JPH01271178A - 半導体ウエハ用ダイシングブレード - Google Patents
半導体ウエハ用ダイシングブレードInfo
- Publication number
- JPH01271178A JPH01271178A JP63100481A JP10048188A JPH01271178A JP H01271178 A JPH01271178 A JP H01271178A JP 63100481 A JP63100481 A JP 63100481A JP 10048188 A JP10048188 A JP 10048188A JP H01271178 A JPH01271178 A JP H01271178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing blade
- peripheral edge
- dicing
- main unit
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハを各チップ毎に分割するダイシン
グ工程で使用されるダイシングブレードに関するもので
ある。
グ工程で使用されるダイシングブレードに関するもので
ある。
従来、ダイシング工程において半導体ウェハを研削しダ
イシング用切断溝を形成するダイシングブレードは、ａ
！４図および第５図に示すように概ね構成されている。
イシング用切断溝を形成するダイシングブレードは、ａ
！４図および第５図に示すように概ね構成されている。
第４図はワッシャタイプダイシングブレードを示す側断
面図、第５図はハブタイプダイシングブレードを示す側
断面図で、これらの図において１はダイシングブレード
本体で、ダイヤモンド粒子を、分散メツキ法で溶液中の
金属を析出させながらその析出層の中に封じ込めること
によって製造されており、直径寸法り、厚み寸法Ｔを有
する円盤状に形成されている。第６図はこの種ダイシン
グブレードの周縁部断面図で、同図において２はダイヤ
モンド粒子、３はこのダイヤモンド粒子２を保持するた
めのＮｉ等の母材である。このダイシングブレードを長
時間使用すると研削途中で母材３がダイヤモンド粒子２
を支えきれなくなυ、ダイヤモンド粒子２がｍｌちるこ
とによって消耗され、外径寸法りが小さくなる念め、効
率よく使用するために研削荷重および回転数等が最適化
されている。そして、このように構成されたダイシング
ブレードでシリコンウェハ（以下ウェハという）の表面
に溝加工を施すには、先ずダイシングブレード本体１を
ダイシング装置（図示せず）に取付けると共に、ウェハ
を移動テーブル（図示せず）に取付け、このダイシング
ブレードを３００００ｒｐｒｎで回転させた状態で接触
させる。次いでウエノ・を移動テーブルを移動させるこ
とにより水平移動させ、研削することによって行なわれ
る。
面図、第５図はハブタイプダイシングブレードを示す側
断面図で、これらの図において１はダイシングブレード
本体で、ダイヤモンド粒子を、分散メツキ法で溶液中の
金属を析出させながらその析出層の中に封じ込めること
によって製造されており、直径寸法り、厚み寸法Ｔを有
する円盤状に形成されている。第６図はこの種ダイシン
グブレードの周縁部断面図で、同図において２はダイヤ
モンド粒子、３はこのダイヤモンド粒子２を保持するた
めのＮｉ等の母材である。このダイシングブレードを長
時間使用すると研削途中で母材３がダイヤモンド粒子２
を支えきれなくなυ、ダイヤモンド粒子２がｍｌちるこ
とによって消耗され、外径寸法りが小さくなる念め、効
率よく使用するために研削荷重および回転数等が最適化
されている。そして、このように構成されたダイシング
ブレードでシリコンウェハ（以下ウェハという）の表面
に溝加工を施すには、先ずダイシングブレード本体１を
ダイシング装置（図示せず）に取付けると共に、ウェハ
を移動テーブル（図示せず）に取付け、このダイシング
ブレードを３００００ｒｐｒｎで回転させた状態で接触
させる。次いでウエノ・を移動テーブルを移動させるこ
とにより水平移動させ、研削することによって行なわれ
る。
しかるに、ダイシング装置においてダイシングブレード
の側面と移動テーブルの移動方向とが平行でない場合、
換言すればダイシングブレードの軸方向にウエノ・の移
動方向とが直交しない場合には研削抵抗が大きく、第７
図（−） 、 （ｂ）に示すように切断溝の開口縁部に
チッピングと呼ばれるシリコン欠けが生じていた。第７
図（ａ）はダイシングブレードによってウエノ１上に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、同図（ｂ）は（−）図中Ｂ−Ｂ線断
面図で、これらの図において１はダイシングブレード本
体、４はウェハ、５はウェハ４上に形成された切断溝、
