JPS62251720A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPS62251720A JPS62251720A JP9467886A JP9467886A JPS62251720A JP S62251720 A JPS62251720 A JP S62251720A JP 9467886 A JP9467886 A JP 9467886A JP 9467886 A JP9467886 A JP 9467886A JP S62251720 A JPS62251720 A JP S62251720A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133734—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の目的）
（産業上の利用分野）
本発明は配置ｔｉｌ Ｉ漠にｊｊｊ（は物の斜方Ｆ＋看
５膜を用いた液晶素子に関し、′１ｊ１に液晶素子の製
造方法に関するしのである。
５膜を用いた液晶素子に関し、′１ｊ１に液晶素子の製
造方法に関するしのである。
（従来の技術）
液晶素子は、腕ｔ＋、’ｒ ；ｘｉ、電１μをはじめと
してパーソナルコンピュータ用ディスプレイ、ボウツ１
〜う゛レビなど幅広く電気光学装量に利用されている。
してパーソナルコンピュータ用ディスプレイ、ボウツ１
〜う゛レビなど幅広く電気光学装量に利用されている。
一段に液晶素子において、液晶分子の長軸方向を基板面
に対して平行に配向させる水平配向処理の手段として、
基板面に対してＳｉＯ秀の烈機物を斜め方向から恭ン１
して斜方蒸若膜を形成する斜方燕４法と、基板面にＰＶ
Ａヤ）ポリイミド等の薄膜を形成し、この１９膜面をイ
ｌｉ等で一方向に摩家するラビング法とが知られている
。
に対して平行に配向させる水平配向処理の手段として、
基板面に対してＳｉＯ秀の烈機物を斜め方向から恭ン１
して斜方蒸若膜を形成する斜方燕４法と、基板面にＰＶ
Ａヤ）ポリイミド等の薄膜を形成し、この１９膜面をイ
ｌｉ等で一方向に摩家するラビング法とが知られている
。
ラビング法は、製造＝１ストが宥く表示面積の大さく２
６のにし容易に適用てさ′る雪の長所があるが、液晶分
子の長軸方向と桔板面とのむず角（プル１−角）が通常
２〜３１食程１身程１良しか得られず、これを制御する
ことか困難であるという欠点を右している。一方斜方然
ン゛、法は、製造二１ストはうじレグ法に比べ高いが、
真空層、燕６角磨、熱着速度おＪ、び燕る膜厚等の燕盾
条（’ＩにＪ、つてプル１〜角を制御することが可能（
・あり、燕ン１装防を上人することにより表示面積の大
型化も可能である。
６のにし容易に適用てさ′る雪の長所があるが、液晶分
子の長軸方向と桔板面とのむず角（プル１−角）が通常
２〜３１食程１身程１良しか得られず、これを制御する
ことか困難であるという欠点を右している。一方斜方然
ン゛、法は、製造二１ストはうじレグ法に比べ高いが、
真空層、燕６角磨、熱着速度おＪ、び燕る膜厚等の燕盾
条（’ＩにＪ、つてプル１〜角を制御することが可能（
・あり、燕ン１装防を上人することにより表示面積の大
型化も可能である。
（発明が解決しにうとする問題点）
しかし、無別物の斜方然４膜を配向膜とする液晶素子で
は、信頼性の加速試験（高温・畠湿瓜中での寿命試験）
中に、気泡が発生し、また配向も悪化し、ラビング法に
比べて信頼性におどる。この気泡は、液晶中に存在する
水分、基板表面にイ」るしＣいる水分あるいはセル外部
から進入して来る水分の影響により、ｙ！（（機動から
４１：る１ミ１方煎る膜が反応し、組成が変化しそれに
伴４工う反応副生成物の気体ににるものと考えられる。
は、信頼性の加速試験（高温・畠湿瓜中での寿命試験）
中に、気泡が発生し、また配向も悪化し、ラビング法に
比べて信頼性におどる。この気泡は、液晶中に存在する
水分、基板表面にイ」るしＣいる水分あるいはセル外部
から進入して来る水分の影響により、ｙ！（（機動から
４１：る１ミ１方煎る膜が反応し、組成が変化しそれに
伴４工う反応副生成物の気体ににるものと考えられる。
