JPS62257172A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPS62257172A JPS62257172A JP9939186A JP9939186A JPS62257172A JP S62257172 A JPS62257172 A JP S62257172A JP 9939186 A JP9939186 A JP 9939186A JP 9939186 A JP9939186 A JP 9939186A JP S62257172 A JPS62257172 A JP S62257172A
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- atoms
- oxygen
- conductive substrate
- barrier layer
- boron
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（発明の利用分野）
本発明は導電性基体上に非晶質シリコンにより構成され
た光導電層を備えた電子写真用感光体、特に導電性基体
と下部障壁層の剥離防止に関するものである。
た光導電層を備えた電子写真用感光体、特に導電性基体
と下部障壁層の剥離防止に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来より電子写真感光体を形成する光導電材料として、
Ｓ８およびＳ８化合物、Ｚ、ｏ、ＣｄＳ等の無機光導電
材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ｌ−リ
ニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機光導電材料（Ｏ
Ｐ Ｃ）が広く用いられている。しかし上記の材料によ
る感光体は、表面強度が弱く摩耗に対して弱いため寿命
が短いと云う欠点があるほか、熱的安定性や環境汚染性
の点でも問題がある。
Ｓ８およびＳ８化合物、Ｚ、ｏ、ＣｄＳ等の無機光導電
材料やポリ−Ｎビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ｌ−リ
ニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機光導電材料（Ｏ
Ｐ Ｃ）が広く用いられている。しかし上記の材料によ
る感光体は、表面強度が弱く摩耗に対して弱いため寿命
が短いと云う欠点があるほか、熱的安定性や環境汚染性
の点でも問題がある。
そこでこのような問題点を解決するため、近年非晶質シ
リコン（以下ａ−３ｉと略称する）を光導電層とした電
子写真用感光体が提案され実用化されつつある。このａ
−３ｉは表面強度が従来の材料に比べて格段に大きく感
光体の長寿命化が期待できると同時に、熱的安定性や無
公害なため環境汚染の防止の点でもすぐれている。また
画像は一般にコロナ放電により感光体表面を正に帯電さ
せ、露光により静電潜像を形成することによって得るが
、ａ−３ｉ悪感光では受容電位が高く多くの正電荷を帯
電できるため、コントラスト比の高い鮮明な画像を得ら
れる利点がある。
リコン（以下ａ−３ｉと略称する）を光導電層とした電
子写真用感光体が提案され実用化されつつある。このａ
−３ｉは表面強度が従来の材料に比べて格段に大きく感
光体の長寿命化が期待できると同時に、熱的安定性や無
公害なため環境汚染の防止の点でもすぐれている。また
画像は一般にコロナ放電により感光体表面を正に帯電さ
せ、露光により静電潜像を形成することによって得るが
、ａ−３ｉ悪感光では受容電位が高く多くの正電荷を帯
電できるため、コントラスト比の高い鮮明な画像を得ら
れる利点がある。
しかしその反面帯電露光を繰返すと暗時導電性基体側か
ら電子が流入し、これが正電荷と結合して表面帯電電位
を低下させるため、画像欠陥を生じさせるおそれがある
。
ら電子が流入し、これが正電荷と結合して表面帯電電位
を低下させるため、画像欠陥を生じさせるおそれがある
。
そこでこれを防止するため一般には導電性基体に接した
