JPS6224964A - 円板形工作物の両面研摩加工方法および円板担体 - Google Patents
円板形工作物の両面研摩加工方法および円板担体Info
- Publication number
- JPS6224964A JPS6224964A JP61121367A JP12136786A JPS6224964A JP S6224964 A JPS6224964 A JP S6224964A JP 61121367 A JP61121367 A JP 61121367A JP 12136786 A JP12136786 A JP 12136786A JP S6224964 A JPS6224964 A JP S6224964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- disc
- opening
- carrier
- disc carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 19
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 12
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、円板形工作物の外周に接する駆動装置によっ
て回転操作され、工作物よりも小さい厚さを有する円板
担体の開口内に装入されている工作物を研摩作用のある
懸濁液の添加下に、工作物の上面および下面に亘って移
動する表面形成体の間マ回転運動させることＫより、円
板形工作物、殊に半導体円板の両面を研摩加工する方法
ならびに円板担体に関する。
て回転操作され、工作物よりも小さい厚さを有する円板
担体の開口内に装入されている工作物を研摩作用のある
懸濁液の添加下に、工作物の上面および下面に亘って移
動する表面形成体の間マ回転運動させることＫより、円
板形工作物、殊に半導体円板の両面を研摩加工する方法
ならびに円板担体に関する。
このような方法は、例えば半導体円板の両面をポリシン
グするかまたは粗研摩する際に使用することが１き５例
えば米国特許第３６９１６９４号明細書に記載されてい
るかまたはアイ・ビー・エム（ＩＢＭ）技術内容報告書
、第１５巻、＆６．１９７２年１１月、第１７６０頁〜
第１７６１頁に開示された論説（著者：ゲツツ（Ｆ、
Ｅ、 Ｇｏｅｔｚ）およびハウゼ（Ｊ、Ｒ，Ｈａｕｓｅ
））に記載されている。この場合には、全部金属、例え
ば鋼薄板から完成されているか、または全部合成樹脂か
らなる円板担体が使用される。
グするかまたは粗研摩する際に使用することが１き５例
えば米国特許第３６９１６９４号明細書に記載されてい
るかまたはアイ・ビー・エム（ＩＢＭ）技術内容報告書
、第１５巻、＆６．１９７２年１１月、第１７６０頁〜
第１７６１頁に開示された論説（著者：ゲツツ（Ｆ、
Ｅ、 Ｇｏｅｔｚ）およびハウゼ（Ｊ、Ｒ，Ｈａｕｓｅ
））に記載されている。この場合には、全部金属、例え
ば鋼薄板から完成されているか、または全部合成樹脂か
らなる円板担体が使用される。
金属からなる円板担体は、実際に長い可使時間を示すが
、加工過程の経過半に殊に屡・々脆い、機械的負荷に対
して不安定な半導体円板の際に、例えば端縁破譲のよう
な円板端縁での損島を惹き起こし、したがって加工した
円板の大部分は、もはや後使用することができない。こ
のような問題は、合成樹脂から完成された円板担体の場
合には起こらない。しかし、そのために可使時間は僅か
である。それというのも、殊に円板担体の外周は、駆動
装置、例えば遊星歯車装置による機械的負荷に長時間堪
えることができないから〒ある。
、加工過程の経過半に殊に屡・々脆い、機械的負荷に対
して不安定な半導体円板の際に、例えば端縁破譲のよう
な円板端縁での損島を惹き起こし、したがって加工した
円板の大部分は、もはや後使用することができない。こ
のような問題は、合成樹脂から完成された円板担体の場
合には起こらない。しかし、そのために可使時間は僅か
である。それというのも、殊に円板担体の外周は、駆動
装置、例えば遊星歯車装置による機械的負荷に長時間堪
えることができないから〒ある。
従って、本発明の課題は、円板形工作物の両面を粗研摩
するかまたはポリシングするような研摩処理を、工作物
端縁の僅かな機械的応力のもとフ同時に長時間使用でき
る円板担体を使用して可能にする方法を記載することで
あった。
するかまたはポリシングするような研摩処理を、工作物
端縁の僅かな機械的応力のもとフ同時に長時間使用でき
る円板担体を使用して可能にする方法を記載することで
あった。
この課題は、少なくとも外周が少なくとも１００Ｎ／Ｉ
ｎ２の引張強さを有する材料からなり、工作物の外周と
接触する範囲内に１６０〜８．１１３ Ｎ／、。
ｎ２の引張強さを有する材料からなり、工作物の外周と
接触する範囲内に１６０〜８．１１３ Ｎ／、。
の弾性率を有する合成樹脂が設けられている円板担体を
使用することを特徴とする方法によって解決される。
使用することを特徴とする方法によって解決される。
この方法は、例えば円板形工作物の両面をポリシングす
るかまたは粗研摩するのに常用されている機械で当業者
に周知の条件のもとで実施することができる。殊に、例
えばシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、燐化ガリ
ウム、燐化イン・ジウムからなる半導体円板のように結
晶性材料からなる円板または例えばガリウム−ガドリニ
ウム−ガーネットのような酸化物材料からなる円板を研
摩加工することに適当ｆある。その上、この方法は、例
えばガラスのような他の脆性材料からなる円板形工作物
を研摩加工するために使用することもできる。
るかまたは粗研摩するのに常用されている機械で当業者
に周知の条件のもとで実施することができる。殊に、例
えばシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、燐化ガリ
ウム、燐化イン・ジウムからなる半導体円板のように結
晶性材料からなる円板または例えばガリウム−ガドリニ
ウム−ガーネットのような酸化物材料からなる円板を研
摩加工することに適当ｆある。その上、この方法は、例
えばガラスのような他の脆性材料からなる円板形工作物
を研摩加工するために使用することもできる。
この場合、適当な円板担体材料は、駆動によつつて惹起
される機械的応力、とくに引張荷重および圧縮荷重に対
して十分な機械的安定性を有するようなものである。例
えばアルミニウムまたは殊に種々の鋼のような金属のよ
うに適当な材料は、共通に少なくとも１００ Ｎ／ｉｔ
、有利には少なくとも１０００ Ｎ／ｍｒｔｔ２の引
張強さを有する。これに関連して、円板担体の寿命を増
大させかつ加工すべき工作物の汚染を十分に克服するた
めに、選択した材料は、そのつど使用される研摩作用の
ある懸濁液、すなわち一般に研摩剤またはラップ剤によ
ってフきるだけ攻撃されないように注意すべき〒ある。
される機械的応力、とくに引張荷重および圧縮荷重に対
して十分な機械的安定性を有するようなものである。例
えばアルミニウムまたは殊に種々の鋼のような金属のよ
うに適当な材料は、共通に少なくとも１００ Ｎ／ｉｔ
、有利には少なくとも１０００ Ｎ／ｍｒｔｔ２の引
張強さを有する。これに関連して、円板担体の寿命を増
大させかつ加工すべき工作物の汚染を十分に克服するた
めに、選択した材料は、そのつど使用される研摩作用の
ある懸濁液、すなわち一般に研摩剤またはラップ剤によ
ってフきるだけ攻撃されないように注意すべき〒ある。
また、原則的（（十分な引張強さの合成樹脂、すなわち
