JPS62265739A - ウエハ垂直搬送装置 - Google Patents
ウエハ垂直搬送装置Info
- Publication number
- JPS62265739A JPS62265739A JP61109191A JP10919186A JPS62265739A JP S62265739 A JPS62265739 A JP S62265739A JP 61109191 A JP61109191 A JP 61109191A JP 10919186 A JP10919186 A JP 10919186A JP S62265739 A JPS62265739 A JP S62265739A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pick
- chipping
- photoresist
- conveying apparatus
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的１
（産業上の利用分野）
本発明はウェハ垂直搬送装置に係り、特にウェハ垂直１
般送装買のウェハ支持部に関する。
般送装買のウェハ支持部に関する。
（従来の技術）
従来、例えばシリアル処理方式を採用しているイオン注
入装置等では、ウェハへのイオン注入時にウェハを収容
したウェハ焔納器からイオンビーム照射部まてのウェハ
垂直ＩＥ送手段として、金属製のウェハ支持部（ピック
）てウェハを垂直に支持し、このピックを上下動させて
ウェハをイオン照射位置まで搬送するウェハ垂直搬送装
置が用いられている。
入装置等では、ウェハへのイオン注入時にウェハを収容
したウェハ焔納器からイオンビーム照射部まてのウェハ
垂直ＩＥ送手段として、金属製のウェハ支持部（ピック
）てウェハを垂直に支持し、このピックを上下動させて
ウェハをイオン照射位置まで搬送するウェハ垂直搬送装
置が用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら従来の「ウェハ垂直１１０送菰置て（は、
十）ホしたようにピックの部拐にアルミニウム等の金属
製のものを使用していたため、ウェハ１般送哨にピック
とウェハとの接触部においてウェハに塗布されているフ
ォトレジストの剥離やウェハ自体の破１＠（チッピング
〉か生じ、これらか塵玖光牛の原因となっていた。この
発生した塵玖は１シ１１えばイオン注入装置の真空［ｌ
ツク室内に留まり、真空引き必るい１はヘン１へ時に真
空ロック寮内に収゛介し７たウェハに付着してしまいＩ
Ｃ’要迄時の歩留りを悪化させる原因となっていた。
十）ホしたようにピックの部拐にアルミニウム等の金属
製のものを使用していたため、ウェハ１般送哨にピック
とウェハとの接触部においてウェハに塗布されているフ
ォトレジストの剥離やウェハ自体の破１＠（チッピング
〉か生じ、これらか塵玖光牛の原因となっていた。この
発生した塵玖は１シ１１えばイオン注入装置の真空［ｌ
ツク室内に留まり、真空引き必るい１はヘン１へ時に真
空ロック寮内に収゛介し７たウェハに付着してしまいＩ
Ｃ’要迄時の歩留りを悪化させる原因となっていた。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、ウェハのデツピングとフォトレジス１〜の剥離を防
止可能なウェハ支持部を具ｆｉｉｉｉ Ｌ／たつエバ垂
直搬送装置を提供することを目的とする。
で、ウェハのデツピングとフォトレジス１〜の剥離を防
止可能なウェハ支持部を具ｆｉｉｉｉ Ｌ／たつエバ垂
直搬送装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、ウェハ下部端縁を垂直に支持する高分
子手合体部材からなるウェハ支持部と、このウェハ支持
部を上下動させる駆動機構を有してなるウェハ垂直搬送
装置を１ｑることかできる。
子手合体部材からなるウェハ支持部と、このウェハ支持
部を上下動させる駆動機構を有してなるウェハ垂直搬送
装置を１ｑることかできる。
上記高分子重合体としてはアセタール樹脂等がり了適で
ある。
ある。
（作 用）
本発明では、ウェハ垂直搬送装置におけるウェハ支持部
の部材を高分子重合体とすることで、ウェハ搬送時にお
（）るウェハのチッピングやフォトレジストの剥離を防
止することができる。
の部材を高分子重合体とすることで、ウェハ搬送時にお
（）るウェハのチッピングやフォトレジストの剥離を防
止することができる。
（実施例）
以下、図を参照にしながら本発明の装置をイオン注入装
置に適用した一実施例を説明する。
置に適用した一実施例を説明する。
ウェハ垂直搬送装置１はウェハを垂直支持するピック２
とこのピック２を昇降させる図示を省略した駆動部とか
ら構成されている。
とこのピック２を昇降させる図示を省略した駆動部とか
ら構成されている。
ピック２の溝造は第１図（ｂ）に示ず如く先端に膨大部
２１を有する厚さ例えば４ｍ１ｆｌのシャモジ状のウェ
ハ支持板２２で構成され、上記膨大部２１の端部はウェ
ハの半径にほぼ等しい径を持つ凹曲面２３を持らこの凹
曲面２３にはウェハを挾ＩＳ」する割り溝２４が第１図
（Ｃ）の如く形成されている。この割り溝２４はウェハ
を抵抗なく受は入れられるようにウェハ挿入側の溝が漸
次広幅となるテーパ２５が形成され、深さ１１非の割り
満２４を形成している。上記凹曲面の弧の長さは１９１
１えば７（，１１１でおる。
２１を有する厚さ例えば４ｍ１ｆｌのシャモジ状のウェ
ハ支持板２２で構成され、上記膨大部２１の端部はウェ
ハの半径にほぼ等しい径を持つ凹曲面２３を持らこの凹
曲面２３にはウェハを挾ＩＳ」する割り溝２４が第１図
（Ｃ）の如く形成されている。この割り溝２４はウェハ
を抵抗なく受は入れられるようにウェハ挿入側の溝が漸
次広幅となるテーパ２５が形成され、深さ１１非の割り
満２４を形成している。上記凹曲面の弧の長さは１９１
１えば７（，１１１でおる。
この実施例ではピック２の部月として高分子重合体の１
つでおるデルリン（Ｅ、 １．ｄｕＰｏｎｔ ｄｅ Ｎ
ｅｍ。
つでおるデルリン（Ｅ、 １．ｄｕＰｏｎｔ ｄｅ Ｎ
ｅｍ。
ｕｒｓ ＆ ＣＯ，ＩｎＣ，Ｍ、ポリアセタール、商品
名）を用いている。このようなウェハ垂直搬送装置ては
ピック２がウェハ載置位置２ａでウェハカセット３に収
容されているウェハ４を載置した後、ピック２を上昇ざ
ぜてウェハ４をイオンビーム５の前側位置２ｂまで搬送
する。ここでイオン注入作業が完了すると再びピック２
が上昇して次のウェハと交換する。
名）を用いている。このようなウェハ垂直搬送装置ては
ピック２がウェハ載置位置２ａでウェハカセット３に収
容されているウェハ４を載置した後、ピック２を上昇ざ
ぜてウェハ４をイオンビーム５の前側位置２ｂまで搬送
する。ここでイオン注入作業が完了すると再びピック２
が上昇して次のウェハと交換する。
上述したウェハ垂直搬送装置を使用してデルリン製ピッ
ク２と従来のアルミニウム製ピックとの発塵量比較実験
を行なったので以下にその実験結果を述べる。
ク２と従来のアルミニウム製ピックとの発塵量比較実験
を行なったので以下にその実験結果を述べる。
なお塵埃の発生原因を考えた場合、ピック２のウェハ３
に対する突き上げ時におけるフォトレジストの剥離、ウ
ェハのチッピングが大ぎな原因となると考えられるので
、実験方法としてはＣＹＣＬＥｌｌＶＡｃにてラフ引き
を行いＨＯ［０をかけて取り出したウェハ３上に付着し
た塵埃■を計数する方法（実ふ（Ａ））と、通常の使用
状態による寒埃曇を計数する方法（実験（Ｂ））との２
つの方法を用いてそれらの発塵量の比較を行なった。
に対する突き上げ時におけるフォトレジストの剥離、ウ
ェハのチッピングが大ぎな原因となると考えられるので
、実験方法としてはＣＹＣＬＥｌｌＶＡｃにてラフ引き
を行いＨＯ［０をかけて取り出したウェハ３上に付着し
た塵埃■を計数する方法（実ふ（Ａ））と、通常の使用
状態による寒埃曇を計数する方法（実験（Ｂ））との２
つの方法を用いてそれらの発塵量の比較を行なった。
なお実験に際し、プラテン６、クランプリング７、ボリ
ームプレー１〜８等は予めクリーニングを実施して塵埃
ヱを１００以下にあざえた後ピックの交換をして発１！
！ａの比較を行った。また測定はアルミニウムピック、
デルリンピックとも夫々２回ずつ行なった。
ームプレー１〜８等は予めクリーニングを実施して塵埃
ヱを１００以下にあざえた後ピックの交換をして発１！
！ａの比較を行った。また測定はアルミニウムピック、
デルリンピックとも夫々２回ずつ行なった。
この実験結果を第２図に示す。同図に示したようにデル
リンピックとアルミピックでは、実験（Ａ）および実験
（Ｂ）ともにウェハ注入枚数か増加するに従い発１．ｌ
ｆｆ１の差か大きくなることかわかった。ざらにデルリ
ンピックを使用した場合はウェハ注入枚数が増加しても
発塵■はそれほど増えないことも判明した。この結果か
らデルリンピックがレジストの剥離およびウェハのデツ
ピングを大幅に軽減する効果があることが結論できる。
リンピックとアルミピックでは、実験（Ａ）および実験
（Ｂ）ともにウェハ注入枚数か増加するに従い発１．ｌ
ｆｆ１の差か大きくなることかわかった。ざらにデルリ
ンピックを使用した場合はウェハ注入枚数が増加しても
発塵■はそれほど増えないことも判明した。この結果か
らデルリンピックがレジストの剥離およびウェハのデツ
ピングを大幅に軽減する効果があることが結論できる。
なお、上述実施例ではピック２の部材にデルリンを用い
たが、他の高分子重合体を適用できることは無論である
。
たが、他の高分子重合体を適用できることは無論である
。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の「クエハ垂直搬）ス装首を
用いれば、ウェハのチッピングやフッ１１ヘレシストの
剥離による発塵を減少さＵることがでさ°、従ってＩＣ
製造時の塵埃による歩留りの悪化を防止することが可能
となる。
用いれば、ウェハのチッピングやフッ１１ヘレシストの
剥離による発塵を減少さＵることがでさ°、従ってＩＣ
製造時の塵埃による歩留りの悪化を防止することが可能
となる。
第１図は本発明のウェハ垂直搬送装置を適用した一実施
例のイオン注入装置を示す斜視図、第２図は本実施例装
買と従来装置との発廂量比較実験の結果を示ず図である
。 １・・・・・−ウェハ垂直搬送装置、２・・・・・・ウ
