JPS62243285A - エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 - Google Patents
エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法Info
- Publication number
- JPS62243285A JPS62243285A JP61085309A JP8530986A JPS62243285A JP S62243285 A JPS62243285 A JP S62243285A JP 61085309 A JP61085309 A JP 61085309A JP 8530986 A JP8530986 A JP 8530986A JP S62243285 A JPS62243285 A JP S62243285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strontium
- internal
- sulfur bond
- forming
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は平面ディスプレイ等に使用されるエレクトロル
ミネッセンスパネル及びその形成方法に関するものであ
る。
ミネッセンスパネル及びその形成方法に関するものであ
る。
従来の技術
に来!りエレクトロルミネッセンスノ(ネルはコンピュ
ータ端末や液晶のバックライト等に広く使用されている
。
ータ端末や液晶のバックライト等に広く使用されている
。
これらのエレクトロルミネ・ンセンスノ々ネルはスパッ
タリング法、蒸着法、MOCVD法等によって基板上に
形成されていた。また、スクリーン印刷法等によっても
形成されていた。
タリング法、蒸着法、MOCVD法等によって基板上に
形成されていた。また、スクリーン印刷法等によっても
形成されていた。
発明が解決しようとする問題点
上記のような従来のエレクトロルミネッセンスパネルの
形成方法は、真空容器中で行われるために生産性が悪く
、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高顎の生産
設備を必要とするものであった。また、真空容器の大き
さで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困難であ
る等の問題点を有していた。さらに、スクリーン印刷法
では、生産性が良く、大面積の製造が容易であるが、透
明なエレクトロルミネッセンスパネルを形成できない等
の問題点を有していた。
形成方法は、真空容器中で行われるために生産性が悪く
、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高顎の生産
設備を必要とするものであった。また、真空容器の大き
さで製品の大きさを規定され、大面積の製造が困難であ
る等の問題点を有していた。さらに、スクリーン印刷法
では、生産性が良く、大面積の製造が容易であるが、透
明なエレクトロルミネッセンスパネルを形成できない等
の問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明は、ストロンチウ
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロ
ンチウム化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを
原料として用いてなるものである。また、本発明が上記
問題点を解決するだめの手段は、ストロンチウム−硫黄
結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロンチウム
化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ
内部に有する有機金属化合物と混合したものを基板上に
形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、
あるいは熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形成する
ことである。
ム−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロ
ンチウム化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なく
とも一つ内部に有する有機金属化合物と混合したものを
原料として用いてなるものである。また、本発明が上記
問題点を解決するだめの手段は、ストロンチウム−硫黄
結合を少なくとも一つ内部に有する有機ストロンチウム
化合物にドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ
内部に有する有機金属化合物と混合したものを基板上に
形成し、酸化雰囲気中で熱分解により形成することと、
あるいは熱分解後不活性雰囲気中で焼成により形成する
ことである。
本発明に庚用できるストロンチウム−硫黄結合を少なく
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙けることができる。
とも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物として
は、各種ストロンチウムメルカプチド、各種チオカルボ
ン酸、またはジチオカルボン酸のストロンチウム塩等を
挙けることができる。
ドープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物としては、セリウム等のメルカプチ
ド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。
する有機金属化合物としては、セリウム等のメルカプチ
ド、チオカルボン酸塩、ジチオカルボン酸塩等を挙げる
ことができる。
基板としては、熱分解温度に耐えるものであれば任意に
選ぶことができる。通常熱分解湿度は320〜450’
C程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
選ぶことができる。通常熱分解湿度は320〜450’
C程度であるため、安価なソーダ石灰ガラス等を十分使
用できる。
