JPS62259331A - 低速波構造体の製造方法 - Google Patents
低速波構造体の製造方法Info
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- JPS62259331A JPS62259331A JP62082788A JP8278887A JPS62259331A JP S62259331 A JPS62259331 A JP S62259331A JP 62082788 A JP62082788 A JP 62082788A JP 8278887 A JP8278887 A JP 8278887A JP S62259331 A JPS62259331 A JP S62259331A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
- H01J23/26—Helical slow-wave structures; Adjustment therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は進行波管に関し、より詳細には、数１０ギガヘ
ルツ周波数の到来マイクロ波エネルギーを進行波管の電
子ビームに結合し、これによって到来マイクロ波エネル
ギーを増幅し、低速波構造体の他端で必要とされる進行
波管の低速波構造体に関する。
ルツ周波数の到来マイクロ波エネルギーを進行波管の電
子ビームに結合し、これによって到来マイクロ波エネル
ギーを増幅し、低速波構造体の他端で必要とされる進行
波管の低速波構造体に関する。
従来技術
低速波構造体を提供するらせん状の導波管の出現は長年
にわたって望まれていた。このらせん状導波管の構造は
電子ビームの中心下に孔を設けたらせん状の矩形の中央
突起を有する導波管の半部分から成っている。導波管の
伝搬の基本的な態様は伝搬高周波エネルギーがらせん径
路に従うようにすることにより電子の軸方向運動に対し
効果的に低くされている。
にわたって望まれていた。このらせん状導波管の構造は
電子ビームの中心下に孔を設けたらせん状の矩形の中央
突起を有する導波管の半部分から成っている。導波管の
伝搬の基本的な態様は伝搬高周波エネルギーがらせん径
路に従うようにすることにより電子の軸方向運動に対し
効果的に低くされている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、かかる従来技術では設計上は簡単ではあるが、
かかるらせん状の導波管構造体をいかに作るか、特に導
波管の寸法を何百分の１インチ（１インチ ２５．４ｍ
ｍ）迄計測する高周波管の場合には問題があった。
かかるらせん状の導波管構造体をいかに作るか、特に導
波管の寸法を何百分の１インチ（１インチ ２５．４ｍ
ｍ）迄計測する高周波管の場合には問題があった。
問題点を解決するための手段
かかる問題を解決するため本発明の導波管のらせん状低
速波構造体は、深くて狭いらせんみぞを備えた機械加工
された銅の中実ロッドで作られる。
速波構造体は、深くて狭いらせんみぞを備えた機械加工
された銅の中実ロッドで作られる。
銅スリーブは、らせんのねじ山の周囲にろう付けされて
、中実の軸線方向に中心づけられ、かつ軸線方向に延び
る中心部分まわりにらせん状になっている径路を形成す
る。中心部分はそれから部分的に侵食されて、内部にら
せん状の軸線方向に延びる突起を備えたらせん状半径方
向に延びる部分を有する低速波構造体を形成し、隣接す
る突起間にらせん状軸線方向に中心づけられた隙間を形
成している。低速波構造体には、そのらせん径路に従い
、突起の隣接部の隙間に高周波電圧を生じさせるマイク
ロ波エネルギーがあって、低速波構造体を一部とする進
行波管の軸線方向電子ビームとのギャップ電界相互作用
を行なう軸線方向に延びる孔を囲む隙間のある壁を形成
する。
、中実の軸線方向に中心づけられ、かつ軸線方向に延び
る中心部分まわりにらせん状になっている径路を形成す
る。中心部分はそれから部分的に侵食されて、内部にら
せん状の軸線方向に延びる突起を備えたらせん状半径方
