JPS62223716A - Ｓｎ比が改善された同焦点光学撮像装置 - Google Patents
Ｓｎ比が改善された同焦点光学撮像装置Info
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- JPS62223716A JPS62223716A JP62033575A JP3357587A JPS62223716A JP S62223716 A JPS62223716 A JP S62223716A JP 62033575 A JP62033575 A JP 62033575A JP 3357587 A JP3357587 A JP 3357587A JP S62223716 A JPS62223716 A JP S62223716A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/144—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using partially transparent surfaces without spectral selectivity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
- G02B21/002—Scanning microscopes
- G02B21/0024—Confocal scanning microscopes (CSOMs) or confocal "macroscopes"; Accessories which are not restricted to use with CSOMs, e.g. sample holders
- G02B21/0032—Optical details of illumination, e.g. light-sources, pinholes, beam splitters, slits, fibers
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- G02B21/0052—Optical details of the image generation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光のビームが複数個の光素子に通されてター
ゲット上の１点に集束され、その点からの反射ビームが
光素子を通って検出器に戻る同焦点光学撮像装置に関し
、さらに詳しく述べれば、送信ビームおよび反射ビーム
が出力信号の受は入れられないノイズ・レベルに通じる
送信ビームの疑似反射を提供し得るピンボール板のよう
な光素子に通されるかかる光学撮像装置に関する。
ゲット上の１点に集束され、その点からの反射ビームが
光素子を通って検出器に戻る同焦点光学撮像装置に関し
、さらに詳しく述べれば、送信ビームおよび反射ビーム
が出力信号の受は入れられないノイズ・レベルに通じる
送信ビームの疑似反射を提供し得るピンボール板のよう
な光素子に通されるかかる光学撮像装置に関する。
最近、半導体ウェーハなどのような試料を高い解像度で
高速走査する光顕微鏡装置に関心が高まってきた。例え
ば、レーザからのコヒーレント・コリメート・ビームは
試料上のごく小さな点に集束され、またかかる点からの
反射は光学系を通って検出器に戻され、ここで表面の不
規則性、断面図、ライン幅などのような試料のいろいろ
な表面特徴を調べたり測定するのに反射率が利用される
。
高速走査する光顕微鏡装置に関心が高まってきた。例え
ば、レーザからのコヒーレント・コリメート・ビームは
試料上のごく小さな点に集束され、またかかる点からの
反射は光学系を通って検出器に戻され、ここで表面の不
規則性、断面図、ライン幅などのような試料のいろいろ
な表面特徴を調べたり測定するのに反射率が利用される
。
かかる同焦点光学装置では、試料上の点からの反射ビー
ムすなわち戻りビームを妨害する疑似信号すなわち光ノ
イズを作ることがある少なくとも部分反射の表面を得る
ピンホール板およびいろいろなレンズが使用される。こ
のように、以前の形式の光顕微鏡装置では適当なＳ／Ｎ
比を保つことが先決問題であった。
ムすなわち戻りビームを妨害する疑似信号すなわち光ノ
イズを作ることがある少なくとも部分反射の表面を得る
ピンホール板およびいろいろなレンズが使用される。こ
のように、以前の形式の光顕微鏡装置では適当なＳ／Ｎ
