JPS6073628A - 光導電性部材 - Google Patents
光導電性部材Info
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- JPS6073628A JPS6073628A JP18263683A JP18263683A JPS6073628A JP S6073628 A JPS6073628 A JP S6073628A JP 18263683 A JP18263683 A JP 18263683A JP 18263683 A JP18263683 A JP 18263683A JP S6073628 A JPS6073628 A JP S6073628A
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- JP
- Japan
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- layer
- support
- photoconductive
- blocking layer
- reactor
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光（紫外から可視、赤外ｂＸＷＩＡ＊ γ線な
どの電磁波）に感受性をもつ先導Ａ材に関する。
どの電磁波）に感受性をもつ先導Ａ材に関する。
固体撮像素子、電子写真感光体等の光導電性層を構成す
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く（通常１０１ｍΩ眞以上）、かつ光照射によシ
比抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
る光導電性材料は、その使用上の目的から暗所での比抵
抗が高く（通常１０１ｍΩ眞以上）、かつ光照射によシ
比抵抗が小さくなる性質を有することが必要である。
電子写真を例にしてその除煙を説明すると。
まず感光体表面にコロナ放電により電荷全付与して帯電
させる。つづいて、感光体に光を照射すると電子と正孔
の対ができ、そのいずれか一方により表面の電荷が中和
されている。例えば。
させる。つづいて、感光体に光を照射すると電子と正孔
の対ができ、そのいずれか一方により表面の電荷が中和
されている。例えば。
正に帯電させた場合は光照射によシ生じた対のうち電子
によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が形成さ
れる。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電したト
ナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させること
によシ可視化がなされる。この時、電荷がなくとも、ト
ナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避するため
に、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方向の電
場が生じるように現像器の電位を高くする。いわゆる現
像バイアスの処理がなされる。
によって中和され、感光体表面に正電荷の潜像が形成さ
れる。次いで、感光体表面の電荷と逆極性に帯電したト
ナーを感光体表面にクーロン力によって吸引させること
によシ可視化がなされる。この時、電荷がなくとも、ト
ナーの電荷で感光体に引きつけられるのを回避するため
に、感光体と現像器の間に電荷による電場と逆方向の電
場が生じるように現像器の電位を高くする。いわゆる現
像バイアスの処理がなされる。
上述した電子写真においてＦｉ、その感光体として次の
ような条件を満足することが要求される。即ち、第１に
コロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持される
こと、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再