例えば多くのベークライト類または繊維強化材料は使用
してもよい。
例えば多くのベークライト類または繊維強化材料は使用
してもよい。
工作物の外周と接触する合成樹脂としては、弾性によっ
て工作物円周の僅かな機械的負荷が保証されかつ加工過
程の間に同時に機械的安定性によって工作物の確実な取
り付けが保証されているような材料を使用することがで
きる。従って、原則的に適当なのは、１．０〜ａ、ｔｏ
Ｎ／＝〒 の弾性率を有するプラスチック、すなわち殊
にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ノリエチレンまた
はポリテトラフルオルエチレンを基礎とする材料である
。しかし、この場合には、場合によって円板担体の合成
樹脂からなる範囲の形状寸法により生じる、機械的安定
性に対する影響を考慮に入れることも１きる。
て工作物円周の僅かな機械的負荷が保証されかつ加工過
程の間に同時に機械的安定性によって工作物の確実な取
り付けが保証されているような材料を使用することがで
きる。従って、原則的に適当なのは、１．０〜ａ、ｔｏ
Ｎ／＝〒 の弾性率を有するプラスチック、すなわち殊
にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ノリエチレンまた
はポリテトラフルオルエチレンを基礎とする材料である
。しかし、この場合には、場合によって円板担体の合成
樹脂からなる範囲の形状寸法により生じる、機械的安定
性に対する影響を考慮に入れることも１きる。
本発明による方法を実施するのに適当な円板担体は、例
えば半導体円板を研摩加工１−るためにこの工作物の厚
さに応じて典型的には約１５０〜８５０μの厚さを有し
、種々の方法で形成させることができる。殊に、両面を
ポリリングするのに適当である１つの可能な実・施態様
は、例えば金属、有利に鋼薄板から完成された円形基板
からなる。
えば半導体円板を研摩加工１−るためにこの工作物の厚
さに応じて典型的には約１５０〜８５０μの厚さを有し
、種々の方法で形成させることができる。殊に、両面を
ポリリングするのに適当である１つの可能な実・施態様
は、例えば金属、有利に鋼薄板から完成された円形基板
からなる。
この円形基板は、円形の開口を有し、この開口内には合
成樹脂からなる表面形成体が嵌込まれていてもよく、こ
の表面形成体ば、その側で加工すべき工作物を収容する
のＫＭ当な開口を有する。
成樹脂からなる表面形成体が嵌込まれていてもよく、こ
の表面形成体ば、その側で加工すべき工作物を収容する
のＫＭ当な開口を有する。
このような表面形成体は、例えば有利には１〜１０ｍｍ
の幅を有する合成樹脂からなるリングであり、その外径
は円板担体開口の内径よりも僅かに小さいように選択さ
れ、したがってこのリングは、この僅かな遊びのために
回転可能である。場合によっては、リングの案内は、回
転運動の際に例えば、開口の内部周面を一様に構成する
のではなく、内向きに円錐形になるようにｔ！１を成す
ることによって改善させることもできる。リングの内径
は、工作物が円形ｆある場合に一般に工作物の外径より
も僅かに大きくなるように選択され、したがってこのリ
ングは、固有運動、例えば回転のための間隙をも有する
。この円板担体の金属部分ならびに合成樹脂部分は、有
利には所望の形１打抜きによって和尚する厚さの金舅薄
板、有利に鋼薄板および合成樹脂シート、有利にはポリ
塩化ビニルシートから製造することが〕きる。
の幅を有する合成樹脂からなるリングであり、その外径
は円板担体開口の内径よりも僅かに小さいように選択さ
れ、したがってこのリングは、この僅かな遊びのために
回転可能である。場合によっては、リングの案内は、回
転運動の際に例えば、開口の内部周面を一様に構成する
のではなく、内向きに円錐形になるようにｔ！１を成す
ることによって改善させることもできる。リングの内径
は、工作物が円形ｆある場合に一般に工作物の外径より
も僅かに大きくなるように選択され、したがってこのリ
ングは、固有運動、例えば回転のための間隙をも有する
。この円板担体の金属部分ならびに合成樹脂部分は、有
利には所望の形１打抜きによって和尚する厚さの金舅薄
板、有利に鋼薄板および合成樹脂シート、有利にはポリ
塩化ビニルシートから製造することが〕きる。
特に有利には、前記円板担体は、円形の形状寸法から偏
倚する工作物を加工する際に使用される。
倚する工作物を加工する際に使用される。
このための例は、有利には太＠電池基材として使用され
る、注型した、整列されて凝固した珪素からなる正方形
横断面を有する円板であるか、または例えば燐化ガリウ
ムまたは燐化イソ・ジウムのようにぎ一ト引抜法（Ｂｏ
ｏｔｚｉｅｈｖｅｒｆａｈｒｅｎ）により得られた半導
体材料からなる円板〒ある。このような円板には、合成
樹脂リングの代りに有利には正方形、矩形または多角形
ないしは棉円形ないし卵形の開口を有する円形合成樹脂
板が使用される。
る、注型した、整列されて凝固した珪素からなる正方形
横断面を有する円板であるか、または例えば燐化ガリウ
ムまたは燐化イソ・ジウムのようにぎ一ト引抜法（Ｂｏ
ｏｔｚｉｅｈｖｅｒｆａｈｒｅｎ）により得られた半導
体材料からなる円板〒ある。このような円板には、合成
樹脂リングの代りに有利には正方形、矩形または多角形
ないしは棉円形ないし卵形の開口を有する円形合成樹脂
板が使用される。
更に、開口内に装入された工作物は、加工過程の間に実
際に回転可能な合成樹脂板に対して確定された、それぞ
れの間隙内でのみ変動しうる位置に保持されるが、合成
樹脂板と一緒に円板担体の開口内で回転可能のままであ
る。従って、この材料の場合には、従来法と比較して改
善された形状寸法が達成される。
際に回転可能な合成樹脂板に対して確定された、それぞ
れの間隙内でのみ変動しうる位置に保持されるが、合成
樹脂板と一緒に円板担体の開口内で回転可能のままであ
る。従って、この材料の場合には、従来法と比較して改
善された形状寸法が達成される。
両面を・粗研摩する場合にも有利に使用することがマき
る、本発明方法を実施するための円板担体の他の可能な
実施態様は、円形ないし多角形の開口を有し、この開口
内に固定された、合成樹脂からなる表面形成体を有する
基板からなり、この表面形成体は、研摩加工すべき１個
またはそれ以上の工作物を収容するための開口を備えて
いる。この場合、この固定は、例えば適合するように打
抜きされた合成樹脂部材を金属基板と接着させることに
よって達成させることが１きる。他の方法は、基板の開
口にまず例えば射出成形法により合成樹脂シートを、有
利にはポリプロピレンを原料として注型し、次にこのシ
ートから所望の開口を打抜くことにある。場合によって
は、この固定は、基板の開口内に設けられた、例えば溝
形または歯形の切欠きによってさらに改善させることが
マざる。
る、本発明方法を実施するための円板担体の他の可能な
実施態様は、円形ないし多角形の開口を有し、この開口
内に固定された、合成樹脂からなる表面形成体を有する
基板からなり、この表面形成体は、研摩加工すべき１個
またはそれ以上の工作物を収容するための開口を備えて
いる。この場合、この固定は、例えば適合するように打
抜きされた合成樹脂部材を金属基板と接着させることに
よって達成させることが１きる。他の方法は、基板の開
口にまず例えば射出成形法により合成樹脂シートを、有
利にはポリプロピレンを原料として注型し、次にこのシ
ートから所望の開口を打抜くことにある。場合によって
は、この固定は、基板の開口内に設けられた、例えば溝
形または歯形の切欠きによってさらに改善させることが
マざる。
更に、この開口は、多角形、例えば三角形、正方形また
