JPS62247601A - 固定抵抗減衰器 - Google Patents
固定抵抗減衰器Info
- Publication number
- JPS62247601A JPS62247601A JP8137186A JP8137186A JPS62247601A JP S62247601 A JPS62247601 A JP S62247601A JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP 8137186 A JP8137186 A JP 8137186A JP S62247601 A JPS62247601 A JP S62247601A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- frequency
- lines
- resistors
- fixed resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
固定抵抗減衰器において、第１の伝送線路と第２の伝送
線路及び第２の伝送線路と第３の伝送線路とをそれぞれ
第１及び第２の抵抗器を介して接続し、第２の伝送線路
は第１及び第２の抵抗器を見たインピーダンスが所定の
周波数で純抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４（λｇは
短縮波長）となる様な電気長を有すると共に、特性イン
ピーダンスを第１及び第３の伝送線路のそれよりも低く
することにより、低価格で比較的良好な周波数特性が得
られる様にしたものである。
線路及び第２の伝送線路と第３の伝送線路とをそれぞれ
第１及び第２の抵抗器を介して接続し、第２の伝送線路
は第１及び第２の抵抗器を見たインピーダンスが所定の
周波数で純抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４（λｇは
短縮波長）となる様な電気長を有すると共に、特性イン
ピーダンスを第１及び第３の伝送線路のそれよりも低く
することにより、低価格で比較的良好な周波数特性が得
られる様にしたものである。
本発明は固定抵抗減衰器、特にマイクロ波帯で使用され
る固定抵抗減衰器の改良に関するものである。
る固定抵抗減衰器の改良に関するものである。
固定抵抗減衰器は、例えばマイクロ波回路の殆ど全ての
回路に使用されているが、低価格でしかも比較的良好な
周波数特性を持つことが必要である。
回路に使用されているが、低価格でしかも比較的良好な
周波数特性を持つことが必要である。
第３図は従来例の構成図、第４図は別の従来例の構成図
、第５図は更に別の従来例の構成図を示す。以下、第３
図〜第５図により固定抵抗減衰器の従来例の構成等を説
明する。
、第５図は更に別の従来例の構成図を示す。以下、第３
図〜第５図により固定抵抗減衰器の従来例の構成等を説
明する。
第３図（ａｌは平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
Ａ−Ａ“断面図を示すが、第３図に示す様に接地導体５
の上に固定されたアルミナ基板４の上に形成された抵抗
膜２でストリップ線路１が切断され、この抵抗膜の両端
は接地金具３．３“を介して接地される。この様な構成
の固定抵抗減衰器は直流から例えば１０ＧＨｚ程度まで
使用可能であり、測定器等にも用られるが■アルミナ基
板を使用する ■抵抗膜を所定の値に調整しなければな
らないので高価であり接地金具が必要となる。
Ａ−Ａ“断面図を示すが、第３図に示す様に接地導体５
の上に固定されたアルミナ基板４の上に形成された抵抗
膜２でストリップ線路１が切断され、この抵抗膜の両端
は接地金具３．３“を介して接地される。この様な構成
の固定抵抗減衰器は直流から例えば１０ＧＨｚ程度まで
使用可能であり、測定器等にも用られるが■アルミナ基
板を使用する ■抵抗膜を所定の値に調整しなければな
らないので高価であり接地金具が必要となる。
第４図はπ形の固定抵抗減衰器で第４図（ａｌはアルミ
ナ基板上に薄膜抵抗器６，７．８で形成し、この抵抗器
７．８の一端はλｇ／４オーブンスタブ９．１０に接続
される。この様な構成のものは抵抗器の一端が短絡と見
なされる帯域においては減衰量、特性インピーダンス等
について問題なく使用可能である。尚、１はストリップ
線路である。
ナ基板上に薄膜抵抗器６，７．８で形成し、この抵抗器
７．８の一端はλｇ／４オーブンスタブ９．１０に接続
される。この様な構成のものは抵抗器の一端が短絡と見
なされる帯域においては減衰量、特性インピーダンス等
について問題なく使用可能である。尚、１はストリップ
線路である。
第４図（ｂ）はフローグラス基板又はエポキシ基板（ア
ルミナ基板よりも低価格）等の上に形成されたストリッ
プ線路１１．１２にチップ抵抗器１３．１４゜１５を接
続したもので、第４図（ａ）と同じくπ型の固定抵抗減
衰器である。尚、チップ抵抗器１３．１５の一端がスル
ーホール１６．１６“を介して接地されるが、チップ抵
抗器は低価格で、又半田付は作業で接続が可能なことか
ら数１００ＭＨｚ〜２ ＧＨｚ程度まで使用可能である
。
ルミナ基板よりも低価格）等の上に形成されたストリッ
プ線路１１．１２にチップ抵抗器１３．１４゜１５を接
続したもので、第４図（ａ）と同じくπ型の固定抵抗減
衰器である。尚、チップ抵抗器１３．１５の一端がスル
ーホール１６．１６“を介して接地されるが、チップ抵
抗器は低価格で、又半田付は作業で接続が可能なことか
ら数１００ＭＨｚ〜２ ＧＨｚ程度まで使用可能である
。