結合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他
方が感光体の支持体まで瞬時に達すること１等が要求さ
れる。
ような条件を満足することが要求される。即ち、第１に
コロナ放電により帯電した電荷が光照射まで保持される
こと、第２に光照射により生成した電子と正孔の対が再
結合することなく、一方が表面の電荷を中和し、更に他
方が感光体の支持体まで瞬時に達すること１等が要求さ
れる。
ところで、従来、光導電性材料としては非晶質カルコダ
ナイド系のものが用いられている。
ナイド系のものが用いられている。
非晶質カルコグナイドは大面積化が容易であり。
かつ光導電性が優れる等の特徴を有する。しかしながら
、かかる非晶質カルコｒナイｒは光の吸収帯が可視から
紫外に近い所にあυ、実用上。
、かかる非晶質カルコｒナイｒは光の吸収帯が可視から
紫外に近い所にあυ、実用上。
可視域の光に対する感度が低く、シがも破開が低く１ｗ
電子写真応用した場合、寿命が短い等の種々の問題があ
った。
電子写真応用した場合、寿命が短い等の種々の問題があ
った。
このようなことから、最近、光導電性材料としてアモル
ファスシリコン（以下、ａ−８４と称す）を用いること
が注目されている。ａ −Ｓムは吸収波長域が広く、・
母ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も
高く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものより
１０倍以上の寿命をもっことか期待されている。
ファスシリコン（以下、ａ−８４と称す）を用いること
が注目されている。ａ −Ｓムは吸収波長域が広く、・
母ンクロマティックであり、感度も高い。また、硬度も
高く、電子写真感光体に応用した場合は従来のものより
１０倍以上の寿命をもっことか期待されている。
更に１人体に無害であり、単結晶シリコンと比較した場
合、安価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点
を有する。しかしながら。
合、安価で容易に大面積のものが得られる等多くの利点
を有する。しかしながら。
ａ−８１は暗所での比抵抗（以下、暗抵抗と称す）が低
く１通常１０ ” Ｑａ−１０” Ｑ（ｊｌｉｂ−程ｆ
ｉｌ テｓ電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは１表面に帯電させた電荷を保持するととができ
ない。
く１通常１０ ” Ｑａ−１０” Ｑ（ｊｌｉｂ−程ｆ
ｉｌ テｓ電子写真感光体のような静電潜像を形成する
ものでは１表面に帯電させた電荷を保持するととができ
ない。
そこで、ａ−８１を電子写真に応用した例では、感光層
と支持体との間にＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した比抵抗の高
いａ−８１層或いはｐ型。
と支持体との間にＮ、Ｃ，Ｏなどを添加した比抵抗の高
いａ−８１層或いはｐ型。
ｎ型のａ−８１層を設け、支持体からのキャリアの注入
を阻止することが試みられている。但し、後者のａ−８
層層を用いる際は、正帯電の場合には電子をブロックし
、正孔を通過させうるｐ型のａ−８１層を、負帯電の場
合にはｎ型のａ−８層層ｆｔ、使用する。こうした構造
の感光体では帯電能力を高くすることが可能である。
を阻止することが試みられている。但し、後者のａ−８
層層を用いる際は、正帯電の場合には電子をブロックし
、正孔を通過させうるｐ型のａ−８１層を、負帯電の場
合にはｎ型のａ−８層層ｆｔ、使用する。こうした構造
の感光体では帯電能力を高くすることが可能である。
しかしながら、前者の構造ではＮ、Ｃ，０を添加したａ
−８ｉ層を厚くすると、感光層から支持体へ流れるキ
ャリアの通過をも阻止し、その結果、残留電位が高くな
るという問題が生じる。
−８ｉ層を厚くすると、感光層から支持体へ流れるキ
