JPS62222893A - 光学的情報記録媒体およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業−にの利用分野］ 本発明は光学的情報記録媒体およびその製法に関する。

さらに詳しくは、レーザにより情報の記録、再生を行な
う光学的情報記録媒体およびその製法に関する。

［従来の技術］ 従来、レーザにより情報を記録する記録媒体として、レ
ーザ照射部がレーザからのエネルギーを吸収して局部的
に加熱され、溶融、蒸発などの状態変化を起こし、これ
を信号ピットとじて情報を記録するものが知られている
。いわゆる、ヒートモード光記録材料と呼ばれるもので
ある。

この種の記録材料として、Ｔｅをはじめとするカルコゲ
ナイド系薄膜あるいは金属薄膜が知られているが、記録
部と非記録部との反射光強度差が充分でないためビット
エラーが増大することなどをはじめとして、毒性のある
ものが多いこと、酸化に対する安定性が乏しいこと、薄
膜作製技術−１−の問題があることなどの面で、まだま
だ多くの問題がある。

これらの無機系薄膜における問題を解決するために、有
機系薄膜を使用したものが種々検討されている。すなわ
ち、有機系材料のもつ優れた熱的性質（低融点、低分解
温度、低熱伝導率など）によって高感度化を達成すると
ともに、製造コストの低減をはかろうとするものである
。

具体的には、たとえばスクワリウム系色素（Ｄ、Ｊ、Ｇ
ｒａｖｏｔｅｌｊｎ　ｅｔ、ａｌ、、５ＰＩＩシ４２０
　、３２７（＋９８３）など）、アズレン誘導体（特開
昭５８−２１．４１８２号公報など）、インダンスレン
誘導体（特開昭５８−２２４４４８号公報など）、シア
ニン系色素などを用いたものや、色素を光吸収剤として
熱可塑性ポリマー中に分散させたもの（Ｊａｍｅｓ　Ｗ
。

Ｗｈｏｃｌｅｒ　ｅｔ、ａｌ、、５ＰＩＥ　４２０．３
９（１９８３）など）などが知られている。

一方、最近、半導体レーザの発展が著しく、小形で安価
なことから、半導体レーザが各種記録装置の光源として
使用されてきている。これら半導体レーザの発振波長と
しては、比較的長波長側のものが一般に使用されており
、現在、記録再生装置の光源に使用されている半導体レ
ーザとしては、７８０〜８３０ｎｍあたりの発振波長を
もつものが多い。

このような半導体レーザによって感度よく記録を行なう
ためには、発振波長に対応した吸収特性を存する記録層
が必要である。

しかしながら、一般に金属薄膜やカルコゲナイド系薄膜
を用いた記録層では、この領域における反射率が高く、
また通常の有機色素を用いた記録層では、この領域に吸
収がない。それゆ−４＝ え、この領域に吸収を有するシアニン系色素や有機金属
錯体（たとえばフタロシアニン化合物など）を記録層と
して使用するための試みがなされている。

しかしながら、シアニン系色素や有機金属錯体を記録層
として使用するばあいには、その優れた熱的性質により
感度を向」二せしめうるが、以下のような多くの問題が
ある。

（１）半導体レーザ光を効率よく吸収する色素類や有機
金属錯体類の使用では、その構造を有さなければならな
いという制約を受け、７８０〜８３０ｎ［１１に大きな
吸収をもつフタロシアニン化合物などは比較的数が少な
く、えられに＜＜、感度向」二の妨げとなっている。ま
た非常に高価であり、コストアップにつながる。

（２）一般に有機系薄膜は、膜の機械的強度が弱く、キ
ズなどがつきやすく、取扱いがやっかいであり、この欠
点を防ぐために保護層などを設けるばあいでも、有機物
（たとえばポリマーなど）をコーティングするのに溶剤
を用いるスピンコ−ターなどの方法では、記録層自体の
耐溶剤性が乏しいので、このような方法の適用は釧（シ
い。

