JPS63298347A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種のディスプレイおよび半導体集積回路な
どの微細加工において利用されるパターン形成方法に関
し、特に、大型のパターンを被転写板に転写するのに有
用なパターン形成方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の大型のパターン形成方法として特開昭６２−９２
４３９号公報に記載されているものがある。これについ
て説明する。まず、所望のパターンを複数個に分割して
分割パターンを形成すると共に、前記分割パターンのそ
れぞれのパターン内又はパターン外に原版マスク用アラ
イメントマークをそれぞれ形成した複数個の原版マスク
と、前記原版マスク用アライメントマークに適合して前
記分割パターンから前記所望のパターンを合成する位置
関係にある合成用アライメントマークを形成したアライ
メント用マスクとを製作し、レジストを塗布した被転写
板に前記アライメント用マスクを用い、合成用アライメ
ントマークを被転写板に形成する。

次に、被転写仮に形成された合成用アライメントマーク
に前記原版マスク用アライメントマークを適合させ、前
記原版マスクを通して１個ずつ露光して前記分割パター
ンを転写した後、現像、エツチング、レジスト剥離する
ことにより、前記所望のパターンを形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来のパターン形成方法では、分割パタ
ーンを合成するために合成用アライメントマークに原版
マスク用アライメントマークを適合する際、それらの位
置合わせズレが発生し、さらに原版マスクに歪が発生し
、その結果、合成したパターンの分割境界線上でパター
ンにズレが発生する。すなわち、合成したパターンのつ
なぎ合わせ部（接合部分）にズレが生じてしまう。また
、それぞれとなり合う分割パターンで別々の合成用アラ
イメントマークを使用する場合も同様で、その合成用ア
ライメントマークの位置ズレによりパターンのつなぎ合
わせ部（接合部分）にズレが生じてしまう。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、所望するパターンを複数個に分
割して再度合成する際、パターンのつなぎ合わせ精度を
高くすることのできるパターン形成方法を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明は、所望のパタ
ーンを複数個に分割して分割パターンをそれぞれ形成す
ると共に原版マスク用アライメントマークを分割パター
ンの分割境界線上に実質的に位置するようにそれぞれ形
成した複数個の原版マスクと、原版マスク用アライメン
トマークに適合して分割パターンから所望のパターンを
合成する位置関係にある合成用アライメントマークを形
成したアライメント用マスクとを製作し、レジストを塗
布した被転写板にアライメント用マスクを通して露光し
て合成用アライメントマークを転写した後に、被転写板
を現像し、エツチングし、レジスト剥離することにより
合成用アライメントマークを形成した合成用アライメン
トマーク入り被転写板を製作し、次にレジストを塗布し
た合成用アライメントマーク入り被転写板に転写された
合成用アライメントマークに原版マスク用アライメント
マークを適合させ、原版マスクを通して１個ずつ露光し
て分割パターンを転写した後に合成用アライメントマー
ク入り被転写板を現像し、エツチングし、レジスト剥離
することにより、所望のパターンを形成するようにした
ものである。

〔作用〕

本発明によれば、所望のパターン寸法が大型であっても
、原版マスクを通して被転写板のレジストに分割パター
ンに対応して未露光部分又は露光部分を転写し、次に被
転写板を一括して現像し、エツチングし、レジスト剥離
することから、上述した大型化の弊害を除去し、パター
ンの位置決め精度と解像度を良好にし、更に製造効率を
向上させることができる。なお、原版マスク用アライメ
ントマークは、合成用アライメントマーク入り被転写板
上においてエツチング工程で遮光性膜が除去される部分
に位置するので、合成用アライメントマーク入り被転写
板に転写されない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示すように
、フォトマスク１に形成されたＦ字状の白抜き大型パタ
ーン２である。この白抜き大型パターン２は、遮光性膜
がパターン外側にあって、内側にないものである。この
フォトマスク１は、寸法３８０ｍｍＸ３８０ｍｍＸ３．
０ｍｍｔのソーダライムガラスからなる透光性基板上に
Ｃ「とＣｒ×０７からなる遮光性膜を被着し、フォトリ
ソグラフイエ程を経て、この遮光性膜を選択的にパター
ン化してＦ字状の大型パターン２を形成したものであり
、このパターンエリアＡＲＩは３００ｍｍＸ３００ｍｍ
である。