熱分解は、大気中や酸素雰囲気中等の酸化雰囲気中で行
うことによυ有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム薄膜
が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解
後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
うことによυ有機分である炭素や水素を完全に分解する
ことができる。また、より焼結度を増すために高温に上
げる場合は、酸化雰囲気中では硫化ストロンチウム薄膜
が酸化され、酸化物が含まれた薄膜になるため、熱分解
後不活性雰囲気中で焼成することが有効である。
作用
上記本発明の手段を用いることにより、従来の方法の問
題となっている真空容器を使用せずに、エレクトロルミ
ネッセンスパネルを形成できるため、製造に関して、生
産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うこ
とができ、透明のエレクトロルミネッセンスパネルを形
成できる等の作用がある。
題となっている真空容器を使用せずに、エレクトロルミ
ネッセンスパネルを形成できるため、製造に関して、生
産性の向上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うこ
とができ、透明のエレクトロルミネッセンスパネルを形
成できる等の作用がある。
実施例
以下、実施例により図面を参照しながら本発明を説明す
る。
る。
〈実施例1〉
図に示すように、ストロンチウムラウリルメルカプチド
、セリウムオクチルメルカプチドをテトラリンに混合、
溶解したものを、パイレックスガラス1に透明電極2を
設け、その上に誘電体層3を設けた基板4上にスピナー
にて塗布し、160°Cで乾燥し溶媒を揮散させた後、
大気中で45Q°C11時間熱分解して硫化物5を形成
する。その上に誘電体層6を設け、アルミ電極7を設け
る。
、セリウムオクチルメルカプチドをテトラリンに混合、
溶解したものを、パイレックスガラス1に透明電極2を
設け、その上に誘電体層3を設けた基板4上にスピナー
にて塗布し、160°Cで乾燥し溶媒を揮散させた後、
大気中で45Q°C11時間熱分解して硫化物5を形成
する。その上に誘電体層6を設け、アルミ電極7を設け
る。
そして、透明電極2.アルミ電極7間に交流電圧を印加
した結果、硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
エレクトロルミネッセンスパネル特有の青色の発光が見
られた。
した結果、硫化ストロンチウムにセリウムをドープした
エレクトロルミネッセンスパネル特有の青色の発光が見
られた。
〈実施例2〉
ストロンチウムラウリルメルカプチド、セリウムオクチ
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解したものを、
パイレックスガラスに透明電極を設け、その上に誘電体
層を設けた基板上にスピナーにて塗布し、160°Cで
乾探し溶媒を揮散させた後、大気中で460”C,30
分熱分解する。その後、窒素気流中で650’C,1時
間焼成して硫化物を形成する。そめ上に誘電体層を設け
、アルミ電極を設ける。そして、透明電極、アルミ電極
間に交流電圧を印加した結果、硫化ストロンチウムにセ
リウムをドープしたエレクトロルミネッセンスパネル特
有の青色の発光が見られた。
ルメルカプチドをテトラリンに混合、溶解したものを、
パイレックスガラスに透明電極を設け、その上に誘電体
層を設けた基板上にスピナーにて塗布し、160°Cで
乾探し溶媒を揮散させた後、大気中で460”C,30
分熱分解する。その後、窒素気流中で650’C,1時
間焼成して硫化物を形成する。そめ上に誘電体層を設け
、アルミ電極を設ける。そして、透明電極、アルミ電極
間に交流電圧を印加した結果、硫化ストロンチウムにセ
リウムをドープしたエレクトロルミネッセンスパネル特
有の青色の発光が見られた。
発明の効果
以上のように本発明のエレクトロルミネッセンスパネル
及びその形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少な
くとも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物にド
ープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有す
る有機金属化合物と混合したものを基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、あるいは熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することにより
、スパッタリング法、蒸着法、mocvD法に比較して
、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必要とせ
ず、大面積の製造を容易に行うことができ、また透明な
エレクトロルミネッセンスパネルを形成することができ
、その実用的効果は大なるものがある。
及びその形成方法は、ストロンチウム−硫黄結合を少な
くとも一つ内部に有する有機ストロンチウム化合物にド
ープ剤として硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有す
る有機金属化合物と混合したものを基板上に形成し、酸
化雰囲気中で熱分解により形成することと、あるいは熱
分解後不活性雰囲気中で焼成により形成することにより
、スパッタリング法、蒸着法、mocvD法に比較して
、生産性の向上が計られ、非常に高額の設備を必要とせ
ず、大面積の製造を容易に行うことができ、また透明な
エレクトロルミネッセンスパネルを形成することができ
、その実用的効果は大なるものがある。
図は本発明の実施例によるエレクトロルミネッセンスパ
ネルの構成を示す断面図である。 1・・・・・・パイレックスガラス、2・・・・・・透
明電極、3.6・・・・・・誘電体層、4・・・・・・
基板、6・・・・・・硫化物、7・・・・・・アルミ電
極。
ネルの構成を示す断面図である。 1・・・・・・パイレックスガラス、2・・・・・・透
明電極、3.6・・・・・・誘電体層、4・・・・・・
基板、6・・・・・・硫化物、7・・・・・・アルミ電
極。