下地に光吸収層、上層に有機物の状態変化層（ピット記
録層）を設けるような２層型の記録層においても同様の
ことがいえる。

（３）光、とくに半導体レーザ光の波長域において記録
部と非記録部との反射光強度差が充分でなく、無機系薄
膜を用いたばあいの問題を克服するにはいたっていない
。この反射光強度の差は、直接的には信号「１」、「０
」の区分に影響するため、充分でないばあいにはビット
エラーが増大し、また間接的には使用しつる再生周波数
の許容範囲がせまくなる。

なお、記録部と非記録部との反射光強度の差が充分でな
い理由として、従来の技術では記録部、非記録部を ■形状的な変化で区分する方法 ■結晶質←非結晶質の相変化で区分する方法を用いてき
たことがあげられる。■のばあいには反射光強度は１０
〜２０％程度の変化であり、■のばあいには材料を吟味
すると３０％程度になることもあるが、通７１シはそれ
以下である。

「発明が解決しようとする問題点」 本発明は、有機系材料のもつ優れた熱的性質を充分に発
揮させ、なおかつ先に述べた種々の問題（（１）〜（３
）の問題）を解決するためになされたものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、レーザにより記録、再生を行なう情報記録媒
体において、フタロシアニン化合物を７０％（重量％、
同様）以」−含有する重合薄膜を記録層とする光学的情
報記録媒体、該光学的情報記録媒体を製造する際に、昇
華せしめたフタロシアニン化合物を含むガスを高周波出
力２００〜２０００ＩＩＩＷｌｃＩ１１２、放電時圧力
　ｌＸｌ０−４〜８Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒの範囲でプラ
ズマ重合せしめて記録層となる重合薄膜を形成する光学
的情報記録媒体の製法、および該光学的情報記録媒体を
製造する際に、フタロシアニン化合物を含む薄膜を形成
せしめたのち、放電時電圧］、Ｘ］０−４〜８Ｘ　１Ｏ
−２Ｔｏｒｒの範囲で高周波１１１力２００〜２０００
ＩＩＩＷ／　ｃＪでプラズマ重合せしめて記録層となる
重合薄膜を形成する光学的情報記録媒体の製法に関する
。

［実施例コ 本発明の記録媒体は、ＡρＧａＡｓ５ｌｎＧａＰなどの
半導体レーザや他のレーザにより記録再生が行なわれる
。また該記録媒体の記録層は、フタロシアニン化合物、
好ましくは金属フタロシアニン化合物を７０％以上、好
ましくは８５％以上含有する重合薄膜から形成されてい
る。

前記フタロシアニン化合物としては、たとえば一般式（
■）： ［以下余白］ （式中、Ｈは、たとえばＰｂ、　Ｃｕ、　Ｎｉなどの■
価の金属、ｖＯなどの■価の金属酸化物またはＣｒＦな
どの■価もしくは■価の金属のハロゲン化物、Ｘは水素
原子またはハロゲン原子であり、それぞれのＸが異なっ
ていてもよく、同一であってもよい）で表わされる化合
物があげられる。

一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｍ−Ｐｃ（Ｘ）＋６）
の具体例としては、たとえば Ｃｕ−Ｐｃ（Ｉｆ）＋６、Ｃｕ−Ｐｃ（Ｃ＃　）ｎ　（
Ｊ（）　　　　（ｎ−１〜１Ｂ）、６−ｎ Ｃｏ−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｎ１−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｍｇ−
Ｐｃ（Ｈ）＋６、ＣｒＣＩ−Ｐｃ（Ｈ）＋ｇ　１．Ｐｂ
−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｍｎ−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｚｎ−Ｐｃ
（ＩＩ）＋６、ＣｒＰ−Ｐｃ（ＩＩ）＋６、Ｖ−Ｐｃ（
ｌＩ）＋ｓ、ＶＯ−Ｐｃ　（ＩＩ）　＋６、　ＶＣ（！
−Ｐｃ（Ｉｔ）＋６、Ｃｒ−Ｐｃ（Ｉｔ）＋６、Ｍ　Ｃ
Ｉ−Ｐｃ（ＩＩ）＋６、Ｍ　ＣＡＩ　−Ｐｃ（ＣＪ　）
ｎ　（ＩＩ）　　　　　（ｎ−１〜１Ｂ）６−ｎ １ｎｃ＆１−Ｐｃ（ＩＩ）＋６、Ｉｎ−Ｐｃ（ＣＩ）ｎ
　（ＩＩ）　　　　　（ｎ−１〜１Ｂ）　　、６−ｎ Ｇａ−Ｐｃ（ＩＩ）＋ｓ　、５ｎ−Ｐｃ（Ｉｔ）＋６、
Ｐｒ−Ｐｃ（ＩＩ）＋６　、Ｇａ−Ｐｃ（Ｃ１）　）ｎ
　（Ｉｔ）　　　（ｎ−１〜１６）　、Ｔｉ−Ｐｃ（Ｉ
Ｉ）＋６な６−ｎ どかあげられる。