ャリアの通過をも阻止し、その結果、残留電位が高くな
るという問題が生じる。
一方、該ａ−８ｉ層を薄くすると、現像バイアスによる
絶縁破壊を招く。後者の構造ではｐ型、ｎ型のａ 、−
８１層を厚くしても前者のような問題は生じない。しか
しながら、ａ−８１層は第１Ａ族元素の添加によｐｐ型
に１第ＶＡ族元素の添加によりｎ型に、夫々なるが、こ
れらの不純物の添加によって層中に歪が生じる。こうし
九ａ−８ｉ層をブロッキング層として用い。
絶縁破壊を招く。後者の構造ではｐ型、ｎ型のａ 、−
８１層を厚くしても前者のような問題は生じない。しか
しながら、ａ−８１層は第１Ａ族元素の添加によｐｐ型
に１第ＶＡ族元素の添加によりｎ型に、夫々なるが、こ
れらの不純物の添加によって層中に歪が生じる。こうし
九ａ−８ｉ層をブロッキング層として用い。
この上に光導電性層を積層した場合、各層の歪が異なる
ため１層間剥離の原因になる等の不都合さが生じる。ま
た、光導電性層に積層される表面被覆層に関しても同様
な問題が生じる。
ため１層間剥離の原因になる等の不都合さが生じる。ま
た、光導電性層に積層される表面被覆層に関しても同様
な問題が生じる。
更に、上述し九ａ−８ｉ層の両方を組合せた構造の光導
電性部材も提案されている（特開昭５７−１７７１５６
号）。即ち、この光導電性部材は支持体上にｐ型又はｎ
型のａ−８１層及びＮ、Ｃ，０などを添加したａ−８１
層を順次積し、更にこの上に感光層を積層したものであ
る。しかしながら、かかる光導電性部材にあっては、Ｎ
、Ｃ，Ｏなど全添加したａ−８層層を厚くすると、当然
、残留電位が高くなり、かといって残留電位が高くなら
ないようにａ−８層層を薄くすると、絶縁破壊等を招く
。
電性部材も提案されている（特開昭５７−１７７１５６
号）。即ち、この光導電性部材は支持体上にｐ型又はｎ
型のａ−８１層及びＮ、Ｃ，０などを添加したａ−８１
層を順次積し、更にこの上に感光層を積層したものであ
る。しかしながら、かかる光導電性部材にあっては、Ｎ
、Ｃ，Ｏなど全添加したａ−８層層を厚くすると、当然
、残留電位が高くなり、かといって残留電位が高くなら
ないようにａ−８層層を薄くすると、絶縁破壊等を招く
。
本発明は上記事情に随みなされたもので、帯電能及び保
持能を従来と同等乃至それ以上向上できると共に、Ｓ間
の剥離を防止した長寿命の光導電性部材を提供しようと
するものである。
持能を従来と同等乃至それ以上向上できると共に、Ｓ間
の剥離を防止した長寿命の光導電性部材を提供しようと
するものである。
本発明は支持体上にブロッキング層及び光導電性層を順
次有してなる光導電性部材において。
次有してなる光導電性部材において。
前記ブロッキング層及び光導電性層の全ての層が少なく
ともＳｉと第１Ａ族ヌは第ＶＡ族との構成元素を共通に
含み、かつ各層の界面近傍で前記Ｓ１以外の構成元素の
比が連続的に変化している部分が存在することを特徴と
するものである。
ともＳｉと第１Ａ族ヌは第ＶＡ族との構成元素を共通に
含み、かつ各層の界面近傍で前記Ｓ１以外の構成元素の
比が連続的に変化している部分が存在することを特徴と
するものである。
上記全ての層の構成元素は８ｉと第１Ａ族又は第ＶＡ族
の元素の他にＣ及びＨ父はハロダンを用いてもよい。
の元素の他にＣ及びＨ父はハロダンを用いてもよい。
上記ブロッキング層は単層でもよいか、よシ好ましくは
２層にすることが望ましい。この場合、第１ｆロツキン
グ層（支持体側）と第２ブロッキング層の中の第１Ａ族
又は第ＶＡ族元累の濃度は第２ブロッキング層を第１プ
ロツキンダ層に比べて光学的バンドギャップを少し広く
することが帯１、能、保持能を向上させる点で有オＵで
あることから、第２ブロッキング層よシ第１ブロッキン
グ層の方か高くなるように設定することが好ましい。
２層にすることが望ましい。この場合、第１ｆロツキン
グ層（支持体側）と第２ブロッキング層の中の第１Ａ族
又は第ＶＡ族元累の濃度は第２ブロッキング層を第１プ
ロツキンダ層に比べて光学的バンドギャップを少し広く
することが帯１、能、保持能を向上させる点で有オＵで