向に延びる部分を有する低速波構造体を形成し、隣接す
る突起間にらせん状軸線方向に中心づけられた隙間を形
成している。低速波構造体には、そのらせん径路に従い
、突起の隣接部の隙間に高周波電圧を生じさせるマイク
ロ波エネルギーがあって、低速波構造体を一部とする進
行波管の軸線方向電子ビームとのギャップ電界相互作用
を行なう軸線方向に延びる孔を囲む隙間のある壁を形成
する。
実施例
第１図を参照すると゛、進行波管１の縦断面が示され、
この進行波管は集束電極のアッセンブリを含むものとさ
れるカソード１１と、アノード３５と、放熱器を含むも
のとされるコレクター１３とを備えている。カソード１
１とアノード１２とはらせん状の導波管５０として示さ
れた低速波構造体の軸線１５に沿って電子ビーム１４を
供給する。この電子ビーム１４は、第１図に簡略化して
示された円板１７を間に挿入したトロイダル（ドーナツ
）形の１組の永久磁石１６によって通常の方法で集束さ
れる。これら円板１７は電子ビーム１４に磁界を形成す
るために鉄などの高透磁性材料で作られる。低速波構造
体５０の各端での電磁エネルギーの結合は入出力カップ
ラ７，８によって行なわれる。これらカップラ７゜８夫
々は進行波管１とその軸線１５を横切ってのびる導波管
４２とによって構成されている。導波管の最も狭い部分
３は軸線１５に対して平行に配置されている。導波管４
２は低速波構造体５０の軸線１５と軸線方向に整合して
いる円筒スリーブ４３を備える。
この進行波管は集束電極のアッセンブリを含むものとさ
れるカソード１１と、アノード３５と、放熱器を含むも
のとされるコレクター１３とを備えている。カソード１
１とアノード１２とはらせん状の導波管５０として示さ
れた低速波構造体の軸線１５に沿って電子ビーム１４を
供給する。この電子ビーム１４は、第１図に簡略化して
示された円板１７を間に挿入したトロイダル（ドーナツ
）形の１組の永久磁石１６によって通常の方法で集束さ
れる。これら円板１７は電子ビーム１４に磁界を形成す
るために鉄などの高透磁性材料で作られる。低速波構造
体５０の各端での電磁エネルギーの結合は入出力カップ
ラ７，８によって行なわれる。これらカップラ７゜８夫
々は進行波管１とその軸線１５を横切ってのびる導波管
４２とによって構成されている。導波管の最も狭い部分
３は軸線１５に対して平行に配置されている。導波管４
２は低速波構造体５０の軸線１５と軸線方向に整合して
いる円筒スリーブ４３を備える。
この円筒スリーブ４３は低速波構造体５０の突起１３と
同じ内径を有する。円筒スリーブ４３は一端４５が導波
管４２の壁４４によって支持され、他端４６には壁４８
の切欠部の円周４９によって境界された壁４８の円形開
口４７が設けられている。導波管４２は、円筒スリーブ
４３から長手方向に変位されている短絡の端壁４９で終
っている。この変位（通常は１／８〜１／４波長に相当
する）と、円筒スリーブ４３の直径および長さは、イン
ピーダンスと低速波構造体５０への導波管４２の結合を
決定する。
同じ内径を有する。円筒スリーブ４３は一端４５が導波
管４２の壁４４によって支持され、他端４６には壁４８
の切欠部の円周４９によって境界された壁４８の円形開
口４７が設けられている。導波管４２は、円筒スリーブ
４３から長手方向に変位されている短絡の端壁４９で終
っている。この変位（通常は１／８〜１／４波長に相当
する）と、円筒スリーブ４３の直径および長さは、イン
ピーダンスと低速波構造体５０への導波管４２の結合を
決定する。
第２図は第１図の■−■線に沿った断面図である。この
図面には進行波管１の壁３に取付けられた導波管４２の
幅４とドーナツ形の磁石、および鉄製の円板１６．１７
の関係が示されている。
図面には進行波管１の壁３に取付けられた導波管４２の
幅４とドーナツ形の磁石、および鉄製の円板１６．１７
の関係が示されている。
円筒スリーブ４３は信号源２６からの電磁エネルギーを
低速波構造体５０に結合し、この場合、隙間３１を横切
る電磁エネルギーは、増幅して低速波構造体に沿って、
この電磁エネルギーが負荷２７に結合される出力力ップ
