JPS622463B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622463B2 JPS622463B2 JP56024120A JP2412081A JPS622463B2 JP S622463 B2 JPS622463 B2 JP S622463B2 JP 56024120 A JP56024120 A JP 56024120A JP 2412081 A JP2412081 A JP 2412081A JP S622463 B2 JPS622463 B2 JP S622463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- film pattern
- resin film
- pattern
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電膜を有する高感度、高密度な
固体撮像素子の製造方法に関するものである。
固体撮像素子の製造方法に関するものである。
固体撮像素子は、第１図ａに上面図、同ｂにそ
のＸ，X′断面図を示すように、下地基板（以下
ウエハという）１上の中央部には光学像を感知す
る、ホトダイオード、光学信号を転送する電荷転
送素子等よりなる絵素部２（具体的溝造は、後述
する）を設け、この絵素部２の周囲には、絵素部
を駆動するシフトレジスタ、あるいは、CCD等
の駆動部３が設けられている。
のＸ，X′断面図を示すように、下地基板（以下
ウエハという）１上の中央部には光学像を感知す
る、ホトダイオード、光学信号を転送する電荷転
送素子等よりなる絵素部２（具体的溝造は、後述
する）を設け、この絵素部２の周囲には、絵素部
を駆動するシフトレジスタ、あるいは、CCD等
の駆動部３が設けられている。
また、駆動部３の端子と絶縁膜の開口を介して
接続され、外部配線用パツト部４に及ぶ、導体配
線５が設けられている。
接続され、外部配線用パツト部４に及ぶ、導体配
線５が設けられている。
さらにまた、絵素部２上には、光導電膜（たと
えば、ZnSe−Zn1-xCdxTe，アモルフアスシリコ
ン等）６、透明電極７および接着剤８を介して、
カラーフイルタ９が、それぞれ設けられている。
また、１０は絶縁膜である。
えば、ZnSe−Zn1-xCdxTe，アモルフアスシリコ
ン等）６、透明電極７および接着剤８を介して、
カラーフイルタ９が、それぞれ設けられている。
また、１０は絶縁膜である。
次に、固体撮像素子の一例であるBBD型素子
について絵素部１２の一部（第１図及び第２図ａ
中のＡ）の拡大図（第３図ａ，ｂ）を用いて説明
するとともに、その動作について第３図、第４図
を用いて説明する。
について絵素部１２の一部（第１図及び第２図ａ
中のＡ）の拡大図（第３図ａ，ｂ）を用いて説明
するとともに、その動作について第３図、第４図
を用いて説明する。
第３図ａ，ｂにおいてｎ+拡散領域２２はｐ形
基板２３とホトダイオードを形成する。ｎ+領域
２４は、BBDを構成する拡散領域であり、第１
ゲート領域２５に電圧を加えることにより、ｎ+
領域２２からチヤージ電荷を転送する領域であ
る。２６，２７は、それぞれ絶縁物である。電極
２８は、Moで形成され、ｎ+領域２２と電気的に
接続され、光導電膜２９の電極ともなつている。
第２ゲート電極３０は、BBDゲートを構成して
いる。３１は透明電極である。
基板２３とホトダイオードを形成する。ｎ+領域
２４は、BBDを構成する拡散領域であり、第１
ゲート領域２５に電圧を加えることにより、ｎ+
領域２２からチヤージ電荷を転送する領域であ
る。２６，２７は、それぞれ絶縁物である。電極
２８は、Moで形成され、ｎ+領域２２と電気的に
接続され、光導電膜２９の電極ともなつている。
第２ゲート電極３０は、BBDゲートを構成して
いる。３１は透明電極である。
次に第４図ａ，ｂにより、固体撮像素子の光情
報読み込み動作を説明する。第４図ａは、駆動パ
ルスパターン、第４図ｂにはｎ+領域２２におけ
る電位変化を示した。
報読み込み動作を説明する。第４図ａは、駆動パ
ルスパターン、第４図ｂにはｎ+領域２２におけ
る電位変化を示した。
時間t1において、第１ゲート電極２５にＶCHな
る読み込みパルスφ１を印加すると、領域２２に
おける電位は、第４図ｂに示した如く（ＶCH−Ｖ
