JPS6222953B2 - - Google Patents
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- JPS6222953B2 JPS6222953B2 JP56185119A JP18511981A JPS6222953B2 JP S6222953 B2 JPS6222953 B2 JP S6222953B2 JP 56185119 A JP56185119 A JP 56185119A JP 18511981 A JP18511981 A JP 18511981A JP S6222953 B2 JPS6222953 B2 JP S6222953B2
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- JP
- Japan
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- glass
- hot isostatic
- powder
- removing adhered
- isostatic press
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱間静水圧プレス処理法、特にガラス
をシール材として用いる前記熱間静水圧プレス処
理法において、処理後に製品に付着したガラスを
除去するための効果的な付着ガラス除去方法に関
する。
をシール材として用いる前記熱間静水圧プレス処
理法において、処理後に製品に付着したガラスを
除去するための効果的な付着ガラス除去方法に関
する。
ガラスをシール材として用いる熱間静水圧プレ
ス（以下、HIPと略記する。）処理法は、異形成
形が可能であること、通常、カプセル材として用
いられる銅、鋼などが使用できない高温下でも充
分HIP可能である等の利点があり、特に地上に比
較的豊富に原料が存在し、高温下で充分な強度を
有し、化学的に安定で熱衝撃にも強いとしてその
開発が望まれているセラミツクスの成形加工法と
して強く実用化が進められており、ガラスカプセ
ル法（特公昭46−2731号公報等参照）、被処理成
形体をガラス粒中に埋設する方法（特開昭55−
89405号公報等参照）等が公知である。しかしな
がらこのHIP処理法は、HIP処理後、製品に該ガ
ラスが不可避的に付着し、しかも強固に付着する
ため除去が困難であることが多い。現在、ハンマ
ー叩打など機械的外力が加えられているが、相当
の力が必要であり、とくに成形体を処理する際に
は成形体表面の凹凸部に付着したガラスの除去は
非常に難しいという欠点がある。とりわけ、ガラ
スカプセルを用いた場合、HIP後の降温過程で成
形体とガラスの熱膨張係数の差で、ガラスが割れ
てはがれ、ガラスの除去は極めて容易との説があ
るが、実際には加圧力によりガラスが却つて成形
体ポアに押し込まれたり、ガラスと被処理粉末で
あるSi3N4などが反応したりすることもあつて除
去は非常に困難であるばかりか、熱膨張係数の差
により成形体の薄肉部や角部が破損することも多
い。とくにこの傾向はシリカガラスの場合には顕
著である。
ス（以下、HIPと略記する。）処理法は、異形成
形が可能であること、通常、カプセル材として用
いられる銅、鋼などが使用できない高温下でも充
分HIP可能である等の利点があり、特に地上に比
較的豊富に原料が存在し、高温下で充分な強度を
有し、化学的に安定で熱衝撃にも強いとしてその
開発が望まれているセラミツクスの成形加工法と
して強く実用化が進められており、ガラスカプセ
ル法（特公昭46−2731号公報等参照）、被処理成
形体をガラス粒中に埋設する方法（特開昭55−
89405号公報等参照）等が公知である。しかしな
がらこのHIP処理法は、HIP処理後、製品に該ガ
ラスが不可避的に付着し、しかも強固に付着する
ため除去が困難であることが多い。現在、ハンマ
ー叩打など機械的外力が加えられているが、相当
の力が必要であり、とくに成形体を処理する際に
は成形体表面の凹凸部に付着したガラスの除去は
非常に難しいという欠点がある。とりわけ、ガラ
スカプセルを用いた場合、HIP後の降温過程で成
