JPS6222471B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222471B2 JPS6222471B2 JP53104958A JP10495878A JPS6222471B2 JP S6222471 B2 JPS6222471 B2 JP S6222471B2 JP 53104958 A JP53104958 A JP 53104958A JP 10495878 A JP10495878 A JP 10495878A JP S6222471 B2 JPS6222471 B2 JP S6222471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- type
- silicon semiconductor
- photodiode
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体光検出器に係り、特に低バイア
ス電圧下で周波数応答特性の良好なフオトダイオ
ードに関する。
ス電圧下で周波数応答特性の良好なフオトダイオ
ードに関する。
近年、光通信システムが開発されつつあり、そ
の受信部の受光素子としてフオトダイオードが有
望視されている。このようなフオトダイオードと
しては特に暗電流が小さいこと、量子効率が高い
こと、応答速度が速いこと等の特性が要求され
る。更に、受信装置としてこの種フオトダイオー
ドと組み合わされて使用される各種ICと適合す
る動作電圧を有することが望まれる。
の受信部の受光素子としてフオトダイオードが有
望視されている。このようなフオトダイオードと
しては特に暗電流が小さいこと、量子効率が高い
こと、応答速度が速いこと等の特性が要求され
る。更に、受信装置としてこの種フオトダイオー
ドと組み合わされて使用される各種ICと適合す
る動作電圧を有することが望まれる。
これらの要求をより具体的に述べるならば、光
通信システム用フオトダイオードとしては、量子
効率が約50％以上、応答速度の目安となる周波数
応答帯域が約100MHz以上であることが望まし
い。また、ダイオードのバイアス電圧としては受
信部に使用されるICと電源を共用するために数
Ｖに抑えることが望ましい。
通信システム用フオトダイオードとしては、量子
効率が約50％以上、応答速度の目安となる周波数
応答帯域が約100MHz以上であることが望まし
い。また、ダイオードのバイアス電圧としては受
信部に使用されるICと電源を共用するために数
Ｖに抑えることが望ましい。
フオトダイオードの応答速度は光励起されたキ
ヤリヤの走行速度と密接な関連があり、応答速度
を高めるにはキヤリヤを電界によりドリフトさせ
ることが必要となる。そのためにはバイアス電圧
印加時に、主として光励起キヤリヤの発生する半
導体領域（例えばPIN型フオトダイオードにおい
てはＩ型半導体層に相当）を空乏化し、この領域
全体に電界を生じさせる必要がある。PIN型フオ
トダイオードにおいてはＩ型半導体層を薄くする
ことで上述の要求は達成され得るが、極端に薄く
すると量子効率が低下するという欠点がある。
ヤリヤの走行速度と密接な関連があり、応答速度
を高めるにはキヤリヤを電界によりドリフトさせ
ることが必要となる。そのためにはバイアス電圧
印加時に、主として光励起キヤリヤの発生する半
導体領域（例えばPIN型フオトダイオードにおい
てはＩ型半導体層に相当）を空乏化し、この領域
全体に電界を生じさせる必要がある。PIN型フオ
トダイオードにおいてはＩ型半導体層を薄くする
ことで上述の要求は達成され得るが、極端に薄く
すると量子効率が低下するという欠点がある。
量子効率および周波数応答帯域を実用上十分で
ある値にすることは設計上可能であるが、このよ
うな特性を引き出すために必要なバイアス電圧は
従来、少なくとも10Vを超え、光通信システム受
信部で使用される他の半導体素子の動作電圧（数
Ｖ）と適合しないものであつた。仮に、必要とさ
れるバイアス電圧を下まわる電圧でフオトダイオ
ードを動作させたとすると上述の理由から周波数
応答帯域が低下し、好ましくない。
ある値にすることは設計上可能であるが、このよ
うな特性を引き出すために必要なバイアス電圧は
従来、少なくとも10Vを超え、光通信システム受
信部で使用される他の半導体素子の動作電圧（数
Ｖ）と適合しないものであつた。仮に、必要とさ
れるバイアス電圧を下まわる電圧でフオトダイオ