T）にチヤージされる。ここでＶTはｎ+領域２
２，２４および第１ゲート電極２５より構成され
るFETの閾値電圧である。
る読み込みパルスφ１を印加すると、領域２２に
おける電位は、第４図ｂに示した如く（ＶCH−Ｖ
T）にチヤージされる。ここでＶTはｎ+領域２
２，２４および第１ゲート電極２５より構成され
るFETの閾値電圧である。
今、入射光Ａがあると、光導電膜２９におい
て、電子正孔対が生成され、それぞれ、電極２
８、透明電極３１に到達し、ｎ+領域２２の電位
が低下する。しかも、この電位の低下は入射光量
に比例し、１フイールド期間蓄積されるので、Ｖ
Sまで低下する。
て、電子正孔対が生成され、それぞれ、電極２
８、透明電極３１に到達し、ｎ+領域２２の電位
が低下する。しかも、この電位の低下は入射光量
に比例し、１フイールド期間蓄積されるので、Ｖ
Sまで低下する。
さらに、時間t2において第１ゲート電極２５に
ＶCHなる読み込みパルスφ１を印加すると、その
下の基板の表面電位は上昇し、その結果、ｎ+領
域２２からｎ+領域２４に電子の移動が生じる。
それに続き、ｎ+領域２２の電位は、再び上昇し
（ＶCH−ＶT）となる。従つてｎ+領域２４に移動
した電荷の総量は入射光に対応する。
ＶCHなる読み込みパルスφ１を印加すると、その
下の基板の表面電位は上昇し、その結果、ｎ+領
域２２からｎ+領域２４に電子の移動が生じる。
それに続き、ｎ+領域２２の電位は、再び上昇し
（ＶCH−ＶT）となる。従つてｎ+領域２４に移動
した電荷の総量は入射光に対応する。
このようにして、ｎ+領域２４に読み込まれた
光情報は、第４図ａに示す転送パルスφ２を、第
１ゲート電極３０に印加することにより、BBD
電荷転送の形で、光情報は紙面の上下方向へ転送
される。
光情報は、第４図ａに示す転送パルスφ２を、第
１ゲート電極３０に印加することにより、BBD
電荷転送の形で、光情報は紙面の上下方向へ転送
される。
すなわち、ホトダイオードで光電変換された信
号を２相クロツク信号で出力段に送り出すことが
出来る。
号を２相クロツク信号で出力段に送り出すことが
出来る。
さて、従来は上述した固体撮像素子の製造プロ
セスにおいて、導体配線５および、光導電膜接続
用電極を形成した後、絵素部上面にのみ光導電膜
６および透明電極７を形成する方法として、金属
性のカバーマスクを用いて、所定部へのみ蒸着す
るという方法が用いられていた（以下、マスク蒸
着方式という）。
セスにおいて、導体配線５および、光導電膜接続
用電極を形成した後、絵素部上面にのみ光導電膜
６および透明電極７を形成する方法として、金属
性のカバーマスクを用いて、所定部へのみ蒸着す
るという方法が用いられていた（以下、マスク蒸
着方式という）。
なんとならば、一般に光導電膜は、溶剤や水分
で感度が劣化しやすく、従来、半導体装置の製造
に用いられている。レジスト（例えば、商品名、
KTFR、やAZ1350J等）によるホトリソ法を用い
れば、レジスト除去工程の除去液例えばＪ−100
とか発火亜硝酸、等で特性が大幅に劣化してしま
う。
で感度が劣化しやすく、従来、半導体装置の製造
に用いられている。レジスト（例えば、商品名、
KTFR、やAZ1350J等）によるホトリソ法を用い
れば、レジスト除去工程の除去液例えばＪ−100
とか発火亜硝酸、等で特性が大幅に劣化してしま
う。
従つて、従来は、マスク蒸着方式によつてのみ
製造が可能であつたが、このマスク蒸着方式で
は、基板上で金属マスクをアライメントする際、
基板に傷を付けたり、ゴミの付着等による欠陥が
多数生じ、完成された固体撮像素子を動作させた
場合、多数の線傷や点傷となつた。
製造が可能であつたが、このマスク蒸着方式で
は、基板上で金属マスクをアライメントする際、
基板に傷を付けたり、ゴミの付着等による欠陥が
多数生じ、完成された固体撮像素子を動作させた
場合、多数の線傷や点傷となつた。
さらにまた、一般に蒸着形成された光導電膜や
透明電極は、強度が非常に弱いので、完成された
ウエハを切断する際に付着するゴミを洗浄等によ
り取り除くのが難しかつた。そして、残留したゴ
ミは、カラーフイルタを接着する際に生じる欠陥
の大きな原因でもあつた（通常、カラーフイルタ
と透明電極のギヤツプは５〜６ミクロン程度に接
着されねばならないので、フイルタによりゴミが
