JPS6253886A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS6253886A JPS6253886A JP60290692A JP29069285A JPS6253886A JP S6253886 A JPS6253886 A JP S6253886A JP 60290692 A JP60290692 A JP 60290692A JP 29069285 A JP29069285 A JP 29069285A JP S6253886 A JPS6253886 A JP S6253886A
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- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/266—Sputtering or spin-coating layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な情報記録材料、さらに詳しくいえば、所
定の基板上に設けた記録層にレーザー光のようなエネル
ギービームを照射し、照射部分の反射率変化を利用して
、情報の記録及び読み出しを行うための媒体に関するも
のである。
定の基板上に設けた記録層にレーザー光のようなエネル
ギービームを照射し、照射部分の反射率変化を利用して
、情報の記録及び読み出しを行うための媒体に関するも
のである。
従来の技術
従来提案されている記録可能な情報記録媒体としては、
例えば、基板上に所定の記録層を設け、レーザー光を照
射し、情報に応じた孔を形成させ、この孔の有無による
反射率の差を利用して情報を読み出す記録媒体が知られ
ている。
例えば、基板上に所定の記録層を設け、レーザー光を照
射し、情報に応じた孔を形成させ、この孔の有無による
反射率の差を利用して情報を読み出す記録媒体が知られ
ている。
この場合、使用される記録層としては、融点の低いＴｅ
やＢ１及びそれらを含む合金あるいは化合物などがよく
知られている。
やＢ１及びそれらを含む合金あるいは化合物などがよく
知られている。
また、レーザー光照射により光学特性を変化させ、この
光学特性の変化によって生じる反射率の変化を利用する
記録層も提案されており、このようなものとしては、例
えばＴｅＯ２中にＴｏ の微粒子を分散させた系や、５
ｂ２Ｓｅ、＼Ｂｉ２Ｔｅ３などの２層構造のものが知ら
れている。
光学特性の変化によって生じる反射率の変化を利用する
記録層も提案されており、このようなものとしては、例
えばＴｅＯ２中にＴｏ の微粒子を分散させた系や、５
ｂ２Ｓｅ、＼Ｂｉ２Ｔｅ３などの２層構造のものが知ら
れている。
しかしながら、上記の孔開は方式では、孔を形成させる
に際して、加熱の他に、溶融、分散、或いは蒸発という
過程を伴うために、溶融時の粘度や分散時の表面張力な
どが微妙な影響を与え、孔の形状を制御しにくく、また
、孔の内部に残留物が発生して、ノイズの増加やエラー
の増加をもたらす欠点がある。
に際して、加熱の他に、溶融、分散、或いは蒸発という
過程を伴うために、溶融時の粘度や分散時の表面張力な
どが微妙な影響を与え、孔の形状を制御しにくく、また
、孔の内部に残留物が発生して、ノイズの増加やエラー
の増加をもたらす欠点がある。
他方、レーザー光照射による加熱によって生じる光学特
性の変化を利用する方式では、記録層の溶融、分散ある
いは蒸発という過程を必要としないために、ピットの形
状を制御することが容易であり、かつ、孔内の残留物発
生という問題もなくなる。しかし、この方式を利用する
従来の記録材では、熱的安定性が乏しく、これが実用上
の障害となっていた。□ ところで、Ｓｂ２Ｔｅ、という化合物は、加熱によって
透過率が大きく変化するために、これまでも情報記録材
として利用することが検討されていたが、変化温度が低
く熱的安定性に欠くため、実用上の使用が不可能とされ
ていた〔［ジャーナル・オブ°アプライド′フィジック
ス（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙａ）Ｊ。
性の変化を利用する方式では、記録層の溶融、分散ある
いは蒸発という過程を必要としないために、ピットの形
状を制御することが容易であり、かつ、孔内の残留物発
生という問題もなくなる。しかし、この方式を利用する
従来の記録材では、熱的安定性が乏しく、これが実用上
の障害となっていた。□ ところで、Ｓｂ２Ｔｅ、という化合物は、加熱によって
透過率が大きく変化するために、これまでも情報記録材
として利用することが検討されていたが、変化温度が低
く熱的安定性に欠くため、実用上の使用が不可能とされ
ていた〔［ジャーナル・オブ°アプライド′フィジック
ス（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙａ）Ｊ。
第５４巻（隘３）、第１２５６〜１２６０ページ〕。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的はこのような事情に鑑み、レーザー照射に
よる光学特性の変化を利用する情報記録媒体において、
熱的に安定であり、かつ感度４ハ比及びピットエラー率
の点で従来のものよりも優れた記録材を提供することに
ある。
よる光学特性の変化を利用する情報記録媒体において、
熱的に安定であり、かつ感度４ハ比及びピットエラー率
の点で従来のものよりも優れた記録材を提供することに
ある。
問題点を解決するための手段
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結
果、基板上に、少なくともＳｂ、Ｔｅ及びａｅの・３元
素から成り、かつこれらの３元素の割合が特定の範囲に
ある記録層を設けることにより、５ｔ）−Ｔｅの２元系
の特徴である光学特性の変化自体をほとんど変えること
なく、熱的安定性を大幅に向上しうろことを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。
果、基板上に、少なくともＳｂ、Ｔｅ及びａｅの・３元
素から成り、かつこれらの３元素の割合が特定の範囲に
ある記録層を設けることにより、５ｔ）−Ｔｅの２元系
の特徴である光学特性の変化自体をほとんど変えること
なく、熱的安定性を大幅に向上しうろことを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基板上に、加熱により光の吸収係
数が変化する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の
変化によって生じる光の反射率の変化により情報を記録
する情報記録媒体において、該記録層が少なくともＳｂ
、 Ｔｅ及びＧｅの３元素から成り、かつこれらの３元
素が、一般式％式％ （ただし、Ｘは０．０５〜０，７．ｙは０．４〜０．８
の範囲の数である） で示される組成を有することを特徴とする情報記録媒体
を提供するものである。
数が変化する材料から成る記録層を設け、該吸収係数の
変化によって生じる光の反射率の変化により情報を記録
する情報記録媒体において、該記録層が少なくともＳｂ
、 Ｔｅ及びＧｅの３元素から成り、かつこれらの３元
素が、一般式％式％ （ただし、Ｘは０．０５〜０，７．ｙは０．４〜０．８
の範囲の数である） で示される組成を有することを特徴とする情報記録媒体
を提供するものである。
この際の加熱の手段としては、レーザー光や電子ビーム
などのエネルギービームの照射が好適である。
などのエネルギービームの照射が好適である。
本発明の情報記録媒体における記録層は、少なくともＳ
ｂ、 Ｔｅ及びＧｅの３元素がら成っており、これらの
組成比は、一般式（ＢｂＸＴｅ、 −ｘ）、Ｇｅ、 −
ｙで表わした場合、Ｘが０．０５〜０．７、好ましくは
０．１〜０，６．７が０．４〜０．８．好ましくはＯ，
Ｓ〜０．７の範囲である。Ｘの値が０．０５未満では加
熱による吸収係数の変化が小さく、十分なコントラスト
が得られない上に、温度や湿度に対する安定性が低く、