光導電層にポロン原子を含有させて、所謂Ｐ゛型のブロ
ッキング層即ち下部障壁層を形成し、これにより基体側
から侵入する電子の寿命を小さくして電子を再結合によ
り消滅させて上記の問題を解決することが行われている
。しかしそのためには下部障壁層の抵抗値が少なくとも
１０１０Ω・ｃｍ以下になるようにポロン濃度を増すこ
とを要求されるが、このようにすると使用中感光層中に
クラックを発生して寿命を大きく低下する欠点があり、
甚だしい時には出荷前の温度衝撃試験時、その開始より
数サイクルの早い時期に感光層が導電性基体から剥離し
て使用できなくなることさえある。
光導電層にポロン原子を含有させて、所謂Ｐ゛型のブロ
ッキング層即ち下部障壁層を形成し、これにより基体側
から侵入する電子の寿命を小さくして電子を再結合によ
り消滅させて上記の問題を解決することが行われている
。しかしそのためには下部障壁層の抵抗値が少なくとも
１０１０Ω・ｃｍ以下になるようにポロン濃度を増すこ
とを要求されるが、このようにすると使用中感光層中に
クラックを発生して寿命を大きく低下する欠点があり、
甚だしい時には出荷前の温度衝撃試験時、その開始より
数サイクルの早い時期に感光層が導電性基体から剥離し
て使用できなくなることさえある。
本発明は上記のようなａ−３ｉ悪感光における含有ポロ
ン原子にもとづくクラックや剥離を、残留電位の低下な
ど感光体としての諸性性を損なうことがないようにして
長寿命化を図った電子写真用感光体の提供を目的として
なされたものである。
ン原子にもとづくクラックや剥離を、残留電位の低下な
ど感光体としての諸性性を損なうことがないようにして
長寿命化を図った電子写真用感光体の提供を目的として
なされたものである。
次に図面を用いての詳細を説明する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は■第１図に示すように導電性基体（１）に、導
電性基体（１）との界面において１１００ｐｐ〜１％原
子濃度のポロン原子を含み、かつポロン原子濃度とほぼ
一定比量以上の酸素および窒素原子を含有する下部障壁
層（２）を形成することを第１の特徴とする。また■下
部障壁層（２）のポロン、酸素および窒素原子濃度が導
電性基体と下部障壁層の界面において最高濃度を示すと
共に層厚方向に漸減させて形成することを特徴とし、こ
の下部障壁層に続いて電位保持層（３）と上部障壁層（
４）を積層した電子写真用感光体である。
電性基体（１）との界面において１１００ｐｐ〜１％原
子濃度のポロン原子を含み、かつポロン原子濃度とほぼ
一定比量以上の酸素および窒素原子を含有する下部障壁
層（２）を形成することを第１の特徴とする。また■下
部障壁層（２）のポロン、酸素および窒素原子濃度が導
電性基体と下部障壁層の界面において最高濃度を示すと
共に層厚方向に漸減させて形成することを特徴とし、こ
の下部障壁層に続いて電位保持層（３）と上部障壁層（
４）を積層した電子写真用感光体である。
（発明の作用効果）
従来のようにａ−５ｉネツトワーク中に３配位のポロン
原子が４配位のシリコン原子と置換された場合には、ボ
ロン原子濃度が増すにつれて膜内歪みが大きくなってク
ランクや剥離の発生を見る。
原子が４配位のシリコン原子と置換された場合には、ボ
ロン原子濃度が増すにつれて膜内歪みが大きくなってク
ランクや剥離の発生を見る。
即ちａ−３ｉネツトワークは１箇のＳｉを中心とした最
隣接するＳｌやドーピング原子とはほぼ秩序を維持して
配列しているが、数原子以上離れた原子とは無秩序で配
列している。従ってシリコンとポロンの結合の割合が多
くなると、シリコンとシリコンの結合の割合に比べて３
配位結合でイオン半径や結合距離が異なることに原因し
て、長距離的結合の歪みが大きくなり、クランクや剥離
を招く結果になるものと考えられる。
隣接するＳｌやドーピング原子とはほぼ秩序を維持して
配列しているが、数原子以上離れた原子とは無秩序で配
列している。従ってシリコンとポロンの結合の割合が多
くなると、シリコンとシリコンの結合の割合に比べて３