ラ１７に進む電子ビームと相互作用する。電磁エネルギ
ーは、らせん状半径方向に指向されたねじ山１２間に存
在するらせん空間３０内で進行波管１をらせん状に走行
する。低速波構造体５０を通って進行波管の出力端から
入力端まで進む電磁エネルギーのらせん径路は、らせん
状の突起１３の近接する端縁３２．３３間の隙間３１に
発生する電圧の軸線方向配置の有効速度を、進行波管の
下方に軸線方向に走行する際の電子ビーム１４の電子の
速度とほぼ同じ速度まで減少する。隣接突起１３間の隙
間３１の電界の軸速度と電子ビーム１４の速度の近似等
化の結果、電子ビームへの入力電磁エネルギーの結合は
、電子ビームが進行波管１の軸線１５の下方を周知の方
法で走行するとき、電磁エネルギーの増幅があるように
行われる。
低速波構造体５０に結合し、この場合、隙間３１を横切
る電磁エネルギーは、増幅して低速波構造体に沿って、
この電磁エネルギーが負荷２７に結合される出力力ップ
ラ１７に進む電子ビームと相互作用する。電磁エネルギ
ーは、らせん状半径方向に指向されたねじ山１２間に存
在するらせん空間３０内で進行波管１をらせん状に走行
する。低速波構造体５０を通って進行波管の出力端から
入力端まで進む電磁エネルギーのらせん径路は、らせん
状の突起１３の近接する端縁３２．３３間の隙間３１に
発生する電圧の軸線方向配置の有効速度を、進行波管の
下方に軸線方向に走行する際の電子ビーム１４の電子の
速度とほぼ同じ速度まで減少する。隣接突起１３間の隙
間３１の電界の軸速度と電子ビーム１４の速度の近似等
化の結果、電子ビームへの入力電磁エネルギーの結合は
、電子ビームが進行波管１の軸線１５の下方を周知の方
法で走行するとき、電磁エネルギーの増幅があるように
行われる。
第１図に示すような導波管の低速波構造体５０の組立て
は、進行波管がかなり低い周波数で作動して低速波構造
体５０の寸法をかなり大きくするような場合でも困難で
ある。きわめて高い周波数すなわち本発明におけるよう
な２０〜３０ギガヘルツ以上で作動する進行波管に用い
られる低速波構造体５０の製造は革新的な製造技術が要
求される。これらの周波数で、低速波構造体５０は典型
的な寸法にされる。即ち、ねじ山１２の直径は１／４イ
ンチ（８，４ｍｍ） 、全長は約１インチ（２５，４ｍ
ｍ＋） 、ピッチは約１／１０インチ（２，５ｍ＋ａ）
、軸線方向に向けられる電子ビーム１４の通過用の中
心孔３４の直径は約４／１００インチ（１ｍｍ）である
。これらの寸法を有する低速波構造体５０の製造には、
゛進行波管の当業者にとって周知の低速波構造体の製造
標準技術とは著しくかけ離れた技術が要求される。
は、進行波管がかなり低い周波数で作動して低速波構造
体５０の寸法をかなり大きくするような場合でも困難で
ある。きわめて高い周波数すなわち本発明におけるよう
な２０〜３０ギガヘルツ以上で作動する進行波管に用い
られる低速波構造体５０の製造は革新的な製造技術が要
求される。これらの周波数で、低速波構造体５０は典型
的な寸法にされる。即ち、ねじ山１２の直径は１／４イ
ンチ（８，４ｍｍ） 、全長は約１インチ（２５，４ｍ
ｍ＋） 、ピッチは約１／１０インチ（２，５ｍ＋ａ）
、軸線方向に向けられる電子ビーム１４の通過用の中
心孔３４の直径は約４／１００インチ（１ｍｍ）である
。これらの寸法を有する低速波構造体５０の製造には、
゛進行波管の当業者にとって周知の低速波構造体の製造
標準技術とは著しくかけ離れた技術が要求される。
本発明の低速波構造体５０を製造する工程は例示的にこ
の構造体の寸法より直径も長さもや−大きく、１工／４
インチ（３２＋ｓｓ＋）より少し長い銅の中実ロッドに
よって開始される。中実ロッドは完成した低速波構造体
５０より長くされて中実ロッドの機械加工を容易にして
いる。製造方法の第１工程は中実ロッドの直径を従来の
旋盤加工技術により低速波構造体５０の正確な直径〔許
容範囲内、この実施例では最大０．２４５０インチ（８
，２２龍）、最小０．２２４６インチ（５，７０ｍｍ）
）まで小さくする。中実ロッドを円筒形に機械加工す
るとその中心軸線１５ができ上る。