また０、７を超えるとコントラストが極端に低くなり、
したがって、Ｓ／Ｎ比も低くなる。
ｂ、 Ｔｅ及びＧｅの３元素がら成っており、これらの
組成比は、一般式（ＢｂＸＴｅ、 −ｘ）、Ｇｅ、 −
ｙで表わした場合、Ｘが０．０５〜０．７、好ましくは
０．１〜０，６．７が０．４〜０．８．好ましくはＯ，
Ｓ〜０．７の範囲である。Ｘの値が０．０５未満では加
熱による吸収係数の変化が小さく、十分なコントラスト
が得られない上に、温度や湿度に対する安定性が低く、
また０、７を超えるとコントラストが極端に低くなり、
したがって、Ｓ／Ｎ比も低くなる。
一方、ｙの値が０．８を超えると加熱による吸収係数の
変化が低温で生じるようになり、熱安定性が低下するし
、また０、４未満ではコントラストが極端に低下し、Ｓ
、／Ｎ比も低くなる。特に感度を重要視する場合は、Ｘ
の値は０．１〜０．３５の範囲にあることが好ましい。
変化が低温で生じるようになり、熱安定性が低下するし
、また０、４未満ではコントラストが極端に低下し、Ｓ
、／Ｎ比も低くなる。特に感度を重要視する場合は、Ｘ
の値は０．１〜０．３５の範囲にあることが好ましい。
さらに、実用的な観点から、長時間にわたって同一個所
に情報読み出しビームを照射し続けることも生じるが、
このような長時間再生時には、読み出しビームによる熱
が蓄積され、その熱によって未記録部分も徐々に記録部
分と同一状態に近づき、その結果再生信号の振幅が減少
して、ＳＡ比やエラレートが徐々に低下する傾向がある
。したがって、このような長時間再生に対する安定性を
考慮し、さらに感度及びシ１此のバランスをとるために
は、前記Ｘの値が０．１５〜０．４で、ｙの値が０．５
〜０．７の範囲にあることが実用上量も好ましい。
に情報読み出しビームを照射し続けることも生じるが、
このような長時間再生時には、読み出しビームによる熱
が蓄積され、その熱によって未記録部分も徐々に記録部
分と同一状態に近づき、その結果再生信号の振幅が減少
して、ＳＡ比やエラレートが徐々に低下する傾向がある
。したがって、このような長時間再生に対する安定性を
考慮し、さらに感度及びシ１此のバランスをとるために
は、前記Ｘの値が０．１５〜０．４で、ｙの値が０．５
〜０．７の範囲にあることが実用上量も好ましい。
本発明の情報記録媒体においては、記録層としテＳｂ％
Ｔｅ及びＧｅの３元素のみから成るものを用いるだけで
実用的には十分であるが、必要に応じ他の元素を含有さ
せることもできる。
Ｔｅ及びＧｅの３元素のみから成るものを用いるだけで
実用的には十分であるが、必要に応じ他の元素を含有さ
せることもできる。
（ｓ ｂＸＴ ｅｌ −ｘ ）ｙＧ ｅｌ −７の記録
層は、真空前１着、スパッタリングなどの蒸着法で形成
される。組成のコントロールには、真空蒸着の場合は、
３元共蒸着法や、あるいは特定組成の蒸着物をフラッシ
ュ蒸着法によって行うのが好ましく、また、所望の組成
によっては、２元共蒸着法で行うこともできる。
層は、真空前１着、スパッタリングなどの蒸着法で形成
される。組成のコントロールには、真空蒸着の場合は、
３元共蒸着法や、あるいは特定組成の蒸着物をフラッシ
ュ蒸着法によって行うのが好ましく、また、所望の組成
によっては、２元共蒸着法で行うこともできる。
他方、スパッタリングの場合は、特定組成のターゲット
材料を用いたり、１つの元素あるいは合金のターゲツト
材の上に、他の元素あるいは合金の破片を置いて行うの
が有利である。
材料を用いたり、１つの元素あるいは合金のターゲツト
材の上に、他の元素あるいは合金の破片を置いて行うの
が有利である。
真空蒸着法によって膜形成を行う場合には、真空度は１
０” 〜１０− Ｔｏｒｒの範囲、蒸着速度は０．５〜
２０Ａ／秒の範囲が好ましく、また基板温度としては特
に制限はないので、室温が望ましい。
０” 〜１０− Ｔｏｒｒの範囲、蒸着速度は０．５〜
２０Ａ／秒の範囲が好ましく、また基板温度としては特
に制限はないので、室温が望ましい。
一方、スパッタリング法による場合は、特に基板温度が
上昇しやすいので、冷却する必要がある。
上昇しやすいので、冷却する必要がある。
一般に、基板上に薄膜が積層されている場合の反射率は
、基板及び薄膜の屈折率、吸収係数及び厚みによって一
義的に決まるので、加熱前後の屈折率及び吸収係数を用
いて、各膜厚での反射率を求めることによって、加熱前
後の反射率変化を大きくするための膜厚の範囲は自ずと
決まる。一方、実際にレーザー光などの照射によって記
録を行う場合には、記録層や反射層の膜厚によってレー
ザー光の吸収率や熱の逸散状態が異なり、したがって記
録感度が異なってくる。記録層や反射層の好薫しい膜厚
範囲は、主に前記した２つの要因から決まる。
、基板及び薄膜の屈折率、吸収係数及び厚みによって一
義的に決まるので、加熱前後の屈折率及び吸収係数を用
いて、各膜厚での反射率を求めることによって、加熱前
後の反射率変化を大きくするための膜厚の範囲は自ずと
決まる。一方、実際にレーザー光などの照射によって記
録を行う場合には、記録層や反射層の膜厚によってレー
ザー光の吸収率や熱の逸散状態が異なり、したがって記
録感度が異なってくる。記録層や反射層の好薫しい膜厚
範囲は、主に前記した２つの要因から決まる。
（Ｓ ｂ ｘＴ ｅ□−Ｘ）アＧｅ□−７を記録層とし
て情報記録媒体に用いる場合、この記録層単独でもよい
が、その場合には十分なコントラストを得るために、記
録層の膜厚は７００Ａ以上、好ましくは８００〜２００
０Ａの範囲にするのがよい。しかし、膜厚をあまり厚く
すると、光の吸収係数を変化させるための、物理化学的
な状態変化な膜厚方向に一様に生じさせにくくなり、本
来の高いコントラストに相当するい比を得ることができ
なくなる。これに対し、記録層の上若しくは下に反射層
を設ける場合、記録層の膜厚が薄い領域においても十分
なコントラストを得ることができ、その結果高いＳ／Ｎ
比を得ることができるので有利である。このような反射
層を設ける場合には、記録層の膜厚は反射層の材料及び
膜厚によって左右されるが、一般に２０〜１０００ Ａ
の範囲が好ましい。
て情報記録媒体に用いる場合、この記録層単独でもよい
が、その場合には十分なコントラストを得るために、記
録層の膜厚は７００Ａ以上、好ましくは８００〜２００
０Ａの範囲にするのがよい。しかし、膜厚をあまり厚く
すると、光の吸収係数を変化させるための、物理化学的
な状態変化な膜厚方向に一様に生じさせにくくなり、本
来の高いコントラストに相当するい比を得ることができ
なくなる。これに対し、記録層の上若しくは下に反射層
を設ける場合、記録層の膜厚が薄い領域においても十分
なコントラストを得ることができ、その結果高いＳ／Ｎ
比を得ることができるので有利である。このような反射
層を設ける場合には、記録層の膜厚は反射層の材料及び
膜厚によって左右されるが、一般に２０〜１０００ Ａ
の範囲が好ましい。
反射層に用いることのできる材料としては、情報読み出
しビームに対して高い吸収係数を有する物質が好ましく
、このようなものとしては、例えばＡＩ！、 Ｔｉ、
Ｏｒ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｓｅ、 Ｇｅ、 Ｚｒ、 Ａ
ｇ。
しビームに対して高い吸収係数を有する物質が好ましく
、このようなものとしては、例えばＡＩ！、 Ｔｉ、
Ｏｒ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｓｅ、 Ｇｅ、 Ｚｒ、 Ａ
ｇ。
Ｉｎ、 Ｓｎ、 Ｓｂ、 Ｔｅ、 Ｐｔ、 Ａｕ、 Ｐ
ｂ、 Ｂｉ などの金属、あるいはそれらの合金を挙
げることができる。
ｂ、 Ｂｉ などの金属、あるいはそれらの合金を挙
げることができる。
これらの中で、特に８ｂ 、 Ｔｅ及びＢｉ、６るいは
それらの合金が、感度の点で優れている。該反射層は、
これらの元素や合金の単独でもよいが、２種以上の元素
あるいは合金を積層してもよい。この反射層の膜厚は１
００ｘ以上が好ましく、特に感度の点から１００〜１０
００ Ａの範囲にあることが好ましい。なお、以下にお
いて、反射層を設けた構成について述べる場合、記録層
と反射層の両者を合わせて情報担体層と称する。