比を保つことが先決問題であった。
同焦点光学装置の光ノイズを取り扱う１つの一般的な方
法は、レヒュリュー（Ｌｅｈｕｒｅａｕ）らの米国特許
第４，１３９，２６３号に示されている。この特許では
、非偏光レーザ・ビームがビーム・スプリッタを含む複
数個の光素子に向けられ、かかる送信ビームはデータ運
搬ターゲット上の１点に集束される光学装置が開示され
ている。ターゲットからの戻りビームは光素子を通って
送り戻され、ビーム・スプリッタで光検出器に偏向され
る。集束レンズと光学装置の残りの素子との間のビーム
の通路内に１７４波長板が置かれていて、入射波すなわ
ち送信波を戻り波すなわち反射波から減結合させ、それ
によって光検出器が受信する信号の光ノイズが減少され
る。
法は、レヒュリュー（Ｌｅｈｕｒｅａｕ）らの米国特許
第４，１３９，２６３号に示されている。この特許では
、非偏光レーザ・ビームがビーム・スプリッタを含む複
数個の光素子に向けられ、かかる送信ビームはデータ運
搬ターゲット上の１点に集束される光学装置が開示され
ている。ターゲットからの戻りビームは光素子を通って
送り戻され、ビーム・スプリッタで光検出器に偏向され
る。集束レンズと光学装置の残りの素子との間のビーム
の通路内に１７４波長板が置かれていて、入射波すなわ
ち送信波を戻り波すなわち反射波から減結合させ、それ
によって光検出器が受信する信号の光ノイズが減少され
る。
光ノイズを減少させるように光学装置に１７４波長板を
使用するもう１つの例は、ブリコント（Ｂｒｉｃｏｔ）
らに対する米国特許第３．９１９．６９８号に示されて
いる。
使用するもう１つの例は、ブリコント（Ｂｒｉｃｏｔ）
らに対する米国特許第３．９１９．６９８号に示されて
いる。
本発明による改良された光学撮像装置は、コヒーレント
・ビームをターゲット上の小ざな点に向けてそこからの
反射率を測定し、それによって高いＳ／Ｎ比が得られる
ようになっている。本装置は、直線偏光ビームを受信す
るとともにターゲットからの反射ビームをも電気出力信
号を供給する光検出器に向ける多数の光素子を含む。タ
ーゲットからの実際の反射信号といろいろな光素子から
の内部反射によって作られる光ノイズとを識別する装置
が具備されているので、出力信号の結電が保たれる。
・ビームをターゲット上の小ざな点に向けてそこからの
反射率を測定し、それによって高いＳ／Ｎ比が得られる
ようになっている。本装置は、直線偏光ビームを受信す
るとともにターゲットからの反射ビームをも電気出力信
号を供給する光検出器に向ける多数の光素子を含む。タ
ーゲットからの実際の反射信号といろいろな光素子から
の内部反射によって作られる光ノイズとを識別する装置
が具備されているので、出力信号の結電が保たれる。
簡単に述べれば、光学装置は、送信ビームの少なくとも
一部を通じかつターゲットからの反射ビームの少なくと
も一部を受信して光検出器に向けるビーム・スプリッタ
を含む。ビーム・スプリッタとターゲットとの間に置か
れる光素子は、ピンホール板と、送信ビームを縮小して
それを板のピンホールに集束させるレンズと、送信ビー
ムがビンホールを通ってからそれをターゲットに向け直
す拡大レンズと、送信ビームをターゲット上に集束する
集束レンズとを含む。ターゲットからの反射ビームと内
部反射の光ビームとを識別するために、反射ビームに関
して送信ビームの偏光を変える遅延板がピンホール板と
ターゲットとの間のビーム通路内に置かれ、また反射ビ
ームを識別しそれににってかかるビームのみを光検出器
に送る一方、いろいろな光素子から内部反射された光ビ
ームを拒絶する偏光装置ら具備されている。
一部を通じかつターゲットからの反射ビームの少なくと
も一部を受信して光検出器に向けるビーム・スプリッタ
を含む。ビーム・スプリッタとターゲットとの間に置か
れる光素子は、ピンホール板と、送信ビームを縮小して
それを板のピンホールに集束させるレンズと、送信ビー
ムがビンホールを通ってからそれをターゲットに向け直
す拡大レンズと、送信ビームをターゲット上に集束する
集束レンズとを含む。ターゲットからの反射ビームと内
部反射の光ビームとを識別するために、反射ビームに関
して送信ビームの偏光を変える遅延板がピンホール板と
ターゲットとの間のビーム通路内に置かれ、また反射ビ
ームを識別しそれににってかかるビームのみを光検出器
に送る一方、いろいろな光素子から内部反射された光ビ
ームを拒絶する偏光装置ら具備されている。
本発明の実施態様を図面について以下に詳しく説明する