この所望の大型パターン２は、電子線描画装置でＸＹ座
標のパターンデータ入力操作により４分割され（分割境
界線Ｌｌ、Ｌ２　（一点鎖ｖＡ）で示す）、パターンデ
ータ上で、第３図（ａ）、　（ｂ）、　（Ｃ１および（
ｄ）にそれぞれ示すような分割パターン３，４．５およ
び６を設定し、さらに、第４図に示すように、前述した
電子線描画装置の露光可能領域ＡＲ２内で且つこれらの
分割パターン３〜６の分割境界線Ｌｌ、Ｌ２上に、原版
マスク用アライメントマーク　（７，８）、　　（９，
１０）、　　（１１，１２）および（１３，１４）もパ
ターンデータ上で設定する。

次に、第５図に示すように、原版マスク用アライメント
マーク７〜１４に適合して分割パターン３〜６から所望
の大型パターン２を合成する位置関係にある四角の白抜
きに形成された十字状の合成用アライメントマーク１５
〜１８をパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第６図に
示すように透光性基板１９（例えば石英ガラス）上に、
スパッタリング法により成膜した遮光性膜（例えば膜厚
７００人のＣｒ膜）２０と、スピンコード法により塗布
したポジ型電子線レジスト（例えば膜厚４０００人のＰ
ＢＳ　（チッソ■製））２１を形成してなるフォトマス
クブランクを５枚用意する。なお、上記レジスト２１は
ポジ型であるが、パターンデータを反転させれば、ネガ
型（例えばＣＭＳ−ＥＸ　（ＳＳ）（東洋曹達工業■製
））を使用してもよい。

この５枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン３および原版
マスク用アライメントマーク（７，８）と、分割パター
ン４および原版マスク用アライメントマーク（９，１０
）と、分割パターン５および原版マスク用アライメント
マーク（１１，１２）と、分割パターン６および原版マ
スク用アライメントマーク（１３，１４）と、合成用ア
ライメントマーク１５〜１８とをそれぞれ描画露光し、
専用現像液（例えばＰＢＳ専用デベロッパ（チッソ■製
））を用いて現像し、ポストベークを行なった後、エツ
チング液（例えば硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩
素酸を混合した水溶液）を用いてエツチングを行ない、
次に剥離液（例えば濃硫酸と過酸化水素水との混合液）
を用いてレジスト剥離を行なう所定のフォトリソグラフ
ィ工程を経て、第３図（ａ）、　（ｂｌ、　（Ｃ）およ
び（ｄｌにそれぞれ示した原版マスクＡ、Ｂ、Ｃおよび
Ｄと、第５図に示したアライメント用マスクＥとを製作
する。

次に、第２図に示した本実施例の所望の大型パターン２
を転写する被転写板として、第７図に示すように、透光
性基板（例えば寸法３８０ｍｍｘ３８０ｍｍｘ３．Ｏｍ
ｍｔのソーダライムガラス）２２上に、スパッタリング
法により成膜した遮光性膜（例えば基板２２に被着され
合計膜厚８００人のＣｒ膜とＣｒｘｏＶ膜）２３と、ロ
ールコート法により塗布したポジ型フォトレジスト（例
えば膜厚１００００人のＡＺ−１３５０（ヘキストジャ
バン■製））を形成してなるフォトマスクブランクＦを
用意する。

