are opposite to each other. The collector of the switching transistor 44 is connected to the anode of the pin diode 27 via the current limiting resistor 51.
Furthermore, it is also connected to a high frequency blocking capacitor 52. Moreover, the collector of the switching transistor 49 is
It is connected to the anode of pin diode 55.

以上のような広帯域増幅器において、入力側子IにRF
倍信号入力されたとすると、そのRF倍信号、前置増幅
器3.4によって増幅され、更にFETII、19によ
って増幅され、高電力が出力端子30より出力される。
In the wideband amplifier as described above, RF
When a doubled signal is input, the RF multiplied signal is amplified by the preamplifier 3.4, further amplified by the FET II, 19, and high power is output from the output terminal 30.

今、広帯域増幅器の帯域を1オクターブに設計し、下限
周波数をfL、上限周波数をfll、中心周波数を「。
Now, the band of a wideband amplifier is designed to be one octave, the lower limit frequency is fL, the upper limit frequency is fll, and the center frequency is ``.

とじて、周波数fLを持つRF倍信号入力側子1に入力
されたと仮定する。そのRF倍信号持つ周波数fLの第
2次高調波2ftは、増幅器が持つ帯域の上限(f、、
l)に当り、その第2次高調波“2fLを除去すること
は従来困難であった。
Assume that the RF multiplied signal having the frequency fL is input to the input terminal 1. The second harmonic 2ft of the frequency fL of the RF multiplied signal is the upper limit of the band of the amplifier (f, ,
1), it has conventionally been difficult to remove its second harmonic "2fL".

図示の実施例では、以下に説明するように、そのような
高調波を所望の値にまで抑制することができる。増幅器
が持つ帯域の下限周波数rLを持つRF倍信号人力され
た時に、インダクタ素子32とコンデンサ33との直列
共振回路が周波数「、に共振するように前置って設定し
おく。それにより、検波ダイオード35のアノード側に
上記RF倍信号一部が現れ、検波ダイオード35のよっ
て検波され直流信号に変換される。この変換された直流
信号は、可変抵抗器37に依って所望の値に分割され、
抵抗38を介して演算増幅器39に人力される。
In the illustrated embodiment, such harmonics can be suppressed to a desired value, as described below. The series resonant circuit of the inductor element 32 and the capacitor 33 is set in advance so that it resonates at the frequency "," when the RF multiplied signal having the lower limit frequency rL of the band of the amplifier is input. A part of the RF multiplied signal appears on the anode side of the diode 35, and is detected by the detection diode 35 and converted into a DC signal.This converted DC signal is divided into desired values by the variable resistor 37. ,
Power is supplied to an operational amplifier 39 via a resistor 38.

今、この可変抵抗器37、抵抗40.41を、演算増幅
器39の出力電圧が所定(定電圧グイオートのツェナー
電圧と、スイッチングトランジスタ44のB−E間電圧
の合成)の電圧(■、)以上になるように調整しておけ
ば、スイッチングトランジスタ44はオン、スイッチン
グトランジスタ49はオフとなり、その結果、ピンダイ
オード27はオン、ピンダイオード55はオフとなる。
Now, connect the variable resistor 37 and the resistor 40.41 so that the output voltage of the operational amplifier 39 is higher than a predetermined voltage (■,) (composition of the Zener voltage of the constant voltage group and the B-E voltage of the switching transistor 44). If the switching transistor 44 is turned on and the switching transistor 49 is turned off, the pin diode 27 is turned on and the pin diode 55 is turned off.

予め、並列共振回路(コンデンサ25、インダクタ素子
26)と直列共振回路(インダクタ素子53、コンデン
サ54)を周波数2fL(”f++)に共振するように
設定しておけば、並列共振回路は、人力周波数fLでは
通過域、高1稠波2’ f Lでは;IW限大のインピ
ーダンスを持つことになり遮断器となる。逆に直列共振
回路は、入力周波数fLでは、1lji(限小のインピ
ーダンスとなり、通過域となる。
If the parallel resonant circuit (capacitor 25, inductor element 26) and series resonant circuit (inductor element 53, capacitor 54) are set in advance to resonate at a frequency of 2fL ("f++"), the parallel resonant circuit will be able to operate at the human frequency. At fL, it is a passband, and at fL, it has a maximum impedance of IW and becomes a circuit breaker.On the other hand, the series resonant circuit has an impedance of 1lji (minimum impedance) at the input frequency fL, It becomes a passing area.

