JPS62220936A - 光走査デバイス - Google Patents
光走査デバイスInfo
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- JPS62220936A JPS62220936A JP6327786A JP6327786A JPS62220936A JP S62220936 A JPS62220936 A JP S62220936A JP 6327786 A JP6327786 A JP 6327786A JP 6327786 A JP6327786 A JP 6327786A JP S62220936 A JPS62220936 A JP S62220936A
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- JP
- Japan
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- refractive index
- optical scanning
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- carriers
- gaas
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- YQEZLKZALYSWHR-UHFFFAOYSA-N Ketamine Chemical compound C=1C=CC=C(Cl)C=1C1(NC)CCCCC1=O YQEZLKZALYSWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000579647 Penaeus vannamei Penaeidin-2a Proteins 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体導波路における光の走査素子に関する。
従来、光走査の技術にけポリゴンミラーによる機械的な
走査や、レーザダイオードによる偏向を用いて走査を行
なう方法が知られてい友。
走査や、レーザダイオードによる偏向を用いて走査を行
なう方法が知られてい友。
しかし、ポリゴンミラー等の機械的走査は撮動に弱い、
％市た。レーザダイオードによる偏向を用いたものでは
、しきい値電流の上昇、モード制御の困難さを伴へ。し
かもレーザ光以外の光走査をすることがで伴ない。
％市た。レーザダイオードによる偏向を用いたものでは
、しきい値電流の上昇、モード制御の困難さを伴へ。し
かもレーザ光以外の光走査をすることがで伴ない。
そこで１本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、外部入力光を純電気的に走査することを目的として
いる。
め、外部入力光を純電気的に走査することを目的として
いる。
上記問題点を解決する几めに、本発明め光走査デバイス
は、金属−絶縁物一半導体構造の一部分に電界をかけ、
前記半導体中に千ヤリ７密度の分布をつくり、＃記千ヤ
リア密度に応じた屈折率分布により、外部からの入力光
を偏向せしめ、出力光の走査をすることを特徴とする。
は、金属−絶縁物一半導体構造の一部分に電界をかけ、
前記半導体中に千ヤリ７密度の分布をつくり、＃記千ヤ
リア密度に応じた屈折率分布により、外部からの入力光
を偏向せしめ、出力光の走査をすることを特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図において’ＩＩ！＠１と３の電位を眞Ａ５基板８と
同電位（し、’！ｆｆ１２に加える電界でｎ−θＡ１１
５中のキャリア濃度を制御するもので、絶縁性ｋｌｏ、
、 Ｇａ。１１Ｍを絶縁体とした金属−絶縁物一半導体
構造である。
１図において’ＩＩ！＠１と３の電位を眞Ａ５基板８と
同電位（し、’！ｆｆ１２に加える電界でｎ−θＡ１１
５中のキャリア濃度を制御するもので、絶縁性ｋｌｏ、
、 Ｇａ。１１Ｍを絶縁体とした金属−絶縁物一半導体
構造である。
ここでｎ−杷ＡＳ ５のキャリア密度を１×１０′９〔
イ３〕になるように素子を作り、電極２に負の電圧を加
えると、電ｆｆ１２の下には空乏層がで鎗、キャリア製
産が減少する。するとｔ＄２図に示すよ＋５に屈折率ｈ
′−上昇し、電筆２の真下にの入高屈折率領域が主じろ
。そのためｎ−侃υ５に入射し次光は曲げられる。
イ３〕になるように素子を作り、電極２に負の電圧を加
えると、電ｆｆ１２の下には空乏層がで鎗、キャリア製
産が減少する。するとｔ＄２図に示すよ＋５に屈折率ｈ
′−上昇し、電筆２の真下にの入高屈折率領域が主じろ
。そのためｎ−侃υ５に入射し次光は曲げられる。
１い−Ａ４．ａ侃。、、 Ａ＄ ６は絶縁性Ａ４．、噛
；ｔ ｋｇ ４と共に縦方向の光閉じ込め層として損失
を防いでいる。
；ｔ ｋｇ ４と共に縦方向の光閉じ込め層として損失
を防いでいる。
この構造は工１チンダなどの工程を必要としない定め、
有鳴化学気相成長法などの成長法を用いる際には１回だ
けの工程で作れるため量産性にすぐれている。
有鳴化学気相成長法などの成長法を用いる際には１回だ
けの工程で作れるため量産性にすぐれている。
また、走査する角変な大きくしたいときには、第３図の
ようなＩｔ極構造にすればよく、容ＪＪ−に大羨な走齋
能力を得ることができる。
ようなＩｔ極構造にすればよく、容ＪＪ−に大羨な走齋
能力を得ることができる。
また、走査を行な５際に１械系な必要としないため、振
動に強く、小型高信頼性を得ることがで弾る。
動に強く、小型高信頼性を得ることがで弾る。
また、実施例として光導波層として侃Ａ８を用い比例を
挙げたｈ；、これはａ侃Ａ８や工ｎ杷に８など一般の［
−Ｖ族半導体及びＣｄ、ｔｅなど一般のトｌ族半導体及
びｓｉ、 Ｇｇ＋Ｓｉａなど一般■族やｒｖ−■族半導
体に対して適用できる。特Ｋ ｃｄｒｅなどバンドギャ
ップの大きいものを用いれば可視光を走査することｈｓ
できる。
挙げたｈ；、これはａ侃Ａ８や工ｎ杷に８など一般の［
−Ｖ族半導体及びＣｄ、ｔｅなど一般のトｌ族半導体及
びｓｉ、 Ｇｇ＋Ｓｉａなど一般■族やｒｖ−■族半導
体に対して適用できる。特Ｋ ｃｄｒｅなどバンドギャ
ップの大きいものを用いれば可視光を走査することｈｓ
できる。
ま７２：、 Ｕθ八へ系のものを用いればコンパクトデ
ィスク等に用いられているレーザな走査することｈｔで
きる。
ィスク等に用いられているレーザな走査することｈｔで
きる。
ま几、Ｓｉを用いれば、赤外光しか扱えないが。
安いコストで光走査デバイスを構成することｈ；できる
。
。
また、電極の形状ｆプリズム型のものを用いｔが、この
形状にこだわることなく１種々の形状を用いて光走査の
目的を達することｈ；できる。
形状にこだわることなく１種々の形状を用いて光走査の
目的を達することｈ；できる。
また、この光走査の電界のみで制御する次め。
非常に少ない電力で光走査の制御が可能である。
本発明け１以上説明し穴よ５に、屈折率がキャリア密度
に依存して変化する性質を用いて、電界により屈折率を
賓え光走査を行なうことによって非常に少ない電力で光
走査を行なうことができる。
に依存して変化する性質を用いて、電界により屈折率を
賓え光走査を行なうことによって非常に少ない電力で光
走査を行なうことができる。
また、外部入力光を偏向する几め、光源として半導体レ
ーザな用いるならば、良質な単一モードを持つ超小型の
走査光源とすることができる。
ーザな用いるならば、良質な単一モードを持つ超小型の
走査光源とすることができる。
ま之、可動部分を持たないので、信頼性が高い。
また、きわめて簡単な１造であるため素子作成時の工程
が少なくて済む。その上、不良品ができ忙〈〈、非常な
低価格で作成することができる。
が少なくて済む。その上、不良品ができ忙〈〈、非常な
低価格で作成することができる。
また、レーザダイオードを作成するとき同時に作成する
ことができ、レーザとモノリシヴク化して光ＩＣを構成
できるとい５効来がある。
ことができ、レーザとモノリシヴク化して光ＩＣを構成
できるとい５効来がある。
ｆｓ１図は、本発明にかかる光走査素子の斜視図。
Ｗｃ２図はｎ形Ｇａ紹の屈折率とキャリア密度との関係
を示す図、第３図は光走査を多段で行なった例を示す図
である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｌｔ蓮 第１図 −４，ソア追−Ｐｔ−ｒβ令Ｃ１３ 第２図 第３図
を示す図、第３図は光走査を多段で行なった例を示す図
である。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｌｔ蓮 第１図 −４，ソア追−Ｐｔ−ｒβ令Ｃ１３ 第２図 第３図
Claims (1)
- 金属−絶縁物−半導体構造の一部分に電界をかけ、前記
半導体中にキャリア密度の分布をつくり、前記キャリア
密度に応じた屈折率分布により、外部からの入力光を偏
向せしめ、出力光の走査をすることを特徴とする光走査
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327786A JPS62220936A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光走査デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6327786A JPS62220936A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光走査デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220936A true JPS62220936A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13224655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6327786A Pending JPS62220936A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 光走査デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62220936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222630A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 光位相分布制御素子 |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6327786A patent/JPS62220936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222630A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 光位相分布制御素子 |
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