は六角形の横断面を有することもマきる。
は六角形の横断面を有することもマきる。
プラスチック中に設けられた開口の規準には、可動する
合成樹脂嵌込物を有する実施態様の場合と同様に、有利
に装入された工作物に対する間隙をそのままにしておく
という原則が当てはまる。一般に、例えば工作物が円形
〒ある場合には、この工作物は、静止位置マ幅０．１〜
２罪の間隙によって包囲されているのが好適！あること
がわかった。
合成樹脂嵌込物を有する実施態様の場合と同様に、有利
に装入された工作物に対する間隙をそのままにしておく
という原則が当てはまる。一般に、例えば工作物が円形
〒ある場合には、この工作物は、静止位置マ幅０．１〜
２罪の間隙によって包囲されているのが好適！あること
がわかった。
本発明による方法を実施するための円板担体のもう１つ
の可能な実施態様は、合成樹脂製の円形基板からなり、
この円形基板は、研摩加工すべき工作物を収容するのに
適当な開口を有しかつ金属からなるリングによって包囲
されており、このリングに駆動装置が作用する。このよ
うな円板担体の場合、円板担体の内部範囲上への駆動に
よって規定される回転運動の確実な伝達を保証するため
に、金属部分と合成樹脂部分との間を固定結合すること
は好適マあることが判明した。この結合は、例えば接着
によって補助することがマきおよび／または例えば溝形
もしくは歯形の切欠きにより金属リングと合成樹脂基板
を相互に噛合せることにより、金属リングの内部端縁の
形状によって補助することが！きる。また、金属リング
の多角形、例えば六角形の内周および合成樹脂基板の相
応して形成された外周も考えることがマきる。
の可能な実施態様は、合成樹脂製の円形基板からなり、
この円形基板は、研摩加工すべき工作物を収容するのに
適当な開口を有しかつ金属からなるリングによって包囲
されており、このリングに駆動装置が作用する。このよ
うな円板担体の場合、円板担体の内部範囲上への駆動に
よって規定される回転運動の確実な伝達を保証するため
に、金属部分と合成樹脂部分との間を固定結合すること
は好適マあることが判明した。この結合は、例えば接着
によって補助することがマきおよび／または例えば溝形
もしくは歯形の切欠きにより金属リングと合成樹脂基板
を相互に噛合せることにより、金属リングの内部端縁の
形状によって補助することが！きる。また、金属リング
の多角形、例えば六角形の内周および合成樹脂基板の相
応して形成された外周も考えることがマきる。
円板担体な製造するには、例えば鋼薄板から打抜いた、
所定の包囲リングの内部空間を射出成形法により例えば
ポリプロピレンρ・らなる合成樹脂板！充填し、次にこ
の合成樹脂板から工作物のための開口を適当な大きさ〒
、すなわち間隙を有するように打抜く方法が当てはまる
。他の方法は、リングと基板を別々に予め完成させ、こ
れらの個々の部材を必要な場合に初めて接合して所望の
円板担体にすることにある。
所定の包囲リングの内部空間を射出成形法により例えば
ポリプロピレンρ・らなる合成樹脂板！充填し、次にこ
の合成樹脂板から工作物のための開口を適当な大きさ〒
、すなわち間隙を有するように打抜く方法が当てはまる
。他の方法は、リングと基板を別々に予め完成させ、こ
れらの個々の部材を必要な場合に初めて接合して所望の
円板担体にすることにある。
本明細書中に例示的に記載した、円板担体の可能な実施
態様は、問題なく両面をポリシングするかまたは粗研摩
する常用の機械に使用することが↑き、その際固有の加
工過程には、当業者に周知の普通の条件（例えば、この
ことは、使用される研摩用懸濁液、温度、加工圧力等に
関連する。）を維持することが！きるかまたはそれに適
合させることが〒きる。場合によっては、最初に使用す
る前に円板担体は、金属成分とプラスチック成分との間
の場合による厚さの差を補償するために、比較的適度な
処理、例えば粗研摩を行なうことがｆきる。しかし、多
くの場合に厚さの差は、全厚の土５％にまで許容するこ
とが１きる。
態様は、問題なく両面をポリシングするかまたは粗研摩
する常用の機械に使用することが↑き、その際固有の加
工過程には、当業者に周知の普通の条件（例えば、この
ことは、使用される研摩用懸濁液、温度、加工圧力等に
関連する。）を維持することが！きるかまたはそれに適
合させることが〒きる。場合によっては、最初に使用す
る前に円板担体は、金属成分とプラスチック成分との間
の場合による厚さの差を補償するために、比較的適度な
処理、例えば粗研摩を行なうことがｆきる。しかし、多
くの場合に厚さの差は、全厚の土５％にまで許容するこ
とが１きる。
本発明方法によれば、殊に半導体円板の両面を粗研摩し
および／またはボリシングする場合、端縁範囲内で損傷
した円板の損失は明らかに減少させることが１き、かつ
この場合には全部金属の円板担体の使用可能時間に相当
する円板担体の使用可能時間を達成させることがマきる
。
および／またはボリシングする場合、端縁範囲内で損傷
した円板の損失は明らかに減少させることが１き、かつ
この場合には全部金属の円板担体の使用可能時間に相当
する円板担体の使用可能時間を達成させることがマきる
。
次に、本発明方法を比較例および実施例につき詳説する
： 例１ 半導体円板の両面を研摩する市販の装置に２７個の珪素
円板（直径７６．２ｍ、円板の厚さ４５０μ）を負荷し
、その際にそれぞれ３個宛の円板を、全部〒９つの載置
し、外部ｆ噛合せた遊星歯車装置により駆動される鋼薄
板からなる円板担体（厚さ３８０μ、引張強さ２００Ｏ
Ｎ／ｌ／）のそれぞれの開口内に装入した。
： 例１ 半導体円板の両面を研摩する市販の装置に２７個の珪素
円板（直径７６．２ｍ、円板の厚さ４５０μ）を負荷し
、その際にそれぞれ３個宛の円板を、全部〒９つの載置
し、外部ｆ噛合せた遊星歯車装置により駆動される鋼薄
板からなる円板担体（厚さ３８０μ、引張強さ２００Ｏ
Ｎ／ｌ／）のそれぞれの開口内に装入した。
３０分間の研摩過程の間に研摩剤として市販の５ｉ０２
ゾルを供給し、約４０℃の温度を維持し；研摩圧力は０
．５バ一ル″１％あった（円板面積１７に対して）。ポ
リエステルフェルトからなる研摩布″ｔ′１被覆された
２つの研摩板は、対向してそれぞれ５Ｑｒｐｍで回転し
；円板担体の回転数は２Ｏｒｐｍｆあった。
ゾルを供給し、約４０℃の温度を維持し；研摩圧力は０
．５バ一ル″１％あった（円板面積１７に対して）。ポ
リエステルフェルトからなる研摩布″ｔ′１被覆された
２つの研摩板は、対向してそれぞれ５Ｑｒｐｍで回転し
；円板担体の回転数は２Ｏｒｐｍｆあった。
研摩の終結後、珪素円板を取り出し、かつ端縁範囲内を
４０〜１００倍の倍率で顕微鏡検査した。全部の円板は
、明らかに損傷を示し、かつもはや後使用することがｔ
きなかった。
４０〜１００倍の倍率で顕微鏡検査した。全部の円板は
、明らかに損傷を示し、かつもはや後使用することがｔ
きなかった。
例２
同じ装置中ｒ！再び同じ規格の２７個の珪素円板を研摩
した。この場合には、本発明方法により、鋼薄板（厚さ
３８０μ、引張強さ２００ＯＮ／ｇｄ）から作られてい
て、その円形に打抜かれた、円板を収容するだめの開口
（内径８５ｉｍ）内に追加的に厚さ６８０μのＰＶＣシ
ートから打抜きされたリング（外径８４，８朋、内径７
７ｎ５弾性率１．５・１０３Ｎ／ｌ１１２）が嵌込まれ
ている円板担体を使用した。
した。この場合には、本発明方法により、鋼薄板（厚さ
３８０μ、引張強さ２００ＯＮ／ｇｄ）から作られてい
て、その円形に打抜かれた、円板を収容するだめの開口
（内径８５ｉｍ）内に追加的に厚さ６８０μのＰＶＣシ
ートから打抜きされたリング（外径８４，８朋、内径７
７ｎ５弾性率１．５・１０３Ｎ／ｌ１１２）が嵌込まれ
