JPS6222652B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6222652B2 JPS6222652B2 JP53014896A JP1489678A JPS6222652B2 JP S6222652 B2 JPS6222652 B2 JP S6222652B2 JP 53014896 A JP53014896 A JP 53014896A JP 1489678 A JP1489678 A JP 1489678A JP S6222652 B2 JPS6222652 B2 JP S6222652B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- microwave
- waveguide
- activated
- supply pipe
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- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被処理物に活性化されたガスを照射し
て種々の処理を行なうのに用いる活性化ガス発生
装置の改良に関する。
て種々の処理を行なうのに用いる活性化ガス発生
装置の改良に関する。
従来、真空放電によるプラズマを利用して生成
され活性化された反応ガスを被処理物に照射して
各種の処理を行なう試みが成されている。従来装
置の例を第１図により説明する。被処理物１１を
載置しパツキン９及びフタ１０により気密を保持
し内部が真空度数Torr以下に減圧される反応器
７があり、排気管７ｂを介して排気装置８が連設
されている。反応器７にはガス供給管７ａと排気
管７ｂとが被処理物１１をはさんで設けられてお
り、ガス供給管７ａには流量調節弁１２を介して
反応ガス源が接続されている。またガス供給管７
ａは導波管５を貫通しており、マイクロ波発振器
１から発生したマイクロ波電力により供給された
反応ガスがプラズマ領域７ｃで活性化される。整
合器４及び摺動短絡板６はマイクロ波電力を効率
良く反応ガスに吸収させるためのものである。パ
ワーモニタ３はマイクロ波電力の吸収具合を検知
するためのもので指示計３ａに吸収具合が指示さ
れる。活性化された反応ガスは排気装置８の方向
に吸引され被処理物１１に当り表面処理が行なわ
れる。
され活性化された反応ガスを被処理物に照射して
各種の処理を行なう試みが成されている。従来装
置の例を第１図により説明する。被処理物１１を
載置しパツキン９及びフタ１０により気密を保持
し内部が真空度数Torr以下に減圧される反応器
７があり、排気管７ｂを介して排気装置８が連設
されている。反応器７にはガス供給管７ａと排気
管７ｂとが被処理物１１をはさんで設けられてお
り、ガス供給管７ａには流量調節弁１２を介して
反応ガス源が接続されている。またガス供給管７
ａは導波管５を貫通しており、マイクロ波発振器
１から発生したマイクロ波電力により供給された
反応ガスがプラズマ領域７ｃで活性化される。整
合器４及び摺動短絡板６はマイクロ波電力を効率
良く反応ガスに吸収させるためのものである。パ
ワーモニタ３はマイクロ波電力の吸収具合を検知
するためのもので指示計３ａに吸収具合が指示さ
れる。活性化された反応ガスは排気装置８の方向
に吸引され被処理物１１に当り表面処理が行なわ
れる。
前述のような従来の装置を使用して導波管５部
でガス供給管７ａ内の反応ガスを活性化して被処
理物１１に当てる場合、供給管の直径には限度が
あつて反応器内への活性化ガス供給量はあまり多
くなく被処理物が小さい場合は比較的均一に処理
されるが、大きい場合には均一処理出来ない。ま
た通常ガス供給管７ａは石英のような活性化ガス
で侵蝕されにくい誘電体で製作するのが一般的で
あるが、これは破損しやすくまた高価である。
でガス供給管７ａ内の反応ガスを活性化して被処
理物１１に当てる場合、供給管の直径には限度が
あつて反応器内への活性化ガス供給量はあまり多
くなく被処理物が小さい場合は比較的均一に処理
されるが、大きい場合には均一処理出来ない。ま
た通常ガス供給管７ａは石英のような活性化ガス
で侵蝕されにくい誘電体で製作するのが一般的で
あるが、これは破損しやすくまた高価である。
さらに、上述した従来の装置は活性化ガス圧力
がおよそ0.5Torr以下になると実験的に電波洩れ
が多くなる欠点も有する。
がおよそ0.5Torr以下になると実験的に電波洩れ
が多くなる欠点も有する。
本発明は、このような欠点を解消するためのも
ので比較的多量の活性化された反応ガスを得るこ
とが可能な活性化ガス発生装置を提供するもので
ある。
ので比較的多量の活性化された反応ガスを得るこ
とが可能な活性化ガス発生装置を提供するもので
ある。
以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明
する。第２図、第３図に示す本発明実施例の装置
は、マイクロ波発振器１０１にて発生したマイク
ロ波電力が発振器保護用アイソレータ１０２、パ
ワーモニタ１０３、整合器１０４、コーナ１０５
を介して給電導波管１０７に伝送される。給電導
波管１０７は矩形をなし、そのＨ（磁界）面１０
７ｂと平行に反応ガスを供給するための導電体製
のガス供給管１０８がＥ（電界）面１０７ａから