配位結合でイオン半径や結合距離が異なることに原因し
て、長距離的結合の歪みが大きくなり、クランクや剥離
を招く結果になるものと考えられる。
これに対し本発明におけるポロン原子と同時に含有され
る２配位の酸素のイオン半径は、シリコンのそれよりか
なり大きいが、シリコンと置換する形ではａ−８ｉネツ
トワーク中には入らない。
る２配位の酸素のイオン半径は、シリコンのそれよりか
なり大きいが、シリコンと置換する形ではａ−８ｉネツ
トワーク中には入らない。
このためネットワークのどこの位置にでも結合すること
ができ、歪みの大きな長距離的結合の途中に酸素結合が
入ることになる。このため歪みが分散されてクランクや
剥離の発生がな（なるものと考えられる。
ができ、歪みの大きな長距離的結合の途中に酸素結合が
入ることになる。このため歪みが分散されてクランクや
剥離の発生がな（なるものと考えられる。
またこの基合金有酸素原子の添加量には制限があり、量
が多くなると電荷をトラップする局在（ｔｌ＝位密度を
大きくする。このため例えば残留電位が第３図中のＡ曲
線のように２００Ｖ以上にもなると云う電子写真用感光
体として望ましくない結果を生する。本発明における窒
素原子はこの欠点をなくすように作用する。即ち５ｉＢ
−３ｉ−０ネツトワーク中に窒素原子を添加すると、窒
素原子もまた酸素原子と同様にシリコン原子と置換型で
あってネットワーク中に入らないことから、酸素原子と
同様に５ｉ−Ｂ長距離結合歪みの緩和能力をもち、しか
も窒素原子は深い準位の局在準位密度を大きくすること
がない。従って窒素原子を同時に添加することにより酸
素原子の量をそれが持つ悪効果を発揮させないために必
要とされる最小限にすることができる。ただ窒素原子は
３配位であるので２配位の酸素原子より構造歪み緩和能
力に劣り、ボロン原子を高濃度にドープした３μｍ以上
の膜厚をもつシリコン膜の剥離防止の効果のためには窒
素原子のみでは実際的でない。
が多くなると電荷をトラップする局在（ｔｌ＝位密度を
大きくする。このため例えば残留電位が第３図中のＡ曲
線のように２００Ｖ以上にもなると云う電子写真用感光
体として望ましくない結果を生する。本発明における窒
素原子はこの欠点をなくすように作用する。即ち５ｉＢ
−３ｉ−０ネツトワーク中に窒素原子を添加すると、窒
素原子もまた酸素原子と同様にシリコン原子と置換型で
あってネットワーク中に入らないことから、酸素原子と
同様に５ｉ−Ｂ長距離結合歪みの緩和能力をもち、しか
も窒素原子は深い準位の局在準位密度を大きくすること
がない。従って窒素原子を同時に添加することにより酸
素原子の量をそれが持つ悪効果を発揮させないために必
要とされる最小限にすることができる。ただ窒素原子は
３配位であるので２配位の酸素原子より構造歪み緩和能
力に劣り、ボロン原子を高濃度にドープした３μｍ以上
の膜厚をもつシリコン膜の剥離防止の効果のためには窒
素原子のみでは実際的でない。
また光尋電層内の電子密度はＰ型下部障壁層内で消滅す
るから、導電性基体と下部障壁層との界面が最大であり
、層厚方向に向かって漸減する分布を示す。従って本発
明のようにボロン原子、酸素原子、窒素原子のそれぞれ
の濃度分布が、第２図のように導電性基体との界面にお
いて最高となり、層厚方向に行くに伴い漸減するように
したことにより、下部障壁層（２）によって導電性基体
＋１１から電子保持層（３）に向かって侵入する電子の
侵入をよ（阻止することができ、電子と正電荷の結合に
よる表面帯電電位の低下をよく阻止して画像欠陥の発生
を防止できる。
るから、導電性基体と下部障壁層との界面が最大であり
、層厚方向に向かって漸減する分布を示す。従って本発
明のようにボロン原子、酸素原子、窒素原子のそれぞれ
の濃度分布が、第２図のように導電性基体との界面にお
いて最高となり、層厚方向に行くに伴い漸減するように
したことにより、下部障壁層（２）によって導電性基体
＋１１から電子保持層（３）に向かって侵入する電子の
侵入をよ（阻止することができ、電子と正電荷の結合に
よる表面帯電電位の低下をよく阻止して画像欠陥の発生
を防止できる。