次に、第５図に示したアライメント用マスクＥをフォト
マスクブランクＦ上の中央部の所定位置に密着固定して
、紫外光を上方からアライメント用マスクＥを通し、こ
のアライメント用マスクＥ以外のエリアをアパーチャに
よって遮光してフォトマスクブランクＦのレジスト２４
に露光し、専用現像液（例えばＡＺ専用デベロッパ（ヘ
キストジャパン側製））を用いて現像し、エツチング液
（例えば硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸を混
合した水溶液）を用いてエツチングを行ない、次に剥離
液（例えば濃硫酸と過酸化水素水との混合液）を用いて
レジスト剥離を行なう所定のフォトリソグラフィ工程を
経て、四角の白抜きに形成された十字状の合成用アライ
メントマーク１５ａ〜１８ａを転写して、第８図に示す
ような合成用アライメントマーク入り被転写板Ｇを製作
する。

次に、この被転写板Ｇ上に前述したポジ型フォトレジス
ト２４と同様のレジストを塗布した後、第３図（ａ）に
示した原版マスクＡを被転写板Ｇ上の左側上部に密着固
定する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マスクＡの
原版マスク用アライメントマーク７．８を被転写板Ｇ上
の合成用アライメントマーク１５ａ、１８ａにそれぞれ
位置合わせして設置する。そして、紫外光を上方から原
版マスクＡを通し、この原版マスクＡ以外のエリアをア
パーチャによって遮光して被転写板Ｇ上のレジストに露
光して、第１図（ａ）に示すようなレジストパターン潜
像付き被転写板Ｈを製作する。この被転写板Ｈには、原
版マスクＡの分割パターン３に対応した分割パターン用
露光部分３ａが転写され、その他のエリアに未露光部分
２５が保持されている。

次に、先の原版マスクＡを取り外して、第３図（ｂ）に
示した原版マスクＢを第１図（ａ）に示した被転写板Ｈ
上の右側上部に設置する。その際にも、光学顕致鏡を通
して、原版マスクＢの原版マスク用アライメントマーク
９，１０を被転写板Ｈ上の合成用アライメントマーク１
５ａ、１６ａにそれぞれ位置合わせして設置する。そし
て、原版マスクＢを被転写板Ｈ上に密着固定して、前述
したと同様に、紫外光を上方から原版マスクＢを通し、
この原版マスクＢ以外のエリアをアパーチャによって遮
光して被転写板Ｈ上の未露光部分２５に露光して、第１
図（ｂｌに示すようなレジストパターン潜像付き被転写
板Ｉを製作する。この被転写板Ｉには、原版マスクＢの
分割パターン４に対応した分割パターン用露光部分４ａ
が新たに転写形成され、先に転写された分割パターン用
露光部分３ａとで合成露光部２６を形成している。なお
、今回と前回露光されなかったエリアは未露光部分２７
として保持される。

次に、先の原版マスクＢを取り外して、第３図（Ｃ）に
示した原版マスクＣを前述した被転写板ｌ上の左側下部
に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原版マ
スクＣの原版マスク用アライメントマーク１１．１２を
被転写板■上の合成用アライメントマーク１８ａ、１７
ａにそれぞれ位置合わせして設置する。そして、原版マ
スクＣを被転写板Ｉ上に密着固定して、前述したと同様
に、紫外光を上方から原版マスクＣを通し、この原版マ
スクＣ以外のエリアをアパーチャによって遮光して被転
写板！上の未露光部分２７に露光して、第１図（Ｃ）に
示すようなレジストパターン潜像付き被転写板Ｊを製作
する。この被転写板Ｊには、原版マスクＣの分割パター
ン５に対応した分割パターン用露光部分５ａが新たに転
写形成され、先に転写された分割パターン用露光部分３
ａおよび４ａと今回転写の分割パターン用露光部分５ａ
とで合成露光部２８を形成している。ここでも、今回ま
でに露光されなかったエリアは未露光部分２９として保
持される。

そして最後に、先の原版マスクＣを取り外して、第３図
（ｄ）に示した原版マスクＤを前述した被転写板Ｊ上の
右側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して
、原版マスクＤの原版マスク用アライメントマーク１３
および１４をそれぞれ被転写板上の合成用アライメント
マーク１６ａおよび１７ａに位置合わせして設置する。

そして、原版マスクＤを被転写板Ｊ上に密着固定して、
前述したと同様に、紫外光を上方から原版マスクＤを通
して、この原版マスクＤ以外のエリアをアパーチャによ
って遮光して被転写板Ｊ上の未露光部分２９に露光して
、第１図（ｄ）に示すようなレジストパターン潜像付き
被転写板Ｋを製作する。この被転写板Ｋには、原版マス
クＤの分割パターン６に対応した分割パターン用露光部
分６ａが新たに転写形成され、先に転写された分割パタ
ーン用露光部分３ａ、４ａおよび５ａと今回転写の分割
パターン用露光部分６ａとで合成露光部３ｏを形成して
いる。ここでも、今回までに露光されなかったエリアは
未露光部分３１として保持される。

なお、第１図（ｂ）〜（ｄＪ中においては、十字状合成
用アライメントマーク１５ａ〜１７ａの回りの正方形状
の枠の図示を省略している。

次に、合成露光部３０が転写された被転写板Ｋを専用現
像液（例えばＡＺ専用デベロッパ（ヘキストジャパン側
型））を用いて現像し、エツチング液（例えば硝酸第２
セリウムアンモニウムと過塩素酸を混合した水溶液）を
用いてエツチングし、次に剥離液（例えば濃硫酸と過酸
化水素水との混合液）を用いてレジスト剥離を行なう所
定のフォトリソグラフィ工程を経て、この合成露光部３
０に対応した、第２図に示したと同様な所望の白抜き大
型パターン２が形成される。なお、第１図（ｄ）に示し
た合成露光部３０内のレジストの下にある合成用アライ
メントマーク１５ａ〜１８ａは上記エツチング時に除去
される。

なお、第゛１図に示した合成露光部２６．２８゜３０に
おいて、電子線描画装置のパターンデータ上の処理によ
って、一方の分割パターン用露光部分の接合部分（例え
ば第１図（ｂ）に示した分割パターン用露光部分３ａの
接合部分）を他方の分割パターン用露光部分（例えば分
割パターン用露光部分４ａ）のエリア内側に延長して二
重露光をすれば、合成露光部（合成露光部２６）内の接
合部分の露光不測を防止し、前述したフォ・トリソゲラ
フイエ程を経て、白抜き大型パターン２を形成した場合
、その白抜き大型パターン２内で接合部分の細線状遮光
性膜の発生を防止することができる。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図に示した
ように白抜きパターンであったが、逆に遮光性膜がパタ
ーンの内側にあって外側にない、いわゆる遮光性膜パタ
ーンについても本発明は実施可能である。この遮光性膜
パターンの実施例については第６図、第７図および第９
図〜第１４図を参照して説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第１０図に示すよう
に、フォトマスクＭに形成されたＦ字状の遮光性膜大型
パターン３５であり、遮光性膜がパターンの内側にあっ
て外側にないこと以外については第２図に示したものと
同様である。

このような大型パターン３５も、前実施例と同様に電子
線描画装置でＸＹ座標のパターンデータ入力操作により
４分割され、パターンデータ上で第１１図（ａ）、　（
ｂ）、　（Ｃ）および（ｄ）にそれぞれ示すような分割
パターン３６．３７．３８および３９を設定し、さらに
、第１２図に示すように、前述した電子線描画装置の露
光可能領域ＡＲ２で且つこれらの分割パターン３６〜３
９のパターン外の分割境界線ＬＬ、Ｌ２上に十字状の原
版マスク用アライメントマーク４０〜４３もパターンデ
ータ上で設定する。なお、分割パターン３６，３７．３
８および３９の周辺部にあって、所望の大型パターン３
５のパターンエリア内にそれぞれ二重露光防止用の遮光
パターン４４．４５．４６および４７も同様にパターン
データ上で設定する。