の構造体の寸法より直径も長さもや−大きく、１工／４
インチ（３２＋ｓｓ＋）より少し長い銅の中実ロッドに
よって開始される。中実ロッドは完成した低速波構造体
５０より長くされて中実ロッドの機械加工を容易にして
いる。製造方法の第１工程は中実ロッドの直径を従来の
旋盤加工技術により低速波構造体５０の正確な直径〔許
容範囲内、この実施例では最大０．２４５０インチ（８
，２２龍）、最小０．２２４６インチ（５，７０ｍｍ）
）まで小さくする。中実ロッドを円筒形に機械加工す
るとその中心軸線１５ができ上る。
中実ロッドはその両端４０．４１で固着され旋盤上で精
巧に機械加工されて第３図の切欠側面図で示すようなね
じ山状の低速波構造体１０にされる。
巧に機械加工されて第３図の切欠側面図で示すようなね
じ山状の低速波構造体１０にされる。
この低速波構造体１０を製造するのに必要とされる機械
加工の困難さは、ねじ山の幅広部分１１が最大０．０２
０２インチ（０，５１３ａ＋ｍ） 、最小０．０１９８
インチ（０，５０３＋＋ｕｉ）であるという代表的な寸
法によって明らかである。ねじ山１２は、その直径が最
大０．０５３２インチ（１，３５１−一）、最小０．０
５２８インチ（１，３４１ｍｍ）あるコレクターとして
の突起１３で終っている。みぞ６はねじ山１２の間で中
心に位置決めされるよう機械加工され最高０．０３９イ
ンチ（０，９９１ｍ） 、最小０．０３フインチ（０，
９３９市）の直径と、最大０．０３２２インチ（０，８
１８−一）、最小０．０３１８インチ（０，８０８ｍｍ
）の幅をもっている。低速波構造体１０はたとえば最大
１．００２インチ（２５，４５ｍｍ） 、最小０．９９
８インチ（２５，３５ｍｍ）で所望の完成した低速波構
造体の長さを最小限度に延びている。
加工の困難さは、ねじ山の幅広部分１１が最大０．０２
０２インチ（０，５１３ａ＋ｍ） 、最小０．０１９８
インチ（０，５０３＋＋ｕｉ）であるという代表的な寸
法によって明らかである。ねじ山１２は、その直径が最
大０．０５３２インチ（１，３５１−一）、最小０．０
５２８インチ（１，３４１ｍｍ）あるコレクターとして
の突起１３で終っている。みぞ６はねじ山１２の間で中
心に位置決めされるよう機械加工され最高０．０３９イ
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１８−一）、最小０．０３１８インチ（０，８０８ｍｍ
）の幅をもっている。低速波構造体１０はたとえば最大
１．００２インチ（２５，４５ｍｍ） 、最小０．９９
８インチ（２５，３５ｍｍ）で所望の完成した低速波構
造体の長さを最小限度に延びている。
低速波構造体の製造方法の次の工程は、従来の旋盤加工
技術によって最大０．３４４４インチ（８，７４８ｍｍ
）、最小０．３４３インチ（８，７１２ｍｍ）の外径、
最大０．２４５５インチ（８，２３６ｍｍ） 、最小０
．２４５２インチ（６，２２８ｍｍ）の内径をもつ銅の
円筒スリーブ３８を作ることである。円筒スリーブ３８
の内外径は０．００１インチ（０，０２５４ｍｍ）以内
で互いに同心にされる。
技術によって最大０．３４４４インチ（８，７４８ｍｍ
）、最小０．３４３インチ（８，７１２ｍｍ）の外径、
最大０．２４５５インチ（８，２３６ｍｍ） 、最小０
．２４５２インチ（６，２２８ｍｍ）の内径をもつ銅の
円筒スリーブ３８を作ることである。円筒スリーブ３８
の内外径は０．００１インチ（０，０２５４ｍｍ）以内
で互いに同心にされる。
円筒スリーブ３８の長さは、最大１．００１インチ（２
５，４３ａ＋ａ＋） 、最小０．９９９インチ（２５，
３７＋ａａ＋）となっている。円筒スリーブ３８は第３
図示の低速波構造体１０の上を摺動し、その後ねじ山１
２の周囲にろう付けされる。円筒スリーブ３８は低速波
構造体１０に対する構造支持体となるので両端４０．４
１が機械加工によって取除かれ、低速波構造体１０を円
筒スリーブ３８内に入れるようにしている。
５，４３ａ＋ａ＋） 、最小０．９９９インチ（２５，
３７＋ａａ＋）となっている。円筒スリーブ３８は第３
図示の低速波構造体１０の上を摺動し、その後ねじ山１