ードを動作させたとすると上述の理由から周波数
応答帯域が低下し、好ましくない。
また、従来のフオトダイオードにその特性を十
分に発揮させることができるバイアス電圧を印加
しようとすると光通信システム受信部の他の半導
体回路の電源と共用できぬため、フオトダイオー
ド用の昇圧手段が必要となるなど受信部の構成が
複雑かつ高価になり、好ましくない。
分に発揮させることができるバイアス電圧を印加
しようとすると光通信システム受信部の他の半導
体回路の電源と共用できぬため、フオトダイオー
ド用の昇圧手段が必要となるなど受信部の構成が
複雑かつ高価になり、好ましくない。
従つて本発明の目的は、数Ｖの低バイアス電圧
のもとで量子効率および周波数応答帯域が実用上
十分な値を有する改良されたフオトダイオードを
提供することにある。
のもとで量子効率および周波数応答帯域が実用上
十分な値を有する改良されたフオトダイオードを
提供することにある。
この目的を達成するために本発明フオトダイオ
ードの特徴とするところは、Ｐ型半導体層、Ｉ型
半導体層、Ｎ型半導体層がこの順で互いに隣接し
てなる半導体基板と、Ｐ型およびＮ型半導体層露
出部にそれぞれ接続された一対の主電極を有する
ものにおいて、Ｉ型半導体層の厚さおよび不純物
濃度を、一対の主電極間に数Ｖ以下のバイアス電
圧を印加したときにＩ型半導体層全体が空乏化す
るようにした点にある。
ードの特徴とするところは、Ｐ型半導体層、Ｉ型
半導体層、Ｎ型半導体層がこの順で互いに隣接し
てなる半導体基板と、Ｐ型およびＮ型半導体層露
出部にそれぞれ接続された一対の主電極を有する
ものにおいて、Ｉ型半導体層の厚さおよび不純物
濃度を、一対の主電極間に数Ｖ以下のバイアス電
圧を印加したときにＩ型半導体層全体が空乏化す
るようにした点にある。
上述の特徴を更に具体的に説明するならば、Ｉ
型半導体層の厚さ（ＷIμｍ）と不純物濃度の平
均値（ＮIcm-3）とが、 ＷI≦−34.7logNI＋482.2 で示される関係式を満足するようにした点に特徴
がある。
型半導体層の厚さ（ＷIμｍ）と不純物濃度の平
均値（ＮIcm-3）とが、 ＷI≦−34.7logNI＋482.2 で示される関係式を満足するようにした点に特徴
がある。
更に、好ましくはＩ型半導体層の厚さを受光波
長に対する吸収係数の逆数以上とした点に特徴が
ある。
長に対する吸収係数の逆数以上とした点に特徴が
ある。
なお、本発明の説明において「Ｉ型半導体層」
とは、この層に隣接するＮ型あるいはＰ型の半導
体層のいずれよりも低不純物濃度を有する半導体
層のことであり、導電型としてはＮ，Ｐいずれで
もよい。本発明の説明ではこの層の導電型がＮ型
であるものをν型、Ｐ型であるものをπ型と呼ん
で区別する。
とは、この層に隣接するＮ型あるいはＰ型の半導
体層のいずれよりも低不純物濃度を有する半導体
層のことであり、導電型としてはＮ，Ｐいずれで
もよい。本発明の説明ではこの層の導電型がＮ型
であるものをν型、Ｐ型であるものをπ型と呼ん
で区別する。
以下本発明につき、実施例を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例であるＮπＰメサ型
フオトダイオードを示す。図において１１はＰ型
半導体基体、１２はπ型半導体層、１３はＮ型半
導体層である。Ｎ型半導体層１３の周囲にはこの
層１３よりも厚く環状のＮ型半導体領域１３１が
形成されている。１４はメサ沿面を保護する
SiO2膜であり、１５はＮ型半導体層１３の露出
部のうち受光面を覆う反射防止膜である。１６お
よび１７は、それぞれＮ型およびＰ型半導体層上
に形成された一対の主電極であり、電極１６は受
光面を囲む環状に形成されている。
フオトダイオードを示す。図において１１はＰ型
半導体基体、１２はπ型半導体層、１３はＮ型半
導体層である。Ｎ型半導体層１３の周囲にはこの
層１３よりも厚く環状のＮ型半導体領域１３１が
形成されている。１４はメサ沿面を保護する
SiO2膜であり、１５はＮ型半導体層１３の露出
部のうち受光面を覆う反射防止膜である。１６お
よび１７は、それぞれＮ型およびＰ型半導体層上
に形成された一対の主電極であり、電極１６は受
光面を囲む環状に形成されている。
本実施例フオトダイオードは例えば次のように
製作される。
製作される。
半導体基板１１は取扱い上の理由から厚さが
150〜250μｍで、オーミツク電極を取り易くし、
直列抵抗を少なくするために比抵抗が0.01Ωcm以