６はこの切断溝５の開口縁部に形成されたチッピング部
を示す。なおダイシングブレード本体１の取替初期は研
削抵抗が最も大きく、チッピング部６が大きく形成され
るばかシか、ダイシングブレード本体１が破損されるこ
とがあった。
の側面と移動テーブルの移動方向とが平行でない場合、
換言すればダイシングブレードの軸方向にウエノ・の移
動方向とが直交しない場合には研削抵抗が大きく、第７
図（−） 、 （ｂ）に示すように切断溝の開口縁部に
チッピングと呼ばれるシリコン欠けが生じていた。第７
図（ａ）はダイシングブレードによってウエノ１上に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、同図（ｂ）は（−）図中Ｂ−Ｂ線断
面図で、これらの図において１はダイシングブレード本
体、４はウェハ、５はウェハ４上に形成された切断溝、
６はこの切断溝５の開口縁部に形成されたチッピング部
を示す。なおダイシングブレード本体１の取替初期は研
削抵抗が最も大きく、チッピング部６が大きく形成され
るばかシか、ダイシングブレード本体１が破損されるこ
とがあった。
このような問題を解決するためにはダイシング装置の精
度を向上させればよいが、ダイシングブレード本体１の
ウエノ・移動方向に対する傾斜角度はきわめて微小であ
るために、この微小な誤差を取り除くためにはきわめて
高い精度が必要とされるため、ダイシング装置が高価に
なる。
度を向上させればよいが、ダイシングブレード本体１の
ウエノ・移動方向に対する傾斜角度はきわめて微小であ
るために、この微小な誤差を取り除くためにはきわめて
高い精度が必要とされるため、ダイシング装置が高価に
なる。
本発明に係る半導体ウェハ用ダイシングブレードにおい
ては、ダイシングブレードの本体周縁部に面取りを施し
たものである。
ては、ダイシングブレードの本体周縁部に面取りを施し
たものである。
面取シによってダイシングブレードの本体周縁部の研削
抵抗が低減される。
抵抗が低減される。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図（ＩＬ）〜（ｆ）は本発明に係るダイシングブレ
ードを示す側断面図で、同図（＆）は周縁部に厚み寸法
Ｔのイの曲率半径Ｒ，を屯って曲面が形成されたものを
示し、同図（ｂ）はダイシングブレード本体の片面をθ
ｌの角度をもって傾斜させて形成し、周縁部に、周縁部
の厚み寸法Ｔ１のＨの曲率半径Ｒ１をもって曲面が形成
されたものを示し、同図（、）はダイシングブレード本
体の両面を０２．θ３の角度をもって傾斜させて形成し
、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔ２の％の曲率半径Ｒ２
をもって曲面が形成されたものを示し、同図（ｄ）は周
縁部に厚み寸法ＴのＨの寸法よシ小さい曲率半径ｒ０
をもって曲面が形成されたものを示し、同図←）はダイ
シングブレード本体の片面をα１の角度をもって傾斜さ
せて形成し、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔｌのイの寸
法よシ小さい曲率半径ｒｌをもって曲面が形成されたも
のを示し、同図（ｆ）はダイシングブレード本体の両面
を１２．α３の角度をもって傾斜させて形成し、周縁部
に、周縁部の厚み寸法Ｔ２のＡの寸法より小さい曲率半
径ｒ、をもって曲面が形成されたものを示す。第２図は
本発明に係るダイシングブレードによってウエノ・に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、第３図は同じく本発明に係るダイシ
ングブレードによってウエノ・に切断溝を形成している
状態をウェハを断面して示す側面図で、これらの図にお
いて、１１はダイシン夛ブレード本体、１２はこのダイ
シングブレード本体１１の周縁部に面取りを施すことに
よって形成された曲面、１３はウェハ、１４はウェハ１
３に形成された切断溝である。
ードを示す側断面図で、同図（＆）は周縁部に厚み寸法
Ｔのイの曲率半径Ｒ，を屯って曲面が形成されたものを
示し、同図（ｂ）はダイシングブレード本体の片面をθ
ｌの角度をもって傾斜させて形成し、周縁部に、周縁部
の厚み寸法Ｔ１のＨの曲率半径Ｒ１をもって曲面が形成
されたものを示し、同図（、）はダイシングブレード本
体の両面を０２．θ３の角度をもって傾斜させて形成し
、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔ２の％の曲率半径Ｒ２
をもって曲面が形成されたものを示し、同図（ｄ）は周
縁部に厚み寸法ＴのＨの寸法よシ小さい曲率半径ｒ０
をもって曲面が形成されたものを示し、同図←）はダイ
シングブレード本体の片面をα１の角度をもって傾斜さ
せて形成し、周縁部に、周縁部の厚み寸法Ｔｌのイの寸
