JPS6224260A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6224260A JPS6224260A JP60164783A JP16478385A JPS6224260A JP S6224260 A JPS6224260 A JP S6224260A JP 60164783 A JP60164783 A JP 60164783A JP 16478385 A JP16478385 A JP 16478385A JP S6224260 A JPS6224260 A JP S6224260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- divided
- photomask blank
- resist
- original mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、各種のディスプレイ及び半導体集積回路など
の微細加工において利用されるパターン形成方法に関し
、特に、大型のパターンを被転写板に転写するのに有用
なパターン形成方法に関する。
の微細加工において利用されるパターン形成方法に関し
、特に、大型のパターンを被転写板に転写するのに有用
なパターン形成方法に関する。
従来のパターン形成方法として光学式パターンジェネレ
ータを使用する方法が知られている。この光学式パター
ンジェネレータは、キセノンランプなどの光源から発光
する光をコンデンサレンズで集光し、バリアプルアパー
チャを通して拡大（例：５〜１０倍）された矩形を形成
し、この矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：１７
５〜１７１０倍）して、ＸＹステージ上に設置された被
転写板（例ニレジストを塗布したフォトマスクブランク
）に露光する装置である。ここで、バリアプルアパーチ
ャは４枚のブレードで矩形を形成し、向かい合ったブレ
ードの間隔を調整することにより、任意の矩形が得られ
る。そして、ＸＹステージは、光波干渉を利用した測長
機やリニアエンコーダ等の測長機と接続されて、ＸとＹ
の各テーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべきパ
ターンを位置決めする。上記露光後、現像・エツチング
・レジスト剥離の所定の工程を経て、被転写板上にノく
ターンを形成する。
ータを使用する方法が知られている。この光学式パター
ンジェネレータは、キセノンランプなどの光源から発光
する光をコンデンサレンズで集光し、バリアプルアパー
チャを通して拡大（例：５〜１０倍）された矩形を形成
し、この矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：１７
５〜１７１０倍）して、ＸＹステージ上に設置された被
転写板（例ニレジストを塗布したフォトマスクブランク
）に露光する装置である。ここで、バリアプルアパーチ
ャは４枚のブレードで矩形を形成し、向かい合ったブレ
ードの間隔を調整することにより、任意の矩形が得られ
る。そして、ＸＹステージは、光波干渉を利用した測長
機やリニアエンコーダ等の測長機と接続されて、ＸとＹ
の各テーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべきパ
ターンを位置決めする。上記露光後、現像・エツチング
・レジスト剥離の所定の工程を経て、被転写板上にノく
ターンを形成する。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、被転写板上に形成すべきパターン寸法が
大型になった場合、これに見合った測長機の大型化が必
要になり、この大型化に伴って、機械加工精度の限界に
より測長機の精度が低下し、結局パターンの位置決め精
度の低下を余儀なくされる。また、バリアプルアパーチ
ャによる矩形の位置決め精度の低下により解像度が低下
し、更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下してし
まう。
大型になった場合、これに見合った測長機の大型化が必
要になり、この大型化に伴って、機械加工精度の限界に
より測長機の精度が低下し、結局パターンの位置決め精
度の低下を余儀なくされる。また、バリアプルアパーチ
ャによる矩形の位置決め精度の低下により解像度が低下
し、更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下してし
まう。
本発明の目的は、上記した問題点を解決するためになさ
れたものであり、被転写板上に形成すべきパターン寸法
が大型になった場合においても、パターンの位置決め精
度と解像度を高くしたパターン形成方法を提供すること
である。
れたものであり、被転写板上に形成すべきパターン寸法
が大型になった場合においても、パターンの位置決め精
度と解像度を高くしたパターン形成方法を提供すること