次に、第１３図に示すように、原版マスク用アライメン
トマーク４０〜４３に適合して分割パターン３６〜３９
から所望の大型パターン３５を合成する位置関係にある
白抜き十字状の合成用アライメントマーク４０ａ〜４３
ａをパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第６図に
示したと同様なフォトマスクブランクを５枚用意する。

このフォトマスクブランク上に塗布されたレジスト２１
は、前実施例と同様ポジ型であるが、パターンデータの
反転を行なえば、ネガ型であってもよい。

この５枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された、分割パターン３６．遮光
パターン４４および原版マスク用アライメントマーク（
４０，４３）と、分割パターン３７．遮光パターン４５
および原版マスク用アライメントマーク（４０，４１）
と、分割パターン３８．遮光パターン４２および原版マ
スク用アライメントマーク（４２，４３）と、分割パタ
ーン３９．遮光パターン４７および原版マスク用アライ
メントマーク（４１，４２）と、合成用アライメントマ
ーク４０ａ〜４３ａとをそれぞれ描画露光し、前実施例
の原版マスクおよびアライメント用マスク製作と同様、
所定のフォトリソグラフィ工程を経て、第１１図に示し
た原版マスクＰ、　Ｑ、　ＲおよびＳと、第１３図に示
したアライメント用マスクＴとを製作する。

次に、第１０図に示した本実施例の所望の大型パターン
３５を転写する被転写板として、前実施例と同様、第７
図に示したフォトマスクブランクＦを用意する。そして
、第１３図に示したアライメント用マスクＴをフォトマ
スクブランクＦ上の中央部の所定位置に密着固定して、
紫外光を上方からアライメント用マスクＴを通し、この
アライメント用マスクＴ以外のエリアをアパーチャによ
って遮光してフォトマスクブランクＦのポジ型フォトレ
ジスト２４に露光し、前実施例の合成用アライメントマ
ークの転写形成と同様、所定のフォトリソグラフィ工程
を経て、白抜き十字状の合成用アライメントマーク４０
ａ〜４３ａを転写して、第１４図に示すような合成用ア
ライメントマーク入り被転写板Ｕを製作する。

次に、この被転写板Ｕ上に前述したポジ型フォトレジス
ト２４と同様のレジストを塗布した後、第１１図（ａｌ
に示した原版マスクＰを被転写板Ｕ上の左側上部に密着
固定する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マスクＰ
の原版マスク用アライメントマーク４０．４３を被転写
板Ｕ上の合成用アライメントマーク４０ａ、４３ａにそ
れぞれ位置合わせして設置する。そして、紫外光を上方
から原版マスクＰを通し、この原版マスクＰ以外のエリ
アをアパーチャによって遮光して被転写板Ｕ上のレジス
トに露光して、第９図（ａｌに示すようなレジストパタ
ーン潜像付き被転写板Ｖを製作する。

この被転写板Ｖには、原版マスクＰの分割パターン３６
と遮光パターン４４にそれぞれ対応した分割パターン用
未露光部分３６ａと二重露光防止用未露光部分４４ａが
転写され、その他に、原版マスクＰの透光による露光部
分４８と、原版マスクＰ以外のエリアの遮光手段による
未露光部分４９とが転写されている。

次に、先の原版マスクＰを取り外して、第１１図世）に
示した原版マスクＱを第９図（ａ）に示した被転写板Ｖ
上の右側上部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通
して、原版マスクＱの原版マスク用アライメントマーク
４０．４１を被転写板Ｖ上の合成用アライメントマーク
４０ａ、４１ａにそれぞれ位置合わせして設置する。そ
して、原版マスクＱを被転写板Ｖ上に密着固定して、前
述したと同様に紫外光を上方から原版マスクＱを通し、
この原版マスクＱ以外のエリアをアパーチャによって遮
光して被転写板Ｖ上の未露光部分４９に露光して、第９
図（ｂ）に示すようなレジストパターン潜像付き被転写
板Ｗを製作する。この被転写板Ｗには、原版マスクＱの
分割パターン３７と遮光パターン４５にそれぞれ対応し
た分割パターン用未露光部分３７ａと二重露光防止用未
露光部分４５ａが転写され、その他に、原版マスクＱの
透光による露光部分５０と、原版マスクＱ以外のエリア
の遮光手段による未露光部分５１とが転写されている。