法よシ小さい曲率半径ｒｌをもって曲面が形成されたも
のを示し、同図（ｆ）はダイシングブレード本体の両面
を１２．α３の角度をもって傾斜させて形成し、周縁部
に、周縁部の厚み寸法Ｔ２のＡの寸法より小さい曲率半
径ｒ、をもって曲面が形成されたものを示す。第２図は
本発明に係るダイシングブレードによってウエノ・に切
断溝を形成している状態をダイシングブレード本体を破
断して示す平面図、第３図は同じく本発明に係るダイシ
ングブレードによってウエノ・に切断溝を形成している
状態をウェハを断面して示す側面図で、これらの図にお
いて、１１はダイシン夛ブレード本体、１２はこのダイ
シングブレード本体１１の周縁部に面取りを施すことに
よって形成された曲面、１３はウェハ、１４はウェハ１
３に形成された切断溝である。
なお、切断溝１４の開口縁部に形成されるチッピングは
、ダイシングブレード本体１１の形状を変えて試験を行
がい、試行錯誤を繰シ返した結果、ダイシングブレード
本体周縁部の角に過度の研削抵抗が生じ、この角が摩耗
し平滑に々るまで大きく形成されるということが判明し
念。これを第２図および第３図に基づいて説明すると、
第２図に示すように、ウェハ１３の移動方向人に対して
ダイシングブレード本体１１が角度θだけ傾斜されてい
るとすると、ダイシングブレード本体１１はその両端部
（図中１部およびｂ部）で側方からの力を受けることに
力る。この際、１部ではダイシングブ１／−ド本体１１
の両側方に未研削部が残存されており、新たに切断ｎ１
４を形成１−ているのに対し、ｂ部では第３図に示すよ
うに、本来であればすでに研削を終了しているのにも拘
らず、角度θだけ誤差があるためｆなる側方からの荷重
を受け、切断溝１４の溝幅を拡張している。この荷重ｆ
の大小がチッピングの形成状態に影響を及はし、この荷
重ｆはダイシングブレード本体１１の取替初期、すなわ
ち、周縁部の角が摩耗するまでの間が最も大きいため、
ダイシングブレード本体１１を成形する際に予め前記角
部を取り除いておくことによシ取替初期において角部に
かかる荷重が低減されることになる。
、ダイシングブレード本体１１の形状を変えて試験を行
がい、試行錯誤を繰シ返した結果、ダイシングブレード
本体周縁部の角に過度の研削抵抗が生じ、この角が摩耗
し平滑に々るまで大きく形成されるということが判明し
念。これを第２図および第３図に基づいて説明すると、
第２図に示すように、ウェハ１３の移動方向人に対して
ダイシングブレード本体１１が角度θだけ傾斜されてい
るとすると、ダイシングブレード本体１１はその両端部
（図中１部およびｂ部）で側方からの力を受けることに
力る。この際、１部ではダイシングブ１／−ド本体１１
の両側方に未研削部が残存されており、新たに切断ｎ１
４を形成１−ているのに対し、ｂ部では第３図に示すよ
うに、本来であればすでに研削を終了しているのにも拘
らず、角度θだけ誤差があるためｆなる側方からの荷重
を受け、切断溝１４の溝幅を拡張している。この荷重ｆ
の大小がチッピングの形成状態に影響を及はし、この荷
重ｆはダイシングブレード本体１１の取替初期、すなわ
ち、周縁部の角が摩耗するまでの間が最も大きいため、
ダイシングブレード本体１１を成形する際に予め前記角
部を取り除いておくことによシ取替初期において角部に
かかる荷重が低減されることになる。
また、曲面１２は第１図（−）−（−）に示すようにダ
イシングブレード本体周縁部の厚み寸法のＨの曲率半径
をもって形成するのが最も効率よいが、同図（ｄ）〜（
ｆ）に示すようにダイシングブレード本体周縁部の厚み
寸法のイより小さい曲率半径をもって形成してもよい。
イシングブレード本体周縁部の厚み寸法のＨの曲率半径
をもって形成するのが最も効率よいが、同図（ｄ）〜（
ｆ）に示すようにダイシングブレード本体周縁部の厚み
寸法のイより小さい曲率半径をもって形成してもよい。
このダイシングブレード本体１１は、第３図に示すよう
に、周縁部における象部〜Ｃ部間で受ける等分布圧縮荷
重Ｆによって生じる座屈応力に耐えるために、７ランク
１１＆端部からの突出寸法１．を６００μｍとし、厚み
寸法ｗｂを２５〜３０μｍとして形成されておシ、この
厚み寸法％＋ｂが３０μｍ以上のダイシングブレードに
おいては前記曲面１２の曲率半径は１５μｍに制限して
もよい。
に、周縁部における象部〜Ｃ部間で受ける等分布圧縮荷
重Ｆによって生じる座屈応力に耐えるために、７ランク
１１＆端部からの突出寸法１．を６００μｍとし、厚み
寸法ｗｂを２５〜３０μｍとして形成されておシ、この
厚み寸法％＋ｂが３０μｍ以上のダイシングブレードに
おいては前記曲面１２の曲率半径は１５μｍに制限して
もよい。
本実施例では第１図（ｂ） 、 （ｅ） 、 （ｅ）
、 （ｆ）に示すようにダイシングブレード本体１１の
片面、あるいは両面をθ８．α１あるいはθ２．θ３．