これは特に４７殿物にＪ：るシールをした場合に顕署と
なる。例えばｙ！１（機動としてＳｉＯを燕石した場合
、基板４１ニには５ｉＯＸ（１≦Ｘ≦２）の形で薄膜が
形成されるが、セルに液晶を封入した後、液晶中、基板
表面あるいは外部から進入する水分により反応し、気体
を発生する。
なる。例えばｙ！１（機動としてＳｉＯを燕石した場合
、基板４１ニには５ｉＯＸ（１≦Ｘ≦２）の形で薄膜が
形成されるが、セルに液晶を封入した後、液晶中、基板
表面あるいは外部から進入する水分により反応し、気体
を発生する。
ＳｉＯを配向膜とした液晶素子の配向性能を良くηる方
法として、特開昭５２−１４１６５１号公報では、Ｓｉ
Ｏ膜形成後に酸素をもする雰囲気中で、２００〜５００
”Ｃの温度に−（２０分以上、１叫熱処１！ＶシてＳｉ
Ｏ膜を酸化させる方法を開示している。しかしこの／）
法で、液晶素子を作製したところ、熱処理温度が４００
℃以下では、信頼性加速試験で気泡が発生した。一方、
４００℃以上で加熱処理すると、電極材料の劣化や、基
板自体が高温にＪ：り変形づるなどの゛問題が発生した
り、また作業性が悪くなる。
法として、特開昭５２−１４１６５１号公報では、Ｓｉ
Ｏ膜形成後に酸素をもする雰囲気中で、２００〜５００
”Ｃの温度に−（２０分以上、１叫熱処１！ＶシてＳｉ
Ｏ膜を酸化させる方法を開示している。しかしこの／）
法で、液晶素子を作製したところ、熱処理温度が４００
℃以下では、信頼性加速試験で気泡が発生した。一方、
４００℃以上で加熱処理すると、電極材料の劣化や、基
板自体が高温にＪ：り変形づるなどの゛問題が発生した
り、また作業性が悪くなる。
このため／１００℃以上の加熱処理は実用的でない。
従って、この発明は、ｎＡ造上程にｄＢプる能率が高く
、信頼性の高い液晶素子を得ることを「ｌ的とリ−る、
１ 〔発明の１１４成〕 （問題点を解決りるための手段） この発明の液晶素子の製造方法は、ＳｉＯ等の無機物の
′Ｊ：８１方蒸着膜からなる配向膜を出湯水蒸気処理す
ることを特徴とりる。
、信頼性の高い液晶素子を得ることを「ｌ的とリ−る、
１ 〔発明の１１４成〕 （問題点を解決りるための手段） この発明の液晶素子の製造方法は、ＳｉＯ等の無機物の
′Ｊ：８１方蒸着膜からなる配向膜を出湯水蒸気処理す
ることを特徴とりる。
（作 用）
ＳｉＯ等３！ｔｔ機物の斜方熟ン７膜からなる配向膜を
出湯水蒸気処理することＣ１予め配向膜の無機物と水と
の反応が終了し、処Ｊｊ［後は配向膜が衣定となり水に
よる影響を受りなくなって信頼性が′良く艮）ｊ命とな
る。なお１．：：：ｊ温水蒸気処理は、）ｊシ瓜７０℃
以上、湿度８０％以上の雰囲気中に１時間以−し、好ま
しくは２時間以上配向膜を形成した導、（板を保持する
ことが好ましい。
出湯水蒸気処理することＣ１予め配向膜の無機物と水と
の反応が終了し、処Ｊｊ［後は配向膜が衣定となり水に
よる影響を受りなくなって信頼性が′良く艮）ｊ命とな
る。なお１．：：：ｊ温水蒸気処理は、）ｊシ瓜７０℃
以上、湿度８０％以上の雰囲気中に１時間以−し、好ま
しくは２時間以上配向膜を形成した導、（板を保持する
ことが好ましい。
また、この高温水蒸気処理の＋’＋ｉ７に２００℃から
４００ＴＣまでの熱処理を行えば、配向膜がより安定化
される。、なお、熱処理の温度は、２００℃未満では熱
処理の効果がほとんどなく、また４００℃以上では電４
へ祠Ｅの高抵抗化やＬ（板自体が高温にＪ、り変形して
しまうため不適当である。さらに、Ｉｔ１温水蒸気５１
！！狸の俊にシランカップリング剤で表面処理を行うと
、配向膜表面の化学的安定性がより一層強化される。
４００ＴＣまでの熱処理を行えば、配向膜がより安定化
される。、なお、熱処理の温度は、２００℃未満では熱
処理の効果がほとんどなく、また４００℃以上では電４
へ祠Ｅの高抵抗化やＬ（板自体が高温にＪ、り変形して
しまうため不適当である。さらに、Ｉｔ１温水蒸気５１
！！狸の俊にシランカップリング剤で表面処理を行うと
、配向膜表面の化学的安定性がより一層強化される。
（実施例）
実施例１
第１図は本発明の一実施例による液晶素子を示す。透明
ガラスでできた２枚の基板１，２が相対向さＵられてい
る。各基板のλ・１向而にはそれぞれ電極３．４が形成