圧着され、素子に欠陥が生じる。）。
透明電極は、強度が非常に弱いので、完成された
ウエハを切断する際に付着するゴミを洗浄等によ
り取り除くのが難しかつた。そして、残留したゴ
ミは、カラーフイルタを接着する際に生じる欠陥
の大きな原因でもあつた（通常、カラーフイルタ
と透明電極のギヤツプは５〜６ミクロン程度に接
着されねばならないので、フイルタによりゴミが
圧着され、素子に欠陥が生じる。）。
以上述べて来た欠点に鑑み、本発明は光導電膜
および透明電極蒸着を金属マスクを用いることな
く、全面に行うことにより、アライメント時に生
じる傷や付着するゴミを防ぎ、しかも、所定の領
域に光導電膜や透明電極を残すためのエツチング
マスクに、光硬化形樹脂による硬化樹脂膜パター
ンと、第２の樹脂膜パターンの二層を用い、さら
にエツチング後、第２の樹脂膜パターンのみ徐去
し、第１の光硬化樹脂膜パターンは残したまゝ
で、ウエハ切断時あるいは、フイルタ接着時の保
護膜として用いて、固体撮像素子の無欠陥製造歩
留を大幅に向上することを目的とする。
および透明電極蒸着を金属マスクを用いることな
く、全面に行うことにより、アライメント時に生
じる傷や付着するゴミを防ぎ、しかも、所定の領
域に光導電膜や透明電極を残すためのエツチング
マスクに、光硬化形樹脂による硬化樹脂膜パター
ンと、第２の樹脂膜パターンの二層を用い、さら
にエツチング後、第２の樹脂膜パターンのみ徐去
し、第１の光硬化樹脂膜パターンは残したまゝ
で、ウエハ切断時あるいは、フイルタ接着時の保
護膜として用いて、固体撮像素子の無欠陥製造歩
留を大幅に向上することを目的とする。
以下、第２図を用いて、本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
まず、シリコンウエハ１１上に、通常のMOS
プロセスを用いて、光学像を感知するホトダイオ
ードと転送用BBD素子よりなる絵素部１２およ
び、MOSトランジスタとCCD素子よりなる駆動
部１３を形成した後、絶縁膜１４を介して導体配
線１５およびホトダイオードと光導電膜を接続す
る電極１６を形成する。
プロセスを用いて、光学像を感知するホトダイオ
ードと転送用BBD素子よりなる絵素部１２およ
び、MOSトランジスタとCCD素子よりなる駆動
部１３を形成した後、絶縁膜１４を介して導体配
線１５およびホトダイオードと光導電膜を接続す
る電極１６を形成する。
次に、光導電膜（例えばZnSeZn1-xCdxTe）１
７および透明電極（例えばSnをドープした
In2O3）１８を順次全面に蒸着する（第２図ａ）。
７および透明電極（例えばSnをドープした
In2O3）１８を順次全面に蒸着する（第２図ａ）。
その後、透明性の良い光硬化形樹脂３１（例え
ば商品名サマーズUV−74，ノーランドNOA−６
１等をスピンナーを用いて１〜２μの厚みで塗布
する）を全面塗布（第２図ｂ）し、所定のパター
ンを持つホトマスクＢを用い光照射を行い（第２
図ｃ）、現像後、絵素部１２上面にのみ第１の樹
脂膜パターン１９を残す（第２図ｄ）。
ば商品名サマーズUV−74，ノーランドNOA−６
１等をスピンナーを用いて１〜２μの厚みで塗布
する）を全面塗布（第２図ｂ）し、所定のパター
ンを持つホトマスクＢを用い光照射を行い（第２
図ｃ）、現像後、絵素部１２上面にのみ第１の樹
脂膜パターン１９を残す（第２図ｄ）。
さらに、光で分解する樹脂（例えば、シプレー
社、AZ1350J）を塗布し所定のパターンマスクを
用い露光現像し、第２の樹脂膜パターン１９′を
形成（第２図ｅ）し、その後、第１および第２の
樹脂膜パターンをエツチングマスクに用い、不用
部の光導電膜１７および透明電極１８をエツチン
グ除去する。なお、光導電膜１７が、 ZnSe−Zn1-xCdxTeであれば、10規定硝酸で２〜
３分でエツチングできる。アモルフアスシリコン
ならフツ酸あるいは、フツ硝酸で容易にエツチン
グできる。また、プラズマエツチあるいは、スパ
ツタエツチング法を用いてもよい。一方、透明電
極ITOの場合なら、10％シユウ酸で80℃〜90℃で
容易に除去できる（第２図ｆ）。
社、AZ1350J）を塗布し所定のパターンマスクを
用い露光現像し、第２の樹脂膜パターン１９′を
形成（第２図ｅ）し、その後、第１および第２の
樹脂膜パターンをエツチングマスクに用い、不用