α２．α３の角度をもって傾余１させて形成した例を示
したが、このようにするとダイシングブレード本体１１
の周縁部の厚み寸法が中心部のそれより小さく形成され
、しかも、ウェハ１３の移動方向に対してダイシングブ
レー・ド本体１１が傾斜された際にもダイシングブレー
ド本体１１の側面とウェス・１３の移動方向との角度は
小さくなるため、切断溝１４の溝幅が拡張されにくくな
る。この際、ダイシングブレード本体１１の周縁部が中
心部に対して片側３／４００程度の勾配であることが望
ましい。
、 （ｆ）に示すようにダイシングブレード本体１１の
片面、あるいは両面をθ８．α１あるいはθ２．θ３．
α２．α３の角度をもって傾余１させて形成した例を示
したが、このようにするとダイシングブレード本体１１
の周縁部の厚み寸法が中心部のそれより小さく形成され
、しかも、ウェハ１３の移動方向に対してダイシングブ
レー・ド本体１１が傾斜された際にもダイシングブレー
ド本体１１の側面とウェス・１３の移動方向との角度は
小さくなるため、切断溝１４の溝幅が拡張されにくくな
る。この際、ダイシングブレード本体１１の周縁部が中
心部に対して片側３／４００程度の勾配であることが望
ましい。
なお、本実施例ではダイシングブレード本体１１の周縁
部に曲面を形成した例を示したが、傾斜面を形成しても
同等の効果が得られる。この際、ダイシングブレード本
体１１の周側面は圧縮応力に耐えられるように平坦面か
、あるいは滑らかな形状に形成しなければならない。傾
斜面を形成する場合には面取シ寸法を厚み寸法ｗｂに対
して（〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ダイシングブレー
ドの本体周縁部に面取りを施したため、面取りによって
ダイシングブレードの本体周縁部の研削抵抗が低減され
ることになるから、チッピングを小さくすることができ
、ダイシングブレード本体が破損されるのを防止するこ
とができる。
部に曲面を形成した例を示したが、傾斜面を形成しても
同等の効果が得られる。この際、ダイシングブレード本
体１１の周側面は圧縮応力に耐えられるように平坦面か
、あるいは滑らかな形状に形成しなければならない。傾
斜面を形成する場合には面取シ寸法を厚み寸法ｗｂに対
して（〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ダイシングブレー
ドの本体周縁部に面取りを施したため、面取りによって
ダイシングブレードの本体周縁部の研削抵抗が低減され
ることになるから、チッピングを小さくすることができ
、ダイシングブレード本体が破損されるのを防止するこ
とができる。
第１図（−）〜（ｆ）は本発明に係るダイシングブレー
ドを示す側断面図、第２図は本発明に係るダイシングブ
レードによってウェハに切断溝を形成している状態をダ
イシングブレード本体を破断して示す平面図、第３図は
同じく本発明に係るダイシングブレードによってウェハ
に切断溝を形成している状態をウェス・を断面して示す
側面図、第４図は従来のワッシャタイプダイシングブレ
ードを示す側断面図、第５図は従来の・・ブタイブダイ
シングブレードを示す側断面図、第６図は従来のダイシ
ングブレードの周縁部断面図、第７図（峠は従来のダイ
シングブレードによってウェス・上に切断溝を形成して
いる状態をダイシングブレード本体を破断して示す平面
図、第７図（ｂ）は（＆）図中Ｂ−Ｂ線断面図を示す。 １１・ｅ・−ダイシングブレード本体、１２・１１１１
１１曲面、ｌ ３ ａ ＊ ＠＊ウェハ、ｌ ４ ｓ
ｅ ＊ ｓ切断溝。
ドを示す側断面図、第２図は本発明に係るダイシングブ
レードによってウェハに切断溝を形成している状態をダ
イシングブレード本体を破断して示す平面図、第３図は
同じく本発明に係るダイシングブレードによってウェハ
に切断溝を形成している状態をウェス・を断面して示す
側面図、第４図は従来のワッシャタイプダイシングブレ
ードを示す側断面図、第５図は従来の・・ブタイブダイ
シングブレードを示す側断面図、第６図は従来のダイシ
ングブレードの周縁部断面図、第７図（峠は従来のダイ
シングブレードによってウェス・上に切断溝を形成して
いる状態をダイシングブレード本体を破断して示す平面
図、第７図（ｂ）は（＆）図中Ｂ−Ｂ線断面図を示す。 １１・ｅ・−ダイシングブレード本体、１２・１１１１
１１曲面、ｌ ３ ａ ＊ ＠＊ウェハ、ｌ ４ ｓ
ｅ ＊ ｓ切断溝。
Claims (1)
- 半導体ウェハを研削しダイシング用切断溝を形成する
ダイシングブレードにおいて、前記ダイシングブレード
の本体周縁部に面取りを施したことを特徴とする半導体
