JPS62252129A - 分子線源 - Google Patents
分子線源Info
- Publication number
- JPS62252129A JPS62252129A JP9452386A JP9452386A JPS62252129A JP S62252129 A JPS62252129 A JP S62252129A JP 9452386 A JP9452386 A JP 9452386A JP 9452386 A JP9452386 A JP 9452386A JP S62252129 A JPS62252129 A JP S62252129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- crucible
- shield plate
- radiation shield
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシ成長装置用の分子線源に係り
、特に分子線源のるつぼの温度測定に好適な分子線源に
関するものである。
、特に分子線源のるつぼの温度測定に好適な分子線源に
関するものである。
分子線源の基本的構造を第８図に示す。試料７を入れた
るつぼ１は、抵抗加熱や高周波誘導加熱等の加熱源２に
よって加熱され、熱せられた試料は分子線状となってる
つぼ噴出口より飛び出し、基板上に蒸着膜を形成する。
るつぼ１は、抵抗加熱や高周波誘導加熱等の加熱源２に
よって加熱され、熱せられた試料は分子線状となってる
つぼ噴出口より飛び出し、基板上に蒸着膜を形成する。
蒸着膜の成長速度はるつぼの加熱によって制御される。
また、特に。
化合物半導体等、複数個のるつぼから噴出する試料のあ
る割合から作られる蒸着膜はそれぞれのるつぼ温度を精
度良く制御しなければならない。なお、６は外筒を示す
。従来その制御の基となるるつぼ温度の測定は、るつぼ
底に熱電対を押し当てて測定しており、測定温度のふら
付きや、熱電対の指示値と実際の試料温度の相違等の欠
点があったが、それらについては配慮されていなかった
。
る割合から作られる蒸着膜はそれぞれのるつぼ温度を精
度良く制御しなければならない。なお、６は外筒を示す
。従来その制御の基となるるつぼ温度の測定は、るつぼ
底に熱電対を押し当てて測定しており、測定温度のふら
付きや、熱電対の指示値と実際の試料温度の相違等の欠
点があったが、それらについては配慮されていなかった
。
上記従来技術は蒸着膜の成長に最も大切であるるつぼ温
度の測定については何ら配慮されてはおらず、良質な薄
膜を作る上で大きな問題点であった。すなわち、るつぼ
底に押し当てて測定している熱電対はるつぼ加熱用のヒ
ータと対応しており、押し当てて測定しているるつぼの
温度の他に、対応しているヒータの温度の影響を大きく
受ける。
度の測定については何ら配慮されてはおらず、良質な薄
膜を作る上で大きな問題点であった。すなわち、るつぼ
底に押し当てて測定している熱電対はるつぼ加熱用のヒ
ータと対応しており、押し当てて測定しているるつぼの
温度の他に、対応しているヒータの温度の影響を大きく
受ける。
従って、正しくるつぼの温度の測定ができず、蒸着膜に
生じる欠陥の原因の一つでもあった。
生じる欠陥の原因の一つでもあった。
本発明の目的はるつぼ底に押し当てている熱電対で測定
した温度がヒータからの影響をなくするために熱電対輻
射シールド板を設けて、るつぼだｔｊ、の温度を正しく
測定できる分子線源を提供することにある。
した温度がヒータからの影響をなくするために熱電対輻
射シールド板を設けて、るつぼだｔｊ、の温度を正しく
測定できる分子線源を提供することにある。
上記目的はるつぼ底に押し当てた熱電対がヒータの輻射
熱を直接受けないようにすることによって達成される。
熱を直接受けないようにすることによって達成される。
本発明の熱電対周囲に設けた熱電対輻射シールド板はヒ
ータからの輻射熱が直接るつぼ底に押し当てた熱電対に
影響することを防ぐ作用がある。
ータからの輻射熱が直接るつぼ底に押し当てた熱電対に
影響することを防ぐ作用がある。
それによって、該熱電対はるつぼ温度のみを正しく測定
するようになり、るつぼ温度、ひいては試料温度を正し
く推測することができ、試料の蒸気圧の制御も精度良く
行え、その結果良質な膜を作ることができる。
するようになり、るつぼ温度、ひいては試料温度を正し
く推測することができ、試料の蒸気圧の制御も精度良く
行え、その結果良質な膜を作ることができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
本発明の実施例のうち一例を第１図に示す。るつぼ１と
軸方向輻射シールド板５との間に熱電対３を囲むように
熱電対輻射シールド板８を設置した構造とする０本熱電
対輻射シールド板８は通常るつぼ底とは、わずかな隙間
を設けて設置されるが。
軸方向輻射シールド板５との間に熱電対３を囲むように
熱電対輻射シールド板８を設置した構造とする０本熱電
対輻射シールド板８は通常るつぼ底とは、わずかな隙間
を設けて設置されるが。
本シールド板８をるつぼと強制的に接触させた場合、次
の様な効果が生まれる０本熱電対輻射シールド板８をる
つぼ１と接触させることにより、シールド板８がるつぼ
１と同一温度となり、熱電対３はるつぼ温度と同じ温度
の雰囲気中におかれることになり、より正確にるつぼ温
度の８１ｇ定ができる。さらに、本熱電対輻射シールド
板８を設け、かつ熱電対３をるつぼ１に接触させず、る
つぼ１から離して設置した場合は、次の様な効果が生ま
れる。従来のように、熱電対３をるつぼに接触させる方
法では、接触の強さで測定温度の値が変化する。しかし
、上述したように、るつぼ１から離した場合、安定して
、るつぼ１からの輻射熱を測定できる。この効果は本発
明の熱電対輻射シールド板８を設け、ヒータ２からの輻
射熱を防ぐことによって初めて生まれるものである。
の様な効果が生まれる０本熱電対輻射シールド板８をる
つぼ１と接触させることにより、シールド板８がるつぼ
１と同一温度となり、熱電対３はるつぼ温度と同じ温度
の雰囲気中におかれることになり、より正確にるつぼ温
度の８１ｇ定ができる。さらに、本熱電対輻射シールド
板８を設け、かつ熱電対３をるつぼ１に接触させず、る
つぼ１から離して設置した場合は、次の様な効果が生ま
れる。従来のように、熱電対３をるつぼに接触させる方
法では、接触の強さで測定温度の値が変化する。しかし
、上述したように、るつぼ１から離した場合、安定して
、るつぼ１からの輻射熱を測定できる。この効果は本発
明の熱電対輻射シールド板８を設け、ヒータ２からの輻
射熱を防ぐことによって初めて生まれるものである。
第２図に本発明の他の実施例を示す。同図の熱電対輻射
シールド板９は、その上部のるつぼ１と接する部分がる
つぼ外径よりも大きくなっており、かつ、テーバ状が曲
線状の形状をしている０本実施例は第１図で述べた効果
の他に次に述べる効果が生まれる０本実施例の構造とす
ることにより、るつぼ１の位置決めが精度良くでき、る
つぼ位置のずれによる蒸着膜厚分布の均一性の不良等を
防ぐ効果が生まれる。
シールド板９は、その上部のるつぼ１と接する部分がる
つぼ外径よりも大きくなっており、かつ、テーバ状が曲
線状の形状をしている０本実施例は第１図で述べた効果
の他に次に述べる効果が生まれる０本実施例の構造とす
ることにより、るつぼ１の位置決めが精度良くでき、る
つぼ位置のずれによる蒸着膜厚分布の均一性の不良等を
防ぐ効果が生まれる。
第３図から第７図に本発明の熱電対輻射シールド板の詳
細を示す、第３図は熱電対輻射シールド板９の断面図を
示したものである。本シールド板９の根本の部分をカッ
トし、るつぼ１と接する熱電対輻射シールド板９のるつ
ぼ１から伝わってくる熱が軸方向輻射シールド板９に伝
達するのを防・ぐ構造である０本構造とすることにより
、熱電対輻射シールド板９に伝わったるつぼ１の熱が軸
方向輻射シールド板９やその周囲に伝わることなく、従
って、熱電対３の周囲（Ｉｐｎ囲気温度が安定し。
細を示す、第３図は熱電対輻射シールド板９の断面図を
示したものである。本シールド板９の根本の部分をカッ
トし、るつぼ１と接する熱電対輻射シールド板９のるつ
ぼ１から伝わってくる熱が軸方向輻射シールド板９に伝
達するのを防・ぐ構造である０本構造とすることにより
、熱電対輻射シールド板９に伝わったるつぼ１の熱が軸
方向輻射シールド板９やその周囲に伝わることなく、従
って、熱電対３の周囲（Ｉｐｎ囲気温度が安定し。
測定した温度も精度の良いものとなる効果をもたらす。
第４図は熱電対輻射シールド板の更に他の実施例の外観
図を示す。シールド板１０は根本部分をカットしたもの
である。本実施例は第３図と同様の効果をもたらす。な
お、第３，４図で示した実施例は軸方向輻射シールド板
と一体で作られても同様な効果をもたらす外に、一体で
製作することにより、熱雷対輻射シールド板の取付けを
精度良く行える効果がある。
図を示す。シールド板１０は根本部分をカットしたもの
である。本実施例は第３図と同様の効果をもたらす。な
お、第３，４図で示した実施例は軸方向輻射シールド板
と一体で作られても同様な効果をもたらす外に、一体で
製作することにより、熱雷対輻射シールド板の取付けを
精度良く行える効果がある。
第５図及び第６図は熱電対輻射シールド板の更に他の実
施例を示す（第５図は断面図、第６図は外観図）１本実
施例は熱電対輻射シールド板１１を複数本の支柱で支え
るようにしたものであり、第３，４図の実施例の効果と
同様に本シールド板に伝わった熱が軸方向に伝わるのを
防ぐ効果がある。
施例を示す（第５図は断面図、第６図は外観図）１本実
施例は熱電対輻射シールド板１１を複数本の支柱で支え
るようにしたものであり、第３，４図の実施例の効果と
同様に本シールド板に伝わった熱が軸方向に伝わるのを
防ぐ効果がある。
第７図に本発明の更に他の実施例を示す０本発明の熱電
対輻射シールド板１２を熱電対３の碍子に取り付けた構
造である。本構造とすることにより、熱電対輻射シール
ド板１２の取付けが容易となり、そのと、今まで述べて
来た他の実施例の効果と同様な効果が生まれる。
対輻射シールド板１２を熱電対３の碍子に取り付けた構
造である。本構造とすることにより、熱電対輻射シール
ド板１２の取付けが容易となり、そのと、今まで述べて
来た他の実施例の効果と同様な効果が生まれる。
以上説明したように本発明により、るつぼ底に設置した
熱電対がヒータからの輻射熱の影響を受けなくなり、る
つぼだけの温度を安定して精度良く測定することが可能
となり、従って、その温度を基にしてるつぼから噴出す
る分子線の強度を精度良く制御できるようになり、良質
な薄膜を安定して成長させろことができる。
熱電対がヒータからの輻射熱の影響を受けなくなり、る
つぼだけの温度を安定して精度良く測定することが可能
となり、従って、その温度を基にしてるつぼから噴出す
る分子線の強度を精度良く制御できるようになり、良質
な薄膜を安定して成長させろことができる。
第１図から第７図は本発明に係る分子線源の説明図で、
第１図は分子線源の断面図、第２図は分子線源の他の実
施例の断面図、第３図はシールド板の他の実施例の断面
図、第４図はシールド板の。 更に他の実施例の外観図、第５図は分子線の更に１・・
・るつぼ、２・・・ヒータ、３・・・熱電対、４・・・
半径方向輻射シールド板、５・・・軸方向幅対シールド
板。 ６・・・外筒、７・・・試料、８・１，８・２，８・３
゜１− るフぼ′ ５−Ｎ方間稠ジはンール恥′オ瓦 ６− 外筒 ６−°° 輻射シールド°級 葛 ２ 図 １・−３７１！パ ６一 外筒 ｑ＝ｇ鰺士シールド・木に ■ ３ 口 第４ 口 ｑ、ｔθ−輻射シールド級 冨 ５ 口 ′ｆＪ ６ 図 ′１ＦＪ７ 目
第１図は分子線源の断面図、第２図は分子線源の他の実
施例の断面図、第３図はシールド板の他の実施例の断面
図、第４図はシールド板の。 更に他の実施例の外観図、第５図は分子線の更に１・・
・るつぼ、２・・・ヒータ、３・・・熱電対、４・・・
半径方向輻射シールド板、５・・・軸方向幅対シールド
板。 ６・・・外筒、７・・・試料、８・１，８・２，８・３
゜１− るフぼ′ ５−Ｎ方間稠ジはンール恥′オ瓦 ６− 外筒 ６−°° 輻射シールド°級 葛 ２ 図 １・−３７１！パ ６一 外筒 ｑ＝ｇ鰺士シールド・木に ■ ３ 口 第４ 口 ｑ、ｔθ−輻射シールド級 冨 ５ 口 ′ｆＪ ６ 図 ′１ＦＪ７ 目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を入れるるつぼ、るつぼを加熱するヒータ、加
熱されたるつぼの温度を測定する熱電対、輻射熱を遮断
するるつぼの軸方向及び半径方向の輻射シールド板およ
び外筒とから成る分子線源において、前記熱電対がヒー
タを直接見込まない方向に熱電対輻射シールド板を設け
たことを特徴とする分子線源。 ２、特許請求の範囲第１項のものにおいて、熱電対輻射
シールド板がるつぼの位置決めのガイドを兼ねることを
特徴とする分子線源。 ３、特許請求の範囲第１項もしくは第２項のものにおい
て熱電対輻射シールド板の底部に切り欠きを設けたこと
を特長とする分子線源。 ４、特許請求の範囲第１項もしくは第２項のものにおい
て、熱電対輻射シールド板が複数の支柱で支持させてい
ることを特徴とする分子線源。 ５、特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかのもの
において、熱電対輻射シールド板が軸方向の輻射シール
ド板と一体で作られていることを特徴とする分子線源。 ６、特許請求の範囲第１項から第３項のいずれかのもの
において、熱電対輻射シールド板を熱電対碍子に取付け
たことを特徴とする分子線源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9452386A JPS62252129A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 分子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9452386A JPS62252129A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 分子線源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252129A true JPS62252129A (ja) | 1987-11-02 |
| JPH0469810B2 JPH0469810B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=14112684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9452386A Granted JPS62252129A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 分子線源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252129A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725733U (ja) * | 1980-07-18 | 1982-02-10 | ||
| JPS5842224A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着用セル |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9452386A patent/JPS62252129A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725733U (ja) * | 1980-07-18 | 1982-02-10 | ||
| JPS5842224A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空蒸着用セル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469810B2 (ja) | 1992-11-09 |
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