ている円板担体を使用した。
従って、円板にもリングにも固有運動に対して十分な間
隙が与えられた。
隙が与えられた。
その他は全く同じ条件のもと〒研摩過程を実施した後、
円板を同様に取り出し、かっ端縁範囲内を顕微鏡検査し
た。４０〜１００倍の倍率ｆ何らの損傷も確認すること
ができず、したがって全部の円板を使用することが！き
た。
円板を同様に取り出し、かっ端縁範囲内を顕微鏡検査し
た。４０〜１００倍の倍率ｆ何らの損傷も確認すること
ができず、したがって全部の円板を使用することが！き
た。
ＰＶＣＩＪングを交換することなしに５０回の研摩過程
を実施した後、外部の噛合せ部ｆの摩滅により円板担体
を交換することが必要ｔあった。
を実施した後、外部の噛合せ部ｆの摩滅により円板担体
を交換することが必要ｔあった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）円板形工作物の外周に接する駆動装置によつて回転
操作され、工作物よりも小さい厚さを有する円板担体の
開口内に装入されている工作物を、研摩作用のある懸濁
液の添加下に、工作物の上面および下面に亘つて移動す
る表面形成体の間で回転運動させることにより、円板形
工作物の両面研摩加工方法において、少なくとも外周が
少なくとも１００Ｎ／ｍｍ＾２の引張強さを有する材料
からなり、工作物の外周と接触する範囲内に１．０〜８
．１０＾４Ｎ／ｍｍ＾２の弾性率を有する合成樹脂が設
けられている円板担体を使用することを特徴とする、円
板形工作物の両面研摩加工方法。 ２）少なくとも１００Ｎ／ｍｍ＾２の引張強さを有する
材料として金属を使用する特許請求の範囲第１項記載の
方法。 ３）材料として鋼を選択使用した特許請求の範囲第１項
または第２項に記載の方法。 ４）プラスチックをポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリテトラフルオルエチレンの群から選
択する特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか
１項に記載の方法。 ５）円板形工作物の外周に接する駆動装置によつて回転
操作され、工作物よりも小さい厚さを有する円板担体の
開口内に装入されている工作物を研摩作用のある懸濁液
の添加下に工作物の上面および下面に亘つて移動する表
面形成体の間で回転運動させることにより、円板形工作
物の両面研摩加工方法を実施するための円板担体におい
て、円形開口を有する円形基板が金属からなり、この開
口内に略適合するように嵌込まれた、回転可能な研摩加
工すべき工作物を収容するのに適当な開口を有する表面
形成体が円形の外周を有する合成樹脂からなることを特
徴とする円板担体。 ６）円板形工作物の外周に接する駆動装置によつて回転
操作され、工作物よりも小さい厚さを有する円板担体の
開口内に装入されている工作物を研摩作用のある懸濁液
の添加下に工作物の上面および下面に亘つて移動する表
面形成体の間で回転運動させることにより、円板形工作
物の両面研摩加工方法を実施するための円板担体におい
て、円形ないし多角形の開口を有する円形基板が金属か
らなり、この開口内に固定された、研摩加工すべき工作
物を収容するのに適した開口を有する表面形成体が合成
樹脂からなることを特徴とする円板担体。 ７）円板形工作物の外周に接する駆動装置によつて回転
操作され工作物よりも小さい厚さを有する円板担体の開
口内に装入されている工作物を研摩作用のある懸濁液の
添加下に工作物の上面および下面に亘つて移動する表面
形成体の間で回転運動させることにより、円板形工作物
の両面研摩加工方法を実施するための円板担体において
、合成樹脂からなる円形基板が研摩加工すべき工作物を
収容するのに適した開口を有し、この基板を包囲するリ
ングが金属からなることを特徴とする円板担体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853524978 DE3524978A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
| DE3524978.1 | 1985-07-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6224964A true JPS6224964A (ja) | 1987-02-02 |
Family
ID=6275644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121367A Pending JPS6224964A (ja) | 1985-07-12 | 1986-05-28 | 円板形工作物の両面研摩加工方法および円板担体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4739589A (ja) |
| EP (1) | EP0208315B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6224964A (ja) |
| DE (2) | DE3524978A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051532A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-02-21 | Peter Wolters Werkzeugmas Gmbh | 両面研磨機へのウエハ結晶体の自動装填方法およびその装置 |
| JP2011240460A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
| JP2018103293A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | クアーズテック株式会社 | 研磨キャリア及び研磨方法 |
Families Citing this family (88)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02190258A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-26 | Nkk Corp | チタン板の両面研磨方法 |
| JPH0373265A (ja) * | 1989-05-02 | 1991-03-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 被研磨物保持用キャリヤ及びその製造方法 |
| USRE37997E1 (en) | 1990-01-22 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with controlled abrasion rate |
| DE4011993A1 (de) * | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung einseitig polierter scheiben, insbesondere halbleiterscheiben, durch chemomechanische zweiseitenpolitur, sowie dadurch erhaeltliche halbleiterscheiben |
| US5140782A (en) * | 1990-10-29 | 1992-08-25 | Honore Mecteau | Tool and method for forming a lens |
