JPH0418377B2 - - Google Patents
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- JPH0418377B2 JPH0418377B2 JP60211660A JP21166085A JPH0418377B2 JP H0418377 B2 JPH0418377 B2 JP H0418377B2 JP 60211660 A JP60211660 A JP 60211660A JP 21166085 A JP21166085 A JP 21166085A JP H0418377 B2 JPH0418377 B2 JP H0418377B2
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〈技術分野〉
本発明はレーザ等の光により情報の記録、再
生、消去等を行なう光メモリ素子に関するもので
ある。
生、消去等を行なう光メモリ素子に関するもので
ある。
〈従来技術〉
近年、光メモリ素子は高密度、大容量なメモリ
となる為、多方面で種々の研究開発が行なわれて
いる。特に使用者が情報の追加記録をなし得るメ
モリ、あるいは使用者が情報の追加記録及び消去
をなし得るメモリは巾広に応用分野があり、種々
の材料やシステムが発表されている。前者のメモ
リの材料としてはTeOx,TeSe,TeC等があり、
後者のメモリの材料としてはGdTbFe,
GdTbDyFe,TbFeCo等の希土類遷移金属合金薄
膜等がある。しかし、これら情報の追加記録がで
きるメモリ、あるいは情報の追加記録及び消去が
できるメモリの基本となる記録媒体材料は酸化等
の耐食性に欠ける為、その対策としてメモリ素子
の構造には色々な工夫がなされている。たとえば
追加記録をなし得るメモリとして用いられる記録
材料を用いた場合には第8図に示す様に透明基板
1上に真空蒸着やスパツタリング等の製膜手段に
より記録媒体膜2を設け、該記録媒体膜2を酸化
等の腐食から保護する目的で保護層3を設けたも
のがある。また情報の追加記録及び消去ができる
メモリとして用いられる希土類遷移金属合金薄膜
の場合には、たとえば第9図に示す様に透明基板
1上に保護層3と、希土類遷移金属合金薄膜2
と、保護層4とをこの順にて積層したもの、ある
いは更に反射層5を第4番号の層として付加した
もの(第10図参照)がある。しかし前述の如き
保護層を設ける素子構成を用いても酸化等の腐食
を防止できるとは限らない。
となる為、多方面で種々の研究開発が行なわれて
いる。特に使用者が情報の追加記録をなし得るメ
モリ、あるいは使用者が情報の追加記録及び消去
をなし得るメモリは巾広に応用分野があり、種々
の材料やシステムが発表されている。前者のメモ
リの材料としてはTeOx,TeSe,TeC等があり、
後者のメモリの材料としてはGdTbFe,
GdTbDyFe,TbFeCo等の希土類遷移金属合金薄
膜等がある。しかし、これら情報の追加記録がで
きるメモリ、あるいは情報の追加記録及び消去が
できるメモリの基本となる記録媒体材料は酸化等
の耐食性に欠ける為、その対策としてメモリ素子
の構造には色々な工夫がなされている。たとえば
追加記録をなし得るメモリとして用いられる記録
材料を用いた場合には第8図に示す様に透明基板
1上に真空蒸着やスパツタリング等の製膜手段に
より記録媒体膜2を設け、該記録媒体膜2を酸化
等の腐食から保護する目的で保護層3を設けたも
のがある。また情報の追加記録及び消去ができる
メモリとして用いられる希土類遷移金属合金薄膜
の場合には、たとえば第9図に示す様に透明基板
1上に保護層3と、希土類遷移金属合金薄膜2
と、保護層4とをこの順にて積層したもの、ある
いは更に反射層5を第4番号の層として付加した
もの(第10図参照)がある。しかし前述の如き
保護層を設ける素子構成を用いても酸化等の腐食
を防止できるとは限らない。
以下に使用者が情報の追加記録及び消去をなし
得る光メモリ素子である磁気光学記憶素子の酸化
の問題について例を挙げて説明する。
得る光メモリ素子である磁気光学記憶素子の酸化
の問題について例を挙げて説明する。
第11図は本発明者等が調査を行つた磁気光学
記憶素子の一部側面断面図である。6はガラス基
板であり、該ガラス基板6上に第1の透明誘電体
保護膜であるSiO膜7(膜厚120nm)が形成さ
れ、該SiO膜7上に希土類遷移金属合金薄膜であ
るGdTbF合金薄膜8(膜厚15nm)が形成され、
該GdTbFe合金薄膜8上に第2の透明誘電体保護
膜であるSiO2膜9(膜厚50nm)が形成され、該
SiO2膜9上に反射膜であるCu膜10(膜厚
50nm)が形成されている。この磁気光学記憶素
子を高温高湿テストにかけたところ、GdTbFe合
金薄膜8が酸化されるという問題が発生した。本
発明者等はこの原因が上記SiO膜7及びSiO2膜9
中に含まれる酸素にあることを確認した。即ち上
記SiO膜7及びSiO2膜9の成膜時、あるいは成膜
後に内部の酸素成分が分離等してGdTbFe合金薄
膜8が酸化されるものである。しかるに、希土類
遷移金属合金薄膜8は酸化されることによつて磁
気記録媒体としての能力を著しく阻害されるもの
であるから、上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜8の膜厚が
薄い場合は僅かの酸化であつても影響が大きいの
で非常に注意が必要である。よつて、この場合上
記希土類遷移金属合金薄膜8を保護する保護膜と
しては窒化アルミニウム等の酸素を含まないもの
が良い事を既に本出願人は提案している(特願昭
57−220999)。しかしこの窒化アルミニウムは熱
伝導率が高いため記録の際に高いレーザパワーが
必要となる。言い換えれば記録感度の低い光メモ
リ素子となることが欠点である。
記憶素子の一部側面断面図である。6はガラス基
板であり、該ガラス基板6上に第1の透明誘電体
保護膜であるSiO膜7(膜厚120nm)が形成さ
れ、該SiO膜7上に希土類遷移金属合金薄膜であ
るGdTbF合金薄膜8(膜厚15nm)が形成され、
該GdTbFe合金薄膜8上に第2の透明誘電体保護
膜であるSiO2膜9(膜厚50nm)が形成され、該
SiO2膜9上に反射膜であるCu膜10(膜厚
50nm)が形成されている。この磁気光学記憶素
子を高温高湿テストにかけたところ、GdTbFe合
金薄膜8が酸化されるという問題が発生した。本
発明者等はこの原因が上記SiO膜7及びSiO2膜9
中に含まれる酸素にあることを確認した。即ち上
記SiO膜7及びSiO2膜9の成膜時、あるいは成膜
後に内部の酸素成分が分離等してGdTbFe合金薄
膜8が酸化されるものである。しかるに、希土類
遷移金属合金薄膜8は酸化されることによつて磁
気記録媒体としての能力を著しく阻害されるもの
であるから、上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜8の膜厚が
薄い場合は僅かの酸化であつても影響が大きいの
で非常に注意が必要である。よつて、この場合上
記希土類遷移金属合金薄膜8を保護する保護膜と
しては窒化アルミニウム等の酸素を含まないもの
が良い事を既に本出願人は提案している(特願昭
57−220999)。しかしこの窒化アルミニウムは熱
伝導率が高いため記録の際に高いレーザパワーが
必要となる。言い換えれば記録感度の低い光メモ
リ素子となることが欠点である。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑み、酸素等による記録媒
体の酸化に対し信頼性を高め且つ記録感度を向上
せしめる光メモリ素子を提供することを目的とし
てなされたものであり、この目的を達成するため
光メモリ素子の一部に窒化アルミニウムシリコン
を用いたものである。
体の酸化に対し信頼性を高め且つ記録感度を向上
せしめる光メモリ素子を提供することを目的とし
てなされたものであり、この目的を達成するため
光メモリ素子の一部に窒化アルミニウムシリコン
を用いたものである。
〈発明の実施例〉
以下、本発明に係る光メモリ素子の一実施例に
ついて図面を用いて詳細に説明する。
ついて図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例
の構造を示す一部側面断面図である。1はガラ
ス、ポリカーボネート、アクリル等の透明基板で
あり、該透明基板1上に第1の透明誘電体膜であ
る窒化アルミニウムシリコン膜11が形成され、
該窒化アルミニウムシリコン膜11上に希土類遷
移金属合金薄膜12(たとえばGdTbFe,
GdTbDyFe,TbFeCo等)が形成され、該希土類
遷移金属合金薄膜12上に第2の透明誘電体膜で
ある窒化アルミニウムシリコン膜13が形成さ
れ、該窒化アルミニウムシリコン膜13上にCu,
Ag,Al等の反射膜14が形成される。この構造
の有利な点について以下説明する。
の構造を示す一部側面断面図である。1はガラ
ス、ポリカーボネート、アクリル等の透明基板で
あり、該透明基板1上に第1の透明誘電体膜であ
る窒化アルミニウムシリコン膜11が形成され、
該窒化アルミニウムシリコン膜11上に希土類遷
移金属合金薄膜12(たとえばGdTbFe,
GdTbDyFe,TbFeCo等)が形成され、該希土類
遷移金属合金薄膜12上に第2の透明誘電体膜で
ある窒化アルミニウムシリコン膜13が形成さ
れ、該窒化アルミニウムシリコン膜13上にCu,
Ag,Al等の反射膜14が形成される。この構造
の有利な点について以下説明する。
窒化アルミニウムシリコン膜は極めて定であ
り、窒化物であるため酸化物の膜に比較して緻
密な膜が形成できる。
り、窒化物であるため酸化物の膜に比較して緻
密な膜が形成できる。
窒化アルミニウムシリコンはその成分として
酸素を含有しないので記録媒体膜が酸化される
危険性を極度に減少せしめ得る。
酸素を含有しないので記録媒体膜が酸化される
危険性を極度に減少せしめ得る。
窒化アルミニウムシリコンは上記,を満
足する耐湿耐酸素性膜として有用な窒化アルミ
ニウムに比べ熱伝導率が低く、記録媒体への記
録感度を向上せしめる効果をもたらす。第2図
はこの効果を調べる為に行つた実験結果を示す
もので、第1図に構成を示した光メモリ素子に
おいて、第1,第2図の誘電体膜である窒化ア
ルミニウムシリコン膜のシリコン組成(wt%)
を0〜8%の範囲で変化させ記録感度の変化を
見たものである。記録感度は一定パワーで記録
した時のビツトの大きさで判断した。第2図か
ら明らかなように誘電体膜として窒化アルミニ
ウムを用いたときよりも窒化アルミニウムシリ
コン膜を用いた方が記録感度が向上している。
足する耐湿耐酸素性膜として有用な窒化アルミ
ニウムに比べ熱伝導率が低く、記録媒体への記
録感度を向上せしめる効果をもたらす。第2図
はこの効果を調べる為に行つた実験結果を示す
もので、第1図に構成を示した光メモリ素子に
おいて、第1,第2図の誘電体膜である窒化ア
ルミニウムシリコン膜のシリコン組成(wt%)
を0〜8%の範囲で変化させ記録感度の変化を
見たものである。記録感度は一定パワーで記録
した時のビツトの大きさで判断した。第2図か
ら明らかなように誘電体膜として窒化アルミニ
ウムを用いたときよりも窒化アルミニウムシリ
コン膜を用いた方が記録感度が向上している。
本発明は、記録媒体の保護膜及び記録感度上昇
用膜として窒化アルミニウムシリコンを用いたも
のであるが記録材料の種類は問わず、光メモリ素
子の構成としては少なくとも一層に窒化アルミニ
ウムシリコンを用いていればそれ以外については
いかなる構成でも良い。即ち、第3図に示すよう
に透明基板1上に記録媒体膜2、窒化アルミニウ
ムシリコン膜15をこの順に積層したもの、又第
4図に示すように透明基板1上に記録媒体膜2、
窒化アルミニウムシリコン膜15、反射膜14を
この順に積層したもの、又第5図に示すように透
明基板1上に窒化アルミニウムシリコン膜15、
記録媒体膜2、反射膜14をこの順に積層したも
の、又第6図に示すように透明基板1上に第1の
誘電体膜16、記録媒体膜2、第2の誘電体膜1
7をこの順に積層したものにおいて、上記第1、
第2の誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミニ
ウムシリコンで形成されたもの、又、第7図に示
すように透明基板1上に第1の誘電体膜16、記
録媒体膜2、第2の誘電体膜17、反射膜14を
この順に積層したものにおいて上記第1、第2の
誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミニウムシ
リコンで形成されたもの等の構成が適用可能であ
る。
用膜として窒化アルミニウムシリコンを用いたも
のであるが記録材料の種類は問わず、光メモリ素
子の構成としては少なくとも一層に窒化アルミニ
ウムシリコンを用いていればそれ以外については
いかなる構成でも良い。即ち、第3図に示すよう
に透明基板1上に記録媒体膜2、窒化アルミニウ
ムシリコン膜15をこの順に積層したもの、又第
4図に示すように透明基板1上に記録媒体膜2、
窒化アルミニウムシリコン膜15、反射膜14を
この順に積層したもの、又第5図に示すように透
明基板1上に窒化アルミニウムシリコン膜15、
記録媒体膜2、反射膜14をこの順に積層したも
の、又第6図に示すように透明基板1上に第1の
誘電体膜16、記録媒体膜2、第2の誘電体膜1
7をこの順に積層したものにおいて、上記第1、
第2の誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミニ
ウムシリコンで形成されたもの、又、第7図に示
すように透明基板1上に第1の誘電体膜16、記
録媒体膜2、第2の誘電体膜17、反射膜14を
この順に積層したものにおいて上記第1、第2の
誘電体膜の少なくとも一方が窒化アルミニウムシ
リコンで形成されたもの等の構成が適用可能であ
る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば記録媒体の耐酸化
性及び情報の記録再生特性を共に良好に確保せし
めることができるものである。
性及び情報の記録再生特性を共に良好に確保せし
めることができるものである。
第1図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例
の構成を示す一部側面断面図、第2図は測定グラ
フ図、第3図、第4図、第5図、第6図、第7図
は本発明に係る光メモリ素子の他の実施例の構成
を示す一部側面断面図、第8図は、従来の光メモ
リ素子の一例を示す一部側面断面図、第9図、第
10図は光磁気メモリ素子の一例を示す一部側面
断面図、第11図は従来の光メモリ素子の一部側
面断面図である。 図中、1:透明基板、2:記録媒体膜、3,
4:保護膜、5:反射膜、6:ガラス基板、7:
SiO膜、8:GdTbFe合金薄膜、9:SiO2膜、1
0:Cu膜、11:第1の窒化アルミニウムシリ
コン膜、12:希土類遷移金属合金薄膜、13:
第2の窒化アルミニウムシリコン膜、14:反射
膜、15:窒化アルミニウムシリコン膜、16:
第1の誘電体膜、17:第2の誘電体膜。
の構成を示す一部側面断面図、第2図は測定グラ
フ図、第3図、第4図、第5図、第6図、第7図
は本発明に係る光メモリ素子の他の実施例の構成
を示す一部側面断面図、第8図は、従来の光メモ
リ素子の一例を示す一部側面断面図、第9図、第
10図は光磁気メモリ素子の一例を示す一部側面
断面図、第11図は従来の光メモリ素子の一部側
面断面図である。 図中、1:透明基板、2:記録媒体膜、3,
4:保護膜、5:反射膜、6:ガラス基板、7:
SiO膜、8:GdTbFe合金薄膜、9:SiO2膜、1
0:Cu膜、11:第1の窒化アルミニウムシリ
コン膜、12:希土類遷移金属合金薄膜、13:
第2の窒化アルミニウムシリコン膜、14:反射
膜、15:窒化アルミニウムシリコン膜、16:
第1の誘電体膜、17:第2の誘電体膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光メモリ素子の基板上に記録媒体膜と、シリ
コン組成(Wt%)が0より大きく8%以下であ
る窒化アルミニウムシリコン膜とを積層したこと
を特徴とする光メモリ素子。 2 光メモリ素子の基板上に記録媒体膜と、窒化
アルミニウムシリコン膜とこの順にて積層したこ
とを特徴とする光メモリ素子。 3 光メモリ素子の基板上に第1の窒化アルミニ
ウムシリコン膜と記録媒体膜と第2の窒化アルミ
ニウムシリコン膜とをこの順にて積層したことを
特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211660A JPS6271042A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光メモリ素子 |
| CA000517495A CA1264852A (en) | 1985-09-24 | 1986-09-04 | Optical memory element |
| US06/908,716 US4792474A (en) | 1985-09-24 | 1986-09-18 | Optical memory element |
| EP86307305A EP0216634B1 (en) | 1985-09-24 | 1986-09-23 | Optical memory element |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211660A JPS6271042A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271042A JPS6271042A (ja) | 1987-04-01 |
| JPH0418377B2 true JPH0418377B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JPS6271042A (ja) |
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-
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- 1986-09-23 DE DE8686307305T patent/DE3669605D1/de not_active Expired - Lifetime
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