形体とガラスの熱膨張係数の差で、ガラスが割れ
てはがれ、ガラスの除去は極めて容易との説があ
るが、実際には加圧力によりガラスが却つて成形
体ポアに押し込まれたり、ガラスと被処理粉末で
あるSi3N4などが反応したりすることもあつて除
去は非常に困難であるばかりか、熱膨張係数の差
により成形体の薄肉部や角部が破損することも多
い。とくにこの傾向はシリカガラスの場合には顕
著である。
勿論、シリカガラスの場合には、冷却速度をコ
ントロールすることによつて結晶化させ、これに
より除去は一応容易となるが、成形体との反応を
伴なう場合には、成形体表面から0.1〜0.2mmは結
晶化しないことが多く、このガラス層の除去は前
記同様困難である。
ントロールすることによつて結晶化させ、これに
より除去は一応容易となるが、成形体との反応を
伴なう場合には、成形体表面から0.1〜0.2mmは結
晶化しないことが多く、このガラス層の除去は前
記同様困難である。
本発明は上述の如き実状に即応し、それら従前
の欠点を排除すべく、ガラスシール材に圧力媒体
ガスが溶け込む材料を選定し、HIP処理後の製品
付着ガラスを容易に除去し得る手段を提供せんと
するもので、前記ガラス材料として硼珪酸ガラス
を使用し、HIP処理による成形体の焼結が終了し
た後、ガラスに溶解した圧力媒体を再び気化さ
せ、ガラスを発泡状態となししかる後、該発泡状
態のまま冷却して焼結体表面に付着した発泡ガラ
スを除去することを特徴とするものである。
の欠点を排除すべく、ガラスシール材に圧力媒体
ガスが溶け込む材料を選定し、HIP処理後の製品
付着ガラスを容易に除去し得る手段を提供せんと
するもので、前記ガラス材料として硼珪酸ガラス
を使用し、HIP処理による成形体の焼結が終了し
た後、ガラスに溶解した圧力媒体を再び気化さ
せ、ガラスを発泡状態となししかる後、該発泡状
態のまま冷却して焼結体表面に付着した発泡ガラ
スを除去することを特徴とするものである。
ここに前記硼珪酸ガラスは所謂パイレツクスガ
ラスと呼ばれるものであり、その代表的な組成は
SiO280.6％、B2O38.32％、Al2O32.0％、Na2O3.8
％を含む組成である。
ラスと呼ばれるものであり、その代表的な組成は
SiO280.6％、B2O38.32％、Al2O32.0％、Na2O3.8
％を含む組成である。
このガラスはHIP処理の圧力媒体として使用さ
れるAr又はN2ガスが溶け込み、従つて処理後、
発泡状態化が容易であり、かかる圧力媒体が溶け
込む材料をガラスシール材として使用することが
本発明の基本的な特色である。
れるAr又はN2ガスが溶け込み、従つて処理後、
発泡状態化が容易であり、かかる圧力媒体が溶け
込む材料をガラスシール材として使用することが
本発明の基本的な特色である。
シリカガラスの場合にはその除去が困難である
としても、前述した通りであり、本発明を適用す
ることは適当でない。又、バイコールガラスの場
合には本発明同様Arガスを圧力媒体ガスとして
HIPすればArガスが該ガラスに溶け込みHIP処理
後、ガラスに覆われた成形体を大気圧下で加熱す
ると、圧力媒体ガスが気化し、発泡する傾向が認
められるが、発泡させるには1600℃以上に加熱す
る必要があると考えられ、余り工業的ではない。
しかし1600℃以上で加熱し、影響を受けないよう
な成形体の場合には利用することは充分可能であ
る。
としても、前述した通りであり、本発明を適用す
ることは適当でない。又、バイコールガラスの場
合には本発明同様Arガスを圧力媒体ガスとして
HIPすればArガスが該ガラスに溶け込みHIP処理
後、ガラスに覆われた成形体を大気圧下で加熱す
ると、圧力媒体ガスが気化し、発泡する傾向が認
められるが、発泡させるには1600℃以上に加熱す
る必要があると考えられ、余り工業的ではない。
しかし1600℃以上で加熱し、影響を受けないよう
な成形体の場合には利用することは充分可能であ
る。
かくして本発明は、前述の如きパイレツクスガ
ラスを用いて被処理粉末体をHIP処理することか
ら出発する。
ラスを用いて被処理粉末体をHIP処理することか
ら出発する。
本発明方法において処理される被処理粉末は、
金属粉末又はセラミツクス粉末であり、就中、窒
化珪素（Si3N4）、炭化珪素（SiC）、炭化硼素
（B4C）を主成分とするものは、耐熱性材料とし
て好適であり、頗る有用である。
金属粉末又はセラミツクス粉末であり、就中、窒
化珪素（Si3N4）、炭化珪素（SiC）、炭化硼素
（B4C）を主成分とするものは、耐熱性材料とし
て好適であり、頗る有用である。
そして本発明は、これら粉末または焼結助剤を
含む前記粉末を成形した予備成形体又はこれを予
備焼結した予備焼結体をパイレツクスガラスでシ
ールしてHIP処理を行なうものであるが、ガラス
で被覆する手段としては前記粉末成形体を予め容
器状に形成されている所謂HIP用ガラスカプセル
に封入する方法と、ガラス粉粒体中に前記粉末成
形体を埋設してこれをガラスの軟化点以上に加熱
することにより被覆する方法があり、何れの方法
をも使用することができるが、前者の場合には封
入時に残留空気の影響を避けるため脱気密封する
にあたり、脱気部分がカプセル内のみとなるので
脱気が比較的簡単であるのに対し、後者の場合に
は加熱炉内全体を脱気する必要がある点で多少異
なる。しかし何れの場合においてもパイレツクス
ガラスと成形体との反応、ガラスの成形体ポア中
への喰込みを防ぐため離型剤を成形体とガラス界
面に配置することが好ましく、例えばSi3N4の場
合には前記予備成形体又は予備焼結体をBN粉末
中に埋設し、共に加圧成形する。この場合BN離
型剤層の厚さは0.3mm以上とするのが好適であ
る。
含む前記粉末を成形した予備成形体又はこれを予
備焼結した予備焼結体をパイレツクスガラスでシ
ールしてHIP処理を行なうものであるが、ガラス
で被覆する手段としては前記粉末成形体を予め容
器状に形成されている所謂HIP用ガラスカプセル
に封入する方法と、ガラス粉粒体中に前記粉末成
形体を埋設してこれをガラスの軟化点以上に加熱
することにより被覆する方法があり、何れの方法
をも使用することができるが、前者の場合には封
入時に残留空気の影響を避けるため脱気密封する
にあたり、脱気部分がカプセル内のみとなるので
脱気が比較的簡単であるのに対し、後者の場合に
は加熱炉内全体を脱気する必要がある点で多少異
なる。しかし何れの場合においてもパイレツクス
ガラスと成形体との反応、ガラスの成形体ポア中
への喰込みを防ぐため離型剤を成形体とガラス界
面に配置することが好ましく、例えばSi3N4の場
合には前記予備成形体又は予備焼結体をBN粉末
中に埋設し、共に加圧成形する。この場合BN離
型剤層の厚さは0.3mm以上とするのが好適であ
る。
HIP処理は前記のようにして離型剤を介してそ
の全外面をパイレツクスガラスで被覆された成形
体をHIP用高温高圧炉中に装入して行なうがHIP
時におけるガラスの流動によりHIP炉が損傷ある
いは汚染されないようにこれらをルツボに入れて
装入することもある。
の全外面をパイレツクスガラスで被覆された成形
体をHIP用高温高圧炉中に装入して行なうがHIP
時におけるガラスの流動によりHIP炉が損傷ある
いは汚染されないようにこれらをルツボに入れて
装入することもある。
HIP炉内では、通常、Ar、N2ガス等の雰囲気
ガスが一次圧力媒体として送入されており、これ
らガスを昇温昇圧して等方圧縮処理を及ぼすが、
昇温昇圧の関係は極めて微妙であり、昇圧速度が
早すぎるとガラスカプセルの場合には、ガラスに
局部的に歪が生じて破損する場合があり、また、
ガラス粉末粒体を用いる場合にはガラス粉粒体が
相互に融着して前記ブロツク外面に緻密なガラス
層が形成される前に、被処理体内に高圧ガスが侵
入してHIP処理を不可能ならしめる場合がある。
従つて、雰囲気圧力が100気圧以下の状態で先ず
温度をガラスの軟化点以上に昇温してガラスが容
易に塑性流動できるよう様になし且つガラス粉粒
体を用いる場合にはガラス粒子同志が融着してブ
ロツク外周面に緻密なガラス層を形成させてお
き、続いて所定のHIP温度、圧力に昇温昇圧す
る。
ガスが一次圧力媒体として送入されており、これ
らガスを昇温昇圧して等方圧縮処理を及ぼすが、
昇温昇圧の関係は極めて微妙であり、昇圧速度が
早すぎるとガラスカプセルの場合には、ガラスに
