JPS6224665A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6224665A JPS6224665A JP60163445A JP16344585A JPS6224665A JP S6224665 A JPS6224665 A JP S6224665A JP 60163445 A JP60163445 A JP 60163445A JP 16344585 A JP16344585 A JP 16344585A JP S6224665 A JPS6224665 A JP S6224665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- region
- epitaxial layer
- substrate
- potential barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 3
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、縦型オーバーフロードレインを有する固体撮
像装置に関するものである。
像装置に関するものである。
従来の技術
固体撮像素子の特性不良要因に過剰電荷の受光部からの
あふれ出しによるブルーミング現象がある。ブルーミン
グ抑制のために受光部下にポテンシャルバリアを形成し
、受光部に電荷が蓄積して、受光部の電位がこのポテン
シャルバリア以上になった場合、過剰電荷はポテンシャ
ルバリア域を通って基板に抜き、ブルーミングを抑制す
る様な縦型オーバーフロードレイン構造のものが主流と
なりつつある。
あふれ出しによるブルーミング現象がある。ブルーミン
グ抑制のために受光部下にポテンシャルバリアを形成し
、受光部に電荷が蓄積して、受光部の電位がこのポテン
シャルバリア以上になった場合、過剰電荷はポテンシャ
ルバリア域を通って基板に抜き、ブルーミングを抑制す
る様な縦型オーバーフロードレイン構造のものが主流と
なりつつある。
ところで、縦型オーバーフロードレイン構造のポテンシ
ャルバリア領域をエピタキシャル層ヲ用いて構成すると
、同エピタキシャル層の不純物濃度は、かなり低濃度の
ものが選定される。そして、 ・かかる縦型オーバー
フロードレイン構造に適するエピタキシャル層を用いた
ものは、反面、受光部の電荷を転送するための電荷転送
部を形成するには、不純物濃度が低すぎて、十分なポテ
ンシャル井戸を形成することができず、実用上、不適当
である。
ャルバリア領域をエピタキシャル層ヲ用いて構成すると
、同エピタキシャル層の不純物濃度は、かなり低濃度の
ものが選定される。そして、 ・かかる縦型オーバー
フロードレイン構造に適するエピタキシャル層を用いた
ものは、反面、受光部の電荷を転送するための電荷転送
部を形成するには、不純物濃度が低すぎて、十分なポテ
ンシャル井戸を形成することができず、実用上、不適当
である。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、縦型オーバーフロードレインのポテンシャル
バリア領域をエピタキシャル層により、なしたものでも
、同エピタキシャル層内で実用可能な電荷転送部を実現
する手段を提供するものである。
バリア領域をエピタキシャル層により、なしたものでも
、同エピタキシャル層内で実用可能な電荷転送部を実現
する手段を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本預明は、電荷転送部下の不純物濃度を大きくするため
に、電荷転送部下となる一導電型基板に予め基板と反対
の導電型の不純物の注入を行ない、この上に基板と反対
の導電型のエピタキシャル層を成長させる。エピタキシ
ャル層の成長時に最初注入で形成した領域からエピタキ
シャル層に不純物を拡散させる。
に、電荷転送部下となる一導電型基板に予め基板と反対
の導電型の不純物の注入を行ない、この上に基板と反対
の導電型のエピタキシャル層を成長させる。エピタキシ
ャル層の成長時に最初注入で形成した領域からエピタキ
シャル層に不純物を拡散させる。
作用
本発明によると、予め電荷転送部下の基板に形成した注
入領域からエピタキシャル層へ拡散して不純物濃度の高
い領域が電荷転送部下に形成されているので、電荷転送
部の空乏層が拡がって、基板とエピタキシャル層の界面
に達することもない。
入領域からエピタキシャル層へ拡散して不純物濃度の高
い領域が電荷転送部下に形成されているので、電荷転送
部の空乏層が拡がって、基板とエピタキシャル層の界面
に達することもない。
又、受光部下には、エピタキシャル層で形成された均一
なポテンシャルバリア領域が形成される。
なポテンシャルバリア領域が形成される。
実施例
図面は、本発明における電荷転送部の断面構造を示した
ものである。１はｎ１領域、２はｐ＋領領域３は高濃度
ｐ領域、４はｐ型エピタキシャル層、５はｎ型基板であ
る。
ものである。１はｎ１領域、２はｐ＋領領域３は高濃度
ｐ領域、４はｐ型エピタキシャル層、５はｎ型基板であ
る。
電荷転送部下のみがｐ＋領域２となる様に、ｎ型基板に
予め高濃度のｐ要領域３を形成する。ｐ型エピタキシャ
ル層４の成長時に高濃度のｐ要領域３からの拡散によっ
て電荷転送部下の不純物濃度を高くする。別に受光部と
なるｎ１領域を形成して縦型オーバーフロードレイ／を
構成し、受光部として、ｎ＋領領域ｐ領域（エピタキシ
ャル層）−ｎ型基板の断面構造をもつ固体撮像装置を作
成する。