| US5314107A (en) * | 1992-12-31 | 1994-05-24 | Motorola, Inc. | Automated method for joining wafers |
| US5695392A (en) * | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
| MY129961A (en) * | 1996-02-01 | 2007-05-31 | Shinetsu Handotai Kk | Double side polishing machine and method of polishing opposite sides of a workpiece using the same |
| US5876273A (en) * | 1996-04-01 | 1999-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for polishing a wafer |
| JPH10180624A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ラッピング装置及び方法 |
| US6241582B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-06-05 | United Microelectronics Corp. | Chemical mechanical polish machines and fabrication process using the same |
| US6062963A (en) * | 1997-12-01 | 2000-05-16 | United Microelectronics Corp. | Retainer ring design for polishing head of chemical-mechanical polishing machine |
| DE19756537A1 (de) * | 1997-12-18 | 1999-07-01 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zum Erzielen eines möglichst linearen Verschleißverhaltens und Werkzeug mit möglichst linearem Verschleißverhalten |
| US6203407B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
| US6089961A (en) * | 1998-12-07 | 2000-07-18 | Speedfam-Ipec Corporation | Wafer polishing carrier and ring extension therefor |
| DE19905737C2 (de) * | 1999-02-11 | 2000-12-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
| US6419555B1 (en) | 1999-06-03 | 2002-07-16 | Brian D. Goers | Process and apparatus for polishing a workpiece |
| DE19938340C1 (de) | 1999-08-13 | 2001-02-15 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
| DE19956250C1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
| DE19958077A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
| DE10004578C1 (de) * | 2000-02-03 | 2001-07-26 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit polierter Kante |
| DE10012840C2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben |
| DE10018338C1 (de) | 2000-04-13 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| DE10023002B4 (de) * | 2000-05-11 | 2006-10-26 | Siltronic Ag | Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung |
| US6454635B1 (en) | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
| DE10060697B4 (de) * | 2000-12-07 | 2005-10-06 | Siltronic Ag | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| DE10132504C1 (de) * | 2001-07-05 | 2002-10-10 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung |
| DE10250823B4 (de) * | 2002-10-31 | 2005-02-03 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Bearbeitung von Werkstücken |
| DE102004004556B4 (de) * | 2004-01-29 | 2008-12-24 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
| US20060261449A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Staktek Group L.P. | Memory module system and method |
| US7446410B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-11-04 | Entorian Technologies, Lp | Circuit module with thermal casing systems |
| US20060053345A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Staktek Group L.P. | Thin module system and method |
| US7324352B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-01-29 | Staktek Group L.P. | High capacity thin module system and method |
| US7616452B2 (en) | 2004-09-03 | 2009-11-10 | Entorian Technologies, Lp | Flex circuit constructions for high capacity circuit module systems and methods |