である。
このような問題点を解決するため、本発明は、所望のパ
ターンを複数個に分割して分割パターンを形成した原版
マスクを複数個製作し、前記原版マスクの分割パターン
を１個ずつ、レジストを塗布した被転写板の所定位置に
転写して合成することにより、前記所望のパターンを形
成することを特徴とするパターン形成方法である。
ターンを複数個に分割して分割パターンを形成した原版
マスクを複数個製作し、前記原版マスクの分割パターン
を１個ずつ、レジストを塗布した被転写板の所定位置に
転写して合成することにより、前記所望のパターンを形
成することを特徴とするパターン形成方法である。
本発明によれば、所望のパターン寸法が大型であっても
、分割パターンをレジストを塗布した被転写板に転写す
ることから、上述した大型化の弊害を除去し、パターン
の位置決め精度と解像度を良好にすることができる。
、分割パターンをレジストを塗布した被転写板に転写す
ることから、上述した大型化の弊害を除去し、パターン
の位置決め精度と解像度を良好にすることができる。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示すように
フォトマスク１に形成されたＦ字状のパターン２である
。このフォトマスク１は、寸法口 ３２０１Ｉｌｆｆｉ×０．２３ｍｍｔノソータライムカ
ラスかうなる透光性基板上にｃｒとＣｒ×ＯＹからなる
遮光性膜を被着し、フォトリソグラフィ工程を経て、こ
の遮光性膜を選択的にパターン化して、Ｆ字状のパター
ン２を形成したものであり、このパターンエリアは２５
０ｍｍ口である。
フォトマスク１に形成されたＦ字状のパターン２である
。このフォトマスク１は、寸法口 ３２０１Ｉｌｆｆｉ×０．２３ｍｍｔノソータライムカ
ラスかうなる透光性基板上にｃｒとＣｒ×ＯＹからなる
遮光性膜を被着し、フォトリソグラフィ工程を経て、こ
の遮光性膜を選択的にパターン化して、Ｆ字状のパター
ン２を形成したものであり、このパターンエリアは２５
０ｍｍ口である。
このような大型のパターン２は、電子線描画装置でＸＹ
座標のパターンデータ入力操作により４分割され、パタ
ーンデータ上で、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ
）及び（ｄ）にそれぞれ示すような分割パターン３，４
．５及び６を設定し、これ等の分割パターン３〜６のパ
ターンエリア外にアライメントマーク（７，８） 、
（９，１０） 、 （１１，１２）及び、 （１３
，１４）もパターンデータ上で設定する。
座標のパターンデータ入力操作により４分割され、パタ
ーンデータ上で、第３図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ
）及び（ｄ）にそれぞれ示すような分割パターン３，４
．５及び６を設定し、これ等の分割パターン３〜６のパ
ターンエリア外にアライメントマーク（７，８） 、
（９，１０） 、 （１１，１２）及び、 （１３
，１４）もパターンデータ上で設定する。
次に、上記パターンデータの被転写板として、第４図に
示すように透光性基板１５（本例：石英ガラス）上に、
スパッタリング法により成膜した遮・光性膜１６（本例
：Ｃｒ膜、膜厚１００人）と、スピンコータ法により塗
布した電子線ビームポジ型レジスト１７（本例：ＰＢＳ
（チッソ＠製）、膜厚４０００人）を形成してなるフォ
トマスクブランクを４枚用意する。
示すように透光性基板１５（本例：石英ガラス）上に、
スパッタリング法により成膜した遮・光性膜１６（本例
：Ｃｒ膜、膜厚１００人）と、スピンコータ法により塗
布した電子線ビームポジ型レジスト１７（本例：ＰＢＳ
（チッソ＠製）、膜厚４０００人）を形成してなるフォ
トマスクブランクを４枚用意する。
この４枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン３．４．５及
び６とアライメントマーク（７゜８） 、 （９，１
０） 、 （１１，１２）及び（１３，１４）をそれ
ぞれ描画露光し、現像、エツチング及びレジスト除去の
フォトリソグラフィ工程を経て、第３図に示した原版マ
スク１８．１９．２０及び２１を製作する。
子線描画装置内で設定された分割パターン３．４．５及
び６とアライメントマーク（７゜８） 、 （９，１
０） 、 （１１，１２）及び（１３，１４）をそれ
ぞれ描画露光し、現像、エツチング及びレジスト除去の
フォトリソグラフィ工程を経て、第３図に示した原版マ
スク１８．１９．２０及び２１を製作する。
次に、第２図に示した本実施例の所望な大型パターンを
転写する被転写物として、第５図に示すように透光性基
板２２（本例：ソーダライムガラス）上に、スパッタリ
ング法により成膜した遮光性膜 □２３（本例：基
板からＣｒ膜とｃｒｘ ｏＹ膜１合計膜厚 □１
００人）と、ロールコータ法により塗布したポジ型フォ
トレジスト２４（本例： ＡＺ−１３５０（ヘキストｌ
製）、膜厚８０００人）を形成してなるフォトマスクブ