局部的に歪が生じて破損する場合があり、また、
ガラス粉末粒体を用いる場合にはガラス粉粒体が
相互に融着して前記ブロツク外面に緻密なガラス
層が形成される前に、被処理体内に高圧ガスが侵
入してHIP処理を不可能ならしめる場合がある。
従つて、雰囲気圧力が100気圧以下の状態で先ず
温度をガラスの軟化点以上に昇温してガラスが容
易に塑性流動できるよう様になし且つガラス粉粒
体を用いる場合にはガラス粒子同志が融着してブ
ロツク外周面に緻密なガラス層を形成させてお
き、続いて所定のHIP温度、圧力に昇温昇圧す
る。
HIP温度としては1500℃以上、好ましくは1600
〜1900℃であるが、HIP温度は当然Si3N4等被処
理粉末の分解温度化下でなければならず、この分
解温度もHIP圧力の上昇と共に高くなるが、少く
ともそのHIP処理時の圧力における分解温度より
も100℃低い温度以下で行うことが好ましい。
〜1900℃であるが、HIP温度は当然Si3N4等被処
理粉末の分解温度化下でなければならず、この分
解温度もHIP圧力の上昇と共に高くなるが、少く
ともそのHIP処理時の圧力における分解温度より
も100℃低い温度以下で行うことが好ましい。
次にHIP圧力は500気圧以上がよく、500気圧以
下ではHIP処理に長時間を要すると共に、Si3N4
等の分解反応量が時間に比例して大きくなるため
焼結体の重量減少を招くのみならず、高密度化自
体が達成し難くなる。従つてHIP圧力は少くとも
500気圧、好ましくは700気圧以上にする。
下ではHIP処理に長時間を要すると共に、Si3N4
等の分解反応量が時間に比例して大きくなるため
焼結体の重量減少を招くのみならず、高密度化自
体が達成し難くなる。従つてHIP圧力は少くとも
500気圧、好ましくは700気圧以上にする。
一方、HIP圧力は高ければ高い程、被処理成形
体の分解反応が抑止され高密度化が達成され易い
が、昇圧に時間がかかり、かつ、昇圧用のコンプ
レツサをはじめ本体圧力容器などHIP処理装置が
大型化するので実用的でなくなる。従つて実用的
には2500気圧までの圧力でHIP処理することが望
ましい。
体の分解反応が抑止され高密度化が達成され易い
が、昇圧に時間がかかり、かつ、昇圧用のコンプ
レツサをはじめ本体圧力容器などHIP処理装置が
大型化するので実用的でなくなる。従つて実用的
には2500気圧までの圧力でHIP処理することが望
ましい。
またHIP処理時間は通常、20分〜５時間の範囲
で処理する。
で処理する。
なお二次圧媒となるBN粉末はHIP処理後、簡
単な手段で容易に除去できる。
単な手段で容易に除去できる。
上記の如くしてHIP処理が施されたSi3N4焼結
体はBNでブロツク化されているから、その表面
にガラスとの反応層が生成することがなく、かつ
被処理体とガラスとの熱膨張係数の差にもとづく
焼結体角部の欠落や亀裂の発生等がなく、相対密
度98％以上の高密度焼結体となる。
体はBNでブロツク化されているから、その表面
にガラスとの反応層が生成することがなく、かつ
被処理体とガラスとの熱膨張係数の差にもとづく
焼結体角部の欠落や亀裂の発生等がなく、相対密
度98％以上の高密度焼結体となる。
ところで、上記の如く、パイレツクスガラスを
用いて、被処理粉末成形体のHIP処理が行われる
が、この場合パイレツクスガラスではArガス等
の圧力媒体ガスが該パイレツクスガラスに溶け込
む傾向が認められる。しかしHIP処理本来の効果
を損なう程のシールの不完全は認められない。
用いて、被処理粉末成形体のHIP処理が行われる
が、この場合パイレツクスガラスではArガス等
の圧力媒体ガスが該パイレツクスガラスに溶け込
む傾向が認められる。しかしHIP処理本来の効果
を損なう程のシールの不完全は認められない。
そこで、この傾向を利用し、本発明は前述した
如く、その要部をなすHIP処理後のガラスシール
の除去を行う。
如く、その要部をなすHIP処理後のガラスシール
の除去を行う。
即ち、上記HIP処理により昇温昇圧した前記被
処理成形体の外面はパイレツクスガラスで覆われ
ているが、この中には圧力媒体ガスが溶け込んで
おり、このガスはその後の機会を得て再び気化さ