下のウエハを用いた。導電型は本実施例ではＰ型
とした。まず、この基板１１の一主表面上に気相
エピタキシヤル成長法により不純物濃度が１×
1013cm-3、厚さが25μｍのπ型シリコン層１２を
形成した。この後、π型シリコン層の露出主表面
からリン拡散法により、表面不純物濃度１×1019
cm-3、厚さ約6.5μｍの環状Ｎ型シリコン領域１
３１、及び表面不純物濃度５×1019cm-3厚さ約１
μｍのＮ型シリコン層１３を形成した。この後、
公知のエツチング法によりＮ型シリコン領域１３
１の露出主表面からシリコン基板１１に達するま
でメサエツチングする。しかる後、SiO2膜１
４、反射防止膜１５、電極１６，１７を公知の方
法で形成して本実施例フオトダイオードが完成す
る。
150〜250μｍで、オーミツク電極を取り易くし、
直列抵抗を少なくするために比抵抗が0.01Ωcm以
下のウエハを用いた。導電型は本実施例ではＰ型
とした。まず、この基板１１の一主表面上に気相
エピタキシヤル成長法により不純物濃度が１×
1013cm-3、厚さが25μｍのπ型シリコン層１２を
形成した。この後、π型シリコン層の露出主表面
からリン拡散法により、表面不純物濃度１×1019
cm-3、厚さ約6.5μｍの環状Ｎ型シリコン領域１
３１、及び表面不純物濃度５×1019cm-3厚さ約１
μｍのＮ型シリコン層１３を形成した。この後、
公知のエツチング法によりＮ型シリコン領域１３
１の露出主表面からシリコン基板１１に達するま
でメサエツチングする。しかる後、SiO2膜１
４、反射防止膜１５、電極１６，１７を公知の方
法で形成して本実施例フオトダイオードが完成す
る。
本実施例では、メサ型にしたこと及びＮ型シリ
コン領域１３１を形成したことにより暗電流は極
めて少なく、バイアス電圧5Vで20pA以下であつ
た。また、本実施例フオトダイオードに5Vのバ
イアス電圧を印加した時に空乏層はπ型シリコン
層の全体に及んだ。その結果、このフオトダイオ
ードの波長830nmの光に対する量子効率は70％、
バイアス電圧5Vでの周波数応答帯域は200MHzで
あつた。ちなみに従来のPIN型フオトダイオード
で本実施例のものと同程度の量子効率を有するも
のは、バイアス電圧5Vでの周波数応答帯域は
40MHz以下であつた。
コン領域１３１を形成したことにより暗電流は極
めて少なく、バイアス電圧5Vで20pA以下であつ
た。また、本実施例フオトダイオードに5Vのバ
イアス電圧を印加した時に空乏層はπ型シリコン
層の全体に及んだ。その結果、このフオトダイオ
ードの波長830nmの光に対する量子効率は70％、
バイアス電圧5Vでの周波数応答帯域は200MHzで
あつた。ちなみに従来のPIN型フオトダイオード
で本実施例のものと同程度の量子効率を有するも
のは、バイアス電圧5Vでの周波数応答帯域は
40MHz以下であつた。
次に、本発明の構成をより明らかにするため、
数々の比較例を用いて説明する。まず上述の製法
により、π型シリコン層の厚さ（ＷI）と不純物
濃度（ＮI）が種々の値を持ちその他の構成は上
述の実施例と同様の多数のフオトダイオードを製
作した。次にこれらのフオトダイオードに5Vの
バイアス電圧を印加し、周波数応答帯域を測定し
た。その結果を第２図に示す。図によれば、ＷI
によつても変わるが、一定のＷIに対しＮIを増加
してゆくとＮIのある値を境として周波数応答帯
域が急激に低下する。
数々の比較例を用いて説明する。まず上述の製法
により、π型シリコン層の厚さ（ＷI）と不純物
濃度（ＮI）が種々の値を持ちその他の構成は上
述の実施例と同様の多数のフオトダイオードを製
作した。次にこれらのフオトダイオードに5Vの
バイアス電圧を印加し、周波数応答帯域を測定し
た。その結果を第２図に示す。図によれば、ＷI
によつても変わるが、一定のＷIに対しＮIを増加
してゆくとＮIのある値を境として周波数応答帯
域が急激に低下する。
周波数応答帯域が極端に低いものは光通信シス
テム受信部の受光素子として好ましくない。ま
た、周波数応答帯域がＮIの変化により急激に変
化する領域のものは、ＮIのわずかのばらつきに
より周波数応答帯域の値が大きくばらつくので信
頼性の上から好ましくない。従つて第２図の各曲
線上で周波数応答帯域が急激に低下しはじめる臨
界点を選び、その点よりも低いＮIとなるように
π型シリコン層を調整することにより、数Ｖ以下
の低バイアス電圧でも実用上十分に高い量子効率
