JPS6225511A - 半導体リレ− - Google Patents
半導体リレ−Info
- Publication number
- JPS6225511A JPS6225511A JP60165218A JP16521885A JPS6225511A JP S6225511 A JPS6225511 A JP S6225511A JP 60165218 A JP60165218 A JP 60165218A JP 16521885 A JP16521885 A JP 16521885A JP S6225511 A JPS6225511 A JP S6225511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- electric signal
- light
- relay
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、発光素子と受光素子を用いた半導体リレー
に関する。
に関する。
第２図は従来例を示し、発光ダイオードｌの出す光を受
けたフォト・ダイオード２の出す電気信号で電界効果ト
ランジスタ（ＭＯ３−ＦＥＴ）６をオン・ナフ六＋Ａ↓
道汰冨ル−フふめ一アイ１．。
けたフォト・ダイオード２の出す電気信号で電界効果ト
ランジスタ（ＭＯ３−ＦＥＴ）６をオン・ナフ六＋Ａ↓
道汰冨ル−フふめ一アイ１．。
チング用のＭＯ３−、ＦＥＴ６の放電用回路としてフォ
ト・ダイオード３、抵抗４、ノーマリイ・オンの接合型
ＦＥＴ（以下、ＪＦＥＴと略す。）５を使ったものであ
る。この回路では、発光ダイオード１に電流を流して発
光させ、その光をフォト・ダイオード２．３が受光して
電流にかえる。ＪＦＥＴ５は、常はオン状態になってい
るが、光がフォト・ダイオード２．３に照射されたとき
には、そのゲート・ソース間に電位差が生じるため、オ
フ状態になり、その状態でＭＯ５−ＦＥＴ６に電圧が印
加されＭＯＳ −Ｆ ＥＴ ６がオンする。光がフォト
・ダイオード２．３に照射されなくなると、その間にゲ
ート・ソース間に生じていた電位差を失い、Ｊ、ＦＥＴ
５はオンし、ＭＯ３−ＦＥＴ６はオフする。ＭＯ３−Ｆ
ＥＴ６への充電電流はオンしたＪＦＥＴ５を通じて放電
されるので、ＭＯ３−ＦＥＴ６の放電はすみやかになさ
れる９つまり、このような回路を放電用に用いれば、光
照射時にはこの回路は開放状態、光遮断時には短絡状態
となるので、スイッチング速度を早めることにターンオ
フ時間を短くすること）ができるものである。
ト・ダイオード３、抵抗４、ノーマリイ・オンの接合型
ＦＥＴ（以下、ＪＦＥＴと略す。）５を使ったものであ
る。この回路では、発光ダイオード１に電流を流して発
光させ、その光をフォト・ダイオード２．３が受光して
電流にかえる。ＪＦＥＴ５は、常はオン状態になってい
るが、光がフォト・ダイオード２．３に照射されたとき
には、そのゲート・ソース間に電位差が生じるため、オ
フ状態になり、その状態でＭＯ５−ＦＥＴ６に電圧が印
加されＭＯＳ −Ｆ ＥＴ ６がオンする。光がフォト
・ダイオード２．３に照射されなくなると、その間にゲ
ート・ソース間に生じていた電位差を失い、Ｊ、ＦＥＴ
５はオンし、ＭＯ３−ＦＥＴ６はオフする。ＭＯ３−Ｆ
ＥＴ６への充電電流はオンしたＪＦＥＴ５を通じて放電
されるので、ＭＯ３−ＦＥＴ６の放電はすみやかになさ
れる９つまり、このような回路を放電用に用いれば、光
照射時にはこの回路は開放状態、光遮断時には短絡状態
となるので、スイッチング速度を早めることにターンオ
フ時間を短くすること）ができるものである。
この半導体リレーにおいては、いずれのフォト・ダイオ
ード２．３も発光ダイオード１が劣化すると起電力が低
下し、光電流が少くなり、リレーのオン・オフが不完全
になるものである。
ード２．３も発光ダイオード１が劣化すると起電力が低
下し、光電流が少くなり、リレーのオン・オフが不完全
になるものである。
この発明は、発光素子と受光素子を用いた半導体リレー
の長寿命化を目的とする。
の長寿命化を目的とする。
この発明の要旨とするところは電気信号を受けた発光素
子の出す光を受光素子に受けて電気信号にかえ、この電
気信号で電界効果トランジスタをオン・オフさせる半導
体リレーにおいて、受光素子の出す電気信号を該電気信
号の減少に対して電流増幅率の増すバイポーラトランジ
スタで増幅して後電界効果トランジスタに入力すること
を特徴とする半導体リレーである。
子の出す光を受光素子に受けて電気信号にかえ、この電
気信号で電界効果トランジスタをオン・オフさせる半導
体リレーにおいて、受光素子の出す電気信号を該電気信
号の減少に対して電流増幅率の増すバイポーラトランジ
スタで増幅して後電界効果トランジスタに入力すること
を特徴とする半導体リレーである。
以下この発明を第１図に図示せる一実施例に基づいて説
明する。
明する。
（１）は端子（９ａ）、（９ｂ）間に電圧が加わり、電
流が流れると発光する発光ダイオード等の発光素子であ
る。
流が流れると発光する発光ダイオード等の発光素子であ
る。
（２）及び（３）はフォトダイオードアレイからなる受
光素子である。
光素子である。
受光素子（２）は、ｎｐｎ ）ランジスタ（７）のベー
スとエミッタ間に順方向に並列接続し、該ｎｐｎ ）ラ
ンジスタ（７）のコレクタをＭＯ３−ＦＥＴ （６）の
ゲートに接続すると共にエミッタをソースに接続してい
る。
スとエミッタ間に順方向に並列接続し、該ｎｐｎ ）ラ
ンジスタ（７）のコレクタをＭＯ３−ＦＥＴ （６）の
ゲートに接続すると共にエミッタをソースに接続してい
る。
受光素子（３）は、ｎｐｎトランジスタ（１０）のベー
スとエミッタ間に順方向に並列接続し、該ｎｐｎ ｌ−
ランジスタ（１０）のコレクタをＪＦＥＴ （５）のゲ
ートに接続すると共にエミッタをソースに接続している
。
スとエミッタ間に順方向に並列接続し、該ｎｐｎ ｌ−
ランジスタ（１０）のコレクタをＪＦＥＴ （５）のゲ
ートに接続すると共にエミッタをソースに接続している
。
抵抗（４）はＪＦＥＴ （５）のゲートとソース間に挿
入されており、抵抗（８）はＭＯ３−ＦＥＴ（６）のゲ
ートとソース間に挿通されており、各々、電位差確保及
び放電用に使用されている。
入されており、抵抗（８）はＭＯ３−ＦＥＴ（６）のゲ
ートとソース間に挿通されており、各々、電位差確保及
び放電用に使用されている。
この回路では発光素子（１）に電流を流して発光させ、
その光を受光素子（２）、（３）が受光して電流にかえ
る。
その光を受光素子（２）、（３）が受光して電流にかえ
る。
ＪＦＥＴ５は常はオン状態になっているが、光が受光素
子（２）、（３）に照射されているときは、そのゲート
とソース間に電位差が生じるため、オフ状態になり、そ
の状態でＭＯ５−ＦＥＴ６に電圧が印加されＭＯＳ −
Ｆ ＥＴ ６がオンす名。
子（２）、（３）に照射されているときは、そのゲート
とソース間に電位差が生じるため、オフ状態になり、そ
の状態でＭＯ５−ＦＥＴ６に電圧が印加されＭＯＳ −
Ｆ ＥＴ ６がオンす名。
即ち端子（１０）、（１０ａ）間が導通するのである。
狐が受光素子（２）、（３）に照射されなくなると、そ
の間にゲートとソース間に生じていた電位差を失い、Ｊ
ＦＥＴ５はオンし、ＭＯＳ−ＦＥＴ６はオフする。
の間にゲートとソース間に生じていた電位差を失い、Ｊ
ＦＥＴ５はオンし、ＭＯＳ−ＦＥＴ６はオフする。
而してこの半導体リレーにおいては、発光素子（１）、
受光素子（２）、（３）の劣化により機能（応答性）が
悪くなることはない。
受光素子（２）、（３）の劣化により機能（応答性）が
悪くなることはない。
受光素子（２）及び（３）のいずれに生じる電流も、各
々ｎｐｎ）ランジスタ（７）及び（１０）によって増幅
されるようになっており、ＪＦＥＴ５及びＭＯ３−ＦＥ
Ｔ６のいずれに加わる電圧ｗＪＡ、＋す一ノｂａｔ−−
−量−ツ＾１−を言＋”１ｊ−ｊムｌム−一−からであ
る。
々ｎｐｎ）ランジスタ（７）及び（１０）によって増幅
されるようになっており、ＪＦＥＴ５及びＭＯ３−ＦＥ
Ｔ６のいずれに加わる電圧ｗＪＡ、＋す一ノｂａｔ−−
−量−ツ＾１−を言＋”１ｊ−ｊムｌム−一−からであ
る。
ｎｐｎ トランジスタ（７）及び（１０）は、第３図の
電流増幅率−電流Ｃｈｒｔ ｒｃ）特性に示すように
、受光素子（２）から開放電圧、発光素哨＄五” 子（３ン宛絡電流が発生しても通常状態では電流増幅率
ｈｙｉが１程度で、受光素子（２）、（３）からの電流
、電圧が低くなればｈＦＥが高くなるようなものが用い
られているのである。
電流増幅率−電流Ｃｈｒｔ ｒｃ）特性に示すように
、受光素子（２）から開放電圧、発光素哨＄五” 子（３ン宛絡電流が発生しても通常状態では電流増幅率
ｈｙｉが１程度で、受光素子（２）、（３）からの電流
、電圧が低くなればｈＦＥが高くなるようなものが用い
られているのである。
このようにして発光素子（１）が劣化しても、受光素子
（２）からの短絡電流に比べ、抵抗（８）に流れる電流
が多くなりＭＯ５−ＦＥＴ６には高い印加電圧を加え、
また受光素子（３）からの短絡電流に比べ多い電流がｎ
ｐｎ ）ランジスタ（７）の出力側に流れ、抵抗４に高
い電位降下を発生させるため、リレーは劣化前と同様の
機能を発揮する。尚、受光素子（２）及び受光素子（３
）に生ずる電流を増幅するのには多少の配線を変更する
ことによりｐｎｐ）ランジスタを使用してもよい。
（２）からの短絡電流に比べ、抵抗（８）に流れる電流
が多くなりＭＯ５−ＦＥＴ６には高い印加電圧を加え、
また受光素子（３）からの短絡電流に比べ多い電流がｎ
ｐｎ ）ランジスタ（７）の出力側に流れ、抵抗４に高
い電位降下を発生させるため、リレーは劣化前と同様の
機能を発揮する。尚、受光素子（２）及び受光素子（３
）に生ずる電流を増幅するのには多少の配線を変更する
ことによりｐｎｐ）ランジスタを使用してもよい。
ｒ ａ Ｒ日ハ六ｈ１１）
以上のようにこの発明によれば、発光素子等の機能劣化
により受光素子の出力電流が低下しても、それを並列接
続されたバイポーラトランジスタにより劣化割合に応じ
て増幅し一定の電流が出力信号として供給できるように
しであるので、リレー機能は維持され、その寿命は長く
なるのである。
により受光素子の出力電流が低下しても、それを並列接
続されたバイポーラトランジスタにより劣化割合に応じ
て増幅し一定の電流が出力信号として供給できるように
しであるので、リレー機能は維持され、その寿命は長く
なるのである。
第１図及び第２図は本発明を説明するもので、第１図は
回路図、第２図はグラフ、第３図は従来例を示す回路図
である。（２）、（３）−・−受光素子、（４）−・−
抵抗、（５）・−ＪＦＥＴ、（６）−・・ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、（７）−・−バイポーラトランジスタ、（８）−・
・抵抗、（９ａ）、（９ｂ）・−・端子、（１０ｍ−−
バイポーラトランジスタ、（ｌｌａ）、（ｌｌｂｌ−・
端子。
回路図、第２図はグラフ、第３図は従来例を示す回路図
である。（２）、（３）−・−受光素子、（４）−・−
抵抗、（５）・−ＪＦＥＴ、（６）−・・ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ、（７）−・−バイポーラトランジスタ、（８）−・
・抵抗、（９ａ）、（９ｂ）・−・端子、（１０ｍ−−
バイポーラトランジスタ、（ｌｌａ）、（ｌｌｂｌ−・
端子。
Claims (1)
- （１）電気信号を受けた発光素子の出す光を受光素子に
受けて電気信号にかえ、この電気信号で電界効果トラン
ジスタをオン・オフさせる半導体リレーにおいて、受光
素子の出す電気信号を該電気信号の減少に対して電流増
幅率の増すバイポーラトランジスタで増幅して後電界効
果トランジスタに入力することを特徴とする半導体リレ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165218A JPS6225511A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体リレ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165218A JPS6225511A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体リレ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225511A true JPS6225511A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15808091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165218A Pending JPS6225511A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体リレ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225511A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864126A (en) * | 1988-06-17 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | Solid state relay with optically controlled shunt and series enhancement circuit |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60165218A patent/JPS6225511A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864126A (en) * | 1988-06-17 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | Solid state relay with optically controlled shunt and series enhancement circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1285033C (en) | Solid state relay having a thyristor discharge circuit | |
| JPS634727A (ja) | 光学的デジタル信号用受信装置 | |
| US6919552B2 (en) | Optical detector and method for detecting incident light | |
| JP3315651B2 (ja) | 光センサと固体撮像装置 | |
| JP3123708B2 (ja) | 光受信フロントエンドアンプ | |
| JP3837372B2 (ja) | 半導体リレー | |
| JP2521663B2 (ja) | 半導体リレ−回路 | |
| JP2812874B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JP2009117528A (ja) | 光半導体リレー装置 | |
| JP2577929B2 (ja) | 光信号検出回路 | |
| JP3637749B2 (ja) | 半導体リレー | |
| JP2004304708A (ja) | 光電流・電圧変換回路 | |
| JPH10308529A (ja) | 半導体リレー | |
| JPH1154784A (ja) | 半導体リレー | |
| JP2002290168A (ja) | 光受信器 | |
| JPH05335616A (ja) | 高速応答フォトカプラ | |
| JPH05243949A (ja) | ソリッドステートリレー | |
| JP3564235B2 (ja) | 半導体リレー回路 | |
| JP2932782B2 (ja) | 半導体リレー回路 | |
| JPH0637618A (ja) | 固体素子リレー | |
| JP2697319B2 (ja) | 受光素子アレイ | |
| JP2743874B2 (ja) | ソリッドステートリレー | |
| JPH0269980A (ja) | フォトダイオードバイアス回路 | |
| JP2560203B2 (ja) | 集積化受光素子 | |
| JPH10215159A (ja) | 半導体リレー |