８れ、電極３，４上にはＳｉＯを斜１ｊ蒸る”した配向
膜７，８が被ン）されている、。
ガラスでできた２枚の基板１，２が相対向さＵられてい
る。各基板のλ・１向而にはそれぞれ電極３．４が形成
８れ、電極３，４上にはＳｉＯを斜１ｊ蒸る”した配向
膜７，８が被ン）されている、。
そしてこれら）Ｊ板１，２聞に液晶９が配向膜７゜８に
接して挟持されて、液晶素子１０が形成され゛（いる。
接して挟持されて、液晶素子１０が形成され゛（いる。
以ド、この液晶九子の製造方法につい−Ｃ説明り−る。
ｊ１！板１，２のえ１向而それぞれにネ１）膜で（、、
Ｘだ所定形状の透明な電極３．．１を１．々Ｃ−Ｊた。
Ｘだ所定形状の透明な電極３．．１を１．々Ｃ−Ｊた。
電ｄ４２３ 。
４を形成した基板１．２上に然７二角度８５１食で３ｉ
０を斜方前る法を用い−（６０人の厚さに燕谷し、配向
膜７，８を形成した。、ここで然着角［良は第２図に示
−Ｊ’Ｊ、うに基板１而の法線方向１１と燕谷方向１２
どの４メず角瓜αで規定した。図中１３は蒸発源である
。
０を斜方前る法を用い−（６０人の厚さに燕谷し、配向
膜７，８を形成した。、ここで然着角［良は第２図に示
−Ｊ’Ｊ、うに基板１而の法線方向１１と燕谷方向１２
どの４メず角瓜αで規定した。図中１３は蒸発源である
。
この後、配向膜７．ε３を形成した！Ｊ板′１，２をＦ
ｕＡ Ｉｕ ８０℃、ｉ！ａ！ Ｉｉ ９５ ’、’１
０ （１） 雰囲気中ニ１１．’１ 開成ｒ；ａ Ｌ／
−ｃ高温水蒸気処理した。次に、配向膜７，８が対向
するようにし−Ｃ基板１，２を７μＩｌｌの間隔を持っ
て図示してはいないが、基板１，２の周縁を右はシール
剤を用いて貼合わけた。これら基板１，２間に液晶９と
してＺ Ｌ Ｉ −１５６５（メルク礼装）を用人後、
紫外線硬化樹脂で１ｉＩ人［１を封止して液晶水子１０
を形成した。
ｕＡ Ｉｕ ８０℃、ｉ！ａ！ Ｉｉ ９５ ’、’１
０ （１） 雰囲気中ニ１１．’１ 開成ｒ；ａ Ｌ／
−ｃ高温水蒸気処理した。次に、配向膜７，８が対向
するようにし−Ｃ基板１，２を７μＩｌｌの間隔を持っ
て図示してはいないが、基板１，２の周縁を右はシール
剤を用いて貼合わけた。これら基板１，２間に液晶９と
してＺ Ｌ Ｉ −１５６５（メルク礼装）を用人後、
紫外線硬化樹脂で１ｉＩ人［１を封止して液晶水子１０
を形成した。
以上の液晶素子をｉＪ哀８０℃、湿度９５％の雰囲気中
に放１ごｊして信！イ１↑４加速試験を行ったところ試
験聞姶後１５０１１．％聞経過してし気泡の発生ヤ］配
向の乱れは認められなかった１゜ 実施例２ 実施例１Ｃ行なった高温水蒸気処理の時間を、２１１、
〜問及び５ ＋＋、１間として、液晶素子を作製した。
に放１ごｊして信！イ１↑４加速試験を行ったところ試
験聞姶後１５０１１．％聞経過してし気泡の発生ヤ］配
向の乱れは認められなかった１゜ 実施例２ 実施例１Ｃ行なった高温水蒸気処理の時間を、２１１、
〜問及び５ ＋＋、１間として、液晶素子を作製した。
この後、イハイＩ性加速誠験を行ったところ、ぞれぞれ
２００．３００１１．’１間経過しても気泡の発生や配
向の乱れは認められ％かった。
２００．３００１１．’１間経過しても気泡の発生や配
向の乱れは認められ％かった。
実施例３
実施例１で配向膜を形成した基板を温度２５０℃で６０
分の熱処理を施こした後、温度８０℃，九１ｊ食９５％
の雰囲気中に２時間放置して高温水蒸気処理した。
分の熱処理を施こした後、温度８０℃，九１ｊ食９５％
の雰囲気中に２時間放置して高温水蒸気処理した。
この後、液晶素子を作製し信頼性加速試験を（ｉっだと
ころ４００時間経過しても気泡の発生や配向の乱れは認
められなかった。
ころ４００時間経過しても気泡の発生や配向の乱れは認
められなかった。
実施例４
実施例２で高温水蒸気処理を２１１．’１間開口したり
板をシランカップリング剤Ｓ ｌ−１−６０２０（東し
シリコーン礼装） ０．５ｖｏ１％水溶液に浸漬、乾
燥して表面処理した。この後液晶素子を作製し、信４イ
１性加速試験を行ったところ、５００時間経過してし気
泡の発生や配向の乱れは認められなかった。
板をシランカップリング剤Ｓ ｌ−１−６０２０（東し
