JPS62229962A - 樹脂封止ハイブリツドｉｃ装置 - Google Patents
樹脂封止ハイブリツドｉｃ装置Info
- Publication number
- JPS62229962A JPS62229962A JP61071011A JP7101186A JPS62229962A JP S62229962 A JPS62229962 A JP S62229962A JP 61071011 A JP61071011 A JP 61071011A JP 7101186 A JP7101186 A JP 7101186A JP S62229962 A JPS62229962 A JP S62229962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- hybrid
- substrate
- viscosity
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ＝ハイブリッド集
積回路））の樹脂封止構造に関するものである。
積回路））の樹脂封止構造に関するものである。
（従来の技術）
従来、ハイブリッドＩＣの樹脂封止構造には、第２図に
示されるように、セラミック基板１上に搭載部品３を載
置し、リード端子２を有するハイブリッドＩＣを樹脂４
に浸漬して封止したするようにしたものや、第３図に示
されるように、前記と同様のハイブリッドＩＣをケース
６に挿入後、樹脂５を充填したものがある。
示されるように、セラミック基板１上に搭載部品３を載
置し、リード端子２を有するハイブリッドＩＣを樹脂４
に浸漬して封止したするようにしたものや、第３図に示
されるように、前記と同様のハイブリッドＩＣをケース
６に挿入後、樹脂５を充填したものがある。
前者の場合は、（１）まず、第４図（ａ）に示されるよ
うに、前記したハイブリッドＩＣを用意し、（２）第４
図（ｂ）に示されるように、樹脂４にそのハイブリッド
ＩＣを一定の場所まで侵清し、（３）第４図（ｃ）に示
されるように、浸漬されたハイブリッドＩＣを引き上げ
た後、樹脂４を硬化させて封止するようにしている。
うに、前記したハイブリッドＩＣを用意し、（２）第４
図（ｂ）に示されるように、樹脂４にそのハイブリッド
ＩＣを一定の場所まで侵清し、（３）第４図（ｃ）に示
されるように、浸漬されたハイブリッドＩＣを引き上げ
た後、樹脂４を硬化させて封止するようにしている。
後者の場合は、（１）まず、第５図（ａ）に示されるよ
うに、樹脂或いは金属で形成したケース６に前記したハ
イブリッドＩＣを位置決めし、（２）第５図（ｂ）に示
されるように、このケース６内にハイブリッドＩＣを挿
入して固定しておき、（３）この状態で、第５図（ｃ）
に示されるように、ディスペンサー或いは樹脂吐出可能
な装置８から樹脂５を吐出して一定量充填し、（４）第
５図（ｄ）に示されるように、その樹脂５を硬化させて
、ケース６とハイブリッドＩＣを一体化することにより
封止するようにしている。
うに、樹脂或いは金属で形成したケース６に前記したハ
イブリッドＩＣを位置決めし、（２）第５図（ｂ）に示
されるように、このケース６内にハイブリッドＩＣを挿
入して固定しておき、（３）この状態で、第５図（ｃ）
に示されるように、ディスペンサー或いは樹脂吐出可能
な装置８から樹脂５を吐出して一定量充填し、（４）第
５図（ｄ）に示されるように、その樹脂５を硬化させて
、ケース６とハイブリッドＩＣを一体化することにより
封止するようにしている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ハイブリッドＩＣを樹脂に浸漬して封止
する方法では、樹脂の粘度変動の管理及び樹脂液面の一
体化が難しく、また、ケースを使用する方法ではケース
に樹脂を充填後、内部に残存する気泡の処理（真空脱泡
等）をしなければならない。このため、ハイブリッドＩ
Ｃの量産に対応する樹脂封止の自動化が困難であった。
する方法では、樹脂の粘度変動の管理及び樹脂液面の一
体化が難しく、また、ケースを使用する方法ではケース
に樹脂を充填後、内部に残存する気泡の処理（真空脱泡
等）をしなければならない。このため、ハイブリッドＩ
Ｃの量産に対応する樹脂封止の自動化が困難であった。
本発明は、上記した樹脂に浸漬して封止する場合に生じ
る粘度及び液面の管理やケースに樹脂を充填して封止す
る場合に生じる気泡の脱泡処理をすることなく量産性に
優れた樹脂封止の自動化が可能な樹脂封止ハイブリッド
ＩＣ装置を提供することを目的とする。
る粘度及び液面の管理やケースに樹脂を充填して封止す
る場合に生じる気泡の脱泡処理をすることなく量産性に
優れた樹脂封止の自動化が可能な樹脂封止ハイブリッド
ＩＣ装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、ハイブリッド
ＩＣの部品搭載側の基板外周部に基板から流出すること
なく、かつ、基板外周部を完全に被うのに適した粘度と
チクソトロビック性の樹脂でダムを形成し、その内側に
低粘度で流動性の樹脂を充填して封止する構造を持つよ
うにしたものである。
ＩＣの部品搭載側の基板外周部に基板から流出すること
なく、かつ、基板外周部を完全に被うのに適した粘度と
チクソトロビック性の樹脂でダムを形成し、その内側に
低粘度で流動性の樹脂を充填して封止する構造を持つよ
うにしたものである。
（作用）
本発明は、ハイブリッドＩＣの部品搭載側（回路形成側
）の基板外周部に、基板から流出することなく、かつ、
基板外周部を完全に被うのに適した粘度とチキソトロピ
ツク性の樹脂、例えば、シリコン樹脂でダムを形成し、
その内側に低粘度で流動性の樹脂、例えば、シリコン樹
脂を充填して封止する構造を有するので、樹脂を吐出す
るディスペンサ等の速度及び吐出量或いは吐出位置を制
御するだけで粘度管理、液面管理の必要もなく、どの様
な形状のハイブリッドＩＣでも量産に適した樹脂封止の
自動化を推進することができる。
）の基板外周部に、基板から流出することなく、かつ、
基板外周部を完全に被うのに適した粘度とチキソトロピ
ツク性の樹脂、例えば、シリコン樹脂でダムを形成し、
その内側に低粘度で流動性の樹脂、例えば、シリコン樹
脂を充填して封止する構造を有するので、樹脂を吐出す
るディスペンサ等の速度及び吐出量或いは吐出位置を制
御するだけで粘度管理、液面管理の必要もなく、どの様
な形状のハイブリッドＩＣでも量産に適した樹脂封止の
自動化を推進することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
本発明の樹脂封止ハイブリッドｔＣ装置は、第１図（ｄ
）に示されるように、ハイブリッドＩＣの部品搭載側（
回路形成側）基板１１の外周部に、基板から流出するこ
となく、かつ、基板１１の外周部を完全に被うのに適し
た粘度とチクソトロビック性を有する樹脂、例えば、シ
リコン樹脂でダム１６を形成し、その内側に低粘度で流
動性の樹脂、例えば、シリコン樹脂１７を充填して封止
するようにしている。
）に示されるように、ハイブリッドＩＣの部品搭載側（
回路形成側）基板１１の外周部に、基板から流出するこ
となく、かつ、基板１１の外周部を完全に被うのに適し
た粘度とチクソトロビック性を有する樹脂、例えば、シ
リコン樹脂でダム１６を形成し、その内側に低粘度で流
動性の樹脂、例えば、シリコン樹脂１７を充填して封止
するようにしている。
以下、第１図に基づいて本発明の実施例を示す樹脂封止
ハイブリッドＩＣ装置の製造方法を説明する。
ハイブリッドＩＣ装置の製造方法を説明する。
（１）Ｘまず、第１図（ａ）に示されるように、セラミ
ック基板１１上に搭載部品１２を！！置し、リード端子
１３を有するハイブリッドＩＣを用意し、そのハイブリ
ッドＩＣの部品搭載側（回路形成側）の基板端面にチク
ソトロピック性の樹脂、例えば、シリコン樹脂１４をデ
ィスペンサ１５等で一定速度で一定量吐出する。
ック基板１１上に搭載部品１２を！！置し、リード端子
１３を有するハイブリッドＩＣを用意し、そのハイブリ
ッドＩＣの部品搭載側（回路形成側）の基板端面にチク
ソトロピック性の樹脂、例えば、シリコン樹脂１４をデ
ィスペンサ１５等で一定速度で一定量吐出する。
（２）そして、この樹脂１４の粘度及びチクソトロピッ
ク性を適切に選択して、第１図（ｂ）に示されるように
、樹脂１４はその特性により基板端面から流出すること
なく、かつ、基板端面を完全に被いながらダム１６を形
成する。
ク性を適切に選択して、第１図（ｂ）に示されるように
、樹脂１４はその特性により基板端面から流出すること
なく、かつ、基板端面を完全に被いながらダム１６を形
成する。
（３）ダム１６を形成後、第１図（ｃ）に示されるよう
に、このダム１６の内部に低粘度で流動性のある樹脂、
例えば、シリコン樹脂１７をディスペンサ１５等で一定
量吐出する。
に、このダム１６の内部に低粘度で流動性のある樹脂、
例えば、シリコン樹脂１７をディスペンサ１５等で一定
量吐出する。
（４） この場合、上記と同様に樹脂の粘度及び流動性
を適切に選択すれば、第１図（ｄ）に示されるように、
樹脂１７は放置しておくだけで搭載部品１２間及び搭載
部品下に流れ込み、搭載部品及び成形回路を完全に被い
封止する。また、基板端面にはダム１６が形成されてい
るため、流動性樹脂が基板外に流れ出すことはない。
を適切に選択すれば、第１図（ｄ）に示されるように、
樹脂１７は放置しておくだけで搭載部品１２間及び搭載
部品下に流れ込み、搭載部品及び成形回路を完全に被い
封止する。また、基板端面にはダム１６が形成されてい
るため、流動性樹脂が基板外に流れ出すことはない。
なお、チキソトロピンク性（チキソトロピーともいう：
岩波理化学辞典、第３版増補版、 ＰＲ２５参照）とは
、単にかきまぜたり、振りまぜたりすることによってゲ
ルが流動性のゾルに変わり、これを放置しておくと再び
ゾルにもどる性質をいい、を３変性ともいう。
岩波理化学辞典、第３版増補版、 ＰＲ２５参照）とは
、単にかきまぜたり、振りまぜたりすることによってゲ
ルが流動性のゾルに変わり、これを放置しておくと再び
ゾルにもどる性質をいい、を３変性ともいう。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ハイブ
リッドＩＣの部品搭載側の基板外周部に基板から流出す
ることなく、かつ、基板外周部を完全に被うのに適した
粘度及びチクソトロピック性を持つ樹脂によりダムを形
成し、該ダムの内部に低粘度で流動性を有する樹脂を充
填するようにしたので、樹脂を吐出するディスペンサ等
の速度及び吐出量或いは吐出位置を制御するだけで粘度
管理、液面管理の必要もなくどの様な形状のハイブリッ