と周波数応答帯域を有し、かつ信頼性の高いフオ
トダイオードが得られる。
テム受信部の受光素子として好ましくない。ま
た、周波数応答帯域がＮIの変化により急激に変
化する領域のものは、ＮIのわずかのばらつきに
より周波数応答帯域の値が大きくばらつくので信
頼性の上から好ましくない。従つて第２図の各曲
線上で周波数応答帯域が急激に低下しはじめる臨
界点を選び、その点よりも低いＮIとなるように
π型シリコン層を調整することにより、数Ｖ以下
の低バイアス電圧でも実用上十分に高い量子効率
と周波数応答帯域を有し、かつ信頼性の高いフオ
トダイオードが得られる。
なお、第２図において一定のＷIのもとでＮIが
大きくなると周波数応答帯域が著しく低下する原
因としては、次の点が考えられる。すなわち、Ｎ
Iがある程度以上（上述の臨界点以上に相当）に
なると上述のバイアス電圧のもとではＩ型半導体
層全体に空乏層が拡張されない。そのために、Ｉ
型半導体層の空乏化されていない部分で光励起さ
れたキヤリヤは電界によるよりも低速の拡散によ
り移動した後、電界で移動して外部電流に寄与す
る。その結果、応答速度が遅くなるものと考えら
れる。
大きくなると周波数応答帯域が著しく低下する原
因としては、次の点が考えられる。すなわち、Ｎ
Iがある程度以上（上述の臨界点以上に相当）に
なると上述のバイアス電圧のもとではＩ型半導体
層全体に空乏層が拡張されない。そのために、Ｉ
型半導体層の空乏化されていない部分で光励起さ
れたキヤリヤは電界によるよりも低速の拡散によ
り移動した後、電界で移動して外部電流に寄与す
る。その結果、応答速度が遅くなるものと考えら
れる。
これとは反対に、Ｉ型半導体層全体が空乏化す
る本発明フオトダイオードにおいては、この層で
光励起されたすべてのキヤリヤが終始電界により
高速移動するので、応答速度が速くなるのであ
る。
る本発明フオトダイオードにおいては、この層で
光励起されたすべてのキヤリヤが終始電界により
高速移動するので、応答速度が速くなるのであ
る。
第３図は上述の限定をより明確に示すために、
第２図における各曲線の上述の臨界点をＮI−ＷI
座標上にプロツトすることにより得られたもので
ある。第３図において、斜線領域Ａ（直線を含
む）は領域Ｂと比べて格段に周波数応答帯域が高
くかつＮIの変動による特性のばらつきが少ない
本発明範囲を示す。
第２図における各曲線の上述の臨界点をＮI−ＷI
座標上にプロツトすることにより得られたもので
ある。第３図において、斜線領域Ａ（直線を含
む）は領域Ｂと比べて格段に周波数応答帯域が高
くかつＮIの変動による特性のばらつきが少ない
本発明範囲を示す。
なお、第３図中の領域Ａを式で表わすと、ＮI
の単位をcm-3、ＷIの単位をμｍとして、 ＷI≦−34.7logNI＋482.2 となる。すなわちこの式を満足するＮIおよびＷI
の組み合わせが本発明の範囲となる。
の単位をcm-3、ＷIの単位をμｍとして、 ＷI≦−34.7logNI＋482.2 となる。すなわちこの式を満足するＮIおよびＷI
の組み合わせが本発明の範囲となる。
次に本発明の更に好ましい態様について説明す
る。
る。
PIN型フオトダイオードの量子効率は、Ｉ型半
導体層の厚さＷIに依存し、この層が空乏化して
いるか否かにはよらない。一般的に言えばＷIが
大きくなるほど量子効率も大きくなる。発明者ら
の実験によれば、光通信システム受信部の受光素
子として望ましい量子効率（約50％以上）は、Ｗ
IをＩ型半導体の光吸収係数の逆数以上とするこ
とにより得られることが明らかになつた。例えば
Ｉ型半導体をシリコンとし、入射光の波長を約
830μｍとしたときは光吸収係数は約750cm-1とな
る。従つてＷIをこの逆数以上に、この例の場合
であれば約13μｍ以上にすれば約50％以上の量子
効率が得られるので好ましい。
導体層の厚さＷIに依存し、この層が空乏化して
いるか否かにはよらない。一般的に言えばＷIが
大きくなるほど量子効率も大きくなる。発明者ら
の実験によれば、光通信システム受信部の受光素
子として望ましい量子効率（約50％以上）は、Ｗ
IをＩ型半導体の光吸収係数の逆数以上とするこ
とにより得られることが明らかになつた。例えば
Ｉ型半導体をシリコンとし、入射光の波長を約
830μｍとしたときは光吸収係数は約750cm-1とな
る。従つてＷIをこの逆数以上に、この例の場合
であれば約13μｍ以上にすれば約50％以上の量子