シリコーン礼装） ０．５ｖｏ１％水溶液に浸漬、乾
燥して表面処理した。この後液晶素子を作製し、信４イ
１性加速試験を行ったところ、５００時間経過してし気
泡の発生や配向の乱れは認められなかった。
実施例５
実施例３で熱処理Ｊ３Ｊ、び高温水蒸気処理を施こした
基板を実施例３で用いたシランカップリング剤による表
面処理を施こした。この後、液晶素子を作製し、信頼性
加速試験を行ったところ、７００時間経過してし気泡の
発生や配向の乱れは認められイヱかった。なＪ）、実施
例１〜５での高温水蒸気処理【１３よびシランカップリ
ング剤ににる表面処理の終りに基板を乾燥ざＵることは
ハうまでもない。
基板を実施例３で用いたシランカップリング剤による表
面処理を施こした。この後、液晶素子を作製し、信頼性
加速試験を行ったところ、７００時間経過してし気泡の
発生や配向の乱れは認められイヱかった。なＪ）、実施
例１〜５での高温水蒸気処理【１３よびシランカップリ
ング剤ににる表面処理の終りに基板を乾燥ざＵることは
ハうまでもない。
比較例１
実施例１〜５で用いた基板を高温水蒸気処理を施こさず
に液晶素子を作製し、仁１イ１性加速試験を行ったとこ
ろ、いり゛れら３０・〜７０１１．’１間で気泡が発生
し ／ｌ−ｕ 比較例２ 実施例１で配向；ＩＱを形成した基板を、空気中で温度
１００’″Ｃ，２００℃、３００℃，４００℃，５００
℃Ｃ６０分聞の熱処理を施し液晶素子を作製した。信頼
性加速試験を行ったところ、熱処理温石１００℃の液晶
素子は３０１．％間、他の液晶素子でも５０〜７０時間
で気泡が発生した。
に液晶素子を作製し、仁１イ１性加速試験を行ったとこ
ろ、いり゛れら３０・〜７０１１．’１間で気泡が発生
し ／ｌ−ｕ 比較例２ 実施例１で配向；ＩＱを形成した基板を、空気中で温度
１００’″Ｃ，２００℃、３００℃，４００℃，５００
℃Ｃ６０分聞の熱処理を施し液晶素子を作製した。信頼
性加速試験を行ったところ、熱処理温石１００℃の液晶
素子は３０１．％間、他の液晶素子でも５０〜７０時間
で気泡が発生した。
（発明の効果）
以上のＪ、うに本発明によれば、無機物、例えばＳｉＯ
を斜方蒸ン）シた配向膜を高温水蒸気で処理して予め配
向膜のＳｉＯｘと水との反応を終了さけることにより、
配向膜が°友定し、水の影響を受りなくなり、信ｌｆｌ
性の良い艮ノー命の液晶素子を１ｉＩることかできる。
を斜方蒸ン）シた配向膜を高温水蒸気で処理して予め配
向膜のＳｉＯｘと水との反応を終了さけることにより、
配向膜が°友定し、水の影響を受りなくなり、信ｌｆｌ
性の良い艮ノー命の液晶素子を１ｉＩることかできる。
ト述の実施例では、斜方黒石づる無別物としＣ３ｉＯの
場合を）ホべたが蕉ン１＋Ａ利に関わることイにく均一
な配向を示１ｓｉｏ 、△１１：３等池の無機動を用
いてし良いことは言うまＣしない。また高温水蒸気処理
の後に行う表面処理のシランカップリング剤として）ノ
ミノシランの場合を）’ｆ−／Ｓ：だが、水゛Ｖ配向処
理剤となる他のシランカップリングバリヤ）他種の水平
配向処理剤ひも良い９ノ果がＰ／られる。
場合を）ホべたが蕉ン１＋Ａ利に関わることイにく均一
な配向を示１ｓｉｏ 、△１１：３等池の無機動を用
いてし良いことは言うまＣしない。また高温水蒸気処理
の後に行う表面処理のシランカップリング剤として）ノ
ミノシランの場合を）’ｆ−／Ｓ：だが、水゛Ｖ配向処
理剤となる他のシランカップリングバリヤ）他種の水平
配向処理剤ひも良い９ノ果がＰ／られる。
第１図は本発明の一実施例による液晶水子を示す１：；
目Ｊｌ！図、第２図（，１蒸ン°１角１艮を説明りろ図
Ｃある。。 １．２・・・）、Ｉ：仮 ３．／１・・・電（Ｉ
ｌズ７、Ｅも・・・配向１１’Ａ ９・・・）１
夕晶１０・・・液晶素子 １１・・・基板法線方
向１２・・・然る方向 １３・・・蒸発源代理人
ヅ゛ｉ’、 ］！ｌ！十 則 近 込ｉ 缶周 入
団仙人 第 １ 図 第２図
目Ｊｌ！図、第２図（，１蒸ン°１角１艮を説明りろ図
Ｃある。。 １．２・・・）、Ｉ：仮 ３．／１・・・電（Ｉ
ｌズ７、Ｅも・・・配向１１’Ａ ９・・・）１
夕晶１０・・・液晶素子 １１・・・基板法線方
向１２・・・然る方向 １３・・・蒸発源代理人
