JPS62273734A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS62273734A JPS62273734A JP11699186A JP11699186A JPS62273734A JP S62273734 A JPS62273734 A JP S62273734A JP 11699186 A JP11699186 A JP 11699186A JP 11699186 A JP11699186 A JP 11699186A JP S62273734 A JPS62273734 A JP S62273734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- oxygen
- tube
- heater
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に水素と酸素との混
合燃焼により水蒸気を発生させ、その水蒸気により半導
体装置の酸化あるいは水蒸気処理を行う半導体製造装置
に関する。
合燃焼により水蒸気を発生させ、その水蒸気により半導
体装置の酸化あるいは水蒸気処理を行う半導体製造装置
に関する。
半導体装置の製造工程において、水蒸気雰囲気中での酸
化もしくは水蒸気処理を行う場合、清浄な水蒸気を得る
ために、炉芯管内で水素と酸素とを燃焼させる方法が用
いられている。
化もしくは水蒸気処理を行う場合、清浄な水蒸気を得る
ために、炉芯管内で水素と酸素とを燃焼させる方法が用
いられている。
この場合の炉は第２図に示すように、炉芯管２１内に挿
入された水素導入管２２を通して水素を導入しその水素
導入管２２の開口部２３から放出し、酸素導入管２４か
ら酸素を導入し、その酸素導入管２４の開口部２５から
放出し、その水素と酸素とを炉芯管２１内で混合燃焼さ
せる構造になっている。
入された水素導入管２２を通して水素を導入しその水素
導入管２２の開口部２３から放出し、酸素導入管２４か
ら酸素を導入し、その酸素導入管２４の開口部２５から
放出し、その水素と酸素とを炉芯管２１内で混合燃焼さ
せる構造になっている。
まず酸素を酸素導入管開口部２５から放出し、炉芯管２
１内を酸素雰囲気にした後、水素を水素導入管開口部２
３から放出すると、水素は、水素導入管開口部２３が水
素の酸素中での発火点４５０℃を十分に超えるようにヒ
ータ２６を十分に加熱しておけば、水素が放出されたと
きに、直ちにスムーズに着火し、水蒸気が発生し、炉芯
管２１内は清浄な水蒸気雰囲気になる。
１内を酸素雰囲気にした後、水素を水素導入管開口部２
３から放出すると、水素は、水素導入管開口部２３が水
素の酸素中での発火点４５０℃を十分に超えるようにヒ
ータ２６を十分に加熱しておけば、水素が放出されたと
きに、直ちにスムーズに着火し、水蒸気が発生し、炉芯
管２１内は清浄な水蒸気雰囲気になる。
ところが、上述の酸化炉は水素導入管開口部２３がヒー
タ２６から離れており、また酸素導入管開口部２５より
室温の酸素を放出することによる冷却効果がある。この
ため、ヒータ２６を加熱した場合は水素導入管開口部２
３との間に温度勾配を生じておリ、ヒータ２６による加
熱温度が低い場合、水素導入管開口部２３では酸素中の
水素ガスの発火温度４５０℃に達しなくなる。したがっ
て、水素を放出しても、水素は直ちに着火せず、炉芯管
２１内をヒータ２６方向に向かって広がってゆき、水素
の発火温度以上の温度の位置まで広がった時に着火する
が、着火の時に着火するまでに炉芯管２１内に広がった
水素が一瞬に爆発的に燃え、時によっては炉芯管を吹き
とばす危険性があるという重大な欠点があった・ 本発明の目的は酸素雰囲気中に放出した水素の着火を確
実に行う半導体製造装置を提供することにある。
タ２６から離れており、また酸素導入管開口部２５より
室温の酸素を放出することによる冷却効果がある。この
ため、ヒータ２６を加熱した場合は水素導入管開口部２
３との間に温度勾配を生じておリ、ヒータ２６による加
熱温度が低い場合、水素導入管開口部２３では酸素中の
水素ガスの発火温度４５０℃に達しなくなる。したがっ
て、水素を放出しても、水素は直ちに着火せず、炉芯管
２１内をヒータ２６方向に向かって広がってゆき、水素
の発火温度以上の温度の位置まで広がった時に着火する
が、着火の時に着火するまでに炉芯管２１内に広がった
水素が一瞬に爆発的に燃え、時によっては炉芯管を吹き
とばす危険性があるという重大な欠点があった・ 本発明の目的は酸素雰囲気中に放出した水素の着火を確
実に行う半導体製造装置を提供することにある。
本発明は炉芯管と、該炉芯管内に挿入された酸素導入管
及び水素導入管と、前記炉芯管を加熱させるヒータとを
有し、少なくとも前記酸素導入管を、ヒータにより直接
加熱される前記炉芯管内の管壁に沿って配管したことを
特徴とする半導体製造装置である。
及び水素導入管と、前記炉芯管を加熱させるヒータとを
有し、少なくとも前記酸素導入管を、ヒータにより直接
加熱される前記炉芯管内の管壁に沿って配管したことを
特徴とする半導体製造装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）において、炉芯管１１の外周
にはヒータ１６が設置され、炉芯管１内の管端には水素
を供給する水素導入管１２と、酸素を供給する酸素導入
管１４とが設けられている。本発明は炉芯管１１内の長
手方向に酸素導入管１４を延長し、外部ヒータ１６にて
直接加熱される炉芯管１１の内壁に沿ってこれを配管し
、さらに折反して酸素導入管１４の開口部１５を水素導
入管１２の開口部１３と向き合せに設けたものである。
にはヒータ１６が設置され、炉芯管１内の管端には水素
を供給する水素導入管１２と、酸素を供給する酸素導入
管１４とが設けられている。本発明は炉芯管１１内の長
手方向に酸素導入管１４を延長し、外部ヒータ１６にて
直接加熱される炉芯管１１の内壁に沿ってこれを配管し
、さらに折反して酸素導入管１４の開口部１５を水素導
入管１２の開口部１３と向き合せに設けたものである。
本発明によれば、ヒータ１６に加熱される炉芯管１１の
内壁に沿って酸素は管１４内を流れる際にヒータ１６に
て加熱された管壁から輻射熱をうけて高温に加熱され、
その高温に加熱された酸素を酸素導入管開口部１５より
放出することによりヒータ１６の加熱温度が低い場合で
も水素導入管開口部１３部分の温度が酸素中での水素の
発火温度より高くなり、水素導入管１２から導入された
水素が水素導入管開口部１３から放出された時に直ちに
スムーズに着火し、水素と酸素の燃焼による清浄な水蒸
気が発生する。
内壁に沿って酸素は管１４内を流れる際にヒータ１６に
て加熱された管壁から輻射熱をうけて高温に加熱され、
その高温に加熱された酸素を酸素導入管開口部１５より
放出することによりヒータ１６の加熱温度が低い場合で
も水素導入管開口部１３部分の温度が酸素中での水素の
発火温度より高くなり、水素導入管１２から導入された
水素が水素導入管開口部１３から放出された時に直ちに
スムーズに着火し、水素と酸素の燃焼による清浄な水蒸