ランク２５を用意し、これを定盤上に真空吸着して固定
する。そして、第３図（ａ）に示した原版マスク１８を
フォトマスクブランク２５上の左側上部の所定位置に密
着固定して、紫外線光を］一方から原版マスク１８を通
してフォトマスクブランク２５のフォトレジスト２４に
露光し、現像、エツチング及びレジスト除去のフォトリ
ソグラフィ工程を経て、 □′第１図（ａ）に示す
ような分割パターン３とアライ □次に、上記分割
パターン３とアライメントマーメントマーク（７，８）
を形成する。
転写する被転写物として、第５図に示すように透光性基
板２２（本例：ソーダライムガラス）上に、スパッタリ
ング法により成膜した遮光性膜 □２３（本例：基
板からＣｒ膜とｃｒｘ ｏＹ膜１合計膜厚 □１
００人）と、ロールコータ法により塗布したポジ型フォ
トレジスト２４（本例： ＡＺ−１３５０（ヘキストｌ
製）、膜厚８０００人）を形成してなるフォトマスクブ
ランク２５を用意し、これを定盤上に真空吸着して固定
する。そして、第３図（ａ）に示した原版マスク１８を
フォトマスクブランク２５上の左側上部の所定位置に密
着固定して、紫外線光を］一方から原版マスク１８を通
してフォトマスクブランク２５のフォトレジスト２４に
露光し、現像、エツチング及びレジスト除去のフォトリ
ソグラフィ工程を経て、 □′第１図（ａ）に示す
ような分割パターン３とアライ □次に、上記分割
パターン３とアライメントマーメントマーク（７，８）
を形成する。
り（７，８）が形成されたフォトマスクブランク２５上
に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３図（ｂ）に
示した原版マスク１９をこのフォトマスクブランク２５
上に設置する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マス
ク１９のアライメントマーク９を形成済のアライメント
マーク７に位置合わせして設置する。そして、原版マス
ク１９をフォトマスクブランク２５上に密着固定して、
前述したと同様のフォトリソグラフィ工程を経て、第１
図（ｂ）に示すような分割パターン４と７ライメントマ
ーク（９゜１０）を形成し、先に形成された分割パター
ン３と今回形成の分割パターン４とで合成パターン２６
を形成する。
に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３図（ｂ）に
示した原版マスク１９をこのフォトマスクブランク２５
上に設置する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マス
ク１９のアライメントマーク９を形成済のアライメント
マーク７に位置合わせして設置する。そして、原版マス
ク１９をフォトマスクブランク２５上に密着固定して、
前述したと同様のフォトリソグラフィ工程を経て、第１
図（ｂ）に示すような分割パターン４と７ライメントマ
ーク（９゜１０）を形成し、先に形成された分割パター
ン３と今回形成の分割パターン４とで合成パターン２６
を形成する。
次に、上記合成パターン２６とアライメントマーク（７
，８＞及び（９，１０）が形成されたフォトマスクブラ
ンク２５上に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３
図（Ｃ）に示した原版マスク２０をこのフォトマスクブ
ランク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通
して、原版マスク２０の７ライメントマーク１１を形成
済のアライメントマーク８に位置合わせして設置する。
，８＞及び（９，１０）が形成されたフォトマスクブラ
ンク２５上に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３
図（Ｃ）に示した原版マスク２０をこのフォトマスクブ
ランク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通
して、原版マスク２０の７ライメントマーク１１を形成
済のアライメントマーク８に位置合わせして設置する。
そして、原版マスク２０をフォトマスクブランク２５上
に密着固定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ
工程を経て、第１図（Ｃ）上に示すような分割パターン
５とアライメントマーク（１１，１２）を形成し、先に
形成された分割パターン３及び４と今回形成の分割パタ
ーン５とで合成パターン２７を形成する。
に密着固定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ
工程を経て、第１図（Ｃ）上に示すような分割パターン
５とアライメントマーク（１１，１２）を形成し、先に
形成された分割パターン３及び４と今回形成の分割パタ
ーン５とで合成パターン２７を形成する。
そして最後に、上記合成パターン２７とアライメントマ
ーク（７，８） 、 （９，１０）及び（１１，１２