実験によれば次のように構成することにより目的を達成
できることを確かめ得た。導電性基体（１）上にＣＶＤ
法により基体（１１との界面における原子濃度が１１０
０ｐｐ （５ｘｌＯ”）〜１％（５ＸＩＯ”）のボロン
原子とボロン原子濃度Ａに対する酸素原子濃度Ｂと窒素
原子濃度Ｃの和の比Ａ／（Ｂ＋Ｃ）が１０−１３〜１０
−１の範囲になるように添加された酸素および窒素原子
からなると共に、各含有原子の濃度分布が導電性基体（
１）との界面において最高となり、層厚方向に行くに伴
い漸減する層厚が１〜ＩＯμｍの下部障壁層（２）を設
ける。そしてこの上に極微量のボロン原子を添加して補
償して高抵抗に形成された層厚が２０〜３０μｍの電位
保持層（３）を形成し、更にその上に約１０００人〜１
μｍ厚の非晶質炭化シリコンによる上部障壁層（４）を
積層して電子写真用感光体を形成した。
できることを確かめ得た。導電性基体（１）上にＣＶＤ
法により基体（１１との界面における原子濃度が１１０
０ｐｐ （５ｘｌＯ”）〜１％（５ＸＩＯ”）のボロン
原子とボロン原子濃度Ａに対する酸素原子濃度Ｂと窒素
原子濃度Ｃの和の比Ａ／（Ｂ＋Ｃ）が１０−１３〜１０
−１の範囲になるように添加された酸素および窒素原子
からなると共に、各含有原子の濃度分布が導電性基体（
１）との界面において最高となり、層厚方向に行くに伴
い漸減する層厚が１〜ＩＯμｍの下部障壁層（２）を設
ける。そしてこの上に極微量のボロン原子を添加して補
償して高抵抗に形成された層厚が２０〜３０μｍの電位
保持層（３）を形成し、更にその上に約１０００人〜１
μｍ厚の非晶質炭化シリコンによる上部障壁層（４）を
積層して電子写真用感光体を形成した。
この構成によれば温度差（ΔＴ）／温度変化に要する時
間（ｔｌを１００℃／分とした、−４０℃〜常温〜十１
００℃の温度衝撃試験を５０回繰返しても、下部障壁層
の剥離は全く発生せず、クラックの発生も全くなかった
。
間（ｔｌを１００℃／分とした、−４０℃〜常温〜十１
００℃の温度衝撃試験を５０回繰返しても、下部障壁層
の剥離は全く発生せず、クラックの発生も全くなかった
。
また受容電位は＋６５０ｖ、残留電位は＋２ｖ、白色光
感度は０．５ Ｉｔ ｕｘ−ｓｅｃであってすぐれた光
導電特性を示した。また通常環境下（２０℃６０％Ｒ，
Ｈ）でのＡ−４板紙５０万枚の画像コピーでも受容電位
の変化がなく、安定した画像特性が得られることが確認
された。
感度は０．５ Ｉｔ ｕｘ−ｓｅｃであってすぐれた光
導電特性を示した。また通常環境下（２０℃６０％Ｒ，
Ｈ）でのＡ−４板紙５０万枚の画像コピーでも受容電位
の変化がなく、安定した画像特性が得られることが確認
された。
また後記するＣＶＤ装置による別な実験、即ち第１表の
実験例■のように酸素原子供給源として酸素（０□）を
用いた場合、実験例■のように酸素（０□）と窒素（Ｎ
２）又はアンモニアガス（ＮＨ：ｌ）を用いた場合、お
よび実験例■のようにＮ ｚ Ｏを用筆 １ 表 第 ２ 表 た場合について、第１表に示す反応条件の下にアルミニ
ウム導電性基体（１１上にそれぞれ堆積膜厚が５μｍの
下部障壁層（２）を形成し、更にこの上に第２表の反応
条件の下に堆積膜厚が２５μｍの電位保持層（３）と、
２０００人の上部障壁層（４）を積層したところ次のよ
うな結果を得た。
実験例■のように酸素原子供給源として酸素（０□）を
用いた場合、実験例■のように酸素（０□）と窒素（Ｎ
２）又はアンモニアガス（ＮＨ：ｌ）を用いた場合、お
よび実験例■のようにＮ ｚ Ｏを用筆 １ 表 第 ２ 表 た場合について、第１表に示す反応条件の下にアルミニ
ウム導電性基体（１１上にそれぞれ堆積膜厚が５μｍの
下部障壁層（２）を形成し、更にこの上に第２表の反応
条件の下に堆積膜厚が２５μｍの電位保持層（３）と、
２０００人の上部障壁層（４）を積層したところ次のよ
うな結果を得た。
実験例の下部障壁層（２）はその何れもが初期において
（Ｂ ｚ Ｈｂ ／ Ｓ ｉＨ４）のモル比が１×１０
弓であって、反応の結果得られる下部障壁層（２）と導
電性基体（１）との界面のボロン原子濃度は１〜１０Ｘ