ェハ支持部（ピック）、４・・・・・・ウェハ。
例のイオン注入装置を示す斜視図、第２図は本実施例装
買と従来装置との発廂量比較実験の結果を示ず図である
。 １・・・・・−ウェハ垂直搬送装置、２・・・・・・ウ
ェハ支持部（ピック）、４・・・・・・ウェハ。
Claims (2)
- （１）ウェハ下部端縁を垂直に支持する高分子重合体部
材からなるウェハ支持部と、前記ウェハ支持部を上下動
させる駆動機構とを有してなるウェハ垂直搬送装置。 - （２）高分子重合体部材がアセタール樹脂であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ垂直搬送
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109191A JPH06101512B2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ウエハ垂直搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109191A JPH06101512B2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ウエハ垂直搬送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265739A true JPS62265739A (ja) | 1987-11-18 |
| JPH06101512B2 JPH06101512B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14503941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109191A Expired - Fee Related JPH06101512B2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | ウエハ垂直搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101512B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241640A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-31 | Ciba Geigy Ag | Process for manufacture of dyestufffcompounding materials and method of dyeing or printing by using said materials |
| JPS58214261A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-13 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエ−ハ配向装置 |
| JPS60128623A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | 基板処理治具 |
| JPS6135747U (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-05 | 日本電気株式会社 | ウエハ−保持用ピンセツト |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP61109191A patent/JPH06101512B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241640A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-31 | Ciba Geigy Ag | Process for manufacture of dyestufffcompounding materials and method of dyeing or printing by using said materials |
| JPS58214261A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-13 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | ウエ−ハ配向装置 |
| JPS60128623A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | 基板処理治具 |
| JPS6135747U (ja) * | 1984-08-03 | 1986-03-05 | 日本電気株式会社 | ウエハ−保持用ピンセツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101512B2 (ja) | 1994-12-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |