JPS6226748A - 電子管内蔵用抵抗体構体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は電子管（二内蔵される抵抗体構体：；関する。

〔発明の技術的背景と問題点〕

一般にカフ−受像管の様な陰極線管においては、約２５
ＫＶ〜３０ＫＶの陽極高電圧以外に例えば電子銃のフォ
ーカス電圧として約５ＫＶ〜８ＫＶの中電圧が必要であ
るし、マスク集束屋カラー受像管の様な場合には陽極高
電圧より僅かに低い高電圧が必要である。陽極高電圧以
外のこの様な中高電圧を別途管外より供給することは、
生として供給部の耐圧が大きな問題となるし、またこの
ため供給部の構造が複雑（；なる等不都合が多い。そこ
で陰極線管内に抵抗体を配置し、これによって陽極高電
圧を分圧して夫々所要の中高電圧を得る方法が例えば実
開昭４８−２１５６１号公報、実開昭５５−３８４８４
号公報、実公昭５９−７７２３号公報、米国特許第３．
９３２，７８６号明細書、米国特許第４，１４３，２９
８号明細書などに提案されている。

例えば第５図にカラー受像管用電子銃に抵抗体を使用し
た例を示す。ｔ！Ｉ、ｓ図において、電子銃（１）は後
述する複数個の電極とこれらを支える複数の絶縁支持体
（２）を有し、ガラス円筒のネックα場内に封入されて
いる。

前記複数個の電極は赤、緑、實各色螢光体を射突する３
本の電子ビーム（３ａ）、　（３ｂ）、　（３ｃ）を発
生するための３個のそれぞれヒータ（６ａ）−（６ｂ）
−（６ｃ）を内装する一列配設された陰極（９ａ）ｅ　
（９ｂ）＝　（９ｃ）と、この３個の陰極に対する位置
に、それぞれ所定の電子ビーム通過孔部が穿設され、一
体化構造（ユニタイズ構造）を有する第１グリッドαυ
、第２グリツド（１３，第３グリツド（を軌　第４グリ
ツドａ４及びコンバーゼンス電極α９から成り、それぞ
れこの順序で前記絶縁支持体（２）に植設固定支持され
ている。第１グリツドαυと第２グリツドａりは近設配
置された平板状電極であり、第３グリツドαＪは第２グ
リツド（Ｉ’ａ＋＝近接配置され接合された２個のカッ
プ状電極（２３ａ）、　（２３ｂ）より成り、＊４グリ
ッド０４）は前記第３グリツドα４から所定距離離れて
配置され接合された２個のカップ状電極（２４ａ）、　
（２４ｂ）より成り、コンバーゼンス電極α９は第４グ
リツドα４に溶接固定した１個のカップ状電極（２５ｍ
）より成る。前記各グリッド電極及びコンバーゼンス電
極のそれぞれカップ状電極の底部面及び平板状電極には
それぞれ各電子ビーム（：整合した３個の円形状の電子
ビーム通過孔部が設けられている。

また前記コンバーゼンス電極α９には陽極端子（図示し
ない）に印加され内部導電膜（ＬＣＤを通し、約２５Ｋ
Ｖの高電圧ＦＸｂを加えるパルプスベーチαηが取付け
られている。さらＣ：電極の傍に抵抗体６Ｑが設置して
あり、この抵抗体５１の一端（５１）はコンバーゼンス
電極（Ｌ５９に、他端（５３）はネック住樽の下部（−
設けられているステムピン翰を通し、外部にて可変抵抗
（４９とそれぞれ弾性接続子（６１）　、　（６３）を
介して接続されている。前記ステムピン（ＩＩは電子銃
を支持固定すると共にコンバーゼンス電極（ｔ９．第４
グリツド（Ｌ４）以外の各グリッド電位をステムピン翰
を通して外部より供給できるようになっている。また前
記抵抗体（４）の適当な位置（５２）は第３グリツド崗
と弾性接続子（６２）を介して接触している。従って電
気的には第７図の如くなり、Ｓ３グリツド（１３の約８
ＫＶの電極′電位はコンバーゼンス電極αｊ、第４グリ
ッドＩに印加される約２５に％ｒの高電圧Ｅｂの抵抗体
６（ＩＩ二よる分割電位として与えられることになり、
これにより電子ビームは所定スクリーン上にフォーカス
される。

第６ＣＡ＜ａ）は第５図において説明した抵抗体（５１
のＭ視図で第６図（ｂ）は第６図（、）のＡ−入断面図
である。抵抗体（５１は厚さ約１＋ｍのセラミック等の
絶縁基板（５４）上に抵抗材（５５）がジグザグパター
ンに配置されていて、所定の位置（二それぞれ第１．第
２゜第３の電極取出部（７１）、　（７２）、　（７３
）が設けられている。この電極取出部を除いて抵抗材（
５５）の表面はガラス（５６）が約２０μｍ−１００μ
ｍの厚さにコーティングされている。

前記抵抗体（５５）としては酸化ルテニウムを主体とし
た５００ＭΩ〜５００ｕＭΩ程度の高抵抗値のものが好
適で、また前記電極取出部（７１）　Ｉ　（７２）　、
　（７３）は抵抗材（５５）よりかなり低い抵抗の酸化
ルテニウムを主体とした抵抗材か若しくは銀や金を含有
する導電性塗料等が好適である。この電極取出部（７１
）。

（７２）　、　（７３）にはそれぞれ弾性材（＝よって
製作された接続子（６１）　、　（６２）　、　（６３
）が嵌合されて第７図の如く電気回路を形成する。従っ
て抵抗体−は２つの抵抗体几１．几、に分割されこの分
割比几！／（ＲＩ＋Ｒ２）によって電極取出部（６２）
即ち第３グリツド（１３の電位が決まる（可変抵抗端は
０Ωとした場合）。

さて上述の様なカラー受像管はその製造工程において高
電圧処理工程を通過する。これは電子銃（１）と抵抗体
−なネック舖内に封入し、排気した后、電子銃＋１）の
電極間に定格の２〜３倍である５０〜７０ａの高電圧を
印加して各グリッド０１〜Ｇ４間で放電を生じさせるこ
と（二上って各グリッドのエツジに不要シニ形成された
細かいばり等を取り除くための工程である。

上記の高電圧は抵抗体６１にも加えられることになり、
このため抵抗体印には、その抵抗値Ｒと電流工とによる
ｌ２Ｂ（−基く高熱が発生する。この熱（二よって抵抗
体■が変質して抵抗値Ｒが変化したり、ガスを放出した
りしないよう：：することが必要となる。抵抗値Ｒは５
００ＭΩ〜５０００ＭΩに選はれるが、その安定度はか
なり厳しい精度を要求される。例えば第７図において、
要求される安定度は、　　　　！−一の値が所定値の±
０．３％以内（二収まらな几、＋８゜ ければならない。この他に重要な問題として、ノッキン
グ（＝よる高電界によって生じる沿面放電のために抵抗
体（５０）のパターン間でスパッタリングが生じ、この
ために抵抗値几が変化したり、スパッター物質が電子銃
に対して悪影響を及ぼすので、これを防止することが必
要である。

しかし乍ら第６図（ｂ）の実施例では抵抗体（５５）の
表面にガラス（５６）がコーティングしである。

ここで特開昭５５−１４６２７号公報や実公昭５９−７
７２３号公報に示されている如くこのガラスコーティン
グの厚さが薄いとその防止効果は十分ではなくなる。

即ち薄くコーティングされたガラス膜には多数のピンホ
ールや肉薄部等の欠陥部があり、前記高電圧処理工程の
どきにはこの欠陥部を通じて放電が生じ抵抗体（５５）
が損傷され抵抗値が変化する等の悪影響が生ずる。

このガラスコーテイング膜は、ピンホール等の欠ｉ！！
部を生ずることなく沿面放電を効果的に防止できるよう
（二するため（＝は３００μｍ〜４００ｔｔｍ以上の厚
さに塗布されることが要求される。

しかし、このガラス層は１回のコーティングで約２０μ
ｍ〜３０μｍ程度しかコーティングできないため、厚く
するためには何回もコーティングをおこなわなければな
らず製造上繁雑でコストアップにつながる。

また、ガラス層を厚く塗布すると、焼成するときセラミ
ック基板との膨張係数の違い等にょ９１１２７層には大
きなりラックが発生し易くなるので十分に厚くすること
ができない。

〔発明の目的〕　　　　“ 本発明の目的は前記不都合、事を解消し、高電圧処理工
程を通過しても抵抗値の変化のない実用性に富んだ電子
管内蔵用抵抗体を提供することにある。

〔発明の概要〕

不発明では第１のセラミック板上に配置された抵抗材の
上に第２のセラミック板を配置し、接着させることによ
って上記目的を達成するものである。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照しつつ不発明の詳細な説明する。第１
図（、）は本発明を実施した抵抗体（１００）の斜視図
で同図（ｂ）は同図（、）の人−入断面図、同ＩＭ　（
ｃ）は同図（、）のＢ−Ｂ断面図である。また第２図は
上記抵抗体（１００）の製作工程を説明するための分解
斜視図である。

第１図、第２図において、抵抗体（１００）　ｋ−！、
　所定の位置に小さな開孔（１０１）を有する第１のセ
ラミック基板（１０２）とこのセラミック基板（１０２
）上にパターニングされた第１の抵抗材（１０３）と、
上記開孔（１０１）部の回りにパターニングされた第２
の抵抗材（１０４）と、上記第１の抵抗材（１０２）の
周囲（二塗布されたガラス材（１０５）と、この上に配
置された所定の位置に大きな開孔（１０６）を有する第
２のセラミック板（１０７）と、前記第２のセラミック
板（１０７）の大きな開孔（１０６）を通過して第１の
セラミック基板（１０２）の小さな開孔（１０１）に嵌
合する金属素子（１０８）から成る。

この様な抵抗体は例えば以下の如く製作する。

即ち第１のセラミック基板（１０２）上に酸化ルテニ６
Ａ−４４→＋ｆて小笛１ハ虹←ム〆−＾＾１」　薯ムソ
グし、次いで第１の抵抗材（１０３）より酸化ルテニウ
ムの比率の多い酸化ルテニクムーガラス系の第２の抵抗
材（１０４）をパターニングする。そしてこれらの上に
第２のセラミック板（１０７）を配置し第１のセラミッ
ク基板（１０２）と第２のセラミック板（１０７）とで
第１の抵抗材（１０３）を加圧しながら約８５０　Ｃま
で昇温させ、第１及び第２の抵抗材を焼成する。このよ
うにすると第１のセラミック基板（１０２）とｉ２のに
うｊ”）り板（１０７）は抵抗材（１０３）の両側に接
擬され゛る。次いで第１のセラミック基板（１０２）と
第２のセラミック板の間隙に硼珪酸鉛ガラスを主成分と
したガラス材を挿入し、約５５００で焼成することによ
り、２枚のセラミック板；：はさまれた抵抗材は完全に
覆われる。次いで第２セラミツク板（１０７）の大きな
開孔部（１０６）から円筒状の端部（１０９）が板状と
なった金属素子（１０８）を第１のセラミック基板（１
０２）の小さな開孔部（１０１）に嵌合させ背后でかし
める。このとき金属素子（１０８）の板状となった部分
（１０９）は第２の抵抗体（１０４）にｆｌｉ僧１−　
　ｖ榴ぬ悴鮎侃苛他しん【亀　−へ他バ・ψ−極取出部
（１１０）となる。

以上の構造の抵抗体は、従来の如く抵抗材の表面を広く
ガラスコーティングする必要はないのでガラスコーティ
ング層に欠陥が生じることによって生ずる高電圧処理時
の問題が解消される。

前記の構造の抵抗体は２枚のセラミック板の間隙にガラ
ス材を挿入するが、この間隙は非常（二狭く（抵抗材の
厚さ分とすれば通常５〜２０μｍ程度）、端部から抵抗
材までは約１ｍ以上の距離があるのでピンホール等の欠
陥が生ずる心配はない。従って抵抗材は上下を厚いセラ
ミック板で左右を厚いガラス材で覆われているため完全
に密封された状態となり、前述の如く高電圧処理工程中
でも抵抗材に対する実害のある放電はなくなり抵抗材が
損傷されることはなく、高電処理工程中過后も抵抗値が
変化することはない。

また前記構造の抵抗体は、電子銃ｆｌ）に第３図の如く
固定される。即ち抵抗体（１００）の電極取出部（１１
０）　ｌ：：一方の端部なリボン状のコネクタ（１１１
）を溶接固定し、他端を電子銃の所定の電極又はステム
部力１ら延びているビレに溶接固定することによって電
気的接続と共にしっかりと固定される０従って量産的に
も極めて容易であり、がっ、電気的接続や機械的固定：
二関しては第５図で説明した弾性材を使用する場合に比
べ極めて信頼性に富むことになる。

前記実施例の詳細な仕様は、例えば以下の様になる。第
１のセラミック基板は１．０（厚さＴ）Ｘ６．０（嘱Ｗ
）Ｘ５０（長さＬ）で、開孔部直径は約−２、ＯＯであ
る。抵抗材の全抵抗値は１０００ＭΩ、電極取出部の第
２の抵抗材の抵抗値は数にΩである。

またＷＩ２のセラミック基板は１．０（ｒ）ｘ６，０■
×５０（ト））で、開孔部直径は約４．ＯＯ１金属素子
の板状部の大きさは約３．００である。

第１および第２のセラミック基板の絶縁耐力は約１０　
ＫＶ／ｍであるので高電圧処理時でも内部の抵抗材は完
全に保護される２ 前記実施例では、抵抗材をパターニングした后第２のセ
ラミック板を被せ、抵抗材を焼成したが、本発明はこれ
に限らず抵抗材をパターニングしてすぐ焼成し、その后
レーザトリミング等により抵抗値２１整を行ない、従来
と同様に抵抗材全面に薄くガラス材をコートしその上：
：第２のセラミック板を被せガラス材を焼成することに
より第２のセラミック板を第１のセラミック板および抵
抗材と接着させてもよい　或いは、前記実施例では抵抗
材全面を第２のセラミック板で覆ったが、本発明はこれ
に限らず比較的低電圧部付近で抵抗値調整のため抵抗材
の一部をむき出しにしておいて、第２のセラミック板を
被せ抵抗材を焼成后レーザトリミング等；：より抵抗値
調整を行なってもよいし、その后この部分だけをガラス
コートしてもよい。

この場合には抵抗値調整部が低電圧部であるためがラス
コートに欠陥部があっても高圧処理時に実害はない。

さらに前記実施例では第１のセラミック基板と第２のセ
ラミック板を同じ大きさと厚さとしたが、本発明はこれ
に限らず２枚のセラミック板の大きさ、厚さは変えても
よいことは言う迄もない。

また、第２のセラミック板の代わりにガラス板を用いる
ことも考えられるが、ガラス板は薄く製作することが非
常に難しいし、またこの様にτ導いガラスは抵抗材を焼
成するときの高温Ｗａｙえきれないので好ましくはない
。

また前記実施例では２枚の平板状のセラミック板を使用
したが、本発明はこれに限らず溝を有すルセラミック板
を使用してもよいし、あるいはさらに凸部のあるセラミ
ック板を使用してガラス材を使用しなくてもよい。

第４図（ａ）　？　（ｂ）　、　（Ｃ）は本発明の他の
実施例でＭｘｌｌｌｕ　（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ
）ζ；対応する図で第１図と同じものは同番号で示す。

第４図では抵抗体（２００）は電極取出部を特に金属素
子に使用していない。第４図（ａ）。

（ｂ）、（ｃ）において、第１のセラミック基板（２０
２）　！二は凹部（２０１）が設けられており、この凹
部に第１゜第２の抵抗材（１ｏａ）　、　（１０４）が
パターニングされている。この凹部に密着する様な凸部
（２０６）を設けた２枚の第２のセラミック板（２０５
）が第１の抵抗材（２０２）の上に接着されていて、ガ
ラス材は使用されていない。この様な（・４造の場合、
抵抗材は２枚のセラミックによって完全に密封されるの
で高電圧処理時の実吾は全く生じない。

以上の実施例では電子銃の近傍に使用した抵抗体につい
て述べたが本発明はこれに限らずマスク県東をカラー受
像管の場合に複数枚のマスクの近傍に配置して使用する
抵抗体（一ついてもその高電圧処理時には同様の問題が
生ずるので不発明は通用できる。また以上の実施例でＶ
エパイポテンシャル型電子銃に対して第３グリツドの電
位を抵抗体により供給する例（二ついて示したが５本発
明はこれに限らすクオドラポテンシャル減電子銃中ユニ
ポテンシャル減電子銃やトライポテンシャル型電子銃な
どの電子銃においても適当に電橋電位を供給する様に設
計できることを工１う迄もない。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、電子管内蔵用抵抗体
において、従来抵抗材にガラスコートしたことによって
発生していたガラスコートの欠陥部による高電圧処理時
の問題を抵抗材にセラミック板を密着させること（二よ
って完全（＝解消ｒることができるので極めて実用性）
二富んだ電子管内蔵用抵抗体を提供することができる。

また本発明の抵抗体では抵抗材が筋い絶縁耐力のある厚
いセラミック板で密封されるためネック内の極めて狭い
空間内で使用されるときに生ずる強電界下での抵抗値の
経時変化（二対しても極めて効果的シニ抑制することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）は本発明の一実施例の抵抗体構体を示す概
略斜視図、第１図（ｂ）及び第１１’４（ｃ）は第１図
（、）のそれぞれ人−人及びＢ−Ｉ３線でのｉＦｒ面■
、第２図は第１図の製造工程を説明するための分解斜視
図、第３図は第１図の抵抗体を電子銃（二使用したとき
の組立斜視肉、第４図（ａ）は本発明の他の実施例を示
す概略斜視図、第４図（ｂ）及び第４図（ｃ）は第４図
（、）のそれぞれ人−人及びＢ　−、Ｂ線でのＩＭ面図
、第５Ｉ！！Ｊは従来の抵抗体を電子銃に使用したとき
の状態を示す概略平面図、第６（８）（ａ）は従来の抵
抗体を示す概略斜視図、第６図（ｈ）６′、Ｌ第６図（
ａ）のＮ−Ａ線での断面図、第７図は第５図の電子銃の
電気的構成図である。 （１００）・・・抵抗体 （１０２）・・・第１のセラミック基板（１０３）・・
・第１の抵抗材 （１０４）・・・第２の　１ （１０５）・・・ガラス材 （１０７）・・・第２のセラミック板 （１０８）・・・金属素子 代理人　弁理士　　則　近　憲　佑 飼　　大胡典夫 第１図 工　　ｆｌＤ 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電子管内に配置され電子回路素子として用いられ、所定
   の長さ及び抵抗値を有し、且つ端部又は中間部に少なく
   とも２個以上の電極取出部を有する電子管内蔵用抵抗体
   構体において、前記抵抗体構体は少なくとも第１のセラ
   ミック板と前記セラミック板上に所定のパターンに配置
   された抵抗材及び電極取出部と前記抵抗体の上に配置さ
   れた第２のセラミック板から成ることを特徴とする電子
   管内蔵用抵抗体構体。