JPS62234301A - 抵抗回路基板の製造法 - Google Patents

抵抗回路基板の製造法

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JPS62234301A
JPS62234301A JP7782086A JP7782086A JPS62234301A JP S62234301 A JPS62234301 A JP S62234301A JP 7782086 A JP7782086 A JP 7782086A JP 7782086 A JP7782086 A JP 7782086A JP S62234301 A JPS62234301 A JP S62234301A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
roughened
circuit board
plating
resistance circuit
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Application number
JP7782086A
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English (en)
Inventor
一泰 皆川
▲つる▼ 義之
岡村 寿郎
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はPtsめっき法によりセラミック泰板上に抵抗
回路を形成する抵抗回路基板の製造法に関する。
(従来の技術) 無1!績めつきにより絶縁基板上に直接抵抗体?少ない
工程でMJ密度に実装する方法が提案されている。
(発明が解決しようとする問題点ン 無電解法によって絶縁基板上に直接抵抗体を形成する方
法は,大量学績,高密度化に通しているが,+1!抵抗
が得られない、密層強度が弱いという問題がある。本発
明は高抵抗で密着強度に優れる抵抗回路基板の製造法ン
促供するものである。
(問題点を解決するための手段ノ アルミナセラミック基板を例えば480へ490℃の溶
融アルカリ中に20分間浸槓することにより,ガラス質
だけでなく個々のアルミナ粒子を粗化し、表面積を粗化
前の基板の5へ20倍に増加させる。
第1図(alはアルミナ基板の粗化前の断面形状を示し
、1はアルミナ粒子、2はガラス質、3は粗化アルミナ
粒子であり、第1u(brは粗化後の断面形状ン示す。
この表面形状によつてめっき皮膜の密着力を強化させ、
また無電解めっきY(115〜(15,canの範囲で
行なえば、粗化なし基板に比べてシート抵抗値71.5
〜3倍増加させることができる。
膜厚は重量法で曲[定した値である。
第2図は、めっき抵抗体の(a)平面図、(b)抵抗め
っき部の断面、(C)電極形成部分の形状乞模式的に示
したもので、4は粗化基板、5は抵抗めっき、6は銅め
っきKよる電極である。
(作用) 粗化された表面は被雑な表面形状ンもち、めっき皮膜は
投錨効果によって強固な@着力χ得る。また粗化基板上
のめつき皮膜はある膜厚範囲においては基板形状に沿っ
て析出しているので、抵抗体の長さ方向の笑効長さはみ
かけよりも長(なる。このため、粗化前基板の場合より
も抵抗が大きくなる。
(実施例) アルカリ粗化したアルミナセラミック基板を脱脂、感受
性化、活性化の各処理を施した後。
#、′に解ニッケルめっき浴中に浸漬することによりて
、めっき皮膜を形成する。
無電解ニッケルめっき浴の組成は次の通りである。
塩化ニッケル     30 g/1 次亜リンリントリウム 10 g/l 酢酸ナトリウム    10 g/1 F4−1       5 (HCJで調整)浴温  
 4の、6庇、8■ 以上の条件でめっきし1こ場合、40℃では2分から3
0分、60℃では1分から5分、80℃では30秒から
1分の間のめっき時間で0.15μmからα5μmの膜
厚のめ1き皮膜が得られ、シート抵抗値としては約10
S200Ω/が得られた。膜厚は重量法で測定。
同様の条件で粗化前アルミナセラミックス基板にめっき
した場合、Q15−μmから05μmの膜厚のめっき皮
膜では約5へ20Ω/しか得られなかった。こ八は粗化
基板上に形成した場合の1/!〜1/foである。
(発明の効果) 本方法によnは、絶縁2!l!板上に直媛密看力の強い
皮Paを形成でき、また、皮膜を工(115μmから[
1,5μmの膜厚範囲で粗化なしJk数上に形成し′r
−場合の2倍から10倍のシート抵抗が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(at (blはアルミナ奉板の断面図、第2図
【工抵抗回路基叛ン示すもので、(a)は平面図s (
b九(clは断面図である。 符号の説明 1 アルミナ粒子   2 ガラス質 6 粗化アルミナ粒子  4 粗化基板5 抵抗めっき
     6 銅めっきによるi&、他代理人升埋士 
MRfI!A   軍τ−:(α)N化前      
  (b)粗化後筒2図         51氏抗力
・き6、銅鶴きl;よる電極 =

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、粗化したセラミック基板に、重量法で測定した膜厚
    において0.15μmから0.5μmの範囲に抵抗導体
    回路を無電解めっきにより形成することを特徴とする抵
    抗回路基板の製造法。 2、セラミック基板が、溶融したアルカリによって粗化
    処理されたアルミナセラミック基板である特許請求範囲
    第1項記載の抵抗回路基板の製造法。 3、粗化基板の表面積が粗化前に比べて5倍から20倍
    になっていることを特徴とする特許請求第1項又は第2
    項記載の抵抗回路基板の製造法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01235291A (ja) * 1988-03-15 1989-09-20 Matsushita Electric Works Ltd 抵抗体付セラミック回路板の製法
JPWO2005002303A1 (ja) * 2003-06-30 2006-11-24 イビデン株式会社 プリント配線板

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