部の光導電膜１７および透明電極１８をエツチン
グ除去する。なお、光導電膜１７が、 ZnSe−Zn1-xCdxTeであれば、10規定硝酸で２〜
３分でエツチングできる。アモルフアスシリコン
ならフツ酸あるいは、フツ硝酸で容易にエツチン
グできる。また、プラズマエツチあるいは、スパ
ツタエツチング法を用いてもよい。一方、透明電
極ITOの場合なら、10％シユウ酸で80℃〜90℃で
容易に除去できる（第２図ｆ）。
その後、全面に光を照射し、現像液で第２の樹
脂膜パターン１９′のみ除去する。ここで、第２
の樹脂膜パターン１９′に光分解型樹脂、すなわ
ち、ポジ型レジストを用いた場合、光照射により
容易に分解するので、現像液で、第１の硬化樹脂
膜パターン１９を害することなく選択的、且つ容
易に第２の樹脂膜パターン１９′のみ除去するこ
とができる。
脂膜パターン１９′のみ除去する。ここで、第２
の樹脂膜パターン１９′に光分解型樹脂、すなわ
ち、ポジ型レジストを用いた場合、光照射により
容易に分解するので、現像液で、第１の硬化樹脂
膜パターン１９を害することなく選択的、且つ容
易に第２の樹脂膜パターン１９′のみ除去するこ
とができる。
次に、前記硬化樹脂膜パターン１９を除去する
ことなく、保護膜として用いて、ウエハ１１を所
定の大きさに切断し、洗浄する。すなわち、この
とき、エツチングで残された透明電極１８および
光導電膜１７は、第１の硬化樹脂膜パターン１９
でカバーされており、水あるいは、洗浄溶媒に触
れることがないので、損傷は全く生じない。
ことなく、保護膜として用いて、ウエハ１１を所
定の大きさに切断し、洗浄する。すなわち、この
とき、エツチングで残された透明電極１８および
光導電膜１７は、第１の硬化樹脂膜パターン１９
でカバーされており、水あるいは、洗浄溶媒に触
れることがないので、損傷は全く生じない。
最後に、接着剤２０を用いて、カラーフイルタ
２１を第１の硬化樹脂膜パターン１９上に接着
し、外部リードと、パツト部および透明電極のワ
イヤボンデイング１５′を行つて、固体撮像素子
を完成する（第２図ｇ）。
２１を第１の硬化樹脂膜パターン１９上に接着
し、外部リードと、パツト部および透明電極のワ
イヤボンデイング１５′を行つて、固体撮像素子
を完成する（第２図ｇ）。
第２の実施例として、第２の樹脂に光分解型の
代りに光硬化型の樹脂、例えばネガ型レジスト等
を用いて、第２の硬化膜パターンを形成しても、
第１の硬化膜パターンを残し、選択的に除去可能
な場合には、同じ効果が得られる。第１の硬化樹
脂膜に、エポキシ系の光硬化樹脂を用い、第２の
硬化樹脂膜にコダツク社のKTFRを用いた場合、
キシレン、あるいはトルエンで容易にKTFRのみ
除去できる。また、この場合、第１及び第２の樹
脂膜を重ねて塗布した後、１枚のマスクで、第１
及び第２の樹脂膜を同時に露光し、第２の膜を現
像した後、第１の膜を現像することも可能であ
る。
代りに光硬化型の樹脂、例えばネガ型レジスト等
を用いて、第２の硬化膜パターンを形成しても、
第１の硬化膜パターンを残し、選択的に除去可能
な場合には、同じ効果が得られる。第１の硬化樹
脂膜に、エポキシ系の光硬化樹脂を用い、第２の
硬化樹脂膜にコダツク社のKTFRを用いた場合、
キシレン、あるいはトルエンで容易にKTFRのみ
除去できる。また、この場合、第１及び第２の樹
脂膜を重ねて塗布した後、１枚のマスクで、第１
及び第２の樹脂膜を同時に露光し、第２の膜を現
像した後、第１の膜を現像することも可能であ
る。
第３の実施例として第１の硬化樹脂膜パターン
および接着剤とも、UV硬化形接着剤を用いれ
ば、透明電極１８とカラーフイルタ２１間の二層
の樹脂が同一屈折率の樹脂となるので、光学特性
が良くなるし、樹脂間の接着性も良いので都合が
良い。また、接着時の所用時間も大幅に短縮でき
る。
および接着剤とも、UV硬化形接着剤を用いれ
ば、透明電極１８とカラーフイルタ２１間の二層
の樹脂が同一屈折率の樹脂となるので、光学特性
が良くなるし、樹脂間の接着性も良いので都合が
良い。また、接着時の所用時間も大幅に短縮でき
る。
以上述べてきたように、本発明の方法によれ
ば、光導電膜および透明電極の蒸着に、マスク蒸
着法を用いないので、従来に比べ素子に傷を生じ
たり、ゴミが不着する確率が非常に少くなる。し