ヅ゛ｉ’、 ］！ｌ！十 則 近 込ｉ 缶周 入
団仙人 第 １ 図 第２図
Claims (5)
- （１）表面に電極を形成した基板に、この基板表面に対
して斜め方向から無機物を蒸着して配向膜を形成する工
程と、この後前記配向膜を高温水蒸気で処理する工程と
を備えたことを特徴とする液晶素子の製造方法。 - （２）前記高温水蒸気処理する工程が、温度７０℃以上
１００℃以下、かつ湿度８０％以上１００％未満の雰囲
気中に前記基板を保持する工程を含むことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の液晶素子の製造方法。 - （３）前記高温水蒸気処理する工程と前記配向膜を形成
する工程との間に、前記基板を２００℃以上４００℃以
下の温度で熱処理を行う工程を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の液晶素子の製造方法。 - （４）前記高温水蒸気処理する工程後に、前記配向膜の
表面をシランカップリング剤で表面処理することを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第３項のいずれかに
記載の液晶素子の製造方法。 - （５）前記配向膜を形成する工程は、ＳｉＯを斜方蒸着
する工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9467886A JPS62251720A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9467886A JPS62251720A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62251720A true JPS62251720A (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=14116875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9467886A Pending JPS62251720A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62251720A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693694B2 (en) * | 1999-05-14 | 2004-02-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optic display device with reduced electrical asymmetry |
| JP2007264624A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-10-11 | Canon Inc | 液晶パネルの製造方法及び配向膜の表面処理方法 |
| JP2007328100A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP2010020255A (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-28 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置および表面処理方法 |
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| WO2021246113A1 (ja) * | 2020-06-05 | 2021-12-09 | ソニーグループ株式会社 | 光学素子、液晶表示装置および電子機器 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9467886A patent/JPS62251720A/ja active Pending
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