れる。気化する機会としては前記HIP装置、即ち
HIP炉内部で高圧のまま冷却を行つて取り出し、
大気圧下、例えば電気炉内等で再び加熱する場
合、HIP処理による焼結終了後、同炉内で高温の
まま圧力を低下させる場合があり、勿論、何れの
場合も同様であるが実用上からは前者の方式が有
利である。
処理成形体の外面はパイレツクスガラスで覆われ
ているが、この中には圧力媒体ガスが溶け込んで
おり、このガスはその後の機会を得て再び気化さ
れる。気化する機会としては前記HIP装置、即ち
HIP炉内部で高圧のまま冷却を行つて取り出し、
大気圧下、例えば電気炉内等で再び加熱する場
合、HIP処理による焼結終了後、同炉内で高温の
まま圧力を低下させる場合があり、勿論、何れの
場合も同様であるが実用上からは前者の方式が有
利である。
前者の場合、再び加熱する場合は取り出したガ
ラスで覆われた成形体を大気圧下で1000℃〜1100
℃位に加熱する。又、後者の場合、圧力の低下に
よる気化の状況を適確に把握する必要があり、こ
れによつて圧力低下度を決める。しかし成形体の
取り出しのためには一且冷却しなければならない
ので、前者より不利を免れない。
ラスで覆われた成形体を大気圧下で1000℃〜1100
℃位に加熱する。又、後者の場合、圧力の低下に
よる気化の状況を適確に把握する必要があり、こ
れによつて圧力低下度を決める。しかし成形体の
取り出しのためには一且冷却しなければならない
ので、前者より不利を免れない。
気化したガスは、これによつてガラスに発泡状
態をもたらし、そのまま冷却すると、小さな機械
的力を加えるだけで容易にガラスを除去すること
が可能となる。
態をもたらし、そのまま冷却すると、小さな機械
的力を加えるだけで容易にガラスを除去すること
が可能となる。
なお、気化の状況によりガラス発泡状態に多少
の変動はあるとしても、発泡状態はガラスに脆化
性を与え、従つてガラスの除去は大した力を要す
ることなくでき、製品の取出しは頗る楽である。
の変動はあるとしても、発泡状態はガラスに脆化
性を与え、従つてガラスの除去は大した力を要す
ることなくでき、製品の取出しは頗る楽である。
かくして本発明方法によれば、従来の懸案の１
つであつたHIP処理後のガラスシール材の除去作
業において、焼結体製品に亀部の欠落や亀裂の発
生などの損傷を与えることなく容易にガラス除去
を可能となし、HIP処理の作業合理化に寄与し、
該処理の工業化推進にその役割が期待されるとこ
ろである。
つであつたHIP処理後のガラスシール材の除去作
業において、焼結体製品に亀部の欠落や亀裂の発
生などの損傷を与えることなく容易にガラス除去
を可能となし、HIP処理の作業合理化に寄与し、
該処理の工業化推進にその役割が期待されるとこ
ろである。
以下、更に本発明方法の具体的実施例を説明す
る。
る。
実施例 １
平均粒径約１μｍ、αの相約70％のSi3N4粉末
を、5000Kgｆ／cm2の圧力で静水圧プレス成形し、
相対密度62％の成形体を得た。この成形体表面に
BNを0.5mmの厚さで塗布し、ゲラフアイトルツボ
中に、パイレツクスガラス粉に埋設して配置し、
HIP装置に挿入した。次いで、脱気しArガスで
HIP装置内を置換した後、10Kgｆ／cm2の圧力で
1200℃に昇温保持し、更に1750℃、1000Kgｆ／cm2
まで昇温昇圧した。HIP処理后、圧力を1000Kg
ｆ／cm2に保持したまま、500℃まで降温し、次い
で減圧し、放冷した。ルツボからガラスに覆われ
た成形体を取り出し、電気炉中で1100℃まで昇温
し、30分保持した後、冷却した。成形体を覆つて
いたガラスは発泡ガラスとなつており、除去は極
めて容易であつた。成形体は、相対密度98.5％の
高密度焼結体となつていた。
を、5000Kgｆ／cm2の圧力で静水圧プレス成形し、
相対密度62％の成形体を得た。この成形体表面に
BNを0.5mmの厚さで塗布し、ゲラフアイトルツボ
中に、パイレツクスガラス粉に埋設して配置し、
HIP装置に挿入した。次いで、脱気しArガスで
HIP装置内を置換した後、10Kgｆ／cm2の圧力で
1200℃に昇温保持し、更に1750℃、1000Kgｆ／cm2
まで昇温昇圧した。HIP処理后、圧力を1000Kg
ｆ／cm2に保持したまま、500℃まで降温し、次い
で減圧し、放冷した。ルツボからガラスに覆われ
た成形体を取り出し、電気炉中で1100℃まで昇温
し、30分保持した後、冷却した。成形体を覆つて
いたガラスは発泡ガラスとなつており、除去は極
めて容易であつた。成形体は、相対密度98.5％の
高密度焼結体となつていた。
実施例 ２
平均粒径約１μｍ、α相約70％のSi3N4粉末
を、5000Kgｆ／cm2の圧力で静水圧プレス成形し、
相対密度62％の成形体を得た。この成形体表面に
BNを0.5mmの厚さで塗布し、ゲラフアイトルツボ
中に、パイレツクスガラス粉に埋設して配置し、
HIP装置に挿入した。次いで、脱気しArラスで
HIP装置内を置換した後、10Kgｆ／cm2の圧力で
1200℃に昇温保持し、更に1750℃、1000Kgｆ／cm2
まで昇温昇圧した。HIP処理后、温度を1100℃ま
で下げた後、圧力を10Kgｆ／cm2まで降圧し、30分
間保持した。成形体を覆つていたガラスは発泡ガ
ラスとなつており、その後、温度を低下させ、成
形体を取り出したがガラスの除去は極めて容易で
あつた。
を、5000Kgｆ／cm2の圧力で静水圧プレス成形し、
相対密度62％の成形体を得た。この成形体表面に
BNを0.5mmの厚さで塗布し、ゲラフアイトルツボ
中に、パイレツクスガラス粉に埋設して配置し、
HIP装置に挿入した。次いで、脱気しArラスで
HIP装置内を置換した後、10Kgｆ／cm2の圧力で
1200℃に昇温保持し、更に1750℃、1000Kgｆ／cm2
まで昇温昇圧した。HIP処理后、温度を1100℃ま
で下げた後、圧力を10Kgｆ／cm2まで降圧し、30分
間保持した。成形体を覆つていたガラスは発泡ガ
ラスとなつており、その後、温度を低下させ、成
形体を取り出したがガラスの除去は極めて容易で
あつた。
成形体は実施例１同様、相対密度98.5％の高密
度焼結体となつていた。
度焼結体となつていた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理粉末成形体をガラスカプセルに封入ま
たはガラス浴中に浸漬した状態で高温下、不活性
ガスを圧力媒体として前記成形体を加圧焼結する
熱間静水圧プレス方法において、前記ガラス材料
として硼珪酸ガラスを用い、熱間静水圧プレス処
理による成形体の焼結体が終了した後、ガラスに
溶解した圧力媒体を再び気化させ、ガラスを発泡
状態となし、しかる後、該発泡状態のまま冷却し
て焼結体表面に付着した発泡ガラスを除去するこ
とを特徴とする熱間静水圧プレスにおける付着ガ
ラス除去方法。 ２ 硼珪酸ガラスがSiO280.6％、B2O38.32％、
Al2O32.0％、Na2O23.8％を含むパイレツクス（登
録商標）ガラスである特許請求の範囲第１項記載
の熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方
法。 ３ 熱間静水圧プレス処理による焼結終了後、同
プレス処理装置の内部で冷却してガラスに覆われ
た成形体を取り出し、以後、再び加熱してガラス
を発泡させる特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方
法。 ４ 熱間静水圧プレス処理による焼結終了後、同
プレス処理装置の内部で高温のまま圧力を低下せ
しめてガラスを発泡させる特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の熱間静水圧プレスにおける付着
ガラス除去方法。 ５ 圧力媒体ガスがArガスである特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の熱間静
水圧プレスにおける付着ガラス除去方法。 ６ 圧力媒体がN2ガスである特許請求の範囲第
１項ないし第４項のいずれかに記載の熱間静水圧
プレスにおける付着ガラス除去方法。 ７ 被処理粉末がセラミツクス粉末である特許請
求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の
熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方法。 ８ 被処理セラミツクス粉末が窒化珪素、炭化珪
素、炭化硼素から選ばれたいずれかを主成分とす
る粉末である特許請求の範囲第７項記載の熱間静
水圧プレスにおける付着ガラス除去方法。 ９ 被処理粉末が金属粉末である特許請求の範囲
第１項ないし第６項のいずれかに記載の熱間静水
圧プレスにおける付着ガラス除去方法。 １０ 被処理粉末成形体と、ガラスの界面に離型
剤を配置する特許請求の範囲第１項ないし第９項
のいずれかに記載の熱間静水圧プレスにおける付
着ガラス除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185119A JPS5888177A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185119A JPS5888177A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888177A JPS5888177A (ja) | 1983-05-26 |
| JPS6222953B2 true JPS6222953B2 (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=16165192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185119A Granted JPS5888177A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888177A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3048281B2 (ja) * | 1992-09-08 | 2000-06-05 | 日本碍子株式会社 | 焼結体の熱間静水圧プレス時に付着するガラスの除去方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1522705A (en) * | 1974-11-11 | 1978-08-23 | Asea Ab | Method of manufacturing bodies of silicon nitride |
| JPS5243761A (en) * | 1975-10-01 | 1977-04-06 | Knudson Gary Art | Device for making seam |
| SE413400B (sv) * | 1978-08-29 | 1980-05-27 | Asea Ab | Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid genom isostatisk pressning av en av kiselnitridpulver forformad kropp med ett gasformigt tryckmedium i ett tryckkerl vid en for sintring av kiselnitriden erforderlig ... |
| SE414921B (sv) * | 1978-12-19 | 1980-08-25 | Asea Ab | Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid eller av ett med kiselnitrid som huvudbestandsdel uppbyggt material |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56185119A patent/JPS5888177A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5888177A (ja) | 1983-05-26 |
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