Claims (3)
- (1) ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを原料として用いることを特徴とす
るエレクトロルミネッセンスパネル。 - (2) ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解により形成することを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンスパネルの形成方法。 - (3) ストロンチウム−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機ストロンチウム化合物にドープ剤として
硫黄との結合を少なくとも一つ内部に有する有機金属化
合物と混合したものを基板上に形成し、酸化雰囲気中で
熱分解した後、不活性雰囲気中での焼成により形成する
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085309A JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085309A JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243285A true JPS62243285A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13854998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085309A Pending JPS62243285A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
| US8187669B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-05-29 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085309A patent/JPS62243285A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07122365A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
| US8187669B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-05-29 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
| US8231932B2 (en) | 1999-03-29 | 2012-07-31 | Cambridge Display Technology Limited | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
| US9620719B2 (en) | 1999-03-29 | 2017-04-11 | Seiko Epson Corporation | Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2770299B2 (ja) | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット | |
| US5273774A (en) | Method of making zinc sulfide electroluminescent phosphor particles | |
| KR910000408B1 (ko) | 투명도전막의 제조방법 | |
| JPS62243286A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法 | |
| JPS62243287A (ja) | エレクトロルミネッセンスパネルの形成方法 | |
| US5397823A (en) | Functional film-forming paste composition and process for forming functional film | |
| JPH0644514B2 (ja) | 薄膜el素子及びその製造法 | |
| JPH08111178A (ja) | 交流型プラズマディスプレイ及びその製造方法 | |
| JPS62146272A (ja) | 硫化ストロンチウム薄膜及びその形成方法 | |
| JP2956305B2 (ja) | 液晶用絶縁膜及びその形成方法 | |
| JP4365918B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗布液およびこれを使用した透明導電膜形成方法 | |
| JPH05166414A (ja) | 透明導電膜およびその形成方法 | |
| JPH01173041A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62146274A (ja) | 硫化カルシウム薄膜及びその形成方法 | |
| JPS62146271A (ja) | 硫化カドミウム薄膜の形成方法 | |
| JPH0699809B2 (ja) | 硫化物薄膜の形成方法 | |
| JP2959014B2 (ja) | 透明電極基板の製造方法 | |
| JPS5752024A (en) | Manufacture of transparent electrode substrate | |
| JPH079065B2 (ja) | 硫化亜鉛薄膜の形成方法 | |
| JPS62146273A (ja) | セレン化亜鉛薄膜及びその形成方法 | |
| JPH11167827A (ja) | 透明導電性酸化物膜の形成方法 | |
| JPS5918596A (ja) | 直流型薄膜エレクトロルミネツセンス素子用ペ−スト及びそれを利用した該素子の製造方法 | |
| JPS63164117A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP2657695B2 (ja) | 絶縁膜とその製造方法 | |
| JPS62146270A (ja) | 金属セレン化物薄膜の形成方法 |