それらの合金が、感度の点で優れている。該反射層は、
これらの元素や合金の単独でもよいが、２種以上の元素
あるいは合金を積層してもよい。この反射層の膜厚は１
００ｘ以上が好ましく、特に感度の点から１００〜１０
００ Ａの範囲にあることが好ましい。なお、以下にお
いて、反射層を設けた構成について述べる場合、記録層
と反射層の両者を合わせて情報担体層と称する。
本発明において、記録層を情報記録媒体として用いる場
合、記録層単独あるいは情報担体層単独で用いてもよい
が、それぞれの場合において、記録層あるいは情報担体
層の少なくとも上又は下に金属化合物から成る層を設け
るのが、特性の経時的な劣化を防ぐ意味で好ましい。
合、記録層単独あるいは情報担体層単独で用いてもよい
が、それぞれの場合において、記録層あるいは情報担体
層の少なくとも上又は下に金属化合物から成る層を設け
るのが、特性の経時的な劣化を防ぐ意味で好ましい。
特に、コンピューターメモリなどのコード化されたデジ
タル情報の記録用媒体として用いる場合には、局部的な
膜質の変化であっても、エラーが大幅に増加するので、
劣化防止として金属化合物の層を設けることは、極めて
有効である。
タル情報の記録用媒体として用いる場合には、局部的な
膜質の変化であっても、エラーが大幅に増加するので、
劣化防止として金属化合物の層を設けることは、極めて
有効である。
本発明に用いる金属化合物としては、ＡＩ！、 Ｏｒ。
Ｓｉ、 Ｚｒ、 Ｔｉ、 Ｇｅ、 Ｓｅ、 Ｔｅ、 Ｖ
、 Ｈｆ、 Ｌａ、 Ｓｍ。
、 Ｈｆ、 Ｌａ、 Ｓｍ。
Ｙ、 Ｔａ、 Ｍｏの中から選ばれた元素の酸化物若し
くは窒化物が好ましく、この中でも特にＳｉ の酸化物
若しくは窒化物が好ましい。これらの金属化合物層を、
記録層あるいは情報担体層の少なくとも上又は下に設け
ると、空気中や基板中から記録層あるいは反射層に浸透
してくる水や酸素などの侵入が防止され、記録材の劣化
が大幅に抑制される。特にＳｌの酸化物あるいは窒化物
がこの効果に優れている。
くは窒化物が好ましく、この中でも特にＳｉ の酸化物
若しくは窒化物が好ましい。これらの金属化合物層を、
記録層あるいは情報担体層の少なくとも上又は下に設け
ると、空気中や基板中から記録層あるいは反射層に浸透
してくる水や酸素などの侵入が防止され、記録材の劣化
が大幅に抑制される。特にＳｌの酸化物あるいは窒化物
がこの効果に優れている。
本発明に用いる金属化合物層は、同一金属化合物の単一
層又は２種以上の金属化合物の積層のどちらでもよい。
層又は２種以上の金属化合物の積層のどちらでもよい。
記録層若しくは情報担体層の上下両方に設ける場合、上
下の金属化合物の種類は、同じであっても異なってもよ
い。金属化合物層の膜厚は１００〜５０００ Ａの範囲
が感度の点で、好ましい。
下の金属化合物の種類は、同じであっても異なってもよ
い。金属化合物層の膜厚は１００〜５０００ Ａの範囲
が感度の点で、好ましい。
本発明における反射層及び金属化合物層は、記録層と同
様、真空蒸着、スパッタリングなどの蒸着法を用いて形
成することができる。
様、真空蒸着、スパッタリングなどの蒸着法を用いて形
成することができる。
本発明における基板としては、ガラスやガラス上に光硬
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキン樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック基
板、アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。
化性樹脂を設けたもの、ポリカーボネート、アクリル樹
脂、エポキン樹脂、ポリスチレンなどのプラスチック基
板、アルミニウム合金などの金属板などが用いられる。
第１０図ないし第１３図は、本発明の記録媒体の構造例
を示す断面図であり、ｌは基板、２は記録層、３は反射
層、４は金属化合物層である。
を示す断面図であり、ｌは基板、２は記録層、３は反射
層、４は金属化合物層である。
本発明の記録媒体を実際に情報記録媒体として用いる場
合は、基板上に記録材を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化した、いわゆるエアーサンドインチ
構造や、２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互い
に対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接
着し一体化させた、いわゆる全面接着構造、あるいはこ
れらとは全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材
を設け、このシートラロール状に巻いた構造などいずれ
の構造にしてもよい。
合は、基板上に記録材を設けた２枚の同一の円板を、記
録材を設けた面を互いに対向させた状態で、スペーサー
を介して接着一体化した、いわゆるエアーサンドインチ
構造や、２枚の同一の円板を、記録材を設けた面を互い
に対向させた状態で、スペーサーを介さずに、全面で接
着し一体化させた、いわゆる全面接着構造、あるいはこ
れらとは全く異なり、フィルム状のシートの上に記録材
を設け、このシートラロール状に巻いた構造などいずれ
の構造にしてもよい。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
参考例
厚さ１．２ ｒＩｒｍのスライドガラス上に、抵抗加熱
法により、Ｓｂ及びＴｅを入れた２つの蒸着ポートから
、２元共蒸着により第１表に示すような組成の膜ｅ、３
００Ａの厚みでそれぞれ形成した。
法により、Ｓｂ及びＴｅを入れた２つの蒸着ポートから
、２元共蒸着により第１表に示すような組成の膜ｅ、３
００Ａの厚みでそれぞれ形成した。
第 １ 表
これらのサンプルを、未処理の状態と、２００℃に加温
したオーブン中で約１０分間加熱処理を施した状態とで
、波長８５０ ｎｍの光透過率を測定した。この加熱処
理前後での透過率の変化率を第１図に示す。
したオーブン中で約１０分間加熱処理を施した状態とで
、波長８５０ ｎｍの光透過率を測定した。この加熱処
理前後での透過率の変化率を第１図に示す。
第１図より、Ｓｂの原子数係が２０％以上７０俤以下の
範囲で、透過率の変化が大きいことが分る。ｓｂが２０
％以下では加熱によって透過率が増えているが、これは
Ｘ線回折解析によってＴｅの酸化によるものであること
が確かめられた。
範囲で、透過率の変化が大きいことが分る。ｓｂが２０
％以下では加熱によって透過率が増えているが、これは
Ｘ線回折解析によってＴｅの酸化によるものであること
が確かめられた。
実施例１
厚さ１．２ｆｆのスライドガラス上に、抵抗加熱法によ
り、Ｓｂ、 Ｔｅ、及びＧθを入れた３つの蒸着ポート
から、６元共蒸着により、第２表に示すような組成の膜
を、３００λの厚みに、それぞれ形成した。比較例とし
て、 Ｓｂ、Ｔｏ８合金を１つの蒸着ポートから蒸着し
、３００Ａの厚みの膜を形成した。
り、Ｓｂ、 Ｔｅ、及びＧθを入れた３つの蒸着ポート
から、６元共蒸着により、第２表に示すような組成の膜
を、３００λの厚みに、それぞれ形成した。比較例とし
て、 Ｓｂ、Ｔｏ８合金を１つの蒸着ポートから蒸着し
、３００Ａの厚みの膜を形成した。
第 ２ 表
これらのサンプルを、５０℃から２５０℃までの温度範
囲で、約１０分間の加熱処理を施し、それぞれの温度に
おける光透過率を、波長１３５０ ｎｍのところで測定
した。この透過率の変化率を第２図のすべての領域にお
いて、透過率の変化が大きい。
囲で、約１０分間の加熱処理を施し、それぞれの温度に
おける光透過率を、波長１３５０ ｎｍのところで測定
した。この透過率の変化率を第２図のすべての領域にお
いて、透過率の変化が大きい。
これらのサンプルで加熱処理を施さなかったものを５０
℃、９Ｑ％ＲＨの恒温恒湿槽中に１０日間放置したのち
、透過率を測定したところ、Ａ及びＧのサンプルの透過
率は、初期に比べて、それぞれ約２倍及び約１．５倍に
増加していた。この透過率の増加は’ｒｅの酸化による