そして、今回転写した分割パターン用未露光部分３７ａ
と転写済の分割パターン用未露光部分３６ａとで合成未
露光部５２を形成する。ここで、二重露光防止用未露光
部分４４ａ、４５ａと原版マスクＱ以外のエリアの遮光
手段とは、合成未露光部５２の接合部５３と、その合成
未露光部５２の輪郭部分とに二重露光を防止して、パタ
ーン精度を向上させるために有効に作用する。

次に、先の原版マスクＱを取り外して、第１１図（Ｃ）
に示した原版マスクＲをこの被転写板Ｗ上の左側下部に
設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原版マス
クＲの原版マスク用アライメントマーク４２．４３を被
転写板Ｗ上の合成用アライメントマーク４２ａ、４３ａ
にそれぞれ位置合わせして設置する。そして、原版マス
クＲを被転写板Ｗ上に密着固定して、前述したと同様に
紫外光を上方から原版マスクＲを通し、この原版マスク
Ｒ以外のエリアをアパーチャによって遮光して、被転写
板Ｗ上の未露光部分５１に露光して、第９図（Ｃ１に示
すようなレジストパターン潜像付き被転写板Ｘを製作す
る。この被転写板Ｘには、原版マスクＲの分割パターン
３８と遮光パターン４６にそれぞれ対応した分割パター
ン用未露光部分３８ａと二重露光防止用未露光部分４６
ａとが転写され、その他に、原版マスクＲの透光による
露光部分５４と、原版マスクＲ以外のエリアの遮光手段
による未露光部分５５とが転写されている。そして、今
回転写した分割パターン用未露光部分３８ａと転写済み
の分割パターン用未露光部分３６ａ、３７ａとで合成未
露光部５６を形成する。ここでも、二重露光防止用未露
光部分４４ａ、４５ａ、４６ａと原版マスクＲ以外のエ
リアの遮光手段とは、分割パターン用未露光部分３６ａ
と３８ａの接合部５７と、合成未露光部５６の輪郭部分
とに二重露光を防止して、パターン精度を向上させるた
めに有効に作用する。

そして最後に、先の原版マスクＲを取り外して、第１１
図（ｄ）に示した原版マスクＳをこの被転写板Ｘ上の右
側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、
原版マスクＳの原版マスク用アライメントマーク４１お
よび４２をそれぞれ被転写板Ｘ上の合成用アライメント
マーク４１ａおよび４２ａに位置合わせして設置する。

そして、原版マスクＳを被転写板Ｘ上に密着固定して、
前述したと同様に紫外光を上方から原版マスクＳを通し
、この原版マスクＳ以外のエリアをアパーチャによって
遮光して、被転写板Ｘ上の未露光部分５５に露光して、
第９図（ｄ）に示すようなレジストパターン潜像付き被
転写板Ｙを製作する。この被転写板Ｙには、原版マスク
Ｓの分割パターン３９と遮光パターン４７にそれぞれ対
応した分割パターン用未露光部分３９ａと二重露光防止
用未露光部分４７ａとが転写され、その他に、原版マス
クＳの透光による露光部分５８も転写されている。そし
て、今回転写した分割パターン用未露光部分３９ａと転
写済みの分割パターン用未露光部分３６ａ、’３７ａ、
３８ａとで合成未露光部５９を形成する。

ここでも、二重露光防止用未露光部分４４ａ、４５　ａ
、　　４６　ａ、　　４７　ａと原版マスクＳ以外のエ
リアの遮光手段とは、分割パターン用未露光部分３７ａ
（下側）および３８ａと３９ａとの接合部６０と、合成
未露光部５９の輪郭部分とに二重露光を防止して、パタ
ーン精度を向上させるために有効に作用する。

次に、合成未露光部５９が転写された被転写板Ｙに前実
施例の露光後のフォトリソグラフィ工程と同様に現像、
エツチングおよびレジスト剥離の各工程を施し、この合
成未露光部５９と対応した、第１０図に示したと同様な
所望の遮光性膜大型パターン３５を形成する。なお、第
９図（ｄ）に示した露光部４８．５０．５４．５８のレ
ジストの下にある合成用アライメントマーク４０ａ〜４
３ａは、上記エツチング時に除去される。

前述した実施例によれば、パターンのつなぎ合わせ精度
は、従来約２μｍであったものが、０．５μｍ程度以内
に収まり、精度の高い大型パターンを形成することが確
認された。なお、解像度・製造効率等については従来と
同様の性能を保持できた。

本発明は、前述の実施例に限定されるものではない。所
望のパターン形状についてはＦ字状以外にも任意の形状
でよいことは勿論である。

また、分割パターンの形成手段として使用した電子線描
画装置に代わり、光学式パターンジェネレータや、アー
トワーク法により拡大パターンを形成し、リダクション
カメラにて縮小し、パターンを得る方法等を使用しても
よい。また分割数については２以上であれば任意である
。原版マスク用および合成用アライメントマークについ
ては、位置合わせ精度が得られるようなマークであれば
、形状および数は任意で、分割の境界線上で且つ分割パ
ターンを形成する電子線描画装置等の露光装置の露光可
能領域内であれば、その位置も任意である。

被転写板として使用したフォトマスクブランクについて
は、透光性基板の材料としてソーダライムガラスの代わ
りにアルミノボロシリケートガラスなどの多成分系ガラ
スや石英ガラス等を使用してもよく、遮光性膜の材料と
してクロムの代わりにタンタル、モリブデン、ニッケル
、チタン等の遷移金属元素や、シリコンおよびゲルマニ
ウム等又はこれらの合金や酸化物、窒化物、炭化物、珪
化物、硼化物又はこれらの混合物（例えば窒化炭化物）
を単層、複層に積層したものでもよく、成膜方法として
スパッタリング法の代わりに真空蒸着法およびイオンブ
レーティング法等を使用してもよい・被転写板はフォト
マスクブランクの代わりにエレクトロ・ルミネセンスな
どのディスプレイ電極用基板、半導体基板および光記録
用媒体等でもよく、これらの被転写板のレジストとして
はポジ型又はネガ型のフォトレジストおよび電子線レジ
ストでもよい。また、これらの被転写板に対する原版マ
スクの転写方法としては、密着露光法の他にプロキシミ
ティ露光法、ミラーブロジェクシジン露光法、１倍投影
レンズ露光法等を使用してもよい。

原版マスク用アライメントマークおよび合成用アライメ
ントマークは、分割パターンの分割境界線上に必ずしも
正確に位置せずともよく、所望するパターンのつなぎ合
わせ精度が得られるならば多少（例えば０．２μｍ）そ
の線上からずれていてもよい。すなわち、上記マークは
実質的に分割境界線上に位置して形成されていればよい
。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、所望のパターンを複数個
に分割して分割パターンを形成し、原版マスク用アライ
メントマークを分割パターンの分割境界線上に実質的に
位置するようにそれぞれの原版マスクに形成し、原版マ
スク用アライメントマークに適合して合成用アライメン
トマークを被転写板に形成し、合成用アライメントマー
クに原版マスク用アライメントマークを適合させ、原版
マスクを通して１個ずつ露光して分割パターンを転写し
て所望のパターンを形成することにより、パターンの位
置決め精度に対する原版マスクの歪等の影響を低減でき
るので、被転写板上に形成すべきパターンが大型になっ
ても、そのパターンの位置決め精度を高めることができ
、従って、つなぎ合わせ精度を高めることができる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるパターン形成方法の一実施例に
おける分割パターンの露光転写における合成工程を示す
平面図、第２図は第１図の実施例における所望の大型パ
ターンを示す平面図、第３図は第１図の実施例における
分割パターンが形成された原版マスクを示す平面図、第
４図は第１図の実施例における露光可能領域と原版マス
ク用アライメントマークと所望の大型パターンとを示す
平面図、第５図は第１図の実施例におけるアライメント
用マスクを示す平面図、第６図は第３図に示した原版マ
スクおよび第５図に示したアライメント用マスクを製作
するためのフォトマスクブランクを示す断面図、第７図
は第１図の実施例における分割パターンおよび合成用ア
ライメントマークを転写するためのフォトマスクブラン
クを示す断面図、第８図は第１図の実施例における合成
用アライメントマーク入り被転写板を示す平面図、第９
図は本発明の他の実施例における分割パターンの露光転
写における合成工程を示す平面図、第１θ図は第９図の
実施例における所望の大型パターンを示す平面図、第１
１図は第９図の実施例における分割パターンが形成され
た原版マスクを示す平面図、第１２図は第９図の実施例
における露光可能領域と原版マスク用アライメントマー
クと所望の大型パターンとを示す平面図、第１３図は第
９図の実施例におけるアライメント用マスクを示す平面
図、第１４図は第９図の実施例における合成用アライメ
ントマーク入り被転写板を示す平面図である。 １、Ｍ・・・フォトマスク、２．３５・・・所望の大型
パターン、３〜６．３６〜３９・・・分割パターン、３
ａ〜６ａ・・・転写された分割パターン用露光部分、３
６ａ〜３９ａ・・・転写された分割パターン用未露光部
分、７〜１４．４０〜４３・・・原版マスク用アライメ
ントマーク、１５ａ〜１８ａ、４０ａ〜４３ａ・・・合
成用アライメントマーク、Ａ−Ｄ、Ｐ〜Ｓ・・・原版マ
スク、Ｅ、Ｔ・・・アライメント用マスク、Ｆ・・・フ
ォトマスクブランク（被転写板）、２５゜２７．２９，
３１，４９，５１．５５・・・未露光部分、２６．２８
．３０・・・合成露光部、４４．４５．４６．４７・・
・遮光パターン、４８．５０，５４．５８・・・露光部
分、５２．５６．５９・・・合成未露光部、Ｇ、Ｕ・・
・合成用アライメントマーク入り被転写板、Ｈ，Ｉ、　
　Ｊ、　Ｋ、　Ｖ、　Ｗ、　Ｘ、　Ｙ・・・分割パター
ンを転写した被転写板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 所望のパターンを複数個に分割して分割パターンをそれ
   ぞれ形成すると共に原版マスク用アライメントマークを
   前記分割パターンの分割境界線上に実質的に位置するよ
   うにそれぞれ形成した複数個の原版マスクと、前記原版
   マスク用アライメントマークに適合して前記分割パター
   ンから前記所望のパターンを合成する位置関係にある合
   成用アライメントマークを形成したアライメント用マス
   クとを製作し、レジストを塗布した被転写板に前記アラ
   イメント用マスクを通して露光して前記合成用アライメ
   ントマークを転写した後に、前記被転写板を現像し、エ
   ッチングし、レジスト剥離することにより前記合成用ア
   ライメントマークを形成した合成用アライメントマーク
   入り被転写板を製作し、次にレジストを塗布した前記合
   成用アライメントマーク入り被転写板に転写された前記
   合成用アライメントマークに前記原版マスク用アライメ
   ントマークを適合させ、前記原版マスクを通して１個ず
   つ露光して前記分割パターンを転写した後に前記合成用
   アライメントマーク入り被転写板を現像し、エッチング
   し、レジスト剥離することにより、前記所望のパターン
   を形成することを特徴とするパターン形成方法。