前記フタロシアニン化合物は、一般に熱的、化学的に安
定で、耐候性などの長期安定性にも優れている。また、
一般に熱昇華性を有しているため取扱いやすい。

本発明においては、一般式ｍで示される化合物のＨがｐ
ｂ、　ｖｏ、Ｃｕまたは旧、とくにｐｂまたはＣｕであ
るフタロシアニン化合物であることが好ましく、これら
のフタロシアニン化合物を用いるばあいには、のぢにの
べるプラズマ重合の際にほとんど分解がおこらず、また
粉状物や半導体レーザの波長域に吸収のない薄膜ができ
ることも少なくない。さらにＭが前記のように金属を含
むものであるばあいには、レーザの照射により形成され
る記録部が金属分の多い組成となりやすく、レーザの照
射されない非記録部との反射光強度の差が大きくなりや
ずいという特徴か生じる。

フタロシアニン化合物の前記重合薄膜にしめる割合が７
０％未病になると、本発明の効果である記録部と非記録
部との反射光強度の差が充分えられなくなり、好ましく
ない。

フタロシアニン化合物以外の重合薄膜形成成分としては
、たとえばメタン、エタン、プロパン、ブタンなどの飽
和炭化水素系ガス、エチレン、プロピレンなどの不飽和
炭化水素系ガスなどや、それらから形成される重合物な
どがあげられる。

重合薄膜の厚さとしては１００〜１．００００人が好ま
しく１，５００〜５０００人がさらに好ましい。

つぎに本発明の製法について説明する。

フタロシアニン化合物を含む薄膜は、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法、スパッタリング法、イオンクラス
タービーム法などの方法によっでも形成しうるが、これ
らの方法のみでは高度に架橋したあるいはからみあいの
多い重合薄膜はえられにくく、これらの方法とプラズマ
重合法などとを組合わせて重合薄膜を形成すると、記録
時のレーザ照射に対する感度が高く、再生時の記録部と
非記録部との反射光強度の差が大きく、かつ必要な物理
的強度かえられやすいなどの特徴を有する重合薄膜かえ
られ、好ましい。

真空蒸着法などの方法とプラズマ重合法などとの組合わ
せ方としては、まず真空蒸着法などの方法により薄膜を
形成したのち、プラズマ重合法を適用し、該薄膜を重合
薄膜にしてもよく、また真空蒸着法などの方法で薄膜を
形成する際に同時にプラズマ重合法などの方法を適用し
、一度に重合薄膜を形成せしめてもよい。

たとえば抵抗加熱法によりｌＸｌ０−５〜１ｘ１０’　
Ｔｏｒｒ程度の真空状態下で昇華せしめられた」−記の
ごときフタロシアニン化合物の１種以上および重合薄膜
中のフタロシアニン化合物含量が所定の範囲になるよう
に要すれば併用されるメタン、エタン、プロパン、ブタ
ンなどの飽和炭化水素系ガス、エチレン、プロピレンな
どの不飽和炭化水素系ガス、ハロゲン系ガス、さらには
希釈剤あるいはキャリア剤の目的で使用されるアルゴン
などの不活性ガスなどが、高周波出力２００〜２０００
ｍＷ／　ｃＪ　、好ましくハ４００〜１ｏｏ。