ドｒｃでも量産に適した樹脂封止の自動化を図ることが
できる。また、ダム内部に充填する樹脂の粘度はかなり
低粘度な特性を持つものが使用できるので、搭載部品下
に速やかに浸透させ封止性の向上を図ることができる。
リッドＩＣの部品搭載側の基板外周部に基板から流出す
ることなく、かつ、基板外周部を完全に被うのに適した
粘度及びチクソトロピック性を持つ樹脂によりダムを形
成し、該ダムの内部に低粘度で流動性を有する樹脂を充
填するようにしたので、樹脂を吐出するディスペンサ等
の速度及び吐出量或いは吐出位置を制御するだけで粘度
管理、液面管理の必要もなくどの様な形状のハイブリッ
ドｒｃでも量産に適した樹脂封止の自動化を図ることが
できる。また、ダム内部に充填する樹脂の粘度はかなり
低粘度な特性を持つものが使用できるので、搭載部品下
に速やかに浸透させ封止性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の実施例を示すハイブリッドＩＣ装置の
樹脂封止工程図、第２図は従来の第１の樹脂封止ハイブ
リッドＩＣ装置の断面図、第３図は従来の第２の樹脂封
止ハイブリッドＩＣ装置の断面図、第４図は従来の第１
のハイブリッドＩＣ装置の樹脂封止工程図、第５図は従
来の第２のハイプリントＩＣ装置の樹脂封止工程図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・搭載部品、１３・・・リー
ド端子、１４・・・チクソトロビソク性の樹脂、１５・
・・ディスペンサ、１６・・・ダム、１７・・・低粘度
で流動性のある樹脂。
樹脂封止工程図、第２図は従来の第１の樹脂封止ハイブ
リッドＩＣ装置の断面図、第３図は従来の第２の樹脂封
止ハイブリッドＩＣ装置の断面図、第４図は従来の第１
のハイブリッドＩＣ装置の樹脂封止工程図、第５図は従
来の第２のハイプリントＩＣ装置の樹脂封止工程図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・搭載部品、１３・・・リー
ド端子、１４・・・チクソトロビソク性の樹脂、１５・
・・ディスペンサ、１６・・・ダム、１７・・・低粘度
で流動性のある樹脂。
Claims (1)
- ハイブリッドＩＣの部品搭載側の基板外周部に基板から
流出することなく、かつ、基板外周部を完全に被うのに
適した粘度及びチクソトロピック性を持つ樹脂によりダ
ムを形成し、該ダムの内部に低粘度で流動性を有する樹
脂を充填するようにしたことを特徴とする樹脂封止ハイ
ブリッドＩＣ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071011A JPS62229962A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 樹脂封止ハイブリツドｉｃ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61071011A JPS62229962A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 樹脂封止ハイブリツドｉｃ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229962A true JPS62229962A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13448131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61071011A Pending JPS62229962A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 樹脂封止ハイブリツドｉｃ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773262A2 (en) | 1995-11-08 | 1997-05-14 | Dow Corning Toray Silicone Company, Limited | Two-part curable liquid silicone composition |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61071011A patent/JPS62229962A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773262A2 (en) | 1995-11-08 | 1997-05-14 | Dow Corning Toray Silicone Company, Limited | Two-part curable liquid silicone composition |
| US5708054A (en) * | 1995-11-08 | 1998-01-13 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Two-part curable liquid silicone composition |
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