このようにして、周波数fLを持つRF倍信号入力側子
1に現れると、基本周波数fLは、出力端子30に増幅
器の利得を持って出力され、高調波2fLは並列共振回
路にて反射され、無反射終端器57に吸収される。
In this way, when the RF multiplied signal having the frequency fL appears at the input terminal 1, the fundamental frequency fL is outputted to the output terminal 30 with the gain of the amplifier, and the harmonic 2fL is reflected by the parallel resonant circuit. It is absorbed by the non-reflection terminator 57.

次に入力周波数を除々に上昇させていくと直列共振回路
(インダクタ素子32、コンデンサ33)のインピーダ
ンスが増加し、検波ダイオード35からの直流信号が減
少し、演算増幅器39の出力電圧が下がり、定電圧ダイ
オード42がカットオフとなりスイッチングトランジス
タ44はオフ、スイッチングトランジスタ′49はオン
状態となる。従って、ピンダイオード素子27はオン、
ピンダイオード素子    。
Next, when the input frequency is gradually increased, the impedance of the series resonant circuit (inductor element 32, capacitor 33) increases, the DC signal from the detection diode 35 decreases, the output voltage of the operational amplifier 39 decreases, and the voltage becomes constant. The voltage diode 42 is cut off, the switching transistor 44 is turned off, and the switching transistor '49 is turned on. Therefore, the pin diode element 27 is turned on.
Pin diode element.

55はオフとなり、入力周波数fL以上の周波数fLL
からfu迄の周波数を持つRF倍信号、ピンダイオード
素子27を介して出力端子30に損失無く出力される。
55 is turned off, and the frequency fLL is higher than the input frequency fL.
The RF multiplied signal having a frequency from to fu is outputted to the output terminal 30 via the pin diode element 27 without loss.

勿論、直列共振回路(インダクタ素子32、コンデンサ
33)のQと、可変抵抗器37を調整することにより、
上記スレッシホールド点の周波数fLLを自由に設定で
きることは言うまでもない。
Of course, by adjusting the Q of the series resonant circuit (inductor element 32, capacitor 33) and the variable resistor 37,
It goes without saying that the frequency fLL at the threshold point can be set freely.

発明の詳細 な説明したように、本発明による広帯域電力増幅器は、
増幅器が持つ周波数帯域の下限においてのみ、RF倍信
号一部を抽出できるように構成し、その抽出信号によっ
てピンダイオード素子を切換えらでいる。従って、上記
下限周波数の高調波(特に2次高調波)が除去でき、ま
た、外部信号も不要であるので、周辺装置の設計が容易
で、しかも、高価なトランジスタを使用することも無く
、安価な増幅器を設計できる。
As described in the detailed description of the invention, the wideband power amplifier according to the present invention comprises:
It is configured so that a part of the RF multiplied signal can be extracted only at the lower limit of the frequency band of the amplifier, and the pin diode element is switched depending on the extracted signal. Therefore, the harmonics of the lower limit frequency (especially the second harmonic) can be removed, and no external signals are required, making it easy to design peripheral devices, and without using expensive transistors. It is possible to design a powerful amplifier.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

添付第1図は本発明を実施した広帯域増幅器の回路図で
ある。 〔主な参照番号〕 1・・・・・・・・入力側子 3.4・・・・前置増幅器
The attached FIG. 1 is a circuit diagram of a broadband amplifier embodying the present invention. [Main reference numbers] 1...Input side 3.4...Preamplifier

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 広帯域の電力増幅回路と、該電力増幅回路の出力に接続
された第1のピンダイオードと、該第1のピンダイオー
ドに並列に接続されたLC並列共振回路と、前記第1の
ピンダイオードの入力側に一端が接続されたLC直列共
振回路と、該LC直列共振回路の他端に第2のピンダイ
オードを介して接続された終端手段と、前記電力増幅回
路の入力段に接続されて入力信号の周波数成分を検出し
て前記2つのピンダイオードのいずれか一方をオン状態
に且つ他方をオフ状態に選択的にする制御回路とを具備
することを特徴とする広帯域電力増幅器。
a broadband power amplifier circuit, a first pin diode connected to the output of the power amplifier circuit, an LC parallel resonant circuit connected in parallel to the first pin diode, and an input of the first pin diode. an LC series resonant circuit having one end connected to the side; a termination means connected to the other end of the LC series resonant circuit via a second pin diode; a control circuit that detects a frequency component of the pin diode and selectively turns one of the two pin diodes on and the other one off.
JP6433886A 1986-03-20 1986-03-20 Broad band power amplifier Pending JPS62220009A (en)

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JPS62220009A true JPS62220009A (en) 1987-09-28

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