中央部まで挿入されている。供給管１０８の他端
には反応ガス供給源１１０が接続されており流量
調節弁１０９により反応ガスの流量が調節できる
よううになつている。給電導波管１０７とコーナ
１０５との間にはマイクロ波電力は通過させるが
気体は通過させない誘電体材料例えばセラミツ
ク、石英などで作られている気密板１０６が気密
に設けられており、もう一方の終端部は真空容器
１１１に接続され気体が流通可能に結合されてい
る。真空容器１１１の入口付近にはマイクロ波を
遮断し気体を通すパンチングメタルのようなシー
ルド板１２１がとりつけられている。容器内には
被処理物１１３を載置するための載置台１１４が
設けられていると共に、真空容器１１１内を排気
するための排気管１１５、排気装置１１６が導波
管と反対側に接続されている。整流板１１２は被
処理物１１３に活性化された反応ガスを均一に照
射するためのものである。
する。第２図、第３図に示す本発明実施例の装置
は、マイクロ波発振器１０１にて発生したマイク
ロ波電力が発振器保護用アイソレータ１０２、パ
ワーモニタ１０３、整合器１０４、コーナ１０５
を介して給電導波管１０７に伝送される。給電導
波管１０７は矩形をなし、そのＨ（磁界）面１０
７ｂと平行に反応ガスを供給するための導電体製
のガス供給管１０８がＥ（電界）面１０７ａから
中央部まで挿入されている。供給管１０８の他端
には反応ガス供給源１１０が接続されており流量
調節弁１０９により反応ガスの流量が調節できる
よううになつている。給電導波管１０７とコーナ
１０５との間にはマイクロ波電力は通過させるが
気体は通過させない誘電体材料例えばセラミツ
ク、石英などで作られている気密板１０６が気密
に設けられており、もう一方の終端部は真空容器
１１１に接続され気体が流通可能に結合されてい
る。真空容器１１１の入口付近にはマイクロ波を
遮断し気体を通すパンチングメタルのようなシー
ルド板１２１がとりつけられている。容器内には
被処理物１１３を載置するための載置台１１４が
設けられていると共に、真空容器１１１内を排気
するための排気管１１５、排気装置１１６が導波
管と反対側に接続されている。整流板１１２は被
処理物１１３に活性化された反応ガスを均一に照
射するためのものである。
さてこのような本発明の装置で、被処理物１１
３を処理する場合、被処理物１１３を載置台１１
４に載置した後排気装置１１６を動作させ真空容
器１１１内を真空度10-1Torr以下に排気する。
その後活性化する反応ガスをガス供給源１１０よ
り送り込み、流量調節弁１０９を調節して給電導
波管１０７及び真空容器１１１内の真空度10〜
10-1Torrにする。こうしてマイクロ波発振器１
０１を動作してマイクロ波電力を発生させ、アイ
ソレータ１０２、パワーモニタ１０３、整合器１
０４、コーナ１０５を介して給電導波管１０７に
伝送し、給電導波管１０７内の反応ガスを活性化
させる。活性化された反応ガスは排気装置１１６
方向へ吸引され、その途中で被処理物１１３に当
り目的の処理がおこなわれる。なお、整合器１０
４を調節してマイクロ波電力を効率良く反応ガス
に吸収させることはいうまでもない。
３を処理する場合、被処理物１１３を載置台１１
４に載置した後排気装置１１６を動作させ真空容
器１１１内を真空度10-1Torr以下に排気する。
その後活性化する反応ガスをガス供給源１１０よ
り送り込み、流量調節弁１０９を調節して給電導
波管１０７及び真空容器１１１内の真空度10〜
10-1Torrにする。こうしてマイクロ波発振器１
０１を動作してマイクロ波電力を発生させ、アイ
ソレータ１０２、パワーモニタ１０３、整合器１
０４、コーナ１０５を介して給電導波管１０７に
伝送し、給電導波管１０７内の反応ガスを活性化
させる。活性化された反応ガスは排気装置１１６
方向へ吸引され、その途中で被処理物１１３に当
り目的の処理がおこなわれる。なお、整合器１０
４を調節してマイクロ波電力を効率良く反応ガス
に吸収させることはいうまでもない。
以上のような本発明の装置を使用すれば、高価
で破損しやすい石英材などを使用することなく反
応ガスを活性化することが出来ると共に、導波管
自体がプラズマ領域を構成するので活性化体積が
大きく、大量の活性化ガスが得られ処理面積の大
きいものの処理に適応できる。そしてガスはマイ
クロ波の伝送方向に沿つて流れるので高電界領域
を確実に通ることとなり、ガス活性化が一層確実
であると共に電波漏洩がない利点を有する。そし
てガス供給管は導波管のＥ面から挿入すれば導波
管内のマイクロ波伝幡に何ら悪影響を与えない。
また供給管は導波管の中央で開口すればTE01モ
ードの場合、電界最大の位置にガスが放出される
ので確実に励起される利点もある。
で破損しやすい石英材などを使用することなく反
応ガスを活性化することが出来ると共に、導波管
自体がプラズマ領域を構成するので活性化体積が
大きく、大量の活性化ガスが得られ処理面積の大
きいものの処理に適応できる。そしてガスはマイ
クロ波の伝送方向に沿つて流れるので高電界領域
を確実に通ることとなり、ガス活性化が一層確実
であると共に電波漏洩がない利点を有する。そし
てガス供給管は導波管のＥ面から挿入すれば導波
管内のマイクロ波伝幡に何ら悪影響を与えない。
また供給管は導波管の中央で開口すればTE01モ
ードの場合、電界最大の位置にガスが放出される
ので確実に励起される利点もある。
なお、給電導波管の先端部形状及び寸法を第４
図のようにマイクロ波使用波長の1/2又はそれ以
下になるようにＨ面１０７ｂの幅寸法ａをテーパ
状に細くして電界を上げることにより効果的に反
応ガスにマイクロ波電力を吸収させても良い。こ
れによつて先端部はカツトオフとなり容器内は無
電界となる。なお、この場合、給電導波管１０７
ａの壁を水、高圧空気などで冷却することが望ま
しい。
図のようにマイクロ波使用波長の1/2又はそれ以
下になるようにＨ面１０７ｂの幅寸法ａをテーパ
状に細くして電界を上げることにより効果的に反
応ガスにマイクロ波電力を吸収させても良い。こ
れによつて先端部はカツトオフとなり容器内は無
電界となる。なお、この場合、給電導波管１０７
ａの壁を水、高圧空気などで冷却することが望ま
しい。
ガス供給管１０８は導波管のＨ面１０７ｂ中央
から挿入してもよく、この場合はガス供給管を誘
電体で形成することが必要である。
から挿入してもよく、この場合はガス供給管を誘
電体で形成することが必要である。
第１図は従来例を示す横断面略図、第２図は本
発明の一実施例を示す横断面略図、第３図は給電
導波管の断面図、第４図は本発明の他の実施例を
示す要部断面図である。 １０……マイクロ波発振器、１０６……気密
板、１０７……給電導波管、１１１……真空容
器、１１３……被処理物、１１６……排気装置、
１１０……ガス供給源。
発明の一実施例を示す横断面略図、第３図は給電
導波管の断面図、第４図は本発明の他の実施例を
示す要部断面図である。 １０……マイクロ波発振器、１０６……気密
板、１０７……給電導波管、１１１……真空容
器、１１３……被処理物、１１６……排気装置、
１１０……ガス供給源。
Claims (1)
- １ マイクロ波発振源と、被処理物を収容し内部
が減圧可能に排気装置が連設されている真空容器
と、前記発振源からマイクロ波電力が導入され終
端部が前記真空容器に連通して設けられた給電導
波管と、前記給電導波管内に供給される反応ガス
と前記マイクロ波電力によりプラズマを発生する
よう前記反応ガスを供給するガス供給管と、前記
ガス供給管から導波管内に反応ガスを供給する位
置と前記マイクロ波発振源との間にマイクロ波電
力を供給するが前記反応ガスを気密に分離する手
段とを具備することを特徴とする活性化ガス発生
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489678A JPS54107875A (en) | 1978-02-14 | 1978-02-14 | Producing apparatus for activated gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489678A JPS54107875A (en) | 1978-02-14 | 1978-02-14 | Producing apparatus for activated gas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54107875A JPS54107875A (en) | 1979-08-24 |
| JPS6222652B2 true JPS6222652B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=11873748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1489678A Granted JPS54107875A (en) | 1978-02-14 | 1978-02-14 | Producing apparatus for activated gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54107875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140513U (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-16 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49111873A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-24 | ||
| JPS5344795B2 (ja) * | 1974-12-18 | 1978-12-01 | ||
| JPS52135878A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Plasma reaction apparatus |
-
1978
- 1978-02-14 JP JP1489678A patent/JPS54107875A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140513U (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54107875A (en) | 1979-08-24 |
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