気が発生する。
第１図（ｂ）は本発明の一実施例のヒータによる加熱部
分の第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。本実施例で
は、ヒータ１６による加熱効果を高めるため、酸素導入
管１４を酸素導入管開口部１５の口径より太くし、さら
に、半導体基板の炉芯管内への出入りを妨げないために
炉芯管１１の上内壁に取り付けたものである。
分の第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。本実施例で
は、ヒータ１６による加熱効果を高めるため、酸素導入
管１４を酸素導入管開口部１５の口径より太くし、さら
に、半導体基板の炉芯管内への出入りを妨げないために
炉芯管１１の上内壁に取り付けたものである。
本実施例では、酸素の導入管を炉芯管のヒータの加熱部
分を通したが、この他に、水素の導入管を炉芯管のヒー
タによる加熱部分を通すことによっても、酸素の導入管
と水素の導入管の両方を炉芯管のヒータによる加熱部分
を通すことによっても同等の効果が得られる。
分を通したが、この他に、水素の導入管を炉芯管のヒー
タによる加熱部分を通すことによっても、酸素の導入管
と水素の導入管の両方を炉芯管のヒータによる加熱部分
を通すことによっても同等の効果が得られる。
〔発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明によれば、炉のより温
度の低い範囲でスムーズかつ安全な水素の燃焼が可能に
なり、半導体装置の微細化に伴う薄酸化膜の形成や、半
導体装置製造工程において、より低温で水蒸気処理を制
御性良く、安全に行うことができる効果がある。
度の低い範囲でスムーズかつ安全な水素の燃焼が可能に
なり、半導体装置の微細化に伴う薄酸化膜の形成や、半
導体装置製造工程において、より低温で水蒸気処理を制
御性良く、安全に行うことができる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の半導体装置製造装置の縦断面図
、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図は従
来装置を示す縦断面図である。 １１・・・炉芯管、１２・・・水素導入管、１３・・・
水素導入管開口部、１４・・・酸素導入管、１５・・・
酸素導入管開口部、１６・・・ヒータ
、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図は従
来装置を示す縦断面図である。 １１・・・炉芯管、１２・・・水素導入管、１３・・・
水素導入管開口部、１４・・・酸素導入管、１５・・・
酸素導入管開口部、１６・・・ヒータ
Claims (1)
- （１）炉芯管と、該炉芯管内に挿入された酸素導入管及
び水素導入管と、前記炉芯管を加熱させるヒータとを有
し、少なくとも酸素導入管をヒータにより直接加熱され
る前記炉芯管内の管壁に沿って配管したことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11699186A JPS62273734A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11699186A JPS62273734A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273734A true JPS62273734A (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=14700771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11699186A Pending JPS62273734A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62273734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201329U (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-26 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP11699186A patent/JPS62273734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201329U (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62273734A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2598637B2 (ja) | 酸化・拡散装置 | |
| JP3126487B2 (ja) | 酸化処理装置 | |
| JP2541740Y2 (ja) | 水素燃焼式水蒸気発生装置 | |
| JPH088241A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP2585962B2 (ja) | 高圧酸化炉 | |
| JPS626342B2 (ja) | ||
| RU2125692C1 (ru) | Электропечь сопротивления | |
| JPH01205425A (ja) | 酸化炉 | |
| JPS60247933A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60186023A (ja) | 水蒸気処理装置 | |
| JPH01225126A (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
| JPS5892703A (ja) | 燃焼装置 | |
| JPS61125514A (ja) | 廃ガスの燃焼脱臭方法 | |
| JPH05343388A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH051070Y2 (ja) | ||
| JPS6218039A (ja) | 半導体ウエフアの酸化装置 | |
| JPS60245230A (ja) | ウエツト酸素供給装置 | |
| JPH0119038Y2 (ja) | ||
| JPS6358842A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS6360528B2 (ja) | ||
| JPS61207023A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS5497368A (en) | Thermal oxidizing unit | |
| JPS58113315A (ja) | 零囲気熱処理炉 | |
| JPS62185329A (ja) | シリコン酸化装置 |