ウェハ用ダイシングブレード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100481A JPH01271178A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体ウエハ用ダイシングブレード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63100481A JPH01271178A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体ウエハ用ダイシングブレード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01271178A true JPH01271178A (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=14275114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63100481A Pending JPH01271178A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | 半導体ウエハ用ダイシングブレード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01271178A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026735A3 (en) * | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2009254876A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロニードルの製造方法 |
| JP2013258235A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
| JP2016221815A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
| JP2016221822A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63100481A patent/JPH01271178A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1026735A3 (en) * | 1999-02-03 | 2004-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2009254876A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロニードルの製造方法 |
| JP2012143579A (ja) * | 2006-07-27 | 2012-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロニードルの製造方法 |
| US8292696B2 (en) | 2006-07-27 | 2012-10-23 | Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. | Method of manufacturing microneedle |
| US8876575B2 (en) | 2006-07-27 | 2014-11-04 | Toppan Printing Co., Ltd. | Microneedle and method of manufacturing microneedle |
| JP2013258235A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
| JP2016221815A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
| JP2016221822A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 |
| TWI695768B (zh) * | 2015-05-29 | 2020-06-11 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 脆性材料基板之垂直裂紋之形成方法及脆性材料基板之分斷方法 |
| TWI695769B (zh) * | 2015-05-29 | 2020-06-11 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 脆性材料基板之垂直裂紋之形成方法及脆性材料基板之分斷方法 |
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