あることから、第２ブロッキング層よシ第１ブロッキン
グ層の方か高くなるように設定することが好ましい。
次に１本発明の光導電性部材の一製造方法を説明する。
まず、導電性の支持体を真空反応各器に入れ。
反応容器内をメカニカルブースターポンブト油拡散ポン
プによシ１０１〜１０−４ｉｏｒｒ の真空にする。こ
の時、支持体は１００〜４００℃、の温度に保持する。
プによシ１０１〜１０−４ｉｏｒｒ の真空にする。こ
の時、支持体は１００〜４００℃、の温度に保持する。
つづいて１反応容器内に８１原子を含むガス、例えば８
１Ｈ，，８１！Ｈ６，ＳＩＦ。
１Ｈ，，８１！Ｈ６，ＳＩＦ。
等と第１Ａ族元素又は第ＶＡ族元紫を含むドーピングガ
ス、及び必要に応じてＣＨ，などのＣ原子を含むガス等
を目的とする混合比率で導入し、０．１〜ｌ ｔｏｒｒ
程度の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、
定常状態になるまで待つ。次いで１反応容器内の電極間
に１３．５６ＭＨｚ の高周波電力を印加して支持体上
にブロンキング層、光導電性層及び表面被覆層を順次成
膜する。この際、ドーピングガスの比率、或いは必要に
応じてＣ原子を含むガスの比率を逐次調整することによ
り、各層の界面近傍で構成元素の比を連続的に変化させ
ることができる。
ス、及び必要に応じてＣＨ，などのＣ原子を含むガス等
を目的とする混合比率で導入し、０．１〜ｌ ｔｏｒｒ
程度の圧力になるように排気系の排気速度を調整し、
定常状態になるまで待つ。次いで１反応容器内の電極間
に１３．５６ＭＨｚ の高周波電力を印加して支持体上
にブロンキング層、光導電性層及び表面被覆層を順次成
膜する。この際、ドーピングガスの比率、或いは必要に
応じてＣ原子を含むガスの比率を逐次調整することによ
り、各層の界面近傍で構成元素の比を連続的に変化させ
ることができる。
なお、ドーピングガスをフィクロ波等の電磁波で予め励
起することによシ、ドーピング効率の向上、成膜速度の
向上を達成できる。
起することによシ、ドーピング効率の向上、成膜速度の
向上を達成できる。
・ しかして２本発明に係る光導電性部材は支持体上に
少なくともＳｔと第１Ａ族、第ＶＡ族の共通の構成元素
を含むブロッキング層、光導電性層及び表面被覆層全順
次積層し、かつ各層の界面近傍で前記構成元素の比が連
続的に変化している部分が存在する構造であるため、各
層間の歪差を減少でき１層間剥離を防止して高寿命化を
達成できる。また、層構成を支持体側より８１と第１Ａ
族、第ＶＡ族を少なくとも共通に含むブロッキング層、
光導電性層及び表面被覆層とすることによって、従来と
同等の帯電能並びに保持能を有する光導電性部材を得る
ことができる。
少なくともＳｔと第１Ａ族、第ＶＡ族の共通の構成元素
を含むブロッキング層、光導電性層及び表面被覆層全順
次積層し、かつ各層の界面近傍で前記構成元素の比が連
続的に変化している部分が存在する構造であるため、各
層間の歪差を減少でき１層間剥離を防止して高寿命化を
達成できる。また、層構成を支持体側より８１と第１Ａ
族、第ＶＡ族を少なくとも共通に含むブロッキング層、
光導電性層及び表面被覆層とすることによって、従来と
同等の帯電能並びに保持能を有する光導電性部材を得る
ことができる。
なお、ブロッキング層を２層に分け、かつ第２ブロッキ
ング層を第１ブロツキングよシも光学的バンドギツプが
少しなるように導電性不純物Ｖ含有割合をρＮ整すると
共に、それら氾ｌ。
ング層を第１ブロツキングよシも光学的バンドギツプが
少しなるように導電性不純物Ｖ含有割合をρＮ整すると
共に、それら氾ｌ。
第２のプロンキング層をＣを含ムアモルファス炭化シリ
コンとすることによって、従来に比べて帯電能並びに保
持能が著しく高い光導電性部材を得ることができる。ま
た、光導電性層を。
コンとすることによって、従来に比べて帯電能並びに保
持能が著しく高い光導電性部材を得ることができる。ま
た、光導電性層を。
第１Ａ族父は第ＶＡ族とＣを含むｐ型又はｎ型のアモル
ファス炭化シリコンとすることによって、比抵抗が１Ｏ
