JPS6226660A - 磁気光学記憶素子の製造方法 - Google Patents
磁気光学記憶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6226660A JPS6226660A JP16651485A JP16651485A JPS6226660A JP S6226660 A JPS6226660 A JP S6226660A JP 16651485 A JP16651485 A JP 16651485A JP 16651485 A JP16651485 A JP 16651485A JP S6226660 A JPS6226660 A JP S6226660A
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- JP
- Japan
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- film
- silicon nitride
- nitride film
- substrate
- magneto
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザ光響：より情報の記録・再生、消去
などを行なう磁気光学記憶素子の製造方法に関するもの
である。
などを行なう磁気光学記憶素子の製造方法に関するもの
である。
近年腸−Ｎｅレーザ、Ａｒレーザ、半導体レーザ等を用
いて磁性体薄膜上に、光学的に情報の記録・再生、消去
の何れかを行なう方式、即ち磁気光学記録方式が高密度
化、大容量化、及びアクセスの高速化が可能な方式とし
て注目され、産業界等１：おいて重点的（一研究開発が
推進されている。またこの方式に用いる記憶材料として
種々の合金製磁性体が、情報の書き換えが可能なことか
ら注目されている。
いて磁性体薄膜上に、光学的に情報の記録・再生、消去
の何れかを行なう方式、即ち磁気光学記録方式が高密度
化、大容量化、及びアクセスの高速化が可能な方式とし
て注目され、産業界等１：おいて重点的（一研究開発が
推進されている。またこの方式に用いる記憶材料として
種々の合金製磁性体が、情報の書き換えが可能なことか
ら注目されている。
しかしながら記憶材料として用いられる垂直磁化容易軸
を有する磁性体膜、即ち垂直磁化膜はほとんどが大気、
水蒸気に触れると腐食されるものであることから使用環
境、保存環境等に制約があり極めて使い勝手が悪かった
。これを改善するため第３図に示すように保護膜として
窒化ケイ素膜等の耐酸化性１：優れた膜によるサンドイ
ッチ構造が提案されている。図において、（１）は基板
、（２）。
を有する磁性体膜、即ち垂直磁化膜はほとんどが大気、
水蒸気に触れると腐食されるものであることから使用環
境、保存環境等に制約があり極めて使い勝手が悪かった
。これを改善するため第３図に示すように保護膜として
窒化ケイ素膜等の耐酸化性１：優れた膜によるサンドイ
ッチ構造が提案されている。図において、（１）は基板
、（２）。
（４）は窒化ケイ素膜、（３）は磁性体膜である。しか
し応力により窒化ケイ素膜にクラツクが生じたり、特に
プラスチック基板の場合変形が発生したりするという問
題点があった。
し応力により窒化ケイ素膜にクラツクが生じたり、特に
プラスチック基板の場合変形が発生したりするという問
題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するため（−なされたも
ので、クラックや基板の変形を生じにくい良好な磁気光
学記憶素子の製造方法を得ることを目的とする。
ので、クラックや基板の変形を生じにくい良好な磁気光
学記憶素子の製造方法を得ることを目的とする。
この発明Ｃ二係る磁気光学記憶素子の製造方法は基板１
：垂直磁化容易軸を有する磁性体膜を形成する工程、及
び窒化ケイ素膜を不活性ガス（二よるスパッタ法で形成
する工程を施すものにおいて、不活性ガスによるスパッ
タ圧力を３ ｍ ＴＯｒｒ以上で上記窒化ケイ素膜を形
成したものである。
：垂直磁化容易軸を有する磁性体膜を形成する工程、及
び窒化ケイ素膜を不活性ガス（二よるスパッタ法で形成
する工程を施すものにおいて、不活性ガスによるスパッ
タ圧力を３ ｍ ＴＯｒｒ以上で上記窒化ケイ素膜を形
成したものである。
この発明（ユおいては、不活性ガス（二よるスパッタ圧
力を３ ｒａｍ Ｔｏｒｒ以上でスパッタ法により窒化
ケイ素膜を形成したことにより、応力の小さい窒化ケイ
素膜が得られ、クラックや変形が発生しく：（い。
力を３ ｒａｍ Ｔｏｒｒ以上でスパッタ法により窒化
ケイ素膜を形成したことにより、応力の小さい窒化ケイ
素膜が得られ、クラックや変形が発生しく：（い。
以下、この発明の詳細な説明する。
実施例１゜
スパッタ装置内（＝、８インチψのプラスチックを基板
としてセットし、ターゲットとして８インチφの窒化ケ
イ素焼結体を使用した。チャンバー内を１０ Ｔｏｒｒ
以下になるまで真空排気した後、Ａｒガスを導入し、真