効率が得られるので好ましい。
また、本発明の如く低不純物濃度の半導体層
（Ｉ型半導体層）は通常、エピタキシヤル成長法
によつて形成されるのであるが、この方法で約５
×1012cm-3より低い不純物濃度を再現性よく達成
することは困難である。あえて製作すれば、ばら
つきが大きくなり好ましくない。従つてＩ型半導
体層の不純物濃度は５×1012cm-3以上とすること
が好ましい。このようにした場合、第３図から明
らかなように、Ｉ型半導体層の厚さＷIの上限は
約41μｍとなる。
（Ｉ型半導体層）は通常、エピタキシヤル成長法
によつて形成されるのであるが、この方法で約５
×1012cm-3より低い不純物濃度を再現性よく達成
することは困難である。あえて製作すれば、ばら
つきが大きくなり好ましくない。従つてＩ型半導
体層の不純物濃度は５×1012cm-3以上とすること
が好ましい。このようにした場合、第３図から明
らかなように、Ｉ型半導体層の厚さＷIの上限は
約41μｍとなる。
上述の実施例では受光面から見てＮπＰ型構造
のものについて説明したが、本発明はこの構造に
限られず、受光面から見てＮνＰ，ＰνＮ，Ｐπ
Ｎの各構造のものにも適用可能である。
のものについて説明したが、本発明はこの構造に
限られず、受光面から見てＮνＰ，ＰνＮ，Ｐπ
Ｎの各構造のものにも適用可能である。
しかしながら、受光面から見てＮπＰあるいは
ＰνＮ構造を採用すれば接合をπ型あるいはν型
半導体層の露出表面から通常の拡散法で形成でき
る。そのために、ＮνＰあるいはＰπＮ構造のよ
うに接合を受光面から深い位置にエピタキシヤル
成長法により形成しなければならないものと比較
して、暗電流が少ない等安定な接合が再現性よく
得られるので好ましい。
ＰνＮ構造を採用すれば接合をπ型あるいはν型
半導体層の露出表面から通常の拡散法で形成でき
る。そのために、ＮνＰあるいはＰπＮ構造のよ
うに接合を受光面から深い位置にエピタキシヤル
成長法により形成しなければならないものと比較
して、暗電流が少ない等安定な接合が再現性よく
得られるので好ましい。
また、上述の実施例ではメサ型フオトダイオー
ドについて説明したが、本発明はこの構造に限ら
れず、種々の形状のものに適用できる。一例とし
て、第４図にプレーナ型フオトダイオードを例示
した。第４図において、第１図と同様な部分は、
第１図における同一の符号で示し、説明は省略す
る。第４図において、１８はＰ+型シリコン領域
であり、Ｎ型層１３とπ型層１２との間の接合の
表面露出部を囲むように形成されている。このＰ
+型シリコン領域１８は、暗電流を低減させる効
果を奏するものである。
ドについて説明したが、本発明はこの構造に限ら
れず、種々の形状のものに適用できる。一例とし
て、第４図にプレーナ型フオトダイオードを例示
した。第４図において、第１図と同様な部分は、
第１図における同一の符号で示し、説明は省略す
る。第４図において、１８はＰ+型シリコン領域
であり、Ｎ型層１３とπ型層１２との間の接合の
表面露出部を囲むように形成されている。このＰ
+型シリコン領域１８は、暗電流を低減させる効
果を奏するものである。
以上詳細に説明したように、本発明によれば数
Ｖの低バイアス電圧下で量子効率および周波数応
答帯域が高くかつ信頼性の優れたフオトダイオー
ドを得ることに効果がある。
Ｖの低バイアス電圧下で量子効率および周波数応
答帯域が高くかつ信頼性の優れたフオトダイオー
ドを得ることに効果がある。
第１図は本発明の一実施例フオトダイオードを
示す断面図、第２図はＩ型半導体層の不純物濃度
とPIN型フオトダイオードの周波数応答帯域との
関係をＩ型半導体層の厚さをパラメータとして示
すグラフ、第３図はＩ型半導体層の不純物濃度と
厚さの組み合わせで本発明範囲にあるものＡと本
発明範囲外のものＢとを示すグラフ、第４図は本
発明の他の実施例フオトダイオードを示す断面図
である。 １１……Ｐ型シリコン層、１２……π型シリコ
ン層、１３……Ｎ型シリコン層、１４……SiO2
膜、１５……反射防止膜、１６，１７……電極、
１８……Ｐ+シリコン領域。
示す断面図、第２図はＩ型半導体層の不純物濃度
とPIN型フオトダイオードの周波数応答帯域との
関係をＩ型半導体層の厚さをパラメータとして示
すグラフ、第３図はＩ型半導体層の不純物濃度と
厚さの組み合わせで本発明範囲にあるものＡと本
発明範囲外のものＢとを示すグラフ、第４図は本
発明の他の実施例フオトダイオードを示す断面図
である。 １１……Ｐ型シリコン層、１２……π型シリコ
ン層、１３……Ｎ型シリコン層、１４……SiO2
膜、１５……反射防止膜、１６，１７……電極、
１８……Ｐ+シリコン領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方導電型の第１のシリコン半導体層と、上
記第１のシリコン半導体層に隣接し上記第１のシ
リコン半導体層よりも低不純物濃度を有する第２
のシリコン半導体層と、上記第２のシリコン半導
体層よりも高不純物濃度を有しその露出表面が受
光面となる第３のシリコン半導体層と、上記第１
のシリコン半導体層の露出表面および上記第３の
シリコン半導体層の露出表面の上記受光面を除く
部分にそれぞれ形成された一対の主電極とを少な
くとも有し、上記第２のシリコン半導体層の厚さ
（ＷIμｍ）を約13μｍないし約41μｍにするとと
もに、上記第２のシリコン半導体層の厚さ（ＷI
μｍ）と不純物濃度（ＮIcm-3）との関係を ＷI≦−34.7logNI＋482.2 とすることにより、上記一対の主電極間に数Ｖ以
下のバイアス電圧を印加したときに上記第２のシ
リコン半導体層全体が空乏化するようにしたこと
を特徴とするフオトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495878A JPS5533031A (en) | 1978-08-30 | 1978-08-30 | Light-detecting semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10495878A JPS5533031A (en) | 1978-08-30 | 1978-08-30 | Light-detecting semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5533031A JPS5533031A (en) | 1980-03-08 |
| JPS6222471B2 true JPS6222471B2 (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=14394597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10495878A Granted JPS5533031A (en) | 1978-08-30 | 1978-08-30 | Light-detecting semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5533031A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4765211B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2011-09-07 | 住友電気工業株式会社 | ｐｉｎ型受光素子 |
| KR100590775B1 (ko) | 2004-12-08 | 2006-06-19 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 발광 소자 |
| EP1820222A1 (en) * | 2004-12-08 | 2007-08-22 | Electronics and Telecommunications Research Institute | Silicon-based light emitting diode |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2252653B1 (ja) * | 1973-11-28 | 1976-10-01 | Thomson Csf | |
| JPS516494A (ja) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd |
-
1978
- 1978-08-30 JP JP10495878A patent/JPS5533031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5533031A (en) | 1980-03-08 |
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