ＸＯ１９Ａ ｔｏｍ ／ ｃＩＩｌ （２００〜２００
ＯｐｐＭ相当）であった。また実験例Ｉに代表される酸
素原子のみで歪みを緩和した場合、上記のボロン濃度に
おいて酸素量を約５３ＣＣＭ以上とした領域で堆積ａ−
３ｉ層が剥離しないものが得られた。
（Ｂ ｚ Ｈｂ ／ Ｓ ｉＨ４）のモル比が１×１０
弓であって、反応の結果得られる下部障壁層（２）と導
電性基体（１）との界面のボロン原子濃度は１〜１０Ｘ
ＸＯ１９Ａ ｔｏｍ ／ ｃＩＩｌ （２００〜２００
ＯｐｐＭ相当）であった。また実験例Ｉに代表される酸
素原子のみで歪みを緩和した場合、上記のボロン濃度に
おいて酸素量を約５３ＣＣＭ以上とした領域で堆積ａ−
３ｉ層が剥離しないものが得られた。
また実験例Ｈに代表される少量の酸素原子に窒素原子を
添加した場合、窒素ガスと酸素ガスのモル比が２以上で
堆積ａ−３ｉ層が導電性基体表面から剥離しな（なり、
実験例Ｉに比べて少量の酸素ガス量でよいことが判った
。即ち（ＢＺＨ６／Ｓ ｉ Ｈａ ） ＝ Ｉ Ｘｌ０
−３に対し、酸素ガスを３５ＣＣＭ流すと、添加窒素ガ
スｌ ６ ＳＣＣＭ以上で剥離が発生しなくなり、第４
図のように酸素と窒素の場合Ｂ／（０＋Ｎ）における剥
離が発生しない領域は酸素のみの場合（Ｂ１０）に比べ
て酸素量が少なくてすむ。またこのときのａ−５ｉネツ
トワーク内に占める原子濃度を分析すると、ボロン原子
が１０− ” Ｘ １０” Ａ ｔｏｍｓ ／ ｃｎｌ
に対して酸素原子が５×１０′９〜５Ｘ１０”であり、
窒素原子も５Ｘ１０＋９〜５ｘｌＱＺｌの領域内にある
ことが確認された。このような添加原子で構成された下
部障壁層（２）は、抵抗値が１０８〜１×１０１０Ω’
ｃｍ即ちｌＸｌ０”Ω’ ｃｍ以下であるから、導電
性基体（１）側から電子が侵入しても１μｍ以内で完全
に再結合して消滅する。その結果剥離がなくしかも表面
帯電電位の低下による画像欠陥を生じにくい電子写真感
光体を提供できる。
添加した場合、窒素ガスと酸素ガスのモル比が２以上で
堆積ａ−３ｉ層が導電性基体表面から剥離しな（なり、
実験例Ｉに比べて少量の酸素ガス量でよいことが判った
。即ち（ＢＺＨ６／Ｓ ｉ Ｈａ ） ＝ Ｉ Ｘｌ０
−３に対し、酸素ガスを３５ＣＣＭ流すと、添加窒素ガ
スｌ ６ ＳＣＣＭ以上で剥離が発生しなくなり、第４
図のように酸素と窒素の場合Ｂ／（０＋Ｎ）における剥
離が発生しない領域は酸素のみの場合（Ｂ１０）に比べ
て酸素量が少なくてすむ。またこのときのａ−５ｉネツ
トワーク内に占める原子濃度を分析すると、ボロン原子
が１０− ” Ｘ １０” Ａ ｔｏｍｓ ／ ｃｎｌ
に対して酸素原子が５×１０′９〜５Ｘ１０”であり、
窒素原子も５Ｘ１０＋９〜５ｘｌＱＺｌの領域内にある
ことが確認された。このような添加原子で構成された下
部障壁層（２）は、抵抗値が１０８〜１×１０１０Ω’
ｃｍ即ちｌＸｌ０”Ω’ ｃｍ以下であるから、導電
性基体（１）側から電子が侵入しても１μｍ以内で完全
に再結合して消滅する。その結果剥離がなくしかも表面
帯電電位の低下による画像欠陥を生じにくい電子写真感
光体を提供できる。
また更に酸素と窒素原子が添加された場合、残留電位は
酸素原子のみの添加を示す第３図中のＡ曲線のようにボ
ロン原子濃度の上昇と共に高くなることがなく、８曲線
のようにボロン原子濃度が１０”〜１０”Ａ ｔｏｍｓ
／ ｃｊの範囲内において殆ど変わることがない。また
第３図中のＤｒｉｌｌ線によって示すように受容電位も
酸素原子のみの添加時を示すＣ曲線に比べて変化が少な
い。従って本発明によれば光専電層の４電性基体からの
剥離がなく、しかも鮮明な画像が得られる電子写真用感
光体を提供できる。
酸素原子のみの添加を示す第３図中のＡ曲線のようにボ
ロン原子濃度の上昇と共に高くなることがなく、８曲線
のようにボロン原子濃度が１０”〜１０”Ａ ｔｏｍｓ
／ ｃｊの範囲内において殆ど変わることがない。また
第３図中のＤｒｉｌｌ線によって示すように受容電位も
酸素原子のみの添加時を示すＣ曲線に比べて変化が少な
い。従って本発明によれば光専電層の４電性基体からの
剥離がなく、しかも鮮明な画像が得られる電子写真用感
光体を提供できる。
なお実験例■は生産管理上の便利さから、窒素と酸素の
化合物を使用して窒素と酸素を一定比率でＣＶＤ装置の
プラズマ領域に送りこみうるようにしたものであって、
以上の各実験例には第５図に示すｃｖＤｚ置が使用され
た。
化合物を使用して窒素と酸素を一定比率でＣＶＤ装置の
プラズマ領域に送りこみうるようにしたものであって、
以上の各実験例には第５図に示すｃｖＤｚ置が使用され
た。
第５図において（５）は円筒状の真空反応室、（６）は
円筒状の対向電極、（７）はその高周波電源（１３，５
６Ｍ１ｌｚ）、（８）は真空ポンプであって、真空反応
室（５）内を０．２〜１．５ｔｏｒｒのガス圧に制御で
きる。（９）は反応ガスの尋人パイプであって、プラズ
マ領域内に反応ガスを４人できるように配置され、図示
されない複数筒のガスボンベから供給された各種反応ガ
スをそれぞれ図示されない流ｆｆｉ！節器により所要の
ガス組成になるように調整したガスが導入される。また
前記したような濃度分布をもたせるためシーケンスプロ
セッサによるプログラム制御手段により、反応時間と共
にガス流量が調整される。
円筒状の対向電極、（７）はその高周波電源（１３，５
６Ｍ１ｌｚ）、（８）は真空ポンプであって、真空反応
室（５）内を０．２〜１．５ｔｏｒｒのガス圧に制御で
きる。（９）は反応ガスの尋人パイプであって、プラズ
マ領域内に反応ガスを４人できるように配置され、図示
されない複数筒のガスボンベから供給された各種反応ガ
スをそれぞれ図示されない流ｆｆｉ！節器により所要の
ガス組成になるように調整したガスが導入される。また
前記したような濃度分布をもたせるためシーケンスプロ
セッサによるプログラム制御手段により、反応時間と共
にガス流量が調整される。
なお酸素原子供給源として純酸素が使用されるときは、
導入パイプ（９）と別に設けた導入パイプＱＯＩを用い
てプラズマ領域に導入する。０υは接地された導電性基
体の保持体であって、これに装着された導電性基体（１
）を内部から加熱するための２５０〜３００℃に温度制
御される図示されない加熱ヒータを有する。曲はモータ
でＣＶＤ法により堆積して来る非晶質シリコンが馴染み
易いように表面処理された導電性基体（１）を、５ｃＩ
１１程度の空間距離をもって前記した対向電極（６）内
において同心的に回転させ、導電性基体（１）の全周面
に均一な非晶質膜が形成されるようにする。
導入パイプ（９）と別に設けた導入パイプＱＯＩを用い
てプラズマ領域に導入する。０υは接地された導電性基
体の保持体であって、これに装着された導電性基体（１
）を内部から加熱するための２５０〜３００℃に温度制
御される図示されない加熱ヒータを有する。曲はモータ
でＣＶＤ法により堆積して来る非晶質シリコンが馴染み
易いように表面処理された導電性基体（１）を、５ｃＩ
１１程度の空間距離をもって前記した対向電極（６）内
において同心的に回転させ、導電性基体（１）の全周面
に均一な非晶質膜が形成されるようにする。
第１図および第２図は本発明の層構造図および下部障壁
層内の添加原子の濃度分布図、第３図は剥離傾向と添加
原子の濃度比の相関図、第４図は酸素のみ添加と酸素と
窒素添加時における受容電位と残留電位とポロン原子濃
度との相関図、第５図は本発明の実施に用いられたＣＶ
Ｄ装置の概略構成図である。 （１）・・・４電性基体、（２）・・・下部障壁層、（
３）・・・電位保持層、（４）・・・上部障壁層、（５
）・・・真空反応室、（６）・・・対向電極、（７）・
・・高周波電源、（８）・・・真空ポンプ、（９）・・
・反応ガスの導入パイプ、α０）・・・純酸素の導入パ
イプ、Ｏυ・・・導電性基体保持体、（２）・・・モー
タ。 特許出願人 新電元工業株式会社 外１名
層内の添加原子の濃度分布図、第３図は剥離傾向と添加
原子の濃度比の相関図、第４図は酸素のみ添加と酸素と
窒素添加時における受容電位と残留電位とポロン原子濃
度との相関図、第５図は本発明の実施に用いられたＣＶ
Ｄ装置の概略構成図である。 （１）・・・４電性基体、（２）・・・下部障壁層、（
３）・・・電位保持層、（４）・・・上部障壁層、（５
）・・・真空反応室、（６）・・・対向電極、（７）・
・・高周波電源、（８）・・・真空ポンプ、（９）・・
・反応ガスの導入パイプ、α０）・・・純酸素の導入パ
イプ、Ｏυ・・・導電性基体保持体、（２）・・・モー
タ。 特許出願人 新電元工業株式会社 外１名
Claims (3)
- （１）導電性基体上に非晶質シリコンを主体とする光導
電層を堆積した電子写真用感光体において、前記光導電
層中にボロン原子と酸素および窒素原子を含み、かつボ
ロン、酸素および窒素原子濃度がそれぞれ光導電層内に
おいて厚み方向に変化して分布する下部障壁層を形成す
ると共にボロン原子の最高濃度を１００ｐｐＭ〜１％原
子濃度とし、またボロン（Ａ）濃度に対する酸素原子濃
度（Ｂ）と窒素原子濃度（Ｃ）の和の比Ａ／（Ｂ＋Ｃが
１０＾−＾３〜１０＾−＾１の範囲に設定されることを
特徴とする電子写真用感光体。 - （２）特許請求の範囲第１項において、下部障壁層のボ
ロン原子と酸素原子および窒素原子の濃度分布を、それ
ぞれ導電性基体近傍を高く、厚さ方向に少なくするよう
にしたことを特徴とする電子写真用感光体。 - （３）特許請求の範囲の第１項、第２項において、下部
障壁層上に電位保持層、上部障壁層の順序で積層したこ
とを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939186A JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9939186A JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257172A true JPS62257172A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0588836B2 JPH0588836B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=14246195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9939186A Granted JPS62257172A (ja) | 1986-05-01 | 1986-05-01 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257172A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS5948769U (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 岩田塗装機工業株式会社 | 自動塗装装置 |
| JPS6073628A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-05-01 JP JP9939186A patent/JPS62257172A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137841A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-16 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
| JPS5948769U (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-31 | 岩田塗装機工業株式会社 | 自動塗装装置 |
| JPS6073628A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 光導電性部材 |
| JPS60154257A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588836B2 (ja) | 1993-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |