JPS62270016A - 磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶装置Info
- Publication number
- JPS62270016A JPS62270016A JP9971287A JP9971287A JPS62270016A JP S62270016 A JPS62270016 A JP S62270016A JP 9971287 A JP9971287 A JP 9971287A JP 9971287 A JP9971287 A JP 9971287A JP S62270016 A JPS62270016 A JP S62270016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- storage device
- magnetoresistive
- head
- shield
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果（以下Ｍ凡と略す）型ω気ヘノ
ドを再生ヘッドとして用いる磁気記憶装置において２Ｍ
几ヘッドを構成するシールド膜が磁化されることによる
信号損失を防止するのに好適な再生方式を提供するもの
である。
ドを再生ヘッドとして用いる磁気記憶装置において２Ｍ
几ヘッドを構成するシールド膜が磁化されることによる
信号損失を防止するのに好適な再生方式を提供するもの
である。
［発明の背景］
磁気抵抗効果を利用して、磁気記録の再生動作を行なわ
せ・る方法は、従来の電磁誘導を使った磁気ヘッドに比
し出力電圧が媒体速度に依存しないこと、出力電圧の絶
対値が高くとれることの利点により、最近とみに注目さ
れている。％に媒体速度が遅い磁気テープを媒体とした
如き磁気ヘッドにおいては、出力が媒体速度に依存しな
いことから特に好適である。このようなＭｌ（型磁気ヘ
ッドにおいて高分解能を得るために１％開昭５０−５９
０２３に例示の如く磁気抵抗素子の両側に磁気シールド
を近接して配置することが公知である。さらに該磁気抵
抗素子を高感度でかつ高調波歪を低減して利用するため
にバイアスを印加することが公知である。とごうで従来
これらのシールド付きＭＲへ、ドにおいて、バイアス磁
界の作用などにより磁気シールドが磁化されて、シール
ドの効果を減じ、高分解能を得ることができなくなった
り。
せ・る方法は、従来の電磁誘導を使った磁気ヘッドに比
し出力電圧が媒体速度に依存しないこと、出力電圧の絶
対値が高くとれることの利点により、最近とみに注目さ
れている。％に媒体速度が遅い磁気テープを媒体とした
如き磁気ヘッドにおいては、出力が媒体速度に依存しな
いことから特に好適である。このようなＭｌ（型磁気ヘ
ッドにおいて高分解能を得るために１％開昭５０−５９
０２３に例示の如く磁気抵抗素子の両側に磁気シールド
を近接して配置することが公知である。さらに該磁気抵
抗素子を高感度でかつ高調波歪を低減して利用するため
にバイアスを印加することが公知である。とごうで従来
これらのシールド付きＭＲへ、ドにおいて、バイアス磁
界の作用などにより磁気シールドが磁化されて、シール
ドの効果を減じ、高分解能を得ることができなくなった
り。
残留磁気により媒体を部分消去してしまい信号損失を生
ずるという問題があった。
ずるという問題があった。
本発明の目的は磁気シールドが、磁気抵抗素子バイアス
用磁界などＫよって磁化されることによる、シールド効
果の減少と分解能の低下が起こりに＜＜、又、媒体消去
による信号損失が起こりにくいＭルヘッドを得ることに
ある。
用磁界などＫよって磁化されることによる、シールド効
果の減少と分解能の低下が起こりに＜＜、又、媒体消去
による信号損失が起こりにくいＭルヘッドを得ることに
ある。
本発明は、磁気シールドが磁気抵抗素子バイアス磁界な
どにより磁化されても、これを、バイアス用導体あるい
は、磁気抵抗素子あるいは磁気シールドに消磁用の交流
電流を流すことにより発生する磁界で、磁気シールドを
消磁するものである。
どにより磁化されても、これを、バイアス用導体あるい
は、磁気抵抗素子あるいは磁気シールドに消磁用の交流
電流を流すことにより発生する磁界で、磁気シールドを
消磁するものである。
本発明を以下の図Ｋｅいさらに詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。例えば８１％Ｎｉ−
Ｆｅ組成の磁気抵抗効果素子１の一方に。
Ｆｅ組成の磁気抵抗効果素子１の一方に。
５ｌｏ２． ＡｊｚＱｓ等の絶縁膜を介して、 ＡＬ
、 Ｃｕ 、 Ａｕ等のバイアス導体２を形成する。さ
らに５ｉＯｚ 。
、 Ｃｕ 、 Ａｕ等のバイアス導体２を形成する。さ
らに５ｉＯｚ 。
ｋｌ ２０ ｓ等の絶縁膜を介して、磁気シールド６を
形成する。こうして形成されたＭＲヘッドを高感度の磁
気へヴドとして利用する場合に第２図ａに示す様な一定
の最適バイアス電流Ｉａをバイアス導体２に流し、磁気
抵抗効果素子１を最適動作点で動作させる。バイアス電
流１ａが再生ヘッドとしての動作に必要な時間ｔだけ流
れているものとする。
形成する。こうして形成されたＭＲヘッドを高感度の磁
気へヴドとして利用する場合に第２図ａに示す様な一定
の最適バイアス電流Ｉａをバイアス導体２に流し、磁気
抵抗効果素子１を最適動作点で動作させる。バイアス電
流１ａが再生ヘッドとしての動作に必要な時間ｔだけ流
れているものとする。
この間に第１図の磁気シールド３が磁化されるとシール
ドの効果が減少したりさらには媒体の磁化に悪影響を与
える。そこで１本発明では時間ｔでバイアス電流Ｉｓを
切った後に第２図すに示す様な消磁用交流電流ＩＡＯを
時間ｔ′の間で、バイアス導体２．あるいは磁気抵抗効
果素子１に１例えば商用周波数の如き任意の同波数で徐
々に振幅を大きくし少なくともシールド膜の飽和磁界レ
ベルよりも大きな磁界が得られる電流まで増大させたと
ころで徐々に振幅を小さくしていく様に消磁用交流電流
工＾０を流すことにより、磁化された磁気シールド３を
初期の消磁状態に戻すことができる。
ドの効果が減少したりさらには媒体の磁化に悪影響を与
える。そこで１本発明では時間ｔでバイアス電流Ｉｓを
切った後に第２図すに示す様な消磁用交流電流ＩＡＯを
時間ｔ′の間で、バイアス導体２．あるいは磁気抵抗効
果素子１に１例えば商用周波数の如き任意の同波数で徐
々に振幅を大きくし少なくともシールド膜の飽和磁界レ
ベルよりも大きな磁界が得られる電流まで増大させたと
ころで徐々に振幅を小さくしていく様に消磁用交流電流
工＾０を流すことにより、磁化された磁気シールド３を
初期の消磁状態に戻すことができる。
尚ｔ′は短かすぎなければ任意の時間を選ぶことができ
１例えば１秒で消磁可能である。この原理は次の様な構
造のＭＲヘッドにも応用できることはいうまでもない。
１例えば１秒で消磁可能である。この原理は次の様な構
造のＭＲヘッドにも応用できることはいうまでもない。
すなわち第３図に示す様な磁気抵抗効果素子４と、境界
面で反応しない様なバイアス導体５を直接接触形成し、
５ｉＱ２． Ａｔ２Ｑｓ等の？３縁膜を介して磁気シ
ールド６ｔ−形成したＭＲへヴド。
面で反応しない様なバイアス導体５を直接接触形成し、
５ｉＱ２． Ａｔ２Ｑｓ等の？３縁膜を介して磁気シ
ールド６ｔ−形成したＭＲへヴド。
あるいは、第４図に示す様な磁気抵抗効果素子７を形成
し、ＳｉＯ２，ＡＬｚＯｘ等の絶縁膜を介して磁気シー
ルド８を形成して、磁気シールド８の中にバイアス導体
９を押入して形成する様なＭ几ヘッドにも適用可能であ
り、更にはシールド膜自体の一方又は両方に消磁用交流
１を流を流しても同様の効果を得ることができる。
し、ＳｉＯ２，ＡＬｚＯｘ等の絶縁膜を介して磁気シー
ルド８を形成して、磁気シールド８の中にバイアス導体
９を押入して形成する様なＭ几ヘッドにも適用可能であ
り、更にはシールド膜自体の一方又は両方に消磁用交流
１を流を流しても同様の効果を得ることができる。
ここで消磁用交流電流は再生動作終了の都度動作させれ
ばよいが、或いは再生を一定の間隔で中断させて１本発
明の消磁電流を流すことにより再生情報品質を一層向上
でき、また、再生時に不正情報が発生の都度本発明のＸ
流を作動させれば情報の回復を計ることができる。尚第
２図すのようなｔ泥波形は共碌回路を利用する方法や、
増幅器の利得をｔ′間間化化せながら、交流傷号を増幅
する法等種々の方式が可能である。
ばよいが、或いは再生を一定の間隔で中断させて１本発
明の消磁電流を流すことにより再生情報品質を一層向上
でき、また、再生時に不正情報が発生の都度本発明のＸ
流を作動させれば情報の回復を計ることができる。尚第
２図すのようなｔ泥波形は共碌回路を利用する方法や、
増幅器の利得をｔ′間間化化せながら、交流傷号を増幅
する法等種々の方式が可能である。
本発明によれば１分解能の低下あるいは、媒体減磁によ
る出力低下が起こらないような良好なＭＲへヴドを提供
することができる。また、従来のＭ）を形成プロセスを
変えることなく２磁気シールドが磁化されるという問題
を解決できる。また。
る出力低下が起こらないような良好なＭＲへヴドを提供
することができる。また、従来のＭ）を形成プロセスを
変えることなく２磁気シールドが磁化されるという問題
を解決できる。また。
実施例以外の任意の構造のシールド付きＭＲ１＼ツドに
おいて広く適用可能である。
おいて広く適用可能である。
第１図は本発明の一実施例を示すＭＲヘット°の断面図
、第２図は本発明の動作原理を説明するためのｔ流波形
図、第６，４図は本発明の他の実施例を示すＭｌ−Ｌヘ
ッドの断面図である。 １．４．７・・・磁気抵抗効果素子、 ２．５．９・・・バイアス導体。 ３．６．８・・・磁気シールド。 ＄を目 ＄３目 茅２ 図 （ス） Ｉ＾ （ｂ） 茅４固
、第２図は本発明の動作原理を説明するためのｔ流波形
図、第６，４図は本発明の他の実施例を示すＭｌ−Ｌヘ
ッドの断面図である。 １．４．７・・・磁気抵抗効果素子、 ２．５．９・・・バイアス導体。 ３．６．８・・・磁気シールド。 ＄を目 ＄３目 茅２ 図 （ス） Ｉ＾ （ｂ） 茅４固
Claims (1)
- １、磁気抵抗効果素子に近接して磁気シールドが配設さ
れた磁気抵抗型ヘッドを有する磁気記憶装置において、
該磁気抵抗型ヘッドの磁気抵抗効果膜、或いは、該磁気
抵抗効果素子の動作点を与えるバイアス導体膜、或いは
、磁気シールド膜に交流電流を通電し、微小な振幅から
少なくとも磁気シールドの飽和磁界以上に漸増後振幅に
漸減する交流磁界を磁気シールド膜に印加することを特
徴とする磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9971287A JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9971287A JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270016A true JPS62270016A (ja) | 1987-11-24 |
| JPS6350769B2 JPS6350769B2 (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=14254687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9971287A Granted JPS62270016A (ja) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | 磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62270016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027214A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP9971287A patent/JPS62270016A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027214A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350769B2 (ja) | 1988-10-11 |
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