かも、エツチング後に残した光硬化型樹脂を除去
しないで、ウエハの切断時の保護マスクにも用い
るので水分が浸透することなく、切断後のゴミの
水洗も容易である。また、この光硬化樹脂はフイ
ルタ接着時にも残してあるので、接着時に生じる
欠陥をも大幅に減少できる。
ば、光導電膜および透明電極の蒸着に、マスク蒸
着法を用いないので、従来に比べ素子に傷を生じ
たり、ゴミが不着する確率が非常に少くなる。し
かも、エツチング後に残した光硬化型樹脂を除去
しないで、ウエハの切断時の保護マスクにも用い
るので水分が浸透することなく、切断後のゴミの
水洗も容易である。また、この光硬化樹脂はフイ
ルタ接着時にも残してあるので、接着時に生じる
欠陥をも大幅に減少できる。
従つて、高感度高密度の固体撮像素子を歩留よ
く製造できる。
く製造できる。
さらに又、第１の硬化樹脂膜パターンおよび接
着剤とも、UV硬化型接着剤を用いれば接着樹脂
層で界面を生じず、光学特性が良くなるし、硬化
時間を大幅に短縮でき、製造能率が上る。
着剤とも、UV硬化型接着剤を用いれば接着樹脂
層で界面を生じず、光学特性が良くなるし、硬化
時間を大幅に短縮でき、製造能率が上る。
第１図ａは光導電膜付固体撮像素子の平面図、
第１図ｂはそのＸ−X′断面図、第２図ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇは本発明の固体撮像素子の製
造方法の一実施例を説明するための工程断面図、
第３図ａ，ｂは同製造方法によつて得た固体撮像
素子の絵素部の説明のための図で、第３図ａは平
面図、第３図ｂはＸ−X′断面図、第４図ａ，ｂ
は同固体撮像素子に用いるクロツクパルスおよび
ダイオード電位を示す図である。 １１……下地基板（シリコンウエハ）、１２…
…絵素部、１３……駆動部、１７……光導電膜、
１８……透明電極、１９……第１の樹脂パター
ン、１９′……第２の樹脂パターン、２０……接
着剤、２１……カラーフイルタ。
第１図ｂはそのＸ−X′断面図、第２図ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇは本発明の固体撮像素子の製
造方法の一実施例を説明するための工程断面図、
第３図ａ，ｂは同製造方法によつて得た固体撮像
素子の絵素部の説明のための図で、第３図ａは平
面図、第３図ｂはＸ−X′断面図、第４図ａ，ｂ
は同固体撮像素子に用いるクロツクパルスおよび
ダイオード電位を示す図である。 １１……下地基板（シリコンウエハ）、１２…
…絵素部、１３……駆動部、１７……光導電膜、
１８……透明電極、１９……第１の樹脂パター
ン、１９′……第２の樹脂パターン、２０……接
着剤、２１……カラーフイルタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絵素部と駆動回路部とを形成した基板上の全
面に光導電膜と透明電極とを順次形成する工程
と、前記光導電膜上に光硬化型樹脂を塗布し、所
定のパターンマスクを用いて、露光現像すること
により前記光硬化形樹脂による第１の硬化樹脂膜
パターンを前記絵素部表面に形成する工程と、前
記第１の硬化樹脂膜パターン上に、第２の樹脂を
塗布し、所定のパターンマスクを用いて露光現象
することにより前記第１の硬化樹脂膜パターン上
に第２の樹脂膜パターンを形成する工程と、前記
第２の樹脂膜パターンをマスクに、前記透明電極
および光導電膜をエツチングする工程と、前記第
２の樹脂膜パターンを全面露光した後現像液で同
第２の樹脂膜パターンのみを選択的に除去する工
程とを有し、前記第１の硬化樹脂膜パターンを保
護膜として残しておくことを特徴とする固体撮像
素子の製造方法。 ２ 第２の樹脂が光分解型樹脂であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像素子
の製造方法。 ３ 第２の樹脂が光硬化型樹脂であり、光導電膜
のエツチング後、有機溶剤を用いて、第２の樹脂
膜パターンを除去することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の固体撮像素子の製造方法。 ４ 絵素部と駆動回路部とを形成した基板上の全
面に光導電膜と透明電極とを順次形成する工程
と、前記光導電膜上に光硬化型樹脂を塗布し、所
定のパターンマスクを用いて、露光現像すること
により前記光硬化形樹脂による第１の硬化樹脂膜
パターンを前記絵素部表面に形成する工程と、前
記第１の硬化樹脂膜パターン上に、第２の樹脂を
塗布し、所定のパターンマスクを用いて露光現像
することにより前記第１の硬化樹脂膜パターン上
に第２の樹脂膜パターンを形成する工程と、前記
第２の樹脂膜パターンをマスクに、前記透明電極
および光導電膜をエツチングする工程と、前記第
２の樹脂膜パターンを全面露光した後現像液で同
第２の樹脂膜パターンのみを選択的に除去する工
程とを有し、前記第１の硬化樹脂膜パターンを保
護膜として残しておき、前記第１の硬化樹脂膜パ
ターン上に、この第１の硬化樹脂膜パターンと同
一系統の樹脂を用いてカラーフイルタを接着する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 ５ 絵素部と駆動回路部とを形成した基板上の全
面に光導電膜と透明電極とを順次形成する工程
と、前記光導電膜上に光硬化型樹脂を塗布し、所
定のパターンマスクを用いて、露光現像すること
により前記光硬化形樹脂による第１の硬化樹脂膜
パターンを前記絵素部表面に形成する工程と、前
記第１の硬化樹脂膜パターン上に、第２の樹脂を
塗布し、所定のパターンマスクを用いて露光現像
することにより前記第１の硬化樹脂膜パターン上
に第２の樹脂膜パターンを形成する工程と、前記
第２の樹脂膜パターンをマスクに、前記透明電極
および光導電膜をエツチングする工程と、前記第
２の樹脂膜パターンを全面露光した後現像液で同
第２の樹脂膜パターンのみを選択的に除去する工
程とを有し、前記第１の硬化樹脂膜パターンを保
護膜として残しておくようになし、前記第２の樹
脂が光分解型樹脂であり、第２の樹脂膜パターン
は有機溶剤を用いて除去すると共に前記第１の光
硬化樹脂膜パターン上に接着剤を介してカラーフ
イルタを接着することを特徴とする固体撮像素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56024120A JPS57138173A (en) | 1981-02-19 | 1981-02-19 | Manufacture of solid image pick up element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56024120A JPS57138173A (en) | 1981-02-19 | 1981-02-19 | Manufacture of solid image pick up element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57138173A JPS57138173A (en) | 1982-08-26 |
| JPS622463B2 true JPS622463B2 (ja) | 1987-01-20 |
Family
ID=12129445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56024120A Granted JPS57138173A (en) | 1981-02-19 | 1981-02-19 | Manufacture of solid image pick up element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57138173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261762U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 |
-
1981
- 1981-02-19 JP JP56024120A patent/JPS57138173A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261762U (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57138173A (en) | 1982-08-26 |
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