空排気系のメインバルブを操作すること（二より、Ａｒ
圧を３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ ＋ニした。スパッタ電力
３００Ｗで成膜を行った。このよう（二作成した膜の応
力を測定した所応力は４０で従来に比して鴨程度になっ
た。この方法により作成した磁気光学記憶素子は、変形
もなく、クラックも発生せず、又耐環境性にすぐれたも
のであった。
としてセットし、ターゲットとして８インチφの窒化ケ
イ素焼結体を使用した。チャンバー内を１０ Ｔｏｒｒ
以下になるまで真空排気した後、Ａｒガスを導入し、真
空排気系のメインバルブを操作すること（二より、Ａｒ
圧を３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ ＋ニした。スパッタ電力
３００Ｗで成膜を行った。このよう（二作成した膜の応
力を測定した所応力は４０で従来に比して鴨程度になっ
た。この方法により作成した磁気光学記憶素子は、変形
もなく、クラックも発生せず、又耐環境性にすぐれたも
のであった。
この第１実施例に於ける釘圧を変化させる以外は第１実
施例と同様な方法で作成した実施例２゜３のか圧と応力
値は以下の通りであった。なお、比較例１．２は釘圧３
ｍ Ｔｏｒｒ以下で行なったもので、この発明の実施
例１．２．３と比較の為に示したものである。
施例と同様な方法で作成した実施例２゜３のか圧と応力
値は以下の通りであった。なお、比較例１．２は釘圧３
ｍ Ｔｏｒｒ以下で行なったもので、この発明の実施
例１．２．３と比較の為に示したものである。
Ｍ圧力 応力
実施例２ ５Ｘ１０Ｔｏｒ ３Ｑ実施例３
８Ｘ１０ Ｔｏｒ −２６比較例１ １Ｘ１０Ｔｏ
ｒ １５２比較例２ ２．５Ｘ １０ Ｔｏｒ
１５７第１図は実施例１〜３及び比較例１．２１：つ
いてアルゴン圧力と応力の関係を示したもので、縦軸は
応力、横軸はアルゴン圧力を示している。この図から明
らかな様にアルゴン圧力を３ ｍ Ｔｏｒｒ以上した場
合応力が低下することがわかる。なおアルゴン圧力の望
ましい範囲は５ ｍ ＴＯｒｒ 〜１０ ｍＴｏｒｒで
ある。これは、５ ｍ Ｔｏｒｒ以上で応力が十分低下
するがＩＱ ｔｘ＋ Ｔｏｒｒを越えるとスパッタの粒
子が飛び出しにくくなるためである。
８Ｘ１０ Ｔｏｒ −２６比較例１ １Ｘ１０Ｔｏ
ｒ １５２比較例２ ２．５Ｘ １０ Ｔｏｒ
１５７第１図は実施例１〜３及び比較例１．２１：つ
いてアルゴン圧力と応力の関係を示したもので、縦軸は
応力、横軸はアルゴン圧力を示している。この図から明
らかな様にアルゴン圧力を３ ｍ Ｔｏｒｒ以上した場
合応力が低下することがわかる。なおアルゴン圧力の望
ましい範囲は５ ｍ ＴＯｒｒ 〜１０ ｍＴｏｒｒで
ある。これは、５ ｍ Ｔｏｒｒ以上で応力が十分低下
するがＩＱ ｔｘ＋ Ｔｏｒｒを越えるとスパッタの粒
子が飛び出しにくくなるためである。
なお、この発明の実施例における応力の小さい窒化ケイ
素膜は、基板／保護膜／磁性体膜／保護膜の構造、いわ
ゆるサンドイッチの構造の場合の保護膜として、及び基
板／磁性体膜／保護膜の構造における保護膜として適用
することができ、磁性体膜を保護すると共にクラックの
発生や基板の変形が激減する。
素膜は、基板／保護膜／磁性体膜／保護膜の構造、いわ
ゆるサンドイッチの構造の場合の保護膜として、及び基
板／磁性体膜／保護膜の構造における保護膜として適用
することができ、磁性体膜を保護すると共にクラックの
発生や基板の変形が激減する。
次に、第２図はアルゴン圧力と屈折率の関係を示したも
ので、縦軸は屈折率、横軸はアルゴン圧力を表わしてい
る。アルゴン圧力を変化させても屈折率は一定であるこ
とがわかる。このことは磁気光学記憶素子からの反射光
を利用して情報の再生を行う所蛸カー効果再生方式（二
おいて、誘電体膜内にあける光の多重反射を利用したカ
ー回転角増大効果を有効１：引き出すための誘電体膜の
屈折率の値として十分であり、このアルゴン圧力３ｆｉ
Ｔｏｒｒ以上でスパッタにより形成された窒化ケイ素膜
は、保護膜としてだけでなく基板と磁性体間に形成され
る誘電体膜としても利用できる。
ので、縦軸は屈折率、横軸はアルゴン圧力を表わしてい
る。アルゴン圧力を変化させても屈折率は一定であるこ
とがわかる。このことは磁気光学記憶素子からの反射光
を利用して情報の再生を行う所蛸カー効果再生方式（二
おいて、誘電体膜内にあける光の多重反射を利用したカ
ー回転角増大効果を有効１：引き出すための誘電体膜の
屈折率の値として十分であり、このアルゴン圧力３ｆｉ
Ｔｏｒｒ以上でスパッタにより形成された窒化ケイ素膜
は、保護膜としてだけでなく基板と磁性体間に形成され
る誘電体膜としても利用できる。
この発明は、以上説明したとおり基板Ｃ二垂直磁化容易
軸を有する磁性体膜を形成する工程、及び窒化ケイ素膜
を不活性ガス（二よるスパッタ法で形成する工程を施す
ものに勿いて、不活性ガスによるスパッタ圧力を３ｍＴ
ｏｒｒ以上で上記窒化ケイ素膜を形成したので大気、水
蒸気等の影響を受は易い磁性体膜を保護し、かつクラッ
クのはと兄ど発生しない、基板の変形もほとんど無い磁
気光学記憶素子の製造方法を提供できるという効果があ
る。
軸を有する磁性体膜を形成する工程、及び窒化ケイ素膜
を不活性ガス（二よるスパッタ法で形成する工程を施す
ものに勿いて、不活性ガスによるスパッタ圧力を３ｍＴ
ｏｒｒ以上で上記窒化ケイ素膜を形成したので大気、水
蒸気等の影響を受は易い磁性体膜を保護し、かつクラッ
クのはと兄ど発生しない、基板の変形もほとんど無い磁
気光学記憶素子の製造方法を提供できるという効果があ
る。
なお、この発明に係る窒化ケイ素膜を誘電体膜として使
用した場合は、誘電体膜としてのカー回転角増大効果も
充分であるという効果がある。
用した場合は、誘電体膜としてのカー回転角増大効果も
充分であるという効果がある。
第１図はアルゴン圧力と応力の関係を示した特性図、第
２図はアルゴン圧力と屈折率の関係を示した特性図、第
３図は一般的な磁気光学記憶素子の構成の一例を示す断
面図である。 ｉｌ＋・・・基板、（２）・・・窒化ケイ素膜、（３）
・・・磁性体膜、（４）・・・窒化ケイ素膜っ
２図はアルゴン圧力と屈折率の関係を示した特性図、第
３図は一般的な磁気光学記憶素子の構成の一例を示す断
面図である。 ｉｌ＋・・・基板、（２）・・・窒化ケイ素膜、（３）
・・・磁性体膜、（４）・・・窒化ケイ素膜っ
Claims (3)
- （１）基板に垂直磁化容易軸を有する磁性体膜を形成す
る工程、及び窒化ケイ素膜を不活性ガスによるスパッタ
法で形成する工程を施すものにおいて、不活性ガスによ
るスパッタ圧力を３ｍｍＴｏｒｒ以上で上記窒化ケイ素
膜を形成したことを特徴とする磁気光学記憶素子の製造
方法。 - （２）窒化ケイ素膜は、磁性体膜に形成した保護膜であ
る特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記憶素子の製造
方法。 - （３）窒化ケイ素膜は、基板と磁性体膜間に形成された
誘電体膜である特許請求の範囲第２項記載の磁気光学記
憶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651485A JPS6226660A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16651485A JPS6226660A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226660A true JPS6226660A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15832735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16651485A Pending JPS6226660A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226660A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226452A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6439650A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magneto-optical recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131659A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60231935A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16651485A patent/JPS6226660A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131659A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60231935A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-18 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS61258353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62226452A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6439650A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magneto-optical recording medium |
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