JPS6223109A - 半導体基板のアニ−ル方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、赤外線ランプを用いた半導体基板のアニール
方法に関するものである。

従来の技術 半導体基板のイオン注入後のアニールとして、アニール
時間で分けると、通常の電気炉を用いたアニール、赤外
線ランプなどのインコヒーレント光を用いたアニールに
大別できる。前者は、アニール時間が、数分から数十分
を要するが、後者は、数秒〜数十秒でよく、イオン注入
不純物の再分布が少なく、期待されているアニール技術
である。

第２図に、赤外線ランプアニール装置を示す。図におい
て、１はタングステンランプ、ハロゲンランプ等の赤外
線ランプで、試料ウェノ・−２は、石英ガラス製のウェ
ハー支持台３に１熱電対モニター４を中心部に設けたＳ
ｉ　　ウニ／・−６に対して、イオン注入面をＳｔ　ウ
ニノー−に対面させておかれている。６は石英ガラス製
のサセプターで、７はガス流入口、８はガス流出口を示
している。

発明が解決しようとする問題点 従来、雰囲気ガスとして、Ｎ２．Ａｒ等が用いられてい
るが、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が大
きく、ウェハー面上のガスの流れが影響して、ウェノ・
−面内の温度不均一を生じ活性化率のバラツキの原因と
なっていた。

問題点を解決するための手段 本発明は、上記の問題に鑑み、雰囲気ガスとして、Ｎ　
２　、　Ａ　ｒに比して熱伝導率の小さいＫｒ（クリプ
トン）を用いることにより、活性化率のバラツキの少な
いアニール方法を提供するものである。

作　　用 雰囲気ガスとして、Ｋｒ　（クリプトン）を用いること
により、赤外線ランプ照射時の雰囲気ガスの温度上昇が
小さく、ウェノ・−面上のガスの流れによる温度不均一
が小さく、活性化率の均一性のすぐれたアニール方法を
得るものである。

実施例 以下、３インチＳｉ　ウェハーに全面にＢを５゜ＫｅＶ
　、　Ｉ　Ｘ　１０　”　’　ｃｍ−２注入した試料に
ついて示す。

第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は、雰囲気ガス
としてそれぞれ、Ｎ２．Ａｒ、Ｋｒを用い、第２図の装
置を用いて、赤外線ランプアニールを行ない、ウェハー
全面のシート抵抗のバラツキを棒グラフで示したもので
ある。アニール条件は、すべて同一で、アニール温度１
０ＱＯ℃、アニール時間１０秒、雰囲気ガスの流量２１
１５＋である。

同図よシ明らかなように、雰囲気ガスとして、本発明の
Ｋｒを用いたものが、一番バラッキが少なく、活性化率
の均一なアニールとなっていることがわかる。

発明の効果 以上述べたように、赤外線ランプアニールにおいて、雰
囲気ガスとして、Ｋｒを用いることにより、その熱伝導
率がＮ２　、　Ａ　ｒに比して小さいので、ガス雰囲気
の温度上昇の影響が小さく非常に均一な活性化率を有す
るアニール方法を得ることがわかる。

以上の説明では、試料としてＳｉ　ウェハーについて述
べたが、Ｇ　ａ　Ａ　ａその他の化合物半導体について
も同様の効果を得ることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｔ　、　（ｂｌ　、　（ｃ）は雰囲気ガスと
して、それぞれＮ　２　、　Ａ　ｒ　＋　Ｋ　ｒを用い
、３インチＳｉ　ウェハー（８５０ＫｅＶ　、　　Ｉ　
Ｘｌ　０　　ｃｍ　　注入）の１０００℃。 １・・・・・・赤外線ランプ、２・・・・・・試料ウェ
ハー。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 （α２ （ｂ）　　　　　　　　　　　　　　シート由（札（Ａ
プ。〕（こン　　　　　　　　　　　　　　、−ト抵帆
（ｎんンシ＋＄　ＪＩＬ（ｎ１０） 第　２　図 ＃１石セニｙ−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板を、クリプトン雰囲気ガス中で赤外線ランプ
   を照射してアニールすることを特徴とする半導体基板の
   アニール方法。