第５図（ａ）、第５図（ｂ）は第４図（ａ）、第４図（
ｂｌのπ型の固定抵抗減衰器の代りにＴ型で構成したも
ので、１６．１７．１８は薄膜抵抗器、１９はλｇ／４
オープンスタブ、２０〜２２はストリップ線路、２３〜
２５はチップ抵抗器で使用可能な周波数範囲は上記と同
じである。第５図（Ｃ）は第５図（ｂｌのスルーホール
１６゜柔ｇグを介しての接地でなく、λｇ ／４オーブ
ンスタブにより高周波的に接地する。しかし、使用周波
数が４ ＧＨｚ以上になると、抵抗器の寸法により抵抗
膜の外に虚数部が現れて減衰量、特性インピーダンスが
所望の値より劣化する。
ｂｌのπ型の固定抵抗減衰器の代りにＴ型で構成したも
ので、１６．１７．１８は薄膜抵抗器、１９はλｇ／４
オープンスタブ、２０〜２２はストリップ線路、２３〜
２５はチップ抵抗器で使用可能な周波数範囲は上記と同
じである。第５図（Ｃ）は第５図（ｂｌのスルーホール
１６゜柔ｇグを介しての接地でなく、λｇ ／４オーブ
ンスタブにより高周波的に接地する。しかし、使用周波
数が４ ＧＨｚ以上になると、抵抗器の寸法により抵抗
膜の外に虚数部が現れて減衰量、特性インピーダンスが
所望の値より劣化する。
上記で説明した様に、周波数特性が良好な固定抵抗減衰
器は高価で、低価格のものは周波数特性が悪く、低価格
で、比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器を得るこ
とが困難であると云う問題点がある。
器は高価で、低価格のものは周波数特性が悪く、低価格
で、比較的周波数特性の良好な固定抵抗減衰器を得るこ
とが困難であると云う問題点がある。
上記の問題点は第１図に示す如く、第１の伝送線路３０
と第２の伝送線路３１及び該２の伝送線路と第３の伝送
線路３２とを、第１の抵抗器３３及び第２の抵抗器３４
を介して接続し、該第２の伝送線路３１は、該第１及び
第２の抵抗器を見たインピーダンスが所定の周波数で純
抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４となる様な電気長を
有すると共に、該第１及び第３の伝送線路３０．３２の
特性インピーダンスより低く設定された特性インピーダ
ンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により解決される。
と第２の伝送線路３１及び該２の伝送線路と第３の伝送
線路３２とを、第１の抵抗器３３及び第２の抵抗器３４
を介して接続し、該第２の伝送線路３１は、該第１及び
第２の抵抗器を見たインピーダンスが所定の周波数で純
抵抗と見える位置の間隔がλｇ／４となる様な電気長を
有すると共に、該第１及び第３の伝送線路３０．３２の
特性インピーダンスより低く設定された特性インピーダ
ンスを持つ本発明の固定抵抗減衰器により解決される。
本発明は第２の伝送線路の電気長を抵抗器３３及び３４
を見たインピーダンスが所要の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλｇ／４となる様にし、抵抗器３３の抵抗
値ＲＩ＋第２の伝送線路のインピーダンスＺ＋、抵抗器
３４の抵抗値Ｒ２＋ と負荷インピーダンスＺＬとで
電圧分配を行う事により減衰特性を得る様にした。
を見たインピーダンスが所要の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλｇ／４となる様にし、抵抗器３３の抵抗
値ＲＩ＋第２の伝送線路のインピーダンスＺ＋、抵抗器
３４の抵抗値Ｒ２＋ と負荷インピーダンスＺＬとで
電圧分配を行う事により減衰特性を得る様にした。
即ち１周波数が高くなるにつれて抵抗器の寸法による純
抵抗と見える位相のずれ（電気長のずれ）が大きくなり
周波数特性が劣化するが、抵抗器３３、３４の純抵抗と
見える位置をλｇ離れに配置することで解決できる。但
し、抵抗器３３．３４の寸法が合わせてλｇ／４以上の
周波数にでは上記の構成ができないので、以下の周波数
に限る。
抵抗と見える位相のずれ（電気長のずれ）が大きくなり
周波数特性が劣化するが、抵抗器３３、３４の純抵抗と
見える位置をλｇ離れに配置することで解決できる。但
し、抵抗器３３．３４の寸法が合わせてλｇ／４以上の
周波数にでは上記の構成ができないので、以下の周波数
に限る。
これにより、低価格、簡単な構成で比較的周波数特性の
良好な固定抵抗減衰器が得られる。
良好な固定抵抗減衰器が得られる。
損失の計算値と実測値を示す。
先ず、第１図に示す本発明の実施例の等価回路を求める
と、第２図（ａｌに示す様になる。
と、第２図（ａｌに示す様になる。
ここで、Ｒ，、Ｒ２は抵抗器３３．３４の抵抗値、ｚ、
は第２の伝送線路のインピーダンス、 Ｚ、、Ｚ、は負
荷。
は第２の伝送線路のインピーダンス、 Ｚ、、Ｚ、は負
荷。
信号源インピーダンスをそれぞれ示す。
第２図（ａｌに示す回路の特性は公知の様にＦ行列を用
いることにより容易に求めることができる。
いることにより容易に求めることができる。
であり、
中心周波数では
で求められる。
但し、計算値は抵抗器のみとして計算しているが、実際
にはチップ抵抗器の寸法による位相ずれ及びλｇの周波
数特性により虚数部が入ってくるので、中心周波数から
離れるに従って特性も、変化する。
にはチップ抵抗器の寸法による位相ずれ及びλｇの周波
数特性により虚数部が入ってくるので、中心周波数から
離れるに従って特性も、変化する。
例えば、Ｒ，＝Ｒ，＝２５Ω、第２の伝送線路のインピ
ーダンス４３．３Ω、信号源インピーダンスＺｓと負値
が得られ、５ ＧＨｚでλｇ／４になる様な間隔にしで
あるので反射損失は非常に大きくなって反射される電力
は小さく（即ち、通過する電力が大きく）なるが、周波
数がこれよりもずれると虚数部が生じて反射損失が劣化
する。叉、挿入損失は４〜を実測すると実線の様な値が
得られ、約４〜６ＧＨ２程度で反射損先約２０ｄＢ以上
、挿入損先約５ｄＢが得られ、前記の第５図ｆｃ）の４
ＧＨｚ程度よりも高い６ ＧＨｚ程度でも十分に使用
可能であり、抵抗器とし 〜ノ てチップ抵抗器を、誘電体基板としてフローグラス基板
を用いるので低価格である。
ーダンス４３．３Ω、信号源インピーダンスＺｓと負値
が得られ、５ ＧＨｚでλｇ／４になる様な間隔にしで
あるので反射損失は非常に大きくなって反射される電力
は小さく（即ち、通過する電力が大きく）なるが、周波
数がこれよりもずれると虚数部が生じて反射損失が劣化
する。叉、挿入損失は４〜を実測すると実線の様な値が
得られ、約４〜６ＧＨ２程度で反射損先約２０ｄＢ以上
、挿入損先約５ｄＢが得られ、前記の第５図ｆｃ）の４
ＧＨｚ程度よりも高い６ ＧＨｚ程度でも十分に使用
可能であり、抵抗器とし 〜ノ てチップ抵抗器を、誘電体基板としてフローグラス基板
を用いるので低価格である。
上記で詳細に説明した様に本発明によれば、チップ抵抗
器と例えばフローグラス基板を用いて低価格で比較的周
波数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られると云う効果
がある。
器と例えばフローグラス基板を用いて低価格で比較的周
波数特性の良好な固定抵抗減衰器が得られると云う効果
がある。
第１図は本発明の実施例の構成図、
第２図は第１図の減衰特性図、
第３図は従来例の構成図、
第４図は別の従来例の構成図、
第５図は更に別の従来例の構成図を示す。
図において、
３０は第１の伝送線路、
３１は第２の伝送線路、
３２は第３の伝送線路、
３３は第１の抵抗器、
３４は第２の抵抗器を示す。
不会旧月０逮３枳靴例ａＴＩｔ戸ぐじ〕％−ｔＤ
不 ２ ■
（Ｃ）
史（−男ｉ］の屹未例０）末牡１堕
早 ５ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の伝送線路（３０）と第２の伝送線路（３１）及
び該２の伝送線路と第３の伝送線路（３２）とを、第１
の抵抗器（３３）及び第２の抵抗器（３４）を介して接
続し、 該第２の伝送線路（３１）は、該第１及び第２の抵抗器
を見たインピーダンスが所定の周波数で純抵抗と見える
位置の間隔がλｇ／４となる様な電気長を有すると共に
、該第１及び第３の伝送線路（３０、３２）の特性イン
ピーダンスより低く設定された特性インピーダンスを持
つことを特徴とする固定抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8137186A JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247601A true JPS62247601A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0261165B2 JPH0261165B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=13744449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8137186A Granted JPS62247601A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 固定抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247601A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003289205A (ja) * | 2003-03-27 | 2003-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体線路減衰器、終端器および無線装置 |
| RU2743940C1 (ru) * | 2020-05-26 | 2021-03-01 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» | Фиксированный аттенюатор |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8137186A patent/JPS62247601A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003289205A (ja) * | 2003-03-27 | 2003-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体線路減衰器、終端器および無線装置 |
| RU2743940C1 (ru) * | 2020-05-26 | 2021-03-01 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» | Фиксированный аттенюатор |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261165B2 (ja) | 1990-12-19 |
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