２の周囲にろう付けされる。円筒スリーブ３８は低速波
構造体１０に対する構造支持体となるので両端４０．４
１が機械加工によって取除かれ、低速波構造体１０を円
筒スリーブ３８内に入れるようにしている。
第４図示の完成した低速波構造体５０の製造方法の次の
工程は、低速波構造体１０の中心のコア５を除いて第４
図に示すように突起１３とこれに関連するねじ山１２と
を残す。取除かれるコア５の材料は、みぞ６の底をなす
コア５の直径に相当する最大０．３９インチ（９，９ｍ
ｍ） 、最小０．０３フインチ（０，９ｍｍ）の直径を
もっている。コア５は軸線３５の中心に位置決めされた
先細の電極を用いて第３図示の低速波構造体１０のコア
を浸食する放電機械を用いるのでみぞ６の底までのコア
５を取除いて突起１３と、これに関連するねじ山１２の
みを残す。流体も用い′られて、放電機械による加工が
行なわれるとき電極によって浸食される粉末を取除く。
工程は、低速波構造体１０の中心のコア５を除いて第４
図に示すように突起１３とこれに関連するねじ山１２と
を残す。取除かれるコア５の材料は、みぞ６の底をなす
コア５の直径に相当する最大０．３９インチ（９，９ｍ
ｍ） 、最小０．０３フインチ（０，９ｍｍ）の直径を
もっている。コア５は軸線３５の中心に位置決めされた
先細の電極を用いて第３図示の低速波構造体１０のコア
を浸食する放電機械を用いるのでみぞ６の底までのコア
５を取除いて突起１３と、これに関連するねじ山１２の
みを残す。流体も用い′られて、放電機械による加工が
行なわれるとき電極によって浸食される粉末を取除く。
放電機械の制御は突起１３の隣接縁間の材料すなわちコ
ア５の浸食の均一性を観察することによって保たれる。
ア５の浸食の均一性を観察することによって保たれる。
必要とあれば、コア５は低速波構造体１０の軸線１５を
電極の１回通過で取除くことも成るいはまた放電機械の
取扱者の熟練度に応じて電極を２回またはそれ以上通過
させて取除いてもよい。中心に、取除かれるコア５とね
じ山１１の周囲９にろう付けされた円筒スリーブ３８と
を備えた低速波構造体５０は第４図の断面図に示される
。第４図示の低速波構造体５０は、第１図示の進行波管
１の低速波構造体である。
電極の１回通過で取除くことも成るいはまた放電機械の
取扱者の熟練度に応じて電極を２回またはそれ以上通過
させて取除いてもよい。中心に、取除かれるコア５とね
じ山１１の周囲９にろう付けされた円筒スリーブ３８と
を備えた低速波構造体５０は第４図の断面図に示される
。第４図示の低速波構造体５０は、第１図示の進行波管
１の低速波構造体である。
発明の効果
本発明によれば、上記の構成によって低速波構造体が精
度良く作ることができこの低速波構造体は精度良く且つ
確実に作動するという実益がある。
度良く作ることができこの低速波構造体は精度良く且つ
確実に作動するという実益がある。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
第１図は本発明に係る低速波構造体を示す進行波管の中
心軸線に沿った部分断面図、第２図は第１図の■−■線
に沿った断面図、第３図は製造完了前の第１図の低速波
構造体の側面図、第４図は本発明の低速波構造体の完成
したものを示す縦断面図である。
心軸線に沿った部分断面図、第２図は第１図の■−■線
に沿った断面図、第３図は製造完了前の第１図の低速波
構造体の側面図、第４図は本発明の低速波構造体の完成
したものを示す縦断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電材料の円筒杆内に深くて狭い第１のみぞを機械
加工して軸線を中心とする円筒杆両端の間にらせん状の
ねじ山を形成し、前記第１のみぞの質に第２のみぞを機
械加工してねじ山の少なくとも一つの面に横断方向に延
びる少なくとも一つの突起を形成し、導電スリーブをね
じ山の周囲にろう付けしてらせん状導波管構造体のねじ
山のある壁に接続する外壁を形成し、円筒杆の両端を機
械加工により除去してねじ山のある壁を導電スリーブの