ものと推測される。
℃、９Ｑ％ＲＨの恒温恒湿槽中に１０日間放置したのち
、透過率を測定したところ、Ａ及びＧのサンプルの透過
率は、初期に比べて、それぞれ約２倍及び約１．５倍に
増加していた。この透過率の増加は’ｒｅの酸化による
ものと推測される。
他方、Ａ及びＧ以外のサンプルについては透過率の変化
はほとんど認められながった。
はほとんど認められながった。
以上より、Ｘの値が０．０５〜０．７の範囲が、加熱に
よる透過率の変化が大きく、かつ高温多湿環境下でも安
定性であることが分る。
よる透過率の変化が大きく、かつ高温多湿環境下でも安
定性であることが分る。
実施例３
直径３０５ Ｍｎ、厚さ１．５ｆｌの射出成形法によっ
て得られた円板状のアクリル基板の上に、抵抗加熱によ
り、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボートから
３元共蒸着によって、Ｓｂ Ｏ０２Ｔｅ ００４Ｇｏ
０．４の組成比の膜を、それぞれ＋ＳＯＤ ＠ 、 ａ
ｏｏＸ 。
て得られた円板状のアクリル基板の上に、抵抗加熱によ
り、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボートから
３元共蒸着によって、Ｓｂ Ｏ０２Ｔｅ ００４Ｇｏ
０．４の組成比の膜を、それぞれ＋ＳＯＤ ＠ 、 ａ
ｏｏＸ 。
１０００Ａ、 １５００Ａの厚みで形成した。これら
のサンプルを、９００ｒｐｍで基板回転させ、透明な基
板越しに半導体レーザー（波長８５０ｎｍ）の光を集光
させて照射し、１．５ＭＨｚの信号を書き込んだ。この
際、円板上の直径１４０Ｈの所に信号を記録するに要し
たレーザーパワーは、記録膜面上でそれぞれ、４ｍＷ、
５ｍＷ、３．５ｍＷ、４ｍＷであり、実用上、充分な感
度を有していた。
のサンプルを、９００ｒｐｍで基板回転させ、透明な基
板越しに半導体レーザー（波長８５０ｎｍ）の光を集光
させて照射し、１．５ＭＨｚの信号を書き込んだ。この
際、円板上の直径１４０Ｈの所に信号を記録するに要し
たレーザーパワーは、記録膜面上でそれぞれ、４ｍＷ、
５ｍＷ、３．５ｍＷ、４ｍＷであり、実用上、充分な感
度を有していた。
信号の再生には、同一波長の半導体レーザー光を用い、
１．２ｍＷで再生した。信号のｑ／Ｍ比はバンド巾３０
ＫＨｚにおいて、それぞれ３０ ｄＢ 、 ５０ｄＢ
、 ５３ ｄＢ 、 ５０ ｄＢ テあり、８０Ｃ）Ａ
以上のものに関してはすべて５０ ｄＢ以上を得た。
１．２ｍＷで再生した。信号のｑ／Ｍ比はバンド巾３０
ＫＨｚにおいて、それぞれ３０ ｄＢ 、 ５０ｄＢ
、 ５３ ｄＢ 、 ５０ ｄＢ テあり、８０Ｃ）Ａ
以上のものに関してはすべて５０ ｄＢ以上を得た。
上記の記録媒体を８０℃の乾燥群中に７日間放置したと
ころ、反射率の変化は全く認められず、また、Ｃ／ｌ此
の変化も認められなかった。
ころ、反射率の変化は全く認められず、また、Ｃ／ｌ此
の変化も認められなかった。
これらのサンプルの２５０°Ｃでの加熱処理前後の反射
率を第５図に示す。計算曲線は、実施例１で求めた、屈
折率と消衰係数（ユ基づいて計算したものである。図中
の実線は加熱前、破線は加熱後のものである（以下同じ
）。
率を第５図に示す。計算曲線は、実施例１で求めた、屈
折率と消衰係数（ユ基づいて計算したものである。図中
の実線は加熱前、破線は加熱後のものである（以下同じ
）。
実施例４
厚さ１．２Ｈのスライドグラス上に、抵抗加熱により、
１９ｂ 、 Ｔｏ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボート
から３元共蒸着によって、Ｂｂｏ、、１□ Ｔｅ。、４
８＃６００久の厚みで形成し、さらにその上に抵抗加熱
法によりＳｂ膜を１００ＯＡの厚みで設けた。
１９ｂ 、 Ｔｏ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボート
から３元共蒸着によって、Ｂｂｏ、、１□ Ｔｅ。、４
８＃６００久の厚みで形成し、さらにその上に抵抗加熱
法によりＳｂ膜を１００ＯＡの厚みで設けた。
これらのサンプルを、未処理の状態と、２００°Ｃに加
温したオープン中で約１０分間加熱処理を施した状態と
で、波長８３０ｎｍの、スライドガラス側からの反射率
を測定した。この加熱処理前後の反射率を第６図に示す
。この第６図より、 ｓｂを反射層に用いた場合は、記
録層の膜厚が、３５０＾前後でコントラストが最も高い
ことが分る。
温したオープン中で約１０分間加熱処理を施した状態と
で、波長８３０ｎｍの、スライドガラス側からの反射率
を測定した。この加熱処理前後の反射率を第６図に示す
。この第６図より、 ｓｂを反射層に用いた場合は、記
録層の膜厚が、３５０＾前後でコントラストが最も高い
ことが分る。
次に、実施例３と同様のアクリル基板及び、１．２Ｕの
スライドガラス上に、３元共蒸着法によって、ＳｂＯ，
，１２０；４８ Ｇｅ０１．４の組成比の膜を、３５０
Ａの厚さに形成したのち、さらに、この上に、抵抗加熱
法によってｓｂをそれぞれ２００ Ａ 、 ５００ Ａ
形成した。スライドガラス上に形成したサンプルについ
て、同様に、スライドガラス側から測定した加熱処理前
後の反射率を第７図に示す。第６図及び第７図の計算曲
線は、実施例１で求めた、屈折率と消衰係数をもとにし
て計算したものである。
スライドガラス上に、３元共蒸着法によって、ＳｂＯ，
，１２０；４８ Ｇｅ０１．４の組成比の膜を、３５０
Ａの厚さに形成したのち、さらに、この上に、抵抗加熱
法によってｓｂをそれぞれ２００ Ａ 、 ５００ Ａ
形成した。スライドガラス上に形成したサンプルについ
て、同様に、スライドガラス側から測定した加熱処理前
後の反射率を第７図に示す。第６図及び第７図の計算曲
線は、実施例１で求めた、屈折率と消衰係数をもとにし
て計算したものである。
アクリル基板上に膜を形成したサンプルについて、実施
例３と同様の評価を行ったところ、 ｓｂ反射層が２０
ＯＡ及び５００Ａのものについて、それぞれ、感度は４
ｍＷ及び５．５ｍＷで、ＣＡ比は６０ ｄＢ及び５８
ｄＢであり、実用上、充分な感度及びい比を有していた
。しかし、Ｓｂがｓｏｏ 又のものは、熱の逃散が大き
いために、２０ＯＡのものに比べて感度が低′＜、イ比
も若干低かった。これらのサンプルを６０℃の乾燥器中
に１０日放置しても、感度、い比、反射率に変化は認め
られなかった。
例３と同様の評価を行ったところ、 ｓｂ反射層が２０
ＯＡ及び５００Ａのものについて、それぞれ、感度は４
ｍＷ及び５．５ｍＷで、ＣＡ比は６０ ｄＢ及び５８
ｄＢであり、実用上、充分な感度及びい比を有していた
。しかし、Ｓｂがｓｏｏ 又のものは、熱の逃散が大き
いために、２０ＯＡのものに比べて感度が低′＜、イ比
も若干低かった。これらのサンプルを６０℃の乾燥器中
に１０日放置しても、感度、い比、反射率に変化は認め
られなかった。
実施例５
射出成形により、あらかじめ溝（深さ７００′Ａ、中０
．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を設けた厚さ１．５鰭、
直径３０５ｆｌのアクリル基板上に抵抗加熱法により、
Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボートから
３元共蒸着によって、ＳｂＯ，，２５Ｔｅ０ｚ４５
ＧｅＯ：３の組成比の膜を、３．ｏｏｉの厚みに形成さ
せたのち、その上にＡＩ！の膜２００ｋを同じく抵抗加
熱法で設けた。
．５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を設けた厚さ１．５鰭、
直径３０５ｆｌのアクリル基板上に抵抗加熱法により、
Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた３つの蒸着ボートから
３元共蒸着によって、ＳｂＯ，，２５Ｔｅ０ｚ４５
ＧｅＯ：３の組成比の膜を、３．ｏｏｉの厚みに形成さ
せたのち、その上にＡＩ！の膜２００ｋを同じく抵抗加
熱法で設けた。
この記録媒体を実施例３と同様の方法で評価したルの加
熱処理前後の反射率を第９図に示す。第８図及び第９図
は、それぞれＡＩ！反射層Ｓｏｏ大及び記録層膜厚３０
０＾の場合の計算曲線であり、計算は実施例１で求めた
、屈折率と消衰係数をもとにして行ったものである。
熱処理前後の反射率を第９図に示す。第８図及び第９図
は、それぞれＡＩ！反射層Ｓｏｏ大及び記録層膜厚３０
０＾の場合の計算曲線であり、計算は実施例１で求めた
、屈折率と消衰係数をもとにして行ったものである。
これらのサンプルを、６０℃の乾燥器中に、１０日間放
置しても、感度、φ比、反射率に変化は認められなかっ
た。
置しても、感度、φ比、反射率に変化は認められなかっ
た。
実施例６
実施例５と同様のアクリル基板上に、抵抗加熱法により
、 Ｓｂ２Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートから
２元共蒸着によってＳｂ、Ｔｅ３を２００久、Ｇｅを１
００λ相当設けた。さらに、この上に電子ビーム蒸着法
によって、厚さ２００λのＳｂ膜を形成させたものと、
厚さ２００＾のＢｉ２Ｔｅ、膜を形成させたものをそれ
ぞれ調製した。
、 Ｓｂ２Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートから
２元共蒸着によってＳｂ、Ｔｅ３を２００久、Ｇｅを１
００λ相当設けた。さらに、この上に電子ビーム蒸着法
によって、厚さ２００λのＳｂ膜を形成させたものと、
厚さ２００＾のＢｉ２Ｔｅ、膜を形成させたものをそれ
ぞれ調製した。
また、比較例として、同様に基板上に厚さ３００ＡのＳ
ｂ、Ｔｅ３ 膜を形成したのち、その上に厚さ２００Ａ
のＳｂ膜を形成させたものを調製した。いずれのサンプ
ルも形成された膜の組成比として、Ｇｅの含有量はほぼ
４０％であった。 これら６つの記録媒体を、記録する
信号が３ＭＨｚ であること以外は実施例３と同様の方
法で評価したところ、反射層がｓｂのものは、感度５
ｍＷ％い比６０佃を、反射層がＢ１□Ｔθ３のものは感
度３．５ｍＷ％ＣＡ比５７ ｄＢを得た。また、比較例
は、感度４．５ｍＷ、Ｃ，Ａ比６０ｄＢを得た。
ｂ、Ｔｅ３ 膜を形成したのち、その上に厚さ２００Ａ
のＳｂ膜を形成させたものを調製した。いずれのサンプ
ルも形成された膜の組成比として、Ｇｅの含有量はほぼ
４０％であった。 これら６つの記録媒体を、記録する
信号が３ＭＨｚ であること以外は実施例３と同様の方
法で評価したところ、反射層がｓｂのものは、感度５
ｍＷ％い比６０佃を、反射層がＢ１□Ｔθ３のものは感
度３．５ｍＷ％ＣＡ比５７ ｄＢを得た。また、比較例
は、感度４．５ｍＷ、Ｃ，Ａ比６０ｄＢを得た。
これらの記録媒体を６０℃の乾燥器中に７日間放置した
ところ、実施例の２つは感度、Ｏ／Ｎ比、反射率とも変
化がなかったが、比較例の記録媒体は、初期反射率２５
％から４０％に変化しており、す比は２０ｄＢと大幅に
低下していた。
ところ、実施例の２つは感度、Ｏ／Ｎ比、反射率とも変
化がなかったが、比較例の記録媒体は、初期反射率２５
％から４０％に変化しており、す比は２０ｄＢと大幅に
低下していた。
実施例７
厚さ１．５ｍ、直径３０５ｆｌの強化ガラスの円板上に
、光硬化性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７００ス
、幅０．６岬、ピッチ１．６μｒｒＬ）を形成した基板
上に、抵抗加熱法（二より、 Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅ
を入れた３つの蒸着ポートから３元共蒸着（：よって・
８ｂＩ：１１５ ０−．５５°８０；５の組成比の膜
を・厚さ４００＾で形成させ、さらにこの上に、同様の
抵抗加熱法で３０ＯＡのＢ１膜を設けた。
、光硬化性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７００ス
、幅０．６岬、ピッチ１．６μｒｒＬ）を形成した基板
上に、抵抗加熱法（二より、 Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅ
を入れた３つの蒸着ポートから３元共蒸着（：よって・
８ｂＩ：１１５ ０−．５５°８０；５の組成比の膜
を・厚さ４００＾で形成させ、さらにこの上に、同様の
抵抗加熱法で３０ＯＡのＢ１膜を設けた。
この記録媒体を実施例６と同様の方法で評価したところ
、感度６ｍＷ、ｑ／Ｎ比５ ｆ３ ｄＢを得た。
、感度６ｍＷ、ｑ／Ｎ比５ ｆ３ ｄＢを得た。
これを８０℃の乾燥群中に１０日間放置しても、感度、
Ｃ，Ａ比、反射率に変化は認められなかった。
Ｃ，Ａ比、反射率に変化は認められなかった。
実施例８
実施例５と同様のアクリル基板上に、抵抗加熱法により
、Ｓｔ） 、 Ｔｅ及びＧｅの３元素を共蒸着させ、組
成比（５ｂｘＴｅ□−Ｘ）アＧθ□−７の膜を厚さ３０
０Ｘで形成させた。ここで、ｙ＝０．６とし、Ｘの値を
０．１ 、０，２ 、０．３とした３種のサンプルを作
成した。これら３種のサンプルのすべてについて、（ｓ
ｂＸＴ ｅｘ −ｘ ）ｙＧ ｅｌ−７の膜上に、さ
らに厚さ２００Ａのｓｂ膜を形成させた。
、Ｓｔ） 、 Ｔｅ及びＧｅの３元素を共蒸着させ、組
成比（５ｂｘＴｅ□−Ｘ）アＧθ□−７の膜を厚さ３０
０Ｘで形成させた。ここで、ｙ＝０．６とし、Ｘの値を
０．１ 、０，２ 、０．３とした３種のサンプルを作
成した。これら３種のサンプルのすべてについて、（ｓ
ｂＸＴ ｅｘ −ｘ ）ｙＧ ｅｌ−７の膜上に、さ
らに厚さ２００Ａのｓｂ膜を形成させた。
それぞれの媒体を実施例６と同様の方法で評価したとこ
ろ、それぞれ、感度、ｃｙＮ比として（６，５ｍｗ、６
ｏｄＢ）、（４ｍＷ、６０ｄＢ）、（４，ｓｍｗ。
ろ、それぞれ、感度、ｃｙＮ比として（６，５ｍｗ、６
ｏｄＢ）、（４ｍＷ、６０ｄＢ）、（４，ｓｍｗ。
（５Ｑ ｄＢ ）を得た。これらのディスクを６０°Ｃ
１８２％ＲＨの条件下で７日間の加速テストを行ったの
ち信号を再生したところ、いずれのサンプルについても
い比の変化は認められなかった。
１８２％ＲＨの条件下で７日間の加速テストを行ったの
ち信号を再生したところ、いずれのサンプルについても
い比の変化は認められなかった。
実施例９
実施例５と同様のアクリル基板上に、電子ビーム蒸着法
により、５１０２膜を２０ＯＡの厚みに形成させたのち
、抵抗加熱法により、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた
３つの蒸着ポートから３元共蒸着によつそ、ＳｂＯ，１
５Ｔｅ０．４５ Ｇｅ□、４の組成比の膜を１００Ｏ
Ａの厚みに形成させ、最後に電子ビーム蒸着法によって
ＳｉＱ□を２０ＯＡの厚みに形成した。
により、５１０２膜を２０ＯＡの厚みに形成させたのち
、抵抗加熱法により、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた
３つの蒸着ポートから３元共蒸着によつそ、ＳｂＯ，１
５Ｔｅ０．４５ Ｇｅ□、４の組成比の膜を１００Ｏ
Ａの厚みに形成させ、最後に電子ビーム蒸着法によって
ＳｉＱ□を２０ＯＡの厚みに形成した。
これらのサンプルを、 ９００ｒｌ）ｍ で基板回
転させ、透明な基板越しに半導体レーザー（波長８３０
ｎｍ ）の光を集光させて照射し円板上の直径約１４
０ｆｆの個所に情報信号を書き込んだ。情報信号として
は、Ｍ”ＦＭ変調方式に従った単一周波数（５，１ＭＨ
ｚ ）のパルス列を用いた。信号の再生には、同一波長
の半導体レーザー光を用い、１．２ｍＷで再生を行い、
記録した情報信号と比較してビットエラー率を求めた。
転させ、透明な基板越しに半導体レーザー（波長８３０
ｎｍ ）の光を集光させて照射し円板上の直径約１４
０ｆｆの個所に情報信号を書き込んだ。情報信号として
は、Ｍ”ＦＭ変調方式に従った単一周波数（５，１ＭＨ
ｚ ）のパルス列を用いた。信号の再生には、同一波長
の半導体レーザー光を用い、１．２ｍＷで再生を行い、
記録した情報信号と比較してビットエラー率を求めた。
ビットエラー率を求める際に、レーザーの記録パワーを
変化させて、位相マ、−ジンを測定し、最も位相マージ
ンの広いときの記録パワーを最適書き込みパワーとした
。
変化させて、位相マ、−ジンを測定し、最も位相マージ
ンの広いときの記録パワーを最適書き込みパワーとした
。
このようにして上記のサンプルを評価したところ、最適
書き込みパワー及びビットエラー率（以下ＢＥＲと略す
こととする）は、それぞれ４．ＯｍＷ及び３×１０弓で
あった。
書き込みパワー及びビットエラー率（以下ＢＥＲと略す
こととする）は、それぞれ４．ＯｍＷ及び３×１０弓で
あった。
実施例１０
実施例５と同様のアクリル基板上に、スパッタ法によっ
て８１３Ｎ４を４００Ａ％Ｓｂｏ、１５Ｔｅｏ、５＠９
らにＳｉ３Ｎ４を４０ＯＡの厚さで順次形成させた。
て８１３Ｎ４を４００Ａ％Ｓｂｏ、１５Ｔｅｏ、５＠９
らにＳｉ３Ｎ４を４０ＯＡの厚さで順次形成させた。
このサンプルを実施例９と同様の方法で評価を行ったと
ころ、 ＢＥＲは２×１０″であった。
ころ、 ＢＥＲは２×１０″であった。
上記のサンプルを６０℃、９０％皿の環境下に２０日間
放置したのちに、以前に書き込んだ信号のＢ１１３Ｒを
調べたところ、２Ｘ１０−６でまったく変化が認められ
なかった。
放置したのちに、以前に書き込んだ信号のＢ１１３Ｒを
調べたところ、２Ｘ１０−６でまったく変化が認められ
なかった。
実施例１１
実施例５と同様のアクリル基板上（−１電子ビ一ム蒸着
法によって８１Ｑを４０ＯＡ形成したのち、抵抗加熱法
により、 Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた３つのポー
トから３元共蒸着によってＳｂＯ；１５ Ｔｅ０ｓ４５
Ｇｅ ｏ、４の組成比の膜を３５０１の厚さに形成させ
、さらに、電子ビーム蒸着法によってｓｂを２０ＯＡ。
法によって８１Ｑを４０ＯＡ形成したのち、抵抗加熱法
により、 Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅを入れた３つのポー
トから３元共蒸着によってＳｂＯ；１５ Ｔｅ０ｓ４５
Ｇｅ ｏ、４の組成比の膜を３５０１の厚さに形成させ
、さらに、電子ビーム蒸着法によってｓｂを２０ＯＡ。
ＳｉＱを６０ＯＡの厚さで順次形成させた。
このサンプルを、実施例９と同様の方法で評価したとこ
ろ、ＢＥＲはＩ Ｘ １０”であった。次に、いったん
記録したトラック（基板上の溝）上に再生レーザー光１
．２ｍＷを照射し続け、１０日間にわたって連続再生を
行ったところ、 ＢＫＲ及び位相マージン共にまったく
変化が認められなかった。さらに、このサンプルを６０
°Ｃ，９０ＳＲＨの環境下に２０日間放置したのちに、
以前に記録した信号のＢＫＲを調べたところ、ｌＸ１０
′でありまったく変化が認められなかった。
ろ、ＢＥＲはＩ Ｘ １０”であった。次に、いったん
記録したトラック（基板上の溝）上に再生レーザー光１
．２ｍＷを照射し続け、１０日間にわたって連続再生を
行ったところ、 ＢＫＲ及び位相マージン共にまったく
変化が認められなかった。さらに、このサンプルを６０
°Ｃ，９０ＳＲＨの環境下に２０日間放置したのちに、
以前に記録した信号のＢＫＲを調べたところ、ｌＸ１０
′でありまったく変化が認められなかった。
実施例１２
実施例５と同様のアクリル基板上に、電子ピーム蒸着法
によってＥｌｉＯ□膜を５００Ｘの厚さで形成させたの
ち、Ｓｂ 、 Ｔｅを電子ビーム法、 Ｇｅを抵抗加熱
法により３元共蒸着させて、ｓ ｂ ｏ 、２ Ｔｅ。
によってＥｌｉＯ□膜を５００Ｘの厚さで形成させたの
ち、Ｓｂ 、 Ｔｅを電子ビーム法、 Ｇｅを抵抗加熱
法により３元共蒸着させて、ｓ ｂ ｏ 、２ Ｔｅ。
：４５Ｇｅ０１３５の組成比の膜を４００１形成させ、
さら１：この上に、電子ビーム蒸着法により、Ｓｂを３
００λ、５１０２を５０ＯＡの厚さでそれぞれ形成させ
た。
さら１：この上に、電子ビーム蒸着法により、Ｓｂを３
００λ、５１０２を５０ＯＡの厚さでそれぞれ形成させ
た。
このサンプルを、実施例９と同様の方法で評価したとこ
ろ、ＢＢＲは１×１０″であった。次に、このサンプル
を６０℃、９０％ＲＨの環境下に２０日間放置したのち
に、以前に記録した信号のＢＫＲを調べたところ、ｌＸ
１０”でありまったく変化が認められなかった。
ろ、ＢＢＲは１×１０″であった。次に、このサンプル
を６０℃、９０％ＲＨの環境下に２０日間放置したのち
に、以前に記録した信号のＢＫＲを調べたところ、ｌＸ
１０”でありまったく変化が認められなかった。
実施例１３
射出成形により、あらかじめ溝を設けた（深さ７００Ａ
１幅０，６５ｔｔｍｓピッチ１．６μ７＋り厚さ１．５
Ｕのアクリル基板上に、５ｂ２Ｔθ３及びＧｅのターゲ
ットを用いて、高周波スパッタ法により、同時にスパッ
タリングさせて、組成が、８１） ２０ Ｔ ｅｓｓ
Ｇ ｅ ４ｓの膜厚５００Ａの記録層を設け、さらにそ
の上に１０ＯＡのＳｂ膜を抵抗加熱法により設けた。こ
の媒体の基板を通して半導体レーザー光（波長８３０ｍ
）を集光し、照射し、１．５ＭＨｚの信号を、６０Ｏｒ
ｐｍの基板回転速度で記録した。記録に要したレーザー
パワーは、記録面で５ ｍＷであった。
１幅０，６５ｔｔｍｓピッチ１．６μ７＋り厚さ１．５
Ｕのアクリル基板上に、５ｂ２Ｔθ３及びＧｅのターゲ
ットを用いて、高周波スパッタ法により、同時にスパッ
タリングさせて、組成が、８１） ２０ Ｔ ｅｓｓ
Ｇ ｅ ４ｓの膜厚５００Ａの記録層を設け、さらにそ
の上に１０ＯＡのＳｂ膜を抵抗加熱法により設けた。こ
の媒体の基板を通して半導体レーザー光（波長８３０ｍ
）を集光し、照射し、１．５ＭＨｚの信号を、６０Ｏｒ
ｐｍの基板回転速度で記録した。記録に要したレーザー
パワーは、記録面で５ ｍＷであった。
信号の再生には、１．２ｍＷの半導体レーザー光を用い
、い比５８佃を得た。この媒体を６０°Ｃ１８０％ Ｒ
Ｈの条件下で７日間加速テストを行ったが、感度、 Ｏ
，Ｊ比とも変化が認められなかった。
、い比５８佃を得た。この媒体を６０°Ｃ１８０％ Ｒ
Ｈの条件下で７日間加速テストを行ったが、感度、 Ｏ
，Ｊ比とも変化が認められなかった。
実施例１４
厚さ１．５ｆｆ、直径３０５ｆｆの強化ガラス上に光硬
化性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７００＾、幅０
．６μ扉、ピッチ１．６ＰＬ）を形成した基板上に、抵
抗加熱法により真空度２×１０″″’ Ｔ□ｒｒで、Ｓ
ｂ、Ｔｅ３とＧｅとを２元共蒸着させ、膜厚６００Ａの
記録層を設けた。さらにこの膜の上に、同様な抵抗加熱
法により、厚さ１００ＡのＭ層を設けた。
化性樹脂を用いて、あらかじめ溝（深さ７００＾、幅０
．６μ扉、ピッチ１．６ＰＬ）を形成した基板上に、抵
抗加熱法により真空度２×１０″″’ Ｔ□ｒｒで、Ｓ
ｂ、Ｔｅ３とＧｅとを２元共蒸着させ、膜厚６００Ａの
記録層を設けた。さらにこの膜の上に、同様な抵抗加熱
法により、厚さ１００ＡのＭ層を設けた。
実施例１３と同様の方法で評価したところ、感度６．５
ｍＷ％（，４Ｊ比６０ ｄＢを得た。この媒体な
８０℃の乾燥器中に１０日間、放置しても、感度、ｃ、
Ａｘ比、反射率に変化は認められなかった。ちなみに、
このときの反射率は３１％であった。
ｍＷ％（，４Ｊ比６０ ｄＢを得た。この媒体な
８０℃の乾燥器中に１０日間、放置しても、感度、ｃ、
Ａｘ比、反射率に変化は認められなかった。ちなみに、
このときの反射率は３１％であった。
実施例１５
実施例１３と同様のアクリル基板上に、抵抗加熱法によ
り、 ８ｂ、Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートか
ら２元共蒸着させて、８ｂ、Ｔｅ、を２０ＯＡ、Ｇｅを
１００Ａ相当設けた。さら（：、この上に同様な抵抗加
熱法によって、Ｓｂ膜を２００ Ｋの厚さで形成させた
ものと、Ｂｉ、Ｔｅ、膜を２００又の厚さで形成させた
ものをそれぞれ調製した。比較例として、同様の基板上
に、ｓｂ、’ｒｅ３膜を３００久の厚さで形成したのち
、その上にＳｂ膜を２００ Ｈの厚さで形成させたもの
を調製した。いずれのサンプルも、膜の組成比は、Ｓｂ
：Ｔｅはほぼ２：３であり、Ｇｅを加えた２種について
、 Ｇｏ の含有量はほぼ４０％であった。
り、 ８ｂ、Ｔｅ、とＧｅを入れた２つの蒸着ボートか
ら２元共蒸着させて、８ｂ、Ｔｅ、を２０ＯＡ、Ｇｅを
１００Ａ相当設けた。さら（：、この上に同様な抵抗加
熱法によって、Ｓｂ膜を２００ Ｋの厚さで形成させた
ものと、Ｂｉ、Ｔｅ、膜を２００又の厚さで形成させた
ものをそれぞれ調製した。比較例として、同様の基板上
に、ｓｂ、’ｒｅ３膜を３００久の厚さで形成したのち
、その上にＳｂ膜を２００ Ｈの厚さで形成させたもの
を調製した。いずれのサンプルも、膜の組成比は、Ｓｂ
：Ｔｅはほぼ２：３であり、Ｇｅを加えた２種について
、 Ｇｏ の含有量はほぼ４０％であった。
これら３つの記録媒体を、記録する信号が５ＭＨｚであ
ること以外は実施例３と同様の方法で評価したところ、
反射層がｓｂのものは、感度５ ｍＷ％す比６０ ｄＢ
を、反射層がＢｉ、 Ｔｅ３のものは感度３．５ｍｗ、
ＯＡ比５７ ｄＢを得た。また、比較例は、感度４．５
ｍｗ％ｃ、ｒ比６０ ｄＢを得た。
ること以外は実施例３と同様の方法で評価したところ、
反射層がｓｂのものは、感度５ ｍＷ％す比６０ ｄＢ
を、反射層がＢｉ、 Ｔｅ３のものは感度３．５ｍｗ、
ＯＡ比５７ ｄＢを得た。また、比較例は、感度４．５
ｍｗ％ｃ、ｒ比６０ ｄＢを得た。
これらの記録媒体を６０℃の乾燥器中に７日間放置した
ところ、実施例の２つは感度、曽比、反射率とも変化が
なかったが、比較例の記録媒体は、反射率が初期２５％
だったものが４０％にも変化しており、 ＣＡ比は２０
（ＬＢ と大巾に低下していた。
ところ、実施例の２つは感度、曽比、反射率とも変化が
なかったが、比較例の記録媒体は、反射率が初期２５％
だったものが４０％にも変化しており、 ＣＡ比は２０
（ＬＢ と大巾に低下していた。
実施例１６
実施例１３と同様のアクリル基板上に、抵抗加熱法によ
り、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅの３元素を共蒸着させ、組
成比（ＳｂｘＴθｔ −ｚ）ｙＧｅｔ−ｙの膜を３００
又の厚さで形成した。ここで、Ｘ＝０．４とし、ｙの
値を０．５ 、０，７ 、０．９とした３種のサンプル
を作成した。これら３種のサンプルのすべてについて（
Ｓ ｂｘＴ ｅｌ −ｘ ）ｙＧｅｌ−ｙの上に、さら
にｓｂを２００＾の厚さで形成させた。
り、Ｓｂ 、 Ｔｅ及びＧｅの３元素を共蒸着させ、組
成比（ＳｂｘＴθｔ −ｚ）ｙＧｅｔ−ｙの膜を３００
又の厚さで形成した。ここで、Ｘ＝０．４とし、ｙの
値を０．５ 、０，７ 、０．９とした３種のサンプル
を作成した。これら３種のサンプルのすべてについて（
Ｓ ｂｘＴ ｅｌ −ｘ ）ｙＧｅｌ−ｙの上に、さら
にｓｂを２００＾の厚さで形成させた。
それぞれの媒体を実施例１５と同様の方法で評価したと
ころ、それぞれ感度、い比として（５，５ｍＷ 、 ５
８ ｄＢ ）、（５ｍＷ 、 ６０ ｄＢ ）、（４，
５ｍＷ 、 ６０ ｄＢ ）を得た。これらのディスク
を６゜’Ｃ，８２４ＲＨの条件下で７日間の加速テスト
を行なったのちに信号を再生したところ、ｙの値が０．
９の媒体においてはコントラストが減少し、ＯＡ比が４
Ｑ ｃＬＢに低下していたが、ｙが０．５及び０．７
のものはφ比の変化は認められなかった。
ころ、それぞれ感度、い比として（５，５ｍＷ 、 ５
８ ｄＢ ）、（５ｍＷ 、 ６０ ｄＢ ）、（４，
５ｍＷ 、 ６０ ｄＢ ）を得た。これらのディスク
を６゜’Ｃ，８２４ＲＨの条件下で７日間の加速テスト
を行なったのちに信号を再生したところ、ｙの値が０．
９の媒体においてはコントラストが減少し、ＯＡ比が４
Ｑ ｃＬＢに低下していたが、ｙが０．５及び０．７
のものはφ比の変化は認められなかった。
発明の効果
本発明によれば、高感度かつ高り比で情報が記録され、
かつ温度及び湿度に対して極めて安定であり、信頼度の
高い情報記録媒体を提供することができる。
かつ温度及び湿度に対して極めて安定であり、信頼度の
高い情報記録媒体を提供することができる。
第１図は参考例の透過率変化を示すグラフ、第２図は実
施例１の加熱による透過率変化を示すグラフ、第３図は
実施例１の熱的安定性を示すグラフ、第４図は実施例２
の透過率変化を示すグラフ、第５図、第６図、第７図、
第８図及び第９図は、それぞれ実施例３、実施例４及び
実施例５のサンプルの反射率を示すグラフ、第１０図、
第１１図、第１２図及び第１３図は１本発明による情報
記録媒体のそれぞれ異なった例を示す断面図であり、図
中１は基板、２は記録層、３は反射層、４は金属化合物
層を、それぞれ表わす。 特許出願人 旭化成工業株式会社
施例１の加熱による透過率変化を示すグラフ、第３図は
実施例１の熱的安定性を示すグラフ、第４図は実施例２
の透過率変化を示すグラフ、第５図、第６図、第７図、
第８図及び第９図は、それぞれ実施例３、実施例４及び
実施例５のサンプルの反射率を示すグラフ、第１０図、
第１１図、第１２図及び第１３図は１本発明による情報
記録媒体のそれぞれ異なった例を示す断面図であり、図
中１は基板、２は記録層、３は反射層、４は金属化合物
層を、それぞれ表わす。 特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、加熱により光の吸収係数が変化する材料
から成る記録層を設け、該吸収係数の変化によつて生じ
る光の反射率の変化により情報を記録する情報記録媒体
において、該記録層が少なくともＳｂ、Ｔｅ及びＧｅの
３元素から成り、かつこれらの３元素が、一般式 （Ｓｂ＿ｘＴｅ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＧｅ＿１＿−＿ｙ（
ただし、ｘは０．０５〜０．７、ｙは０．４〜０．８の
範囲の数である） で示される組成を有することを特徴とする情報記録媒体
。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP19860301275 EP0195532B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | An information recording medium |
| DE8686301275T DE3671122D1 (de) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Informationsaufzeichnungsmedium. |
| CA000502376A CA1236693A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Information recording medium |
| US06/831,577 US4670345A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Information recording medium |
| JP2329490A JPH0725208B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用媒体 |
| JP2329491A JPH0694230B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用材料 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28058684 | 1984-12-26 | ||
| JP59-280586 | 1984-12-26 | ||
| JP60-33779 | 1985-02-22 | ||
| JP60-100876 | 1985-05-13 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329491A Division JPH0694230B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用材料 |
| JP2329490A Division JPH0725208B2 (ja) | 1985-12-25 | 1990-11-30 | 情報記録用媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253886A true JPS6253886A (ja) | 1987-03-09 |
| JPH0380635B2 JPH0380635B2 (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=17627095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60290692A Granted JPS6253886A (ja) | 1984-12-26 | 1985-12-25 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6253886A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
| JPS62209742A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 書換え可能な光学情報記録部材 |
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JPS6462466A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Sputtering target for forming information recording thin film and production thereof |
| WO1991005342A1 (en) * | 1989-09-28 | 1991-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium and method of producing the same |
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| US6149999A (en) * | 1996-02-28 | 2000-11-21 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of designing a phase-change optical recording medium, and a phase-change optical recording medium |
| US6335069B1 (en) | 1997-02-28 | 2002-01-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Phase-changeable optical recording medium, method of manufacturing the same, and method of recording information on the same |
| US6699637B2 (en) | 1997-04-16 | 2004-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing optical information recording medium and optical information recording medium produced by the process |
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| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS52115202A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-27 | Hitachi Ltd | Recording member for information |
| JPS52130304A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Hitachi Ltd | Information recording material |
| JPS5372506U (ja) * | 1976-11-19 | 1978-06-17 | ||
| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
| JPS5912612U (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | 小柳工業株式会社 | 生コンクリ−ト製造貯槽ホツパ−のゲ−トラバ− |
| JPS6189889A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61152487A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60290692A patent/JPS6253886A/ja active Granted
Patent Citations (8)
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| JPS58161161A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Hitachi Ltd | 記録用部材 |
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| JPS6189889A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPS61152487A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-11 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS62152786A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Hitachi Ltd | 相変化記録媒体 |
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| US5395735A (en) * | 1989-09-28 | 1995-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method of manufacture |
| US5652037A (en) * | 1993-09-22 | 1997-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium |
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| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| EP1426940A4 (en) * | 2001-09-12 | 2006-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND CORRESPONDING RECORDING METHOD |
| US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
| WO2004038502A1 (en) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pattern forming materials and pattern formation method using the materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380635B2 (ja) | 1991-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |