JPS62243207A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62243207A JPS62243207A JP61087315A JP8731586A JPS62243207A JP S62243207 A JPS62243207 A JP S62243207A JP 61087315 A JP61087315 A JP 61087315A JP 8731586 A JP8731586 A JP 8731586A JP S62243207 A JPS62243207 A JP S62243207A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- composition
- dielectric constant
- temperature coefficient
- dielectric
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑに
すぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関する
ものである。
すぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電体磁器組成物に関する
ものである。
従来の技術
従来から温度係数の小さい誘電体が、コンデンサ用素子
として要求され、誘電体磁器組成物として下記のような
系が知られている。
として要求され、誘電体磁器組成物として下記のような
系が知られている。
ＭｇＯ−ＴｉＯ２−Ｃｏｏ系
Ｌａ２Ｏ５−２Ｔｉ０２− ＣａＴｉＯ３−２ＭｇＯ−
ＴｉＯ２系ＴｉＯ２−ＢａＴｉＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌａ
２Ｏ５系５ｒＺｒ０５− ＳｒＯ−Ｎｂ２Ｏ５−ＣａＴ
ｉＯ３系発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの組成は誘電率が低く、又、５ｒＺｒ０
５− ＳｒＯ−Ｎｂ２Ｏ５−Ｃ２ＬＴｉ０５系は良好度
Ｑも悪い。更に、Ｂｉ２Ｏ５を含んでいるものは、積層
セラミックコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いる
ことができないという問題点があった。
ＴｉＯ２系ＴｉＯ２−ＢａＴｉＯ３−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌａ
２Ｏ５系５ｒＺｒ０５− ＳｒＯ−Ｎｂ２Ｏ５−ＣａＴ
ｉＯ３系発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの組成は誘電率が低く、又、５ｒＺｒ０
５− ＳｒＯ−Ｎｂ２Ｏ５−Ｃ２ＬＴｉ０５系は良好度
Ｑも悪い。更に、Ｂｉ２Ｏ５を含んでいるものは、積層
セラミックコンデンサの内部電極として、Ｐｄを用いる
ことができないという問題点があった。
本発明は誘電率が高く、温度係数が小さく、良好度Ｑに
すぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを目
的とするものである。
すぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘電体磁器を得ることを目
的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、一般式％式％
と表わした時、
ただし、ｚ−４−ｙ−）−ｚ＝１．０００〈ｍ≦０．２
５ Ｘ、７．Ｚが以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
るモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを特徴
とする誘電体磁器組成物である。
５ Ｘ、７．Ｚが以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄで囲まれ
るモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを特徴
とする誘電体磁器組成物である。
（以下余 白）
作用
本発明の誘電体磁器組成物により、誘電率が高く温度係
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘
電体磁器を得ることができる。
数が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗が高い誘
電体磁器を得ることができる。
実施例
以下に、具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢにＣｏ、 、 ＴｉＯ
２。
２。
５ｎ０２及びＮｄ２Ｏ５粉末を第１表に示す組成になる
ように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りしたボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、１０
００℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボール
を備えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ
、湿式粉砕した。
ように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りしたボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、１０
００℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボール
を備えたゴム内張りしたボールミルに純水とともに入れ
、湿式粉砕した。
この粉砕物を脱水乾燥した後、粉末にバインダーとして
濃度６チのポリビニールアルコール溶液ヲ９重量％添加
して均質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒
した０整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力１
ｔｏｎ／ａＩ！で直径１５ｍｍ。
濃度６チのポリビニールアルコール溶液ヲ９重量％添加
して均質とした後、３２メツシユのふるいを通して整粒
した０整粒粉体を金型と油圧プレスを用いて成形圧力１
ｔｏｎ／ａＩ！で直径１５ｍｍ。
厚み０．４ｍｔｎに成形し、成形物をジルコニア匣鉢中
に入れ、空気中において第１表に示す温度で２時間焼成
し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。
に入れ、空気中において第１表に示す温度で２時間焼成
し、第１表に示す配合組成の誘電体磁器を得た。
これらの試料の電気特性は、試料の両面に銀電極を焼き
付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７６ムを使用し、測定温度
２６℃、測定電圧’ 、ｏ ｖｒｍｓｔ ｓ測定周波数
Ｉ ＭＨｚによる測定よシ求めた。尚、温度係数は２５
℃に於ける容量値を基準とし、次式により求めた。
付け、誘電率、良好度Ｑ、温度係数はＹＨＰ社製デジタ
ルＬＣＲメータのモデル４２７６ムを使用し、測定温度
２６℃、測定電圧’ 、ｏ ｖｒｍｓｔ ｓ測定周波数
Ｉ ＭＨｚによる測定よシ求めた。尚、温度係数は２５
℃に於ける容量値を基準とし、次式により求めた。
温度係数（ｐｐｍ／ｌ） ＝ （：（０８５℃−Ｇ２６
℃）／（０２５℃×６０）） Ｘ １０６ 絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３２９ムを
使用し測定電圧り、Ｃ，５０Ｖ、測定時間１分間による
測定より求めた。試験結果を第１表に示した。
℃）／（０２５℃×６０）） Ｘ １０６ 絶縁抵抗はＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４３２９ムを
使用し測定電圧り、Ｃ，５０Ｖ、測定時間１分間による
測定より求めた。試験結果を第１表に示した。
（以 下 余 白）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３、ＴｉＯ２。
５ｎ０２ 、 Ｎｄ２Ｏ５、ＭｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ５、Ｆ
ｅＯ、ＮｉＯ、Ｃｏｏ及び５ｉ０２ 粉末を第２表に示
す組成になるように秤量し、それ以後は実施例１の場合
と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体磁器を
得だ。
ｅＯ、ＮｉＯ、Ｃｏｏ及び５ｉ０２ 粉末を第２表に示
す組成になるように秤量し、それ以後は実施例１の場合
と同様に処理して第２表に示す配合組成の誘電体磁器を
得だ。
これらの試料の試験方法は実施例１と同一であり試験結
果を第２表に示す。
果を第２表に示す。
（以 下 余 白）
以上の結果をまとめると以下のようになる。
図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示す三
角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図を参
照しながら説明する。Ａ領域では炉詰困難となり誘電率
、良好塵Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温度係数
が一側に大きくなり過ぎて、実用的でなくなる。Ｃ領域
では温度係数が＋側に大きくなり、誘電率も小さい。Ｄ
領域では焼結が困難となり、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵
抗が低下する。又、０〈ｍ≦ｏ、２６の範囲ではｍを大
きくすると温度係数は＋側に移行し、焼成温度を低下さ
せ、適当な組成を選ぶことによって温度係数ＮＰＯ付近
で誘電率が大きく焼成温度の低い組成が得られる。ｍが
０．２６を越えると誘電率。
角図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を図を参
照しながら説明する。Ａ領域では炉詰困難となり誘電率
、良好塵Ｑ、絶縁抵抗が低下する。Ｂ領域では温度係数
が一側に大きくなり過ぎて、実用的でなくなる。Ｃ領域
では温度係数が＋側に大きくなり、誘電率も小さい。Ｄ
領域では焼結が困難となり、誘電率、良好度Ｑ、絶縁抵
抗が低下する。又、０〈ｍ≦ｏ、２６の範囲ではｍを大
きくすると温度係数は＋側に移行し、焼成温度を低下さ
せ、適当な組成を選ぶことによって温度係数ＮＰＯ付近
で誘電率が大きく焼成温度の低い組成が得られる。ｍが
０．２６を越えると誘電率。
良好度Ｑが低下する。
本発明は更に、−上記主成分に対し、マンガン。
クロム、鉄、ニッケル、コバルト及ヒシリコンの酸化物
からなる群の中から選ばれた少くとも１種を、それぞれ
ＭｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＮｉＯ、Ｃｏｏ及びＳ
ｉ ０２に換算して該主成分の０．０６〜１．００重量
％添加せしめた構成とすることができる。これらの添加
物は磁器の焼結性を向上する効果を有し、その添加量が
Ｏ，ＯＳ重量係未満では添加効果はなく、１．ｏｏ重量
係を越えると誘電率が低下する。
からなる群の中から選ばれた少くとも１種を、それぞれ
ＭｎＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＮｉＯ、Ｃｏｏ及びＳ
ｉ ０２に換算して該主成分の０．０６〜１．００重量
％添加せしめた構成とすることができる。これらの添加
物は磁器の焼結性を向上する効果を有し、その添加量が
Ｏ，ＯＳ重量係未満では添加効果はなく、１．ｏｏ重量
係を越えると誘電率が低下する。
発明の効果
以上のように本発明によれば、誘電率が高く、温度係数
が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電
体磁器が得られる。又、マンガン。
が小さく、良好度Ｑにすぐれ、かつ絶縁抵抗の高い誘電
体磁器が得られる。又、マンガン。
クロム、鉄、ニッケル、コバルト及ヒシリコンの酸化物
の添加により焼成温度を低下させることができる。
の添加により焼成温度を低下させることができる。
更に得られた誘電体磁器は高誘電率であるため、素体を
きわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効で
あり、特に薄層状にして積層セラミックコンデンサ、ハ
イブリット微小回路などの用途に適している。
きわめて小形にすることができ、回路の微小化に有効で
あり、特に薄層状にして積層セラミックコンデンサ、ハ
イブリット微小回路などの用途に適している。
図は本発明にかかる主成分の組成範囲を示す三角図であ
る。
る。
Claims (2)
- （１）一般式 ｘＢａＯ−ｙ〔（ＴｉＯ＿２）＿１＿−＿ｍ（ＳｎＯ＿
２）＿ｍ〕−ｚＮｄ＿２Ｏ＿３と表わした時、 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００ ０＜ｍ≦０．２５） ｘ、ｙ、ｚが以下に表わす各点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、で囲ま
れるモル比の範囲にある組成物を主成分としたことを特
徴とする誘電体磁器組成物。 - （２）マンガン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト及び
シリコンの酸化物からなる群の中から選ばれた少なくと
も１種を、それぞれＭｎＯ＿２、Ｃｒ＿２Ｏ＿５、Ｆｅ
Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ及びＳｉＯ＿２に換算して、主成分
の０．０５乃至１．００重量％添加含有したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087315A JPS62243207A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087315A JPS62243207A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243207A true JPS62243207A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13911407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61087315A Pending JPS62243207A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243207A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165403A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010235327A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010235325A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP61087315A patent/JPS62243207A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165403A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010235327A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010235325A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
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