一端で終るように形成し、円筒杆の軸線に沿って孔を機
械加工して中央のコアを取除いて半径方向に延びるらせ
ん壁と円筒外壁と突起の隣接部分間の軸線方向隙間のあ
る少なくともらせん状の軸線方向に延びる一つの突起か
ら成る内壁とをそれぞれ有するらせん状導波管を形成す
る工程から成るらせん状導波管の低速波構造体の製造方
法であって、前記ねじ山はらせん状導波管構造の上下ら
せん壁を形成し、前記第２のみぞはねじ山に沿って軸線
方向に延びる中央のコアに底を有することを特徴とする
低速波構造体製造方法。 ２、ねじ山の中間にある第２のみぞの機械加工によって
ねじ山の対向面から互いに軸線方向に延びる２つの突起
を形成する特許請求の範囲第１項記載の低速波構造体製
造方法。 ３、孔の機械加工は放電加工を含んでいる特許請求の範
囲第１項記載の低速波構造体製造方法。 ４、深くて狭い第１のみぞの機械加工と、第２のみぞ機
械加工および円筒杆の機械加工は精密旋盤加工である特
許請求の範囲第１項記載の低速波構造体製造方法。 ５、旋盤上で杆のストック片を機械加工して軸線に対し
て円対称をもつ円筒杆にする特許請求の範囲第１項記載
の低速波構造体製造方法。 ６、導伝スリーブを旋盤上で機械加工してらせん状ねじ
山の外径よりずっと大きい内径にして該スリーブがらせ
ん状ねじ山の周囲を通ってほぼねじ山と同心となり、か
つねじ山周囲を導電スリーブにろう付けする特許請求の
範囲第１項記載の低速波構造体製造方法。 ７、導電スリーブとらせん状ねじ山は同じ種類の材料か
らできている特許請求の範囲第６項記載の低速波構造体
製造方法。 ８、前記材料は銅である特許請求の範囲第７項記載の低
速波構造体製造方法。 ９、軸線の中心にあるらせん状半径方向に延びるねじ山
のある壁から成るらせん状の導波管の低速波構造体であ
って、前記ねじ山のある壁は全長に沿って軸線・方向に
中心づけられた開口と、該開口の境界に軸線方向に延び
る突起とを有し、該突起は軸線の中心にあるらせん状の
隙間を形成し、前記ねじ山のある壁はその外周に外壁を
取付け、前記ねじ山のある壁と突起とはらせん状の導波
管の低速波構造体の中心軸線まわりにらせん状の軸線方
向隙間を有するらせん状導波管を形成して成る低速波構
造体。 １０、突起が、壁の一部である開口に隣接するねじ山の
ある壁に対して両軸線方向に等しく延びている特許請求
の範囲第９項記載の低速波構造体。 １１、軸線まわりにらせんをなして巻かれている突起の
ある矩形導波管の半分よりなる低速波構造体であって、
導波管の突起部分は、導波管のその他の部分よりも軸線
により近く、かつ円筒面のらせん状の隙間から離隔して
らせん状の導体を形成している低速波構造体。 １２、軸線に沿って設けられたカソード、アノードおよ
びコレクターと、電子ビームを通過させ、かつ電子ビー
ムを通過させる軸線に対称軸を一致させる低速波構造体
と、該低速波構造体の一端に接続されて入力信号の源に
結合を行なう入力結合回路と、低速波構造体の他端に接
続されて負荷に結合を行なう出力結合回路とを備えて成
る進行波管であって、前記カソードとアノードとは、前
記コレクターに入射する軸線沿いの電子ビームを出し、
前記低速波構造体は軸線の中心にらせん状半径方向に延
びるねじ山のある壁から成り、ねじ山のある壁は全長に
沿って軸線方向に中心づけられた開口を有し、さらに該
開口の境界に軸線方向に延びる突起を備え、該突起は軸
線の中心にらせん状の隙間を形成し、前記ねじ山のある
壁は該壁の外周に外壁を取付けて、らせん状の導波管の
中心軸線まわりにらせんを成す隙間を有するらせん状導
波管を形成し、該隙間は入力信号が入力結合回路に入っ
たときギャップ電圧を支え、該ギャップ電圧は電子ビー
ムと相互作用して印加入力信号を増幅し、前記出力結合
回路は増幅入力信号を負荷に与えることを特徴とする進
行波管。 １３、軸線に沿って設けられたカソード、アノードおよ
びコレクターと、電子ビームを通過させ、かつ電子ビー
ムを通過させる軸線に対称軸を一致させる低速波構造体
と、該低速波構造体の一端に接続されて入力信号の源に
結合を行なう入力結合回路と、低速波構造体の他端に接
続されて負荷に結合を行う出力結合回路とを備えて成る
進行波管であって、前記カソードとアノードとは、前記
コレクターに入射する軸線沿いの電子ビームを出し、前
記低速波構造体は軸線まわりにらせんをなして巻かれて
らせん状の導波管をなす半分突起のある矩形導波管を備
え、導波管の突起部分は導波管のその他の部分よりも軸
線にずっと近く、かつ円筒面のらせん状の隙間から離隔
してらせん状の導体を形成し、該隙間は入力信号が入力
結合回路に入ったときギャップ電圧を維持し、該ギャッ
プ電圧は電子ビームと相互作用して印加入力信号を増幅
し、前記出力結合回路は増幅入力信号を負荷に与えるこ
とを特徴とする進行波管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/847,999 US4765056A (en) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | Method of manufacture of helical waveguide structure for traveling wave tubes |
| US847999 | 1986-04-03 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JPH0415573B2 JPH0415573B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=25302067
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (5)
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| JP (1) | JPS62259331A (ja) |
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| FR (1) | FR2597265B1 (ja) |
| GB (1) | GB2189931B (ja) |
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-
1987
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- 1987-04-02 GB GB8707835A patent/GB2189931B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-04-03 DE DE3711226A patent/DE3711226C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-04-03 JP JP62082788A patent/JPS62259331A/ja active Granted
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Also Published As
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|---|---|
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| DE3711226A1 (de) | 1987-11-19 |
| JPH0415573B2 (ja) | 1992-03-18 |
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| US4765056A (en) | 1988-08-23 |
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| GB2189931B (en) | 1990-05-09 |
| DE3711226C2 (de) | 1994-05-26 |
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