ＩＩＩＷ／ａＩ、さらに好ましくは６００〜ＬＯＯＯｍ
Ｗ／　ｃｄ、放電時圧力ＩＸ　１０’　〜８Ｘ　１．０
−２Ｔｏｒｒ、好ましくはＩＸ　１．０’　〜ｌＪｘ　
１Ｏ−２Ｔｏｒｒ、さらに好ましくは５Ｘ　１０’　〜
５Ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒの範囲でプラズマ重合せしめら
れ、好ましくは膜厚５００−１００’００人程度の重合
薄膜が、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタク
リレート、アルミニウムなどの材質からなる基板上に形
成される。

このばあい、高周波出力を２００〜２０００ｍＷ／　ｃ
ｒｌにすることが、重合薄膜作製時に所望の膜厚をうる
ことや、半導体レーザの波長域における吸収を高くする
などの点から必要であり、さらに反応容器内圧力をＩＸ
　１０−４〜８Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒにすることか、フ
タロシアニン化合物の重合物の性状（粉状物、膜状物な
ど）を膜状に制御するなどの点から必要である。

前記高周波出力が２００〜２０００ｍＷ／ｃ♂の範囲を
はずれると、えられる重合薄膜の膜厚が充分でなくなっ
たり、はなはだしいときには全く重合薄膜かえられなく
なったり、半導体レーザなどの波長域における吸収が不
充分になったりし、反応容器内圧力がＬＸ　１０’　〜
８Ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒの範囲をはずれると、半導体レ
ーザなどの波長域に吸収のない重合薄膜や粉状物しかえ
られなくなったりする。

本発明においては、前記圧力の範囲内である限り、不活
性ガスは導入しなくても重合薄膜を形成しうる。

また所定の減圧下、タンタルボードまたはルツボなどに
入れたフタロシアニン化合物を４００〜５００℃に加熱
し、昇華させるなどして基板上に蒸着薄膜を形成させ、
そののち、前記のごとき所定の条件下でプラズマ重合法
などにより重合薄膜にしてもよい。この際、ただ１種の
フタロシアニン化合物を用いてもよく、２種以」−のフ
タロシアニン化合物を併用してもよい。またフタロシア
ニン化合物以外の化合物、たとえばスクワリウム系色素
などを共存せしめるようにしてもよい。

なお、このばあいにもプラズマ重合などにより形成され
るフタロシアニン化合物の重合薄膜は、重合時の圧力、
放電パワーなどによって異なる性状のものができる。

このようにしてえられるフタロシアニン化合物の重合薄
膜は、単に真空蒸着法などで形成した蒸着薄膜などとほ
ぼ同じλｍａｘをもつ吸収スペクトルを示すが、表面の
硬度および耐溶剤性は、重合しているため大きく向上す
る。

第１図は同種のフタロシアニン化合物を用いた単なる蒸
着薄膜とプラズマ重合法による重合薄膜との吸収スペク
トルの具体例を示すグラフである。

このようにして形成された重合薄膜が半導体レーザ光な
どに対して高感度を有し、光学的情報記録媒体の記録層
として働く。

次にえられた重合薄膜への記録条件および記録後の特徴
について述べる。

記録にはＧａ＃　Ａｓ、　１ｎＧａＰなどの半導体レー
ザを用いるのが一般的である。

重合薄膜に光学系により直径０．６〜１．２側のスポッ
トに絞った出力１〜３０ｍＷ程度のレーザパルスを、照
射時間５０ｎ　ｓｅｅ　〜５０ｍ　ｓｅｃ程度照射する
。

そののちレーザ照射部（記録部）に対し１〜５ＩＩ１ｗ
程度の低出力レーザ光を照射し、反射光強度を調べる。

同じく非記録部について同様の操作を行なう。

本発明の記録媒体を用いると、これまで報告された傾向
、すなわち記録部の反射光強度が非記録部の値と比較し
て低下する傾向とは逆に増大し、さらに驚くべきことに
レーザ照射条件によっては記録部と非記録部との反射光
強度変化率ニ 反射光強度変化率＝ 記録部反射光強度−非記録部反射光強度非記録部反射光
強度 が１００％以」−にもなりうるという事実が、本発明者
らによって見出されている。このような大きな反射光強
度の変化はこれまで報告されたことがなく、全く新しい
機構に基づくものと考えられる。この原因をしらべるた
めレーザ光照射部を中心に走査型電子顕微鏡などで観察
したところ、レーザ光照射部に遊離した金属の存在が見
出されている。すなわち、本発明の記録媒体を用いて記
録すると、記録部が金属を多く含有する組成となり、非
記録部がもとの重合薄膜のままの有機金属を主体とする
組成となり、両者の反射光強度が著しく異なるという、
従来のものとは全くことなる新しい有機金属系光学的情
報記録媒体となることが判明してきている。

このようにしてえられる本発明におけるフタロシアニン
化合物のプラズマ重合薄膜は、通常の単なる蒸着薄膜で
は半導体レーザの波長域における吸収が少なく、半導体
レーザによる記録ピットの形成が不可能なフタロシアニ
ン化合物でも、重合により記録ピットの形成が「＋Ｊ能
になり、かつ記録後の記録部と非記録部との反射光強度
が著しく異なり、再生が容易であるという特徴を有する
ものである。それゆえ、多種のフタロシアニン化合物を
利用することができ、価格の低下をはかりうる。また本
発明における重合薄膜は、重合により膜硬度が著しく高
くなりキズなどがつきにくいため、光学的情報記録媒体
の製造時における取扱いが有機色素蒸着薄膜やフタロシ
アニン蒸着薄膜に比べて容易である。

さらに該重合薄膜は耐溶剤性に優れ、記録層上に保護層
あるいは有機物の状態変化層（ピット記録層）をスピン
コーターなどで設けるばあいにも、記録層の耐溶剤性が
良好であるので、製造」二有利であるという特徴を有す
るものである。

つぎに本発明の記録媒体を実施例に基づき説明する。

実施例１および比較例１ 鉛フタロシアニン（Ｐｂ−Ｐｃ（Ｉｆ）　＋６　）をタ
ンタルボードにのせ、ロータリーポンプにて０．０４Ｔ
ｏｒｒの減圧にし、４００〜５００　’Ｃで加熱昇華さ
せ、高周波出力２００ＩＩＩ１１／ｃ［１１２でプラズ
マ重合せしめて、洗浄したガラス基板−にに約３０００
人の膜厚になるように鉛フタロシアニン重合薄膜を形成
させた。

比較のために、高周波を印加しないほがは同様にして、
約３０００人の膜厚になるように鉛フタロシアニン蒸着
薄膜を形成させた。

えられた鉛フタロシアニン重合薄膜は、がっ色透明であ
ったか、吸収スペクトルは単なる蒸着薄膜と同様なλｍ
ａｘのピークを示した。結果を第１図に示す。

また、膜硬度および膜の耐溶剤性を下記方法に従って測
定したところ、前記重合薄膜のばあい、エンピッ硬度で
９１１．３日間溶剤に浸漬したのぢも全く変化は見られ
なかったが、単なる蒸着薄膜のばあい、エンピッ硬度で
５１３．　溶剤１：　ｅ浸漬すると１〜２時間で完全に
溶解・分散した。

結果を第１表に示す。

さらに、えられた鉛フタロンアニン重合薄膜に、光学系
によりビーム径をＩＪｌｍに絞ったＭ　ＧａＡＳ半導体
レーザ光（λ−７８０ｎＩ！１）を膜上におけるレーザ
パワー７ｍＷで５０μｓｅｃのパルス中で膜に照射し、
走査型電子顕微鏡で表面観察を行なったところ、１廁大
のピットが形成されていることが確認された。

しかし、鉛フタロシアニン蒸着薄膜に前記と同様に半導
体レーザ光を照射しても、ピットは形成されなかった。

（膜硬度） ＪＩＳ　Ｋ　５４０１に準じて行ない、荷重５０ｇでキ
ズがつく最高のエンピッ硬度を測定。

（耐溶剤性） キノリンを溶剤として、多量の溶剤に試験片を浸漬して
室温において放置したのちの状態を観察。

実施例２および比較例２ 銅フタロシアニン（Ｃｕ−Ｐｃ（Ｈ）　＋ｓ　）を実施
例１と同じ条件でプラズマ重合せしめ、洗浄したガラス
基板」−に膜厚約３０００人の銅フタロシアニン重合薄
膜を形成させた。

比較のために、高周波を印加しないほがは同様にして、
約３０００人の膜厚になるように銅フタロシアニン蒸着
薄膜を形成させた。

えられた銅フタロシアニン重合薄膜の吸収スペクトルは
、単なる蒸着薄膜と同じλｍａｘを示した。結果を第１
図に示す。

また、実施例１と同様にして測定した膜硬度および膜の
耐溶剤性は、重合薄膜のばあい、エンピッ硬度で１１．
３日間溶剤に浸漬したのちも全く変化は見られなかった
が、単なる蒸着薄膜のばあい、エンピッ硬度で６Ｂ、溶
剤に浸漬すると１〜２時間で完全に溶解・分散した。結
果を第１表に示す。

さらに、えられた銅フタロシアニン重合薄膜に、光学系
によりビーム径を１胴に絞ったＭＧａＡｓ半導体レーザ
光（λ−７８０ｎｍ）を膜上にλ＝７８０ｎｍ）を膜上
におけるレーザパワー７ｍＷで５μＳｅｅのパルス１１
１で膜に照射し、走査型電子顕微鏡で表面観察を行なっ
たところ、１珊大のピットが形成されていることが確認
された。

しかし、銅フタロシアニン蒸着薄膜に前記と同様に半導
体１ノーサ光を照射してもピットは形成されなかった。

実施例３ 鉛フタロシアニンと銅フタロシアニンとを１＝１　（重
量比）の割合で混合したものをタンクルボードにのせ、
実施例１と同じ条件でプラズマ重合せしめ、膜厚約３０
００人の鉛フタロシアニンと銅フタロシアニンとの共重
合薄膜を、洗浄したガラス基板」−に形成した。

えられた薄膜の膜硬度および耐溶剤性を測定したところ
、エンピッ硬度でＯＨ，耐溶剤性も実施例１．２と同様
であった。結果を第１表に示す。

また、えられた鉛フタロシアニン−銅フタロシアニン重
合薄膜に、光学系によりビーム径をを　１１１ｍに絞っ
た／ＶＧａＡｓ半導体レーザ光（λ＝７８０　ｎｍ）を
膜」二で６．７ｍＶ、５μｓｅｃのパルス１１で照射し
たところ、Ｉｎ大のきれいなピットが形成されているこ
とが走査型電子顕微鏡により観察された。

［以下余白］ 一　　２４　　一 実施例４ 銅フタロシアニンと鉛フタロシアニンとを１：１（重量
比）の割合で混合したものをタンタルボードにのせ、ロ
ータリーポンプにて　５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒの減圧にし
、４００〜５００℃で加熱昇華させ、高周波出力４００
ｍＷ　／　ｃＪでプラズマ重合せしめて約５０００人の
膜厚になるようにガラス基板−にに銅フタロシアニン−
銅フタロシアニン複合重合薄膜を形成させた。

えられた重合薄膜にＧａＡｌ！　Ａｓ半導体レーザ（λ
＝　８３０ｎｍ）を用いてレーザパルス（出力１．８ｍ
Ｌ時間１５μｓｅｃ　）を照射し、記録部を形成した。

そののち、非記録部に３ｍＷの微弱なレーザを照射し、
再生時の反射光強度をみたところ、光電変換後の電圧は
１．２ｍＶであった。一方、記録部を同様にして調べる
と、同電圧は２．５ｍＶであり、反射光強度変化率は１
０８％にもなっていた。

この記録部を１万倍の倍率で走査電子顕微鏡にて観察す
ると金属の遊離が０．０１μ以下のこまかな粒状に分散
した状態で検出された。

実施例５ 鉛フタロシアニンをタンタルボードに入れて４００〜５
００℃に加熱し、４Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒで真空蒸着し
、ガラス基板−１−に蒸着薄膜を形成せしめた。

ついで該蒸着薄膜をＩＸ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空下、
８００ｍＷ／ｃ−の高周波出力のプラズマ雰囲気下に３
０分間さらした。このようにして作製した重合薄膜に、
実施例４に述べた方法で記録部を形成するためにレーザ
光を照射したところ、非記録部の再生時の反射光強度は
光電変換電圧値で２．０ｍＶであったが、記録部の値は
３．７ｍＶであり、反射光強度変化率は８５．０％であ
った。

比較例３ 無機系材料を用いた記録媒体として、Ｔｅを７０％以−
ｌｘ含む記録層を有する光学的記録媒体を１５００ｍＷ
／Ｑ♂の高周波スパッタリング法により作製した。

作製された記録層はｌ０００人の膜厚であった。

実施例４と同様にしてレーザを照射し、記録部を形成し
、再生時の反射光強度を測定したところ、非記録部の再
生時の反射光強度は光電変換電圧値で７．１ｍＶであっ
たが、記録部の値は［ｉ、２ｍＶであり、反射光強度変
化率は−１２，７％で、その変化の絶対値は実施例４と
比較して大きく劣っていた。

比較例４ Ｔｅをタンタルボードから加熱により蒸発させるととも
にエチレンガスを導入し、５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒｓ高周
波出力１０１００Ｏ／ｃｌでプラズマ重合を行ない、膜
厚３５００人のＴｃ−ポリエチレン複合薄膜を作製した
。

実施例４と同様にレーザを照射し、記録部を形成し、再
生時の反射強度を測定したところ、非記録部の再生時の
反射光強度は８．０ｍＶであったが、記録部の値は５．
４ｍＶであり、その変化率は−３２，５％であった。

［発明の効果］ フタロシアニン化合物重合薄膜は、膜硬度が高く　（エ
ンピッ硬度でＩＩ〜９１１）　、耐溶剤性に優れ、パル
スレーザ光に対する感度が高く、かつ記録後の記録部と
非記録部との反射光強度の差が大きいので、この重合薄
膜を用いた本発明の記録媒体もこれらの特徴を有する優
れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１〜２でえられたプラズマ重合薄膜お
よび比較例１〜２でえられた蒸着薄膜の吸収スペクトル
を示すグラフである。 ヒ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　レーザにより記録、再生を行なう情報記録媒体にお
   いて、フタロシアニン化合物を７０重量％以上含有する
   重合薄膜を記録層とする光学的情報記録媒体。 ２　フタロシアニン化合物が一般式（１）：▲数式、化
   学式、表等があります▼ （式中、ＭはII価の金属、IV価の金属酸化物またはIII
   価もしくはIV価の金属のハロゲン化物、Ｘは水素原子ま
   たはハロゲン原子であり、それぞれのＸが異なっていて
   もよく、同一であってもよい）で示される化合物である
   特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 ３　一般式（１）で示されるフタロシアニン化合物のＭ
   が、Ｐｂ、Ｃｕ、ＮｉまたはＶＯである特許請求の範囲
   第２項記載の光学的情報記録媒体。 ４　レーザにより記録、再生を行なう情報記録媒体であ
   ってフタロシアニン化合物を７０重量％以上含有する重
   合薄膜を記録層とする光学的情報記録媒体を製造する際
   に、昇華せしめたフタロシアニン化合物を含むガスを高
   周波出力２００〜２０００ｍＷ／ｃｍ＾２、放電時圧力
   １×１０＾−＾４〜８×１０＾−＾２Ｔｏｒｒの範囲で
   プラズマ重合せしめて記録層となる重合薄膜を形成する
   光学的情報記録媒体の製法。 ５　レーザにより記録、再生を行なう情報記録媒体であ
   ってフタロシアニン化合物を７０重量％以上含有する重
   合薄膜を記録層とする光学的情報記録媒体を製造する際
   に、フタロシアニン化合物を含む薄膜を形成せしめたの
   ち、放電時電圧１×１０＾−＾４〜８×１０＾−＾２Ｔ
   ｏｒｒの範囲で高周波出力２００〜２０００ｍＷ／ｃｍ
   ＾２でプラズマ重合せしめて記録層となる重合薄膜を形
   成する光学的情報記録媒体の製法。