）が形成されたフォトマスクブランク２５上に新たにフ
ォトレジスト２４を塗布し、第３図（Ｃ）に示した原版
マスク２１をこのフォトマスクブランク２５上に設置す
る。その際にも、光学顕微鏡を通して、原版マスク２１
のアライメントマーク１３及び１４をそれぞれ形成済の
アライメントマーク１２及び１０に位置合わせして設置
する。そして、原版マスク２１をフォトマスクブランク
２５上に密着固定して、前述したと同様のフォトリソグ
ラフィ工程を経て、第１図（ｄ）に示すような分割パタ
ーン６とアライメントマーク（１３，１４）を形成し、
先に形成された分割パターン３．４及び６とで合成パタ
ーン２８を形成する。
ーク（７，８） 、 （９，１０）及び（１１，１２
）が形成されたフォトマスクブランク２５上に新たにフ
ォトレジスト２４を塗布し、第３図（Ｃ）に示した原版
マスク２１をこのフォトマスクブランク２５上に設置す
る。その際にも、光学顕微鏡を通して、原版マスク２１
のアライメントマーク１３及び１４をそれぞれ形成済の
アライメントマーク１２及び１０に位置合わせして設置
する。そして、原版マスク２１をフォトマスクブランク
２５上に密着固定して、前述したと同様のフォトリソグ
ラフィ工程を経て、第１図（ｄ）に示すような分割パタ
ーン６とアライメントマーク（１３，１４）を形成し、
先に形成された分割パターン３．４及び６とで合成パタ
ーン２８を形成する。
本実施例によれば、パターンの位置決め精度が５１）ｌ
）ＩＩＩ程度の誤差以内に収まり、またパターンの解像
度においてもパターン線幅１μｍまで可能であった。し
たがって、大型パターンに対して高い位置決め精度で、
かつ高解像度のパターンを形成できることが確認された
。
）ＩＩＩ程度の誤差以内に収まり、またパターンの解像
度においてもパターン線幅１μｍまで可能であった。し
たがって、大型パターンに対して高い位置決め精度で、
かつ高解像度のパターンを形成できることが確認された
。
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。
所望のパターン形状についてはＦ字状以外にも任意の形
状でよいことは勿論である。分割パターンの形成手段と
して使用した電子線描画装置の代わり、光学式パターン
ジェネレータや、アートワーク法により拡大パターンを
形成し、リダクションカメラにて縮小し、パターンを得
る方法等を使用してもよい。また分割数については２以
上であれば任意である。アライメントマークについては
、位置合わせ精度が得られるようなマークであれば、そ
の形状は任意であり、その位置もパターンエリア外であ
ればどこでもよいし、更にパターン自体で位置合わせす
ることができれば不要である。被転写板として使用した
フォトマスクブランクについては、透光性基板の材料と
してソーダライムガラスの代わりにアルミノボロシリケ
ートガラスなどの多成分系ガラスや石英ガラス等を使用
してもよく、遮光性膜の材料としてクロムの代わりにタ
ンタル、モリブデン、ニッケル、チタン等の遷移金属元
素や、シリコン及びゲルマニウム等、又はこれ等の合金
や酸化物、窒化物、炭化物、珪化物、硼化物若しくはこ
れ等の混合物（例：窒化炭化物）を単層、複層に積層し
たものでもよく、成膜方法としてスパッタリング法の代
わりに真空蒸着法及びイオンブレーティング法等を使用
してもよい。被転写板はフォトマスクブランクの代わり
にエレクトロ・ルミネセンスなどのディスプレ電極用基
板、半導体基板及び光記録用媒体等でもよく、これ等の
被転写板のレジストとしてはポジ型又はネガ型の７オト
レジスト及び電子線ビームレジストでもよい。また、こ
れ等の被転写板に対する原版マスクの転写方法としては
、密着露先決の他にプロキシミティ露先決、ミラーブロ
ジエクション露先決、１倍投影レンズ露光法等を使用し
てもよい。
状でよいことは勿論である。分割パターンの形成手段と
して使用した電子線描画装置の代わり、光学式パターン
ジェネレータや、アートワーク法により拡大パターンを
形成し、リダクションカメラにて縮小し、パターンを得
る方法等を使用してもよい。また分割数については２以
上であれば任意である。アライメントマークについては
、位置合わせ精度が得られるようなマークであれば、そ
の形状は任意であり、その位置もパターンエリア外であ
ればどこでもよいし、更にパターン自体で位置合わせす
ることができれば不要である。被転写板として使用した
フォトマスクブランクについては、透光性基板の材料と
してソーダライムガラスの代わりにアルミノボロシリケ
ートガラスなどの多成分系ガラスや石英ガラス等を使用
してもよく、遮光性膜の材料としてクロムの代わりにタ
ンタル、モリブデン、ニッケル、チタン等の遷移金属元
素や、シリコン及びゲルマニウム等、又はこれ等の合金
や酸化物、窒化物、炭化物、珪化物、硼化物若しくはこ
れ等の混合物（例：窒化炭化物）を単層、複層に積層し
たものでもよく、成膜方法としてスパッタリング法の代
わりに真空蒸着法及びイオンブレーティング法等を使用
してもよい。被転写板はフォトマスクブランクの代わり
にエレクトロ・ルミネセンスなどのディスプレ電極用基
板、半導体基板及び光記録用媒体等でもよく、これ等の
被転写板のレジストとしてはポジ型又はネガ型の７オト
レジスト及び電子線ビームレジストでもよい。また、こ
れ等の被転写板に対する原版マスクの転写方法としては
、密着露先決の他にプロキシミティ露先決、ミラーブロ
ジエクション露先決、１倍投影レンズ露光法等を使用し
てもよい。
以上の通り、本発明のパターン形成方法によれば、被転
写板上に形成すべきパターン寸法が大型になっても、そ
のパターンの位置決め精度と解像度を高くすることがで
き、特に大型被転写板のパターン形成において多大なる
価値がある。
写板上に形成すべきパターン寸法が大型になっても、そ
のパターンの位置決め精度と解像度を高くすることがで
き、特に大型被転写板のパターン形成において多大なる
価値がある。
第１図は本発明の実施例における分割パターンの合成工
程を示す正面図、第２図は本発明の実施例における所望
のパターンを示す正面図、第３図は本発明の実施例にお
ける分割パターンが形成された原版マスクを示す正面図
、第４図は第３図に示した原版マスクを製作するための
フォｉ・マスクブランクを示す断面図及び第５図は本発
明の実施例における分割パターンを転写するためのフォ
トマスクブランクを示す断面図である。 １・・・フォトマスク、２・・・所望なパターン、３．
４．５．６・・・分割パターン、２５・・・フォトマス
クブランク（被転写板） 、２６．２７．２８・・・合
成パターン 第２図 （ｃｌ）（ｂ） （ｃ） （ｄ）第４図 第５図 手 続 補 正 ＠ （自発）昭和６０年１
２月 ４日 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１
Ｔ Ｅ Ｌ ０３（９５２）１１５１名称 ホ
− ヤ 株 式 会 社（１）明細書の「発
明の詳細な説明」の欄（２）明細書の「図面の簡単な説
明」の欄５、補正の内容 （１）明細書第４頁第１２行に［０，２３ｍｍ’ Ｊと
あるをｒ ２．３ｎ＋ｍ’ Ｊと補正する。 （２）明細書第５頁第１５行〜第１７行に「設定された
・・・（途中省略）・・・及び（１３，１４） Ｊ ト
あるを［設定された、分割パターン３及びアライメント
マーク（７，８＞と、分割パターン４及びアライメント
マーク（９，１０）と、分割パターン５及びアライメン
トマーク（１１，１２＞と・分割パターン６及びアライ
メントマーク（１３゜１４）と」と補正する。 （３）明細書第８頁第１０行に「第３図（Ｃ）」とある
を「第３図（ｄ）」と補正する。 （４）明Ｉｌｌ書第８頁第２０行に「３．４及び６」と
あるを「３，４及び５」と補正する。 （５）明細書筒１１頁第１１行、第１２行及び第１４行
に「正面図」とあるをそれぞれ「平面図」と補正する。 以上
程を示す正面図、第２図は本発明の実施例における所望
のパターンを示す正面図、第３図は本発明の実施例にお
ける分割パターンが形成された原版マスクを示す正面図
、第４図は第３図に示した原版マスクを製作するための
フォｉ・マスクブランクを示す断面図及び第５図は本発
明の実施例における分割パターンを転写するためのフォ
トマスクブランクを示す断面図である。 １・・・フォトマスク、２・・・所望なパターン、３．
４．５．６・・・分割パターン、２５・・・フォトマス
クブランク（被転写板） 、２６．２７．２８・・・合
成パターン 第２図 （ｃｌ）（ｂ） （ｃ） （ｄ）第４図 第５図 手 続 補 正 ＠ （自発）昭和６０年１
２月 ４日 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１
Ｔ Ｅ Ｌ ０３（９５２）１１５１名称 ホ
− ヤ 株 式 会 社（１）明細書の「発
明の詳細な説明」の欄（２）明細書の「図面の簡単な説
明」の欄５、補正の内容 （１）明細書第４頁第１２行に［０，２３ｍｍ’ Ｊと
あるをｒ ２．３ｎ＋ｍ’ Ｊと補正する。 （２）明細書第５頁第１５行〜第１７行に「設定された
・・・（途中省略）・・・及び（１３，１４） Ｊ ト
あるを［設定された、分割パターン３及びアライメント
マーク（７，８＞と、分割パターン４及びアライメント
マーク（９，１０）と、分割パターン５及びアライメン
トマーク（１１，１２＞と・分割パターン６及びアライ
メントマーク（１３゜１４）と」と補正する。 （３）明細書第８頁第１０行に「第３図（Ｃ）」とある
を「第３図（ｄ）」と補正する。 （４）明Ｉｌｌ書第８頁第２０行に「３．４及び６」と
あるを「３，４及び５」と補正する。 （５）明細書筒１１頁第１１行、第１２行及び第１４行
に「正面図」とあるをそれぞれ「平面図」と補正する。 以上
Claims (1)
- （１）所望のパターンを複数個に分割して分割パターン
を形成した原版マスクを複数個製作し、前記原版マスク
の分割パターンを１個ずつ、レジストを塗布した被転写
板の所定位置に転写して合成することにより、前記所望
のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164783A JPS6224260A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164783A JPS6224260A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224260A true JPS6224260A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15799863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164783A Pending JPS6224260A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224260A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665645A (en) * | 1992-07-02 | 1997-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using reticles |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60164783A patent/JPS6224260A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665645A (en) * | 1992-07-02 | 1997-09-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using reticles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3120474B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US6421111B1 (en) | Multiple image reticle for forming layers | |
| JP2001066757A (ja) | 露光方法 | |
| WO2014127568A1 (zh) | 多膜层基板及其制备方法和显示装置 | |
| WO2019153754A1 (zh) | 相移掩模板的制作方法及相移掩模板 | |
| CN107422611A (zh) | 一种实现asml不同型号光刻机套刻匹配的方法 | |
| CN106997156A (zh) | 在高弧度三维立体上制备高精度线路图形的曝光方法 | |
| US20090311615A1 (en) | Method of photolithographic patterning | |
| JP4029828B2 (ja) | 両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法 | |
| JP7802562B2 (ja) | Ｆｐｄ用のフォトマスク、ｆｐｄ用のフォトマスクにおける位置計測用マークの形成方法及びｆｐｄ用のフォトマスクの製造方法 | |
| KR100273785B1 (ko) | 정합패턴을 갖는 패턴판의 묘화방법 및 그 방법에 의하여 묘화된 패턴판 | |
| JPS6244740A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3120345B2 (ja) | 位相シフトマスク及び半導体装置 | |
| JPS6292439A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| US5665645A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device using reticles | |
| JP3529967B2 (ja) | アライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
| JP2891238B2 (ja) | 拡大投影露光方法及びその装置 | |
| JPS63298347A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6247642A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP5141904B2 (ja) | 両面フォトマスク基板の作製方法 | |
| JP2000305276A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPS62105146A (ja) | 転写マスクとその使用方法 | |
| JPS6275636A (ja) | 転写マスクとパタ−ン形成方法 | |
| JP807H (ja) | マトリクス型表示装置 |