| US20060048385A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Staktek Group L.P. | Minimized profile circuit module systems and methods |
| US7522421B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-04-21 | Entorian Technologies, Lp | Split core circuit module |
| US20060049513A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Staktek Group L.P. | Thin module system and method with thermal management |
| US7468893B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-12-23 | Entorian Technologies, Lp | Thin module system and method |
| US7289327B2 (en) * | 2006-02-27 | 2007-10-30 | Stakick Group L.P. | Active cooling methods and apparatus for modules |
| US7423885B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-09-09 | Entorian Technologies, Lp | Die module system |
| US7760513B2 (en) * | 2004-09-03 | 2010-07-20 | Entorian Technologies Lp | Modified core for circuit module system and method |
| US7606050B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-10-20 | Entorian Technologies, Lp | Compact module system and method |
| US7542297B2 (en) | 2004-09-03 | 2009-06-02 | Entorian Technologies, Lp | Optimized mounting area circuit module system and method |
| US7606040B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-10-20 | Entorian Technologies, Lp | Memory module system and method |
| US7443023B2 (en) | 2004-09-03 | 2008-10-28 | Entorian Technologies, Lp | High capacity thin module system |
| US7579687B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-08-25 | Entorian Technologies, Lp | Circuit module turbulence enhancement systems and methods |
| US7606049B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-10-20 | Entorian Technologies, Lp | Module thermal management system and method |
| US7511968B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-03-31 | Entorian Technologies, Lp | Buffered thin module system and method |
| US20060050492A1 (en) | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Staktek Group, L.P. | Thin module system and method |
| DE102004054567A1 (de) * | 2004-11-11 | 2005-12-01 | Siltronic Ag | Verfahren zur Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
| US7511969B2 (en) * | 2006-02-02 | 2009-03-31 | Entorian Technologies, Lp | Composite core circuit module system and method |
| WO2008064158A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | 3M Innovative Properties Company | Lapping carrier and method |
| DE102007056628B4 (de) * | 2007-03-19 | 2019-03-14 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
| DE102007013058B4 (de) | 2007-03-19 | 2024-01-11 | Lapmaster Wolters Gmbh | Verfahren zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben |
| JP5076723B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2012-11-21 | 富士通株式会社 | 研磨装置、基板及び電子機器の製造方法 |
| DE102007049811B4 (de) * | 2007-10-17 | 2016-07-28 | Peter Wolters Gmbh | Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
| DE102009025243B4 (de) | 2009-06-17 | 2011-11-17 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe aus Silicium |
| DE102009030292B4 (de) * | 2009-06-24 | 2011-12-01 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
| DE102009047927A1 (de) | 2009-10-01 | 2011-01-27 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe |
| DE102010010885B4 (de) * | 2010-03-10 | 2017-06-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| DE102011080323A1 (de) | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Siltronic Ag | Verfahren zum Einebnen einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Kantenschonung |
| DE102011082777A1 (de) | 2011-09-15 | 2012-02-09 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
| DE102012201516A1 (de) | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| USD695242S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-12-10 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having pockets |
| USD695241S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-12-10 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having pockets |
| USD711332S1 (en) | 2012-03-20 | 2014-08-19 | Veeco Instruments Inc. | Multi-keyed spindle |
| USD686175S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-07-16 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having pockets |
| US9816184B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-14 | Veeco Instruments Inc. | Keyed wafer carrier |
| USD712852S1 (en) | 2012-03-20 | 2014-09-09 | Veeco Instruments Inc. | Spindle key |
| USD690671S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-10-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having pockets |
| USD726133S1 (en) | 2012-03-20 | 2015-04-07 | Veeco Instruments Inc. | Keyed spindle |
| USD687790S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-08-13 | Veeco Instruments Inc. | Keyed wafer carrier |
| USD687791S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-08-13 | Veeco Instruments Inc. | Multi-keyed wafer carrier |
| USD686582S1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having pockets |
| DE102012206398A1 (de) | 2012-04-18 | 2012-06-21 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Bearbeitung einer Scheibe aus Halbleitermaterial |
| DE102012206708A1 (de) | 2012-04-24 | 2013-10-24 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| DE102012214998B4 (de) | 2012-08-23 | 2014-07-24 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe |
| DE102012218745A1 (de) | 2012-10-15 | 2014-04-17 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Bearbeiten einer Halbleiterscheibe |
| DE102013201663B4 (de) | 2012-12-04 | 2020-04-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| KR101422955B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-07-23 | 삼성전기주식회사 | 베이스 어셈블리 및 이를 구비하는 기록 디스크 구동장치 |
| DE102013200072A1 (de) * | 2013-01-04 | 2014-07-10 | Siltronic Ag | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben |
| DE102013200756A1 (de) | 2013-01-18 | 2014-08-07 | Siltronic Ag | Läuferscheibe für die beidseitige Politur von Scheiben aus Halbleitermaterial |
| JP5847789B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-01-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
| DE102013211086A1 (de) | 2013-06-14 | 2013-11-28 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| CN106181747B (zh) * | 2016-06-13 | 2018-09-04 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种大尺寸蓝宝石超薄双面抛光窗口片加工方法 |
| DE102018202059A1 (de) | 2018-02-09 | 2019-08-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| DE102018216304A1 (de) | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
| EP4212280A1 (de) | 2022-01-12 | 2023-07-19 | Siltronic AG | Verfahren zum aufbringen eines poliertuchs an einen polierteller |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555957U (ja) * | 1978-10-09 | 1980-04-16 | ||
| JPS5741164A (en) * | 1980-08-12 | 1982-03-08 | Citizen Watch Co Ltd | Dual carrier for lapping |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2424835A (en) * | 1945-02-10 | 1947-07-29 | Hamilton Watch Co | Method for surfacing small parts |
| US2466610A (en) * | 1945-11-23 | 1949-04-05 | Prec Scient Co | Specimen holder |
| DE1652055B2 (de) * | 1967-07-20 | 1973-02-22 | Hahn & KoIb, 7000 Stuttgart | Flachlaeppmaschine |
| US3691694A (en) * | 1970-11-02 | 1972-09-19 | Ibm | Wafer polishing machine |
| US4205489A (en) * | 1976-12-10 | 1980-06-03 | Balabanov Anatoly S | Apparatus for finishing workpieces on surface-lapping machines |
| US4319432A (en) * | 1980-05-13 | 1982-03-16 | Spitfire Tool And Machine Co. | Polishing fixture |
| JPS57138576A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-26 | Ricoh Co Ltd | Lapping carrier |
| US4512113A (en) * | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
-
1985
- 1985-07-12 DE DE19853524978 patent/DE3524978A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61121367A patent/JPS6224964A/ja active Pending
- 1986-07-02 US US06/881,108 patent/US4739589A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-10 DE DE8686109420T patent/DE3674486D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-10 EP EP86109420A patent/EP0208315B1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5555957U (ja) * | 1978-10-09 | 1980-04-16 | ||
| JPS5741164A (en) * | 1980-08-12 | 1982-03-08 | Citizen Watch Co Ltd | Dual carrier for lapping |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051532A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-02-21 | Peter Wolters Werkzeugmas Gmbh | 両面研磨機へのウエハ結晶体の自動装填方法およびその装置 |
| JP2011240460A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
| JP2018103293A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | クアーズテック株式会社 | 研磨キャリア及び研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4739589A (en) | 1988-04-26 |
| DE3674486D1 (de) | 1990-10-31 |
| EP0208315B1 (de) | 1990-09-26 |
| DE3524978A1 (de) | 1987-01-22 |
| EP0208315A1 (de) | 1987-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6224964A (ja) | 円板形工作物の両面研摩加工方法および円板担体 | |
| KR101293517B1 (ko) | 화학적 기계적 평탄화 패드 컨디셔너로 사용되는 연마 공구 | |
| TW201044453A (en) | Method for forming a chamfer on wafer | |
| MXPA05000402A (es) | Herramienta. | |
| JPS61230852A (ja) | 両面研磨作業のためのキヤリア組立体 | |
| JPH02190258A (ja) | チタン板の両面研磨方法 | |
| US6752687B2 (en) | Method of polishing disks | |
| JP2015196224A (ja) | 研磨方法、及び保持具 | |
| US12377514B2 (en) | Carrier and method for manufacturing substrate | |
| JP2938836B2 (ja) | ガラスディスクのチャンファー加工方法 | |
| JPH02303744A (ja) | 真空チャック | |
| CN217667749U (zh) | 一种用于球阀加工的钻孔机 | |
| JP3182758U (ja) | チャック治具 | |
| JP2001246536A (ja) | 記録媒体ディスク原板の端部を鏡面仕上げする方法 | |
| CN212095829U (zh) | 一种抛光治具装置 | |
| JPH01271178A (ja) | 半導体ウエハ用ダイシングブレード | |
| JP5864823B2 (ja) | 半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具 | |
| JPS62203748A (ja) | 磁気デイスク基板の加工方法 | |
| JPH04135166A (ja) | 浮遊砥粒式研磨装置 | |
| JPS591162A (ja) | 両面研磨装置 | |
| JP2000198064A (ja) | 研磨機用キャリヤ | |
| JPS6393561A (ja) | 両面研磨装置による片面研磨方法 | |
| JPH10308369A (ja) | ノッチ部ポリッシング装置およびその装置に用いる研磨材 | |
| JPH03196965A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JP2009028826A (ja) | 両面研磨機 |