１１〜、１０１１Ω―、と高く、かつ移動度も通常のア
モルファスシリコンと比較して同程度ｐ優れた特性をも
つものとなる。つ！、す。
ファス炭化シリコンとすることによって、比抵抗が１Ｏ
１１〜、１０１１Ω―、と高く、かつ移動度も通常のア
モルファスシリコンと比較して同程度ｐ優れた特性をも
つものとなる。つ！、す。
アモルファス炭化シリコンをアンドープの真性半導体に
すると、比抵抗が低い場合が多く、ブロッキング層を設
けても、１！光により生成したキャリアが厚さ方向だけ
でなく、横方向にも走シ易く１画像のほやけの原因とな
る。なお、アモルファス炭化シリコンはＳｌとＣの結合
が０ Ｓｉと８１或いはＳｌとＨの結合に比べて極めて少ない
ような材料である。
すると、比抵抗が低い場合が多く、ブロッキング層を設
けても、１！光により生成したキャリアが厚さ方向だけ
でなく、横方向にも走シ易く１画像のほやけの原因とな
る。なお、アモルファス炭化シリコンはＳｌとＣの結合
が０ Ｓｉと８１或いはＳｌとＨの結合に比べて極めて少ない
ような材料である。
次に１本発明の実施例を図面を参照して説明する。
まず、Ａｌ製の導電性支持体１を真空反応容器に入れ１
反応容器内をメカニカルブースターポンプと油回転ポン
プによシ１０−３〜ｌ Ｏ−’ ｔｏｒｒの真空にした
。この時、支持体１を１００〜４００℃、の温度に保持
した。つづいて１反応容器内にＢ、Ｈ，／８１１（、の
流量割合がｌＸｌ０−”。
反応容器内をメカニカルブースターポンプと油回転ポン
プによシ１０−３〜ｌ Ｏ−’ ｔｏｒｒの真空にした
。この時、支持体１を１００〜４００℃、の温度に保持
した。つづいて１反応容器内にＢ、Ｈ，／８１１（、の
流量割合がｌＸｌ０−”。
ＣＨ４／ ８１ Ｈ４の流量割合が８％となるように８
、Ｉ Ｈ４ＨＢｔ Ｈａ１ 及びＣＨ，の混合ガスを
導入し。
、Ｉ Ｈ４ＨＢｔ Ｈａ１ 及びＣＨ，の混合ガスを
導入し。
反応圧がＱ、５ｔｏｒｒとなるように排気系の排気速度
を調整した。ひきつづき１反応圧が定常状態になったら
１反応容器の電極間に１３．５６ ＭＨｚの高周波電力
２００Ｗを投入し、この状態を５分間保持した後、５分
間で町Ｈｓ ／ ８ ｌ Ｈａ が５Ｘ１０−’ の流
量割合まで減少するように混合ブスを逐次調整して導入
し支持体Ｊ上に厚さ１ ７ ｆｉ ｍ 、 Ｂ／Ｂ十ｓ ｉ の層最大値が５Ｘ
１０−”ａｔａｎ％、 ｃ／Ｃ十ｓ ｔが１．０ａｔｏ
ｍ％のアモルファス炭化シリコンからなる第１ブロッキ
ング層２を成膜した。
を調整した。ひきつづき１反応圧が定常状態になったら
１反応容器の電極間に１３．５６ ＭＨｚの高周波電力
２００Ｗを投入し、この状態を５分間保持した後、５分
間で町Ｈｓ ／ ８ ｌ Ｈａ が５Ｘ１０−’ の流
量割合まで減少するように混合ブスを逐次調整して導入
し支持体Ｊ上に厚さ１ ７ ｆｉ ｍ 、 Ｂ／Ｂ十ｓ ｉ の層最大値が５Ｘ
１０−”ａｔａｎ％、 ｃ／Ｃ十ｓ ｔが１．０ａｔｏ
ｍ％のアモルファス炭化シリコンからなる第１ブロッキ
ング層２を成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態で賜Ｈｓ
／ ８１ Ｈａ ｓ ＣＨａ／８１ Ｉ（ａ の流量割
合を変えずに５分間保持した後、５分間でＣＨ，／８１
Ｈ，を約０．０１％にまで減少するように８ ｉ Ｈ
４ｍ Ｂｔ Ｈａ及びＣＨ４の混合ガスを逐次幽整して
導入し。
／ ８１ Ｈａ ｓ ＣＨａ／８１ Ｉ（ａ の流量割
合を変えずに５分間保持した後、５分間でＣＨ，／８１
Ｈ，を約０．０１％にまで減少するように８ ｉ Ｈ
４ｍ Ｂｔ Ｈａ及びＣＨ４の混合ガスを逐次幽整して
導入し。
第１プロンキング層ｚ上に厚さ２μｍ。
Ｂ／Ｂ＋８ ＋の層最高値がｌＸｌ０−’ ａｔｏｍ％
。
。
Ｃ／Ｃ＋８１の層最高値が１．０ｍｔｏｍ％のアモルフ
ァスシリコンからなる第２ブロツキングｌ１ｉ１３を連
続的に成膜した。
ァスシリコンからなる第２ブロツキングｌ１ｉ１３を連
続的に成膜した。
次いで、同一高周波電力、同一反応圧の状態で、Ｂ、Ｈ