予め高濃度のｐ要領域３を形成する。ｐ型エピタキシャ
ル層４の成長時に高濃度のｐ要領域３からの拡散によっ
て電荷転送部下の不純物濃度を高くする。別に受光部と
なるｎ１領域を形成して縦型オーバーフロードレイ／を
構成し、受光部として、ｎ＋領領域ｐ領域（エピタキシ
ャル層）−ｎ型基板の断面構造をもつ固体撮像装置を作
成する。
発明の効果
本発明では、受光部下のポテンシャルバリア領域を不純
物濃度の均一なエピタキシャル層によシ形成するので均
一なポテンシャルバリア領域が得られる。従って、プル
ーミング抑制効果のばらつきによる感度むら等の特性不
良の発生が抑えられる。
物濃度の均一なエピタキシャル層によシ形成するので均
一なポテンシャルバリア領域が得られる。従って、プル
ーミング抑制効果のばらつきによる感度むら等の特性不
良の発生が抑えられる。
一方、縦型オーバーフロードレインに適するポテンシャ
ルバリアを形成するための不純物濃度を有するエピタキ
シャル層に電荷転送部を形成した場合でも直下部分にｐ
＋領領域形成されているので十分な電荷転送量をもつポ
テンシャル井戸すなわち電荷転送部を形成することがで
きる。
ルバリアを形成するための不純物濃度を有するエピタキ
シャル層に電荷転送部を形成した場合でも直下部分にｐ
＋領領域形成されているので十分な電荷転送量をもつポ
テンシャル井戸すなわち電荷転送部を形成することがで
きる。
さらに、エピタキシャル層厚を薄くコントロールするこ
とにより、受光部近傍には、エピタキシャル層−基板界
面の結晶欠陥があり、電子の再結合層を成していること
から、光励起電子のバルク内横方向拡散に起因するスミ
アの低減に対しても効果がある。
とにより、受光部近傍には、エピタキシャル層−基板界
面の結晶欠陥があり、電子の再結合層を成していること
から、光励起電子のバルク内横方向拡散に起因するスミ
アの低減に対しても効果がある。
１・・・・・・ｎ＋領領域２・・・・・・ｐ１領域、３
・・・・・・高濃度ｐ領域、４・・・・・・ｐ型エピタ
キシャル層、５・・・・・・ｎ型基板。
・・・・・・高濃度ｐ領域、４・・・・・・ｐ型エピタ
キシャル層、５・・・・・・ｎ型基板。
Claims (1)
- （１）一導電型の半導体基板の主表面に、同基板と反対
導電型で同基板の不純物濃度以上の濃度を有する第１の
島状領域をそなえ、かつ、前記基板の主面に同基板と反
対導電型のエピタキシャル層を有し、同エピタキシャル
層の表面部に前記基板と同一導電型の第２の島状領域を
前記第１の島状領域直上に形成したことを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163445A JPS6224665A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60163445A JPS6224665A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224665A true JPS6224665A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=15774016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60163445A Pending JPS6224665A (ja) | 1985-07-24 | 1985-07-24 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446276A (ja) * | 1989-12-22 | 1992-02-17 | Zvi Weingarten | ダイヤフラム制御弁 |
| US5404039A (en) * | 1992-06-03 | 1995-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device and method of manufacture therefor |
| EP0800213A3 (en) * | 1996-04-02 | 1998-12-23 | Sony Corporation | Charge transfer device and method of driving the charge transfer device |
-
1985
- 1985-07-24 JP JP60163445A patent/JPS6224665A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446276A (ja) * | 1989-12-22 | 1992-02-17 | Zvi Weingarten | ダイヤフラム制御弁 |
| US5404039A (en) * | 1992-06-03 | 1995-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device and method of manufacture therefor |
| EP0800213A3 (en) * | 1996-04-02 | 1998-12-23 | Sony Corporation | Charge transfer device and method of driving the charge transfer device |
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