JPS622705A - GaAsFET増幅器 - Google Patents
GaAsFET増幅器Info
- Publication number
- JPS622705A JPS622705A JP14054485A JP14054485A JPS622705A JP S622705 A JPS622705 A JP S622705A JP 14054485 A JP14054485 A JP 14054485A JP 14054485 A JP14054485 A JP 14054485A JP S622705 A JPS622705 A JP S622705A
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- Japan
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- amplifier
- output
- working point
- conversion coefficient
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、UHF帯、SHF帯等のマイクロ波帯で使用
するGaAsFET増幅器に関する。
するGaAsFET増幅器に関する。
従来このようなGaAsFET増幅器は、マイクロ波帯
で高出力を得るための電力増幅用および低雑音特性を得
るための低雑音増幅用等に利用され、一般に多段縦続接
続して使用されている。
で高出力を得るための電力増幅用および低雑音特性を得
るための低雑音増幅用等に利用され、一般に多段縦続接
続して使用されている。
このGaA、FET増幅器は、第3図に示すような入出
力特性イおよび入力−通過位相特性口をもっており、通
過位相は入力レベルの変化に対し入出力特性のリニアな
領域ではなだらかに変化するが、増幅器の出力が飽和し
てくると急激に変化するようになる。従って入力レベル
の変化分に対する通過位相の変化分の比で表わされるA
M/PM変換係数は、入出力特性のリニアな領域ではそ
の値は小さく、飽和領域では大きな値となる。またAM
/PM変換係数の極性は、入力レベルに対して正または
負の値をとる。
力特性イおよび入力−通過位相特性口をもっており、通
過位相は入力レベルの変化に対し入出力特性のリニアな
領域ではなだらかに変化するが、増幅器の出力が飽和し
てくると急激に変化するようになる。従って入力レベル
の変化分に対する通過位相の変化分の比で表わされるA
M/PM変換係数は、入出力特性のリニアな領域ではそ
の値は小さく、飽和領域では大きな値となる。またAM
/PM変換係数の極性は、入力レベルに対して正または
負の値をとる。
このAM/PM変換係数は、大容量のFM多重電話信号
伝送時、あるいは大容量ディジタル信号伝送時に歪雑音
の発生原因となるので、小さい値で使用することが要求
される。このため、第3図の増幅器の例では、入出力動
作点を飽和出力点よりバック・オフをとって入出力特性
イがリニアな領域、例えばA点に設定する必要があった
。
伝送時、あるいは大容量ディジタル信号伝送時に歪雑音
の発生原因となるので、小さい値で使用することが要求
される。このため、第3図の増幅器の例では、入出力動
作点を飽和出力点よりバック・オフをとって入出力特性
イがリニアな領域、例えばA点に設定する必要があった
。
しかし、このようなGaASFET増幅器では、バック
・オフをとるため飽和出力を運用出力より高くする必要
性が生じ、このため高出力の素子を使用しなければなら
ないので、直流消費電力が増加し、電源効率が低下する
結果となる。従って電源供給装置は、その容量を大きく
する必要性が生じ、増幅器の放熱器に関しても熱抵抗の
小さいものが必要となり、さらに素子自体の価格も増加
する等の問題点があった。
・オフをとるため飽和出力を運用出力より高くする必要
性が生じ、このため高出力の素子を使用しなければなら
ないので、直流消費電力が増加し、電源効率が低下する
結果となる。従って電源供給装置は、その容量を大きく
する必要性が生じ、増幅器の放熱器に関しても熱抵抗の
小さいものが必要となり、さらに素子自体の価格も増加
する等の問題点があった。
本発明は、上記問題点lこ鑑みなされたもので、飽和出
力点よりバック・オフを大きくとって入出力動作点を設
定しなくてもAM/PM変換係数の値を小さくするG
a A s F E T増幅器を提供することを目的と
する。
力点よりバック・オフを大きくとって入出力動作点を設
定しなくてもAM/PM変換係数の値を小さくするG
a A s F E T増幅器を提供することを目的と
する。
本発明は、第1の可変減衰器の入力レベルの調整により
入出力動作点を設定する副増幅器と、第2の可変減衰器
の入力レベルの調整により入出力動作点を設定する主増
幅器とを縦続接続し、前記主増幅器で生ずるAM/PM
変換係数を打消すように前記副増幅器の入出力動作点を
設定したことにより上記した目的を達成している。
入出力動作点を設定する副増幅器と、第2の可変減衰器
の入力レベルの調整により入出力動作点を設定する主増
幅器とを縦続接続し、前記主増幅器で生ずるAM/PM
変換係数を打消すように前記副増幅器の入出力動作点を
設定したことにより上記した目的を達成している。
本発明の実施例を第1図乃至第20図の図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
@1図は、本発明の実施例を示すブロック図で、入力端
子11から入力した入力信号は、第1の可変減衰器12
で副増幅器13が所定の入出力動作点を設定できるよう
に入力レベルを調整される。この調整された入力レベル
lこより副増幅器13は入出力動作点を設定し、この入
出力動作点にともなう増幅した出力信号を第2可変減衰
器14に出力する。
子11から入力した入力信号は、第1の可変減衰器12
で副増幅器13が所定の入出力動作点を設定できるよう
に入力レベルを調整される。この調整された入力レベル
lこより副増幅器13は入出力動作点を設定し、この入
出力動作点にともなう増幅した出力信号を第2可変減衰
器14に出力する。
上記入出力動作点でのAM/PM変換係数は、後述する
主増幅器15の入出力動作点でのAM/PM変換係数と
極性が逆で絶対値が等しくなるように設定する。
主増幅器15の入出力動作点でのAM/PM変換係数と
極性が逆で絶対値が等しくなるように設定する。
第2町変減衰器14では、主増幅器15が所定の入出力
動作点を設定できるように副増幅器13からの入力レベ
ルを調整し、この調整された入力レベルlこより主増幅
器15は入出力動作点を設定し、この入出力動作点にと
もなう増幅した出力信号を出力端子16に出力する。
動作点を設定できるように副増幅器13からの入力レベ
ルを調整し、この調整された入力レベルlこより主増幅
器15は入出力動作点を設定し、この入出力動作点にと
もなう増幅した出力信号を出力端子16に出力する。
第2図は、各増幅器の入出力特性イおよび入力−通過位
相特性口を示す図で、第2図(a)は主増幅器、(b)
は副増幅器の場合を示す。
相特性口を示す図で、第2図(a)は主増幅器、(b)
は副増幅器の場合を示す。
第2図(a)において主増幅器15の入出力動作点を例
えば飽和出力領域のB点とすると、入力−通過位相特性
口のB′点ではB′点の傾きIこ相当するAM/PM変
換係数が発生する。
えば飽和出力領域のB点とすると、入力−通過位相特性
口のB′点ではB′点の傾きIこ相当するAM/PM変
換係数が発生する。
よって副増幅器13では、fsz図(b)に示すように
入出力動作点を主増幅器15のAM/PM変換係数と極
性が逆で絶対値が等しい01点(こなるように、!1可
変減衰器12で設定すれば主増幅器のAM/PM変換係
数を打消すことができる。
入出力動作点を主増幅器15のAM/PM変換係数と極
性が逆で絶対値が等しい01点(こなるように、!1可
変減衰器12で設定すれば主増幅器のAM/PM変換係
数を打消すことができる。
以上説明したように、本発明は第1の可変減衰器の入力
レベルの調整により入出力動作点を設定する副増幅器と
、第2の可変減衰器の入力レベルの調整により入出力動
作点を設定する主増幅器とを縦続接続し、前記主増幅器
で生ずるAM/PM変換係数を打消すように前記副増幅
器の入出力動作点を設定したので、主増幅器の飽和領域
に入出力動作点を設定でき、かつAM/PM変換係数を
低減することができる。よって増幅器の電源効率を上げ
ることができ、さらに高出力caAsFET素子が不Q
となり、素子自体の価格も低下する等の効果を奏する。
レベルの調整により入出力動作点を設定する副増幅器と
、第2の可変減衰器の入力レベルの調整により入出力動
作点を設定する主増幅器とを縦続接続し、前記主増幅器
で生ずるAM/PM変換係数を打消すように前記副増幅
器の入出力動作点を設定したので、主増幅器の飽和領域
に入出力動作点を設定でき、かつAM/PM変換係数を
低減することができる。よって増幅器の電源効率を上げ
ることができ、さらに高出力caAsFET素子が不Q
となり、素子自体の価格も低下する等の効果を奏する。
第1図は本発明のブロック構成図、第2図は本発明のG
aAsFET増幅器の入出力特性および入力−通過位相
特性を示す図で(a)は主増幅器、(b)は副増幅器の
場合を示す図、第3図は従来のGaA、FET増幅器の
入出力特性および入力−通過位相特性を示す図の一例で
ある。 12・・・第1の可変減衰器、′13・・・副増幅器、
14・・・第2の可変減衰器、15・・・主増幅器、イ
・・・入出力特性、ロ・・・入力−通過位相特性。 代理人弁理士 則近憲佑(ほか1匈 12−一−−第1の可多2欧衰1瓢 13−−−−昌IIす誼9−11 14−−−一第2の可l!減y!I巳 15−−−−1糟幅区 一人力 第3図
aAsFET増幅器の入出力特性および入力−通過位相
特性を示す図で(a)は主増幅器、(b)は副増幅器の
場合を示す図、第3図は従来のGaA、FET増幅器の
入出力特性および入力−通過位相特性を示す図の一例で
ある。 12・・・第1の可変減衰器、′13・・・副増幅器、
14・・・第2の可変減衰器、15・・・主増幅器、イ
・・・入出力特性、ロ・・・入力−通過位相特性。 代理人弁理士 則近憲佑(ほか1匈 12−一−−第1の可多2欧衰1瓢 13−−−−昌IIす誼9−11 14−−−一第2の可l!減y!I巳 15−−−−1糟幅区 一人力 第3図
Claims (1)
- 第1の可変減衰器の入力レベルの調整により入出力動作
点を設定する副増幅器と、第2の可変減衰器の入力レベ
ルの調整により入出力動作点を設定する主増幅器とを縦
続接続し、前記主増幅器で生ずるAM/PM変換係数を
打消すように前記副増幅器の入出力動作点を設定したこ
とを特徴とするGaAsFET増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14054485A JPS622705A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | GaAsFET増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14054485A JPS622705A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | GaAsFET増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622705A true JPS622705A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15271140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14054485A Pending JPS622705A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | GaAsFET増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622705A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057599A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 多段高出力増幅器 |
| JP2014175122A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | マイクロ波加熱装置及び排気ガス浄化装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14054485A patent/JPS622705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057599A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 多段高出力増幅器 |
| JP2014175122A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | マイクロ波加熱装置及び排気ガス浄化装置 |
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