。
。
まず第１図の光学装置から、直線偏光されるコヒーシン
１−光ビームＢを供給するレーザ源１０が示されている
。別法として、高度の直線偏波を保証する追加の偏光器
をレーザの通路内に使用することができる。偏光器１４
および半波長板１６を含むアイソレータ組立体１２は、
後で詳しく説明する通り、レーザ源を光学装置内の光素
子から内部反射された光ビームから隔離するために、放
射されたレーザ・ビームＢの通路内に置かれている。
１−光ビームＢを供給するレーザ源１０が示されている
。別法として、高度の直線偏波を保証する追加の偏光器
をレーザの通路内に使用することができる。偏光器１４
および半波長板１６を含むアイソレータ組立体１２は、
後で詳しく説明する通り、レーザ源を光学装置内の光素
子から内部反射された光ビームから隔離するために、放
射されたレーザ・ビームＢの通路内に置かれている。
光ビーム８１．を鏡１８によって方向を変え、事実上す
べてのビームが立方体の出入口の面を通って偏向せずに
真直ぐに進むように置かれた立方体を含む偏光ビーム・
スプリッタ２０を通り、すなわち偏光ビーム・スプリッ
タ２０の出入口の而はレーザ・ビームＢの軸に沿って置
かれているのでビームは第１図に示される通り真直ぐに
進む。レーザ・ビームは既に直線偏光されているので、
レーザ源の送信ビームＢから出入口の面の軸に対して直
角な軸に沿う光の偏向け事実上存在しない。
べてのビームが立方体の出入口の面を通って偏向せずに
真直ぐに進むように置かれた立方体を含む偏光ビーム・
スプリッタ２０を通り、すなわち偏光ビーム・スプリッ
タ２０の出入口の而はレーザ・ビームＢの軸に沿って置
かれているのでビームは第１図に示される通り真直ぐに
進む。レーザ・ビームは既に直線偏光されているので、
レーザ源の送信ビームＢから出入口の面の軸に対して直
角な軸に沿う光の偏向け事実上存在しない。
送信レーザ・ビームＢの通路内に複数個の光素子が具備
されており、反射ビームの戻りは送信ビームＢの直接コ
リメートされた光線にのみ制限される。かくて、空間フ
ィルタ、すなわちピンホール板２４および拡大レンズ２
６と共に、ピンボール・レンズ２２が具備されている。
されており、反射ビームの戻りは送信ビームＢの直接コ
リメートされた光線にのみ制限される。かくて、空間フ
ィルタ、すなわちピンホール板２４および拡大レンズ２
６と共に、ピンボール・レンズ２２が具備されている。
ピンホール板２４は２個のレンズ２２および２６の焦点
に小さなピンホールを有し、ピンホールは反射ビームす
なわち戻りビームＲの空気円板より小ざく、すなわち本
発明により利用されるような半導体ウェーハ走査動作で
はミクロンの直径範囲、例えば直径約１０ミクロン程度
となる。拡大レンズ２６は送信ビームＢのコリメートを
解除するので、事実上平行な光線のみがそこから出て、
かかるビーム直径は約１ｃｍとなることが分かると思う
。
に小さなピンホールを有し、ピンホールは反射ビームす
なわち戻りビームＲの空気円板より小ざく、すなわち本
発明により利用されるような半導体ウェーハ走査動作で
はミクロンの直径範囲、例えば直径約１０ミクロン程度
となる。拡大レンズ２６は送信ビームＢのコリメートを
解除するので、事実上平行な光線のみがそこから出て、
かかるビーム直径は約１ｃｍとなることが分かると思う
。
送信ビームＢは次にｖＬ２８によってその方向を垂直に
変え、またこのビームを所望の大きざに絞る制御式アパ
ーヂ１Ｆ装置３０が具備されている。この大きざは下に
あるターゲットＴの焦点によってカバーしようとづる面
積の大きさによって決定される。
変え、またこのビームを所望の大きざに絞る制御式アパ
ーヂ１Ｆ装置３０が具備されている。この大きざは下に
あるターゲットＴの焦点によってカバーしようとづる面
積の大きさによって決定される。
送信ビームＢの集束は、ターゲットＴのごく小ざな点、
９３通直径約１ミクロンに送信ビーム１３を集束するよ
うに、ごく小さな距ｗｉ（ミグ１コンまたはザブミクロ
ンの範囲）にわたって屯直に移動し得る集束レンズ３４
によって１ηられる。例えば半導体ウェーハを表わすタ
ーゲットＴの場合、ウェーハの走査は投射ビームを横切
る面内でウェーハを動かしかつ所定の時開中そごからの
反射ビームすなわち戻りビームＲの読みを取ることによ
って達成することができる。
９３通直径約１ミクロンに送信ビーム１３を集束するよ
うに、ごく小さな距ｗｉ（ミグ１コンまたはザブミクロ
ンの範囲）にわたって屯直に移動し得る集束レンズ３４
によって１ηられる。例えば半導体ウェーハを表わすタ
ーゲットＴの場合、ウェーハの走査は投射ビームを横切
る面内でウェーハを動かしかつ所定の時開中そごからの
反射ビームすなわち戻りビームＲの読みを取ることによ
って達成することができる。
指摘されｌζ通り、第１図の光学装置は同焦点系である
ので、ターゲットＴからの反射ビームビームＲは装置の
素子を通ってビーム・スプリッタ２０に戻され、ここで
それはビームＢの通路に対して直角に偏向されかつ方向
転換鏡３６によって光電子増倍管すなわら光検出器３８
に向けられるが、この光電子増倍管はターゲットの表面
上の点から直接反射される光の量に左右される電気出力
信号を供給する。本発明の組型な１つの特徴は、送信ビ
ームＢと反射ビームＲとの間の偏光を変えるジＹ延板３
２を用いて、これらのビームが以復それらの偏光に基づ
ぎ微分され、それによって光素子からの内部反射、さら
に詳しく述べれば、別の方法では反射ビームＲによって
作られる信号に光ノイズを直接加算するピンホール板２
４からの反射によって作られる光ノイズの影響を除去し
得るようにされていることである。遅延板３２は、送信
ビームＢの偏光軸に対して４５°の角匹でその高速軸と
共に方向を変えられる１７４波長板を含む。かくて、１
７４波長板は集束レンズ３４を経てターゲットに送られ
るビームＢを円偏光するとともに、円偏光の戻りビーム
Ｒを通過につれて直線偏光ビームに再び変える働きをす
る。しかし、戻りビームは送信ビームから９０°だけ偏
光が変えられることが分かると思う。かくて、戻りビー
ムが前述のような偏光状態に置かれた立方形のビーム・
スプリッタ２０に当たると、かかるビームの事実上すべ
ては、このビームＲがビームＢの偏光に対して９０°に
直線偏光されているので図示の方向に直角に偏向される
。しかし、光素子からのどんな内部反射でも（明らかに
送信ビームＢと同じまたはほぼ同じ偏光状態を持つ）送
信ビームＢの通路内にありかつそれに沿ったビーム・ス
プリッタ立方体を真直ぐに通過する。かかる疑似ビーム
がレーザ源１０から発生されたレーザ・ビームを妨害し
ないように、アイソレータ１２が図示の通り具備されて
いる。遅延板３２が集束レンズ３４のすぐ前のビーム通
路に置かれているが、肖うまでもなく、ｉヱ延板３２は
どこにでも置くことができ、すなわちピンホール板２４
の下流、例えばピンホール板のすぐ下流（１なわち板２
４とレンズ２６との間）に具合よく置かれ、この場合よ
り小さな直径のビームは予想される最小Ｑｋのひずみを
受ける遅延板の中心のみを使用することになる。
ので、ターゲットＴからの反射ビームビームＲは装置の
素子を通ってビーム・スプリッタ２０に戻され、ここで
それはビームＢの通路に対して直角に偏向されかつ方向
転換鏡３６によって光電子増倍管すなわら光検出器３８
に向けられるが、この光電子増倍管はターゲットの表面
上の点から直接反射される光の量に左右される電気出力
信号を供給する。本発明の組型な１つの特徴は、送信ビ
ームＢと反射ビームＲとの間の偏光を変えるジＹ延板３
２を用いて、これらのビームが以復それらの偏光に基づ
ぎ微分され、それによって光素子からの内部反射、さら
に詳しく述べれば、別の方法では反射ビームＲによって
作られる信号に光ノイズを直接加算するピンホール板２
４からの反射によって作られる光ノイズの影響を除去し
得るようにされていることである。遅延板３２は、送信
ビームＢの偏光軸に対して４５°の角匹でその高速軸と
共に方向を変えられる１７４波長板を含む。かくて、１
７４波長板は集束レンズ３４を経てターゲットに送られ
るビームＢを円偏光するとともに、円偏光の戻りビーム
Ｒを通過につれて直線偏光ビームに再び変える働きをす
る。しかし、戻りビームは送信ビームから９０°だけ偏
光が変えられることが分かると思う。かくて、戻りビー
ムが前述のような偏光状態に置かれた立方形のビーム・
スプリッタ２０に当たると、かかるビームの事実上すべ
ては、このビームＲがビームＢの偏光に対して９０°に
直線偏光されているので図示の方向に直角に偏向される
。しかし、光素子からのどんな内部反射でも（明らかに
送信ビームＢと同じまたはほぼ同じ偏光状態を持つ）送
信ビームＢの通路内にありかつそれに沿ったビーム・ス
プリッタ立方体を真直ぐに通過する。かかる疑似ビーム
がレーザ源１０から発生されたレーザ・ビームを妨害し
ないように、アイソレータ１２が図示の通り具備されて
いる。遅延板３２が集束レンズ３４のすぐ前のビーム通
路に置かれているが、肖うまでもなく、ｉヱ延板３２は
どこにでも置くことができ、すなわちピンホール板２４
の下流、例えばピンホール板のすぐ下流（１なわち板２
４とレンズ２６との間）に具合よく置かれ、この場合よ
り小さな直径のビームは予想される最小Ｑｋのひずみを
受ける遅延板の中心のみを使用することになる。
もう１つの利点は、ターゲットにおける円偏光ビームの
使用によって、ターゲットの方向位置が異なる偏光角の
光をしばしば識別するとともに、円偏光ビームが未知の
方向位置のターゲットからのきれいな戻り信号を最も良
く保証することである。
使用によって、ターゲットの方向位置が異なる偏光角の
光をしばしば識別するとともに、円偏光ビームが未知の
方向位置のターゲットからのきれいな戻り信号を最も良
く保証することである。
第２図に示される本発明の実施態様は第１図の実施態様
に似ており、同じまたは同様な素子は同じ数字で表わさ
れている。しかし第２図の実施態様では、送信ビームＢ
と戻りビームＲとを所定の割合、例えば５０％−５０％
で分割する在来形のビーム・スプリッタ２０ａが使用さ
れている。ざらに別の偏光板４０を用いて、真の反射ビ
ームずなわち戻すビームＲとピンホール板２４の面から
の内部反射によって特に作られる疑似光波とを識別する
偏光手段を提供する。絶対に必要ではないが、かかる偏
光板は第１図にも使用して、真の戻り信号と一切の不用
な信号すなわち疑似信号とをさらに識別することができ
る。
に似ており、同じまたは同様な素子は同じ数字で表わさ
れている。しかし第２図の実施態様では、送信ビームＢ
と戻りビームＲとを所定の割合、例えば５０％−５０％
で分割する在来形のビーム・スプリッタ２０ａが使用さ
れている。ざらに別の偏光板４０を用いて、真の反射ビ
ームずなわち戻すビームＲとピンホール板２４の面から
の内部反射によって特に作られる疑似光波とを識別する
偏光手段を提供する。絶対に必要ではないが、かかる偏
光板は第１図にも使用して、真の戻り信号と一切の不用
な信号すなわち疑似信号とをさらに識別することができ
る。
本発明の第２図の実施態様では、送信ビームＢはビーム
・スプリッタ板２０ａを通る所定の割合で分割されるが
、残りの所定の割合は図示の通り垂直に下方に偏向され
る。次にビームＢは前述のような集束レンズ３４を含む
系の光素子を通り、またターゲット上の微小点からの反
射光線から成る戻りビームＲは同様に装置の光素子と逆
方向に通る。したがって見られる通り、ビーム・スプリ
ッタ２０ａで偏向される光線は、本発明の第１図の実施
態様に関して説明されたような遅延板３２の作用により
送信ビームＢに対して９０″の角度で偏光される反射ビ
ームＲを構成する。また、前の実施態様と同様に送信ビ
ームＢに対して同様に偏光される光素子から内部反射さ
れる光線の所定の割合が同様に偏向される。偏光器４０
は、戻りビームと一致した方向に置かれるビームの事実
上ずべてを送信するような方向に置かれる。かくて、送
信ビームＢにしたがって置かれた光素子からの疑似反射
は、偏光器４０によって事実上完全に拒絶されて、疑似
出力信号を作ることができる光電子増倍管３８に送信さ
れない。指摘した通り、光アイソレータ１２は本発明の
第２図の実施態様では真に必要ではなく、したがって除
去されている。
・スプリッタ板２０ａを通る所定の割合で分割されるが
、残りの所定の割合は図示の通り垂直に下方に偏向され
る。次にビームＢは前述のような集束レンズ３４を含む
系の光素子を通り、またターゲット上の微小点からの反
射光線から成る戻りビームＲは同様に装置の光素子と逆
方向に通る。したがって見られる通り、ビーム・スプリ
ッタ２０ａで偏向される光線は、本発明の第１図の実施
態様に関して説明されたような遅延板３２の作用により
送信ビームＢに対して９０″の角度で偏光される反射ビ
ームＲを構成する。また、前の実施態様と同様に送信ビ
ームＢに対して同様に偏光される光素子から内部反射さ
れる光線の所定の割合が同様に偏向される。偏光器４０
は、戻りビームと一致した方向に置かれるビームの事実
上ずべてを送信するような方向に置かれる。かくて、送
信ビームＢにしたがって置かれた光素子からの疑似反射
は、偏光器４０によって事実上完全に拒絶されて、疑似
出力信号を作ることができる光電子増倍管３８に送信さ
れない。指摘した通り、光アイソレータ１２は本発明の
第２図の実施態様では真に必要ではなく、したがって除
去されている。
本発明を実施する最良の態様がここに図示されかつ説明
されたが、明らかに本発明の主旨から逸脱せずに変形お
よび変化を作ることができる。
されたが、明らかに本発明の主旨から逸脱せずに変形お
よび変化を作ることができる。
第１図は本発明の光学装置の第１実ＩＭ！７１様を表わ
す図、第２図は本発明の光学装置の第２実施態様を表わ
す図である。 符号の説明： １０・・・レーザ源：１２・・・アイソレータ；１８□
２８，３６・・・鏡： ２０，２０ａ・・・
スプリッタ；２２．２６．３４・・・レンズ＝２４・・
・ピンホール板；３０・・・アパーチャ装置：３２・・
・遅延板；３８・・・光電子増幅管： １４，４
０・・・偏光器；Ｔ・・・ターゲット 手続？Ｉｎ正書 昭和６２年 ４月２日
す図、第２図は本発明の光学装置の第２実施態様を表わ
す図である。 符号の説明： １０・・・レーザ源：１２・・・アイソレータ；１８□
２８，３６・・・鏡： ２０，２０ａ・・・
スプリッタ；２２．２６．３４・・・レンズ＝２４・・
・ピンホール板；３０・・・アパーチャ装置：３２・・
・遅延板；３８・・・光電子増幅管： １４，４
０・・・偏光器；Ｔ・・・ターゲット 手続？Ｉｎ正書 昭和６２年 ４月２日
Claims (8)
- （１）コヒーレント・ビームをターゲット上の１点に向
けてそこからの反射率を測定する、ＳＮ比が改善された
同焦点光学撮像装置であって：直線偏光ビームを作る装
置と；ターゲットからの反射光ビームを受ける光検出器
と；送信ビームの少なくとも一部をビーム作り装置から
ターゲットに送るとともに反射ビームの少なくとも一部
を受信してターゲットから光検出器に向けるビーム・ス
プリッタと；ビーム・スプリッタとターゲットとの間に
置かれたピンホール板と、送信ビームを縮小してそれを
ピンホール板に集束するレンズと、送信ビームがピンホ
ール板を通ってからそれをターゲットに向け直す拡大レ
ンズと、送信ビームをターゲット上に集束する集束レン
ズとを含む複数個の光学素子と；ピンホール板とターゲ
ットとの間のビーム通路内に置かれて反射ビームに関す
る送信ビームの偏光を変える遅延板と；ターゲットから
の反射ビームのみを光検出器に通しかつ遅延板とビーム
・スプリッタとの間の光素子から反射されるビームを通
さない偏光装置とを含む、ことを特徴とする同焦点光学
撮像装置。 - （２）前記偏光装置はターゲットからの反射ビームと前
記複数個の光素子からの反射ビームとを識別するように
反射ビームの通路内に置かれる偏光器を含む、ことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の同焦点光学撮像装
置。 - （３）前記偏光器はビーム・スプリッタと光検出器との
間の反射ビーム通路内に置かれている、ことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の同焦点光学撮像装置。 - （４）前記偏光装置および前記ビーム・スプリッタは、
ビーム作り装置からの送信ビームの事実上すべてを通し
かつターゲットからの反射ビームの事実上すべてを光検
出器に反射するように、ビームの通路内に整列された偏
光ビーム・スプリッタを含む、ことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の同焦点光学撮像装置。 - （５）ビーム作り装置とビーム・スプリッタとの間のビ
ーム通路内に置かれて前記ビーム・スプリッタを通った
反射ビームを吸収するアイソレータを含む、ことを特徴
とする特許請求の範囲第４項記載の同焦点光学撮像装置
。 - （６）前記遅延板は１／４波長板を含みそれによってタ
ーゲットで円偏光ビームを提供する、ことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の同焦点光学撮像装置。 - （７）前記遅延板は１／４波長板を含みそれによってタ
ーゲットで円偏光ビームを提供する、ことを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の同焦点光学撮像装置。 - （８）前記遅延板は１／４波長板を含みそれによってタ
ーゲットで円偏光ビームを提供する、ことを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の同焦点光学撮像装置。
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