，／５ｉｒ−１４，ＣＨ，／８目（、の流量割合を天々
５Ｘ１０”、約０．０１％と変化させずに８１Ｈ。
，／５ｉｒ−１４，ＣＨ，／８目（、の流量割合を天々
５Ｘ１０”、約０．０１％と変化させずに８１Ｈ。
ｓ ＢｔＨ＠及びＣＨ，の混合ガスを２時間導入し。
泥２ブロッキング＃３上に厚さ１５μｍＳＢ／Ｂ十ｓ
１＝ｌＸ１０” ａｔｏｍ％、Ｃ／Ｃ＋８１＝２ Ｑ、Ｑｌａｔｏｍ％のアモルファス炭化シリコンからＢ
、Ｉ（、／８１Ｈ，の流量割合カＩＸ１．Ｏ−’ 、
ＣＤ４／８１Ｈ，の流量割合が約３００％とに天々減、
増ｆるように８１ Ｈ４＃ Ｂｔ ”＋１及びＣＨ，ｆ
逐次調整して導入し、最後の一分間だけ高周波電力２０
０Ｗを投入して光導電性層４上に厚さ０．１μｍ。
１＝ｌＸ１０” ａｔｏｍ％、Ｃ／Ｃ＋８１＝２ Ｑ、Ｑｌａｔｏｍ％のアモルファス炭化シリコンからＢ
、Ｉ（、／８１Ｈ，の流量割合カＩＸ１．Ｏ−’ 、
ＣＤ４／８１Ｈ，の流量割合が約３００％とに天々減、
増ｆるように８１ Ｈ４＃ Ｂｔ ”＋１及びＣＨ，ｆ
逐次調整して導入し、最後の一分間だけ高周波電力２０
０Ｗを投入して光導電性層４上に厚さ０．１μｍ。
Ｂ／Ｂ＋ｓ＋の層ン大値が５ Ｘ １０−’ ａｔｏｍ
％ 、 Ｃ／Ｃ＋８１の層最大値が２０ ａｔｏｍ％
の表面被覆層５′！）連続に成膜して感光体を製造した
（第１図図示）。なお、こうした感光体の厚み方向の工
量モデルを第３図に示す。なお、第３図中のＯ・・・・
・・ｏは８１）Ｔ、、ｏ−、はＢ、Ｈ，（２０００ｐｐ
ｎｌ ） 、 ０−−−−０はＢ、Ｈａ（２０ｐｐｍ
） Ｉ ＷＦｉｃＨ，で、これらガスは下記表の如き流
量に設定される。
％ 、 Ｃ／Ｃ＋８１の層最大値が２０ ａｔｏｍ％
の表面被覆層５′！）連続に成膜して感光体を製造した
（第１図図示）。なお、こうした感光体の厚み方向の工
量モデルを第３図に示す。なお、第３図中のＯ・・・・
・・ｏは８１）Ｔ、、ｏ−、はＢ、Ｈ，（２０００ｐｐ
ｎｌ ） 、 ０−−−−０はＢ、Ｈａ（２０ｐｐｍ
） Ｉ ＷＦｉｃＨ，で、これらガスは下記表の如き流
量に設定される。
３
４
しかして１本実施例の電子写真感光体は層間の剥離がな
く、かつコロナ放電によるチャージャーからドラムへの
流入電荷０，４μｃ／ｍ” の条件において、表面電位
５００Ｖが得られた。また、現像バイアスに対する耐圧
は１５００Ｖ以上で、従来のものでは２００ｖで絶縁破
壊を生じる部分が存在したのに比して大幅な改善が達成
された。更に、１００万枚の繰り返し使用においても良
好な画像が得られ、充分に長寿命であることが確認され
た。
く、かつコロナ放電によるチャージャーからドラムへの
流入電荷０，４μｃ／ｍ” の条件において、表面電位
５００Ｖが得られた。また、現像バイアスに対する耐圧
は１５００Ｖ以上で、従来のものでは２００ｖで絶縁破
壊を生じる部分が存在したのに比して大幅な改善が達成
された。更に、１００万枚の繰り返し使用においても良
好な画像が得られ、充分に長寿命であることが確認され
た。
なお、上記実施例において、第１ブロツキング層、第２
ブロツキング層、光導電性層及び表面被覆層な次のよう
な条件に設定しても同様な効果を有する感光体を得るこ
とができた。
ブロツキング層、光導電性層及び表面被覆層な次のよう
な条件に設定しても同様な効果を有する感光体を得るこ
とができた。
（１）第１ブロッキング層
Ｂ、 Ｈ，／Ｓ ｉ Ｈ，の流量割合をｌＸｌ０−’〜
ｌ×１０−” 、 ＣＨ４／８ ｔＨ４の同割合を１０
〜１００％にしてＢ／Ｂ＋８１ ＝ Ｉ Ｘ １０−”
〜ｌ ａｔｏｍ％ 、Ｃ／Ｃ＋８ｉ＝０．１〜ＪＱ
ａｔｏｍ％の第１ブロツキング１曽を成膜。
ｌ×１０−” 、 ＣＨ４／８ ｔＨ４の同割合を１０
〜１００％にしてＢ／Ｂ＋８１ ＝ Ｉ Ｘ １０−”
〜ｌ ａｔｏｍ％ 、Ｃ／Ｃ＋８ｉ＝０．１〜ＪＱ
ａｔｏｍ％の第１ブロツキング１曽を成膜。
５
（ＩＩ）第２ブロッキング層
Ｂｔ Ｈｌｌ ／’８ ｔ Ｈ４ノ同割合’ｋ ｌ Ｘ
ｉ Ｏ−’ 〜Ｉ ＸＩ Ｏ−’、 ＣＨ，／８ ｔＨ
４の同割合を１０〜１００％にしてＢ／Ｂ＋８１ ＝
５．０ＸｌＯ−” ａｔｏｍ％以下、ｃ／ｃ＋ｓｔ＝
０．１〜５０ ａｔｏｍ％の＄２ブロッキング層を成膜
。
ｉ Ｏ−’ 〜Ｉ ＸＩ Ｏ−’、 ＣＨ，／８ ｔＨ
４の同割合を１０〜１００％にしてＢ／Ｂ＋８１ ＝
５．０ＸｌＯ−” ａｔｏｍ％以下、ｃ／ｃ＋ｓｔ＝
０．１〜５０ ａｔｏｍ％の＄２ブロッキング層を成膜
。
（ｉｌｌ）光導電性層
Ｂ、Ｈ，／ｓ 目ｉ、ｏ同割合ｔ ＩＸＩ Ｏ−’ 〜
Ｉ Ｘｉ Ｏ−’、 ＣＨ４／ｓ ｔＨ，の同割合を５
０％以下、（但しＩ Ｘ ｌ Ｏ”以上）にし−ｔ（Ｂ
／Ｂ＋８１＝５．ＯＸ １０−ａ ｔｃｍ％以下、 Ｃ
／Ｃ＋８１＝０．０５ａｔｏｍ％以下の光導電性層金成
膜。
Ｉ Ｘｉ Ｏ−’、 ＣＨ４／ｓ ｔＨ，の同割合を５
０％以下、（但しＩ Ｘ ｌ Ｏ”以上）にし−ｔ（Ｂ
／Ｂ＋８１＝５．ＯＸ １０−ａ ｔｃｍ％以下、 Ｃ
／Ｃ＋８１＝０．０５ａｔｏｍ％以下の光導電性層金成
膜。
（ｌｖ）表面被覆層
Ｂ、Ｈ，／８ｉＨ，の同割合をｌＸｌ０−”〜ｌ Ｘ
１０−’、 ＣＨ４／８１Ｈ，の同割合を１００％以上
にしてＢ／Ｂ＋８ｉ＝５．０ＸＩＯ”ａｔｏｍ％以下、
Ｃ／Ｃ＋８ｉ＝１０ａｔｏｍ％以上の表面被覆層を成
膜。
１０−’、 ＣＨ４／８１Ｈ，の同割合を１００％以上
にしてＢ／Ｂ＋８ｉ＝５．０ＸＩＯ”ａｔｏｍ％以下、
Ｃ／Ｃ＋８ｉ＝１０ａｔｏｍ％以上の表面被覆層を成
膜。
以上詳述した如く５本発明によれば帯電能並びに保持能
が従来と同等乃至それ以上向上され。
が従来と同等乃至それ以上向上され。
６
かつ層間剥離を防止して耐用寿命が向上された′電子写
真の感光体等として有効な光導電性部材を提供できる。
真の感光体等として有効な光導電性部材を提供できる。
飢１図は本発明の実施例において造られた感光体の断面
図、第２図は第１図の感光体の厚さ方向のエネルギーモ
デルを示す図、第３図は実施例の各ｌ―の成膜に際して
の８ｉＨ，、Ｂ！Ｈ６，ＣＨ。 の流量モデルを示す図である。 Ｊ・・・支持体、２・・・第１ブロツキング層、３・・
・第２ブロツキング層、４・・・光導電性層％ ５・・
・表面被覆層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７
図、第２図は第１図の感光体の厚さ方向のエネルギーモ
デルを示す図、第３図は実施例の各ｌ―の成膜に際して
の８ｉＨ，、Ｂ！Ｈ６，ＣＨ。 の流量モデルを示す図である。 Ｊ・・・支持体、２・・・第１ブロツキング層、３・・
・第２ブロツキング層、４・・・光導電性層％ ５・・
・表面被覆層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ）支持体上にブロッキング層及び光導電性層を順次有
する光導電性部材において、前記ブロッキング層及び光
導電性材料ての層が少なくとも８ｉと第１Ａ族又は第ｖ
Ａ族との構成元素を共通に含み、かつ各層の界面近傍で
前記８１以外の構成元素の比が連続的に変化している部
分が存在することを特徴とする光導電、性部材。 （２１ブロッキング層が第１ブロッキング層と第２プロ
ツキンダ層とから構成され、かつ第１プロツキンダ層中
の第１Ａ族ヌは第ＶＡ族の元素の濃度１に第２ブロッキ
ング層のそれより高くしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光導電性部材。 （３１全ての層中にはｓｉと第１Ａ族又は第ＶＡ族の他
にＣ及びＨ又はハロゲノの少なくともいずれか一方を共
通に含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光導電性部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18263683A JPS6073628A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光導電性部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18263683A JPS6073628A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光導電性部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073628A true JPS6073628A (ja) | 1985-04-25 |
| JPH0535425B2 JPH0535425B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=16121753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18263683A Granted JPS6073628A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光導電性部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073628A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61223848A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62170968A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Hitachi Ltd | アモルフアスシリコン電子写真感光体およびその製造方法 |
| JPS62257172A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-09 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS63271356A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5614241A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS57119357A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS5888115A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS5895875A (ja) * | 1981-12-01 | 1983-06-07 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58106876A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Tokyo Denki Daigaku | 光電変換素子 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18263683A patent/JPS6073628A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5486341A (en) * | 1977-12-22 | 1979-07-09 | Canon Inc | Electrophotographic photoreceptor |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS62257172A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-09 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS63271356A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0535425B2 (ja) | 1993-05-26 |
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