JPS6227453B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6227453B2 JPS6227453B2 JP9923180A JP9923180A JPS6227453B2 JP S6227453 B2 JPS6227453 B2 JP S6227453B2 JP 9923180 A JP9923180 A JP 9923180A JP 9923180 A JP9923180 A JP 9923180A JP S6227453 B2 JPS6227453 B2 JP S6227453B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- cobalt
- substrate
- perpendicular magnetic
- chromium alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical class [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録において、記録媒体の磁性
膜面内に垂直な残留磁化を用いて記録再生するた
めのコバルト・クロム合金薄膜からなる垂直磁気
記録媒体の製造方法に関する。
膜面内に垂直な残留磁化を用いて記録再生するた
めのコバルト・クロム合金薄膜からなる垂直磁気
記録媒体の製造方法に関する。
現在の磁気記録方式は、主として記録媒体の移
動方向の磁化を用いるため、信号の記録密度を増
加してゆくと媒体内の反磁場が増して残留磁化の
減衰と回転を生じ記録信号の検出が困難になる欠
点がある。
動方向の磁化を用いるため、信号の記録密度を増
加してゆくと媒体内の反磁場が増して残留磁化の
減衰と回転を生じ記録信号の検出が困難になる欠
点がある。
一方、記録媒体の磁性膜面に垂直な残留磁化を
用いる場合には、反磁界は記録密度を増加するに
したがつて減少し、残留磁化が増加するので、高
密度範囲において、優れた記録特性が得られる。
用いる場合には、反磁界は記録密度を増加するに
したがつて減少し、残留磁化が増加するので、高
密度範囲において、優れた記録特性が得られる。
そしてこの垂直磁気記録の媒体として、コバル
ト・クロム合金薄膜が提案されている。
ト・クロム合金薄膜が提案されている。
コバルトは六方晶構造でＣ軸方向に大きな結晶
磁気異方性を有しているため、Ｃ軸を膜面に垂直
に配向させて、垂直磁気記録媒体を得るが、この
時、薄膜形状に起因する反磁界の影響を軽減する
ために、これに15〜20atom％のクロムを添加し
て用いる。
磁気異方性を有しているため、Ｃ軸を膜面に垂直
に配向させて、垂直磁気記録媒体を得るが、この
時、薄膜形状に起因する反磁界の影響を軽減する
ために、これに15〜20atom％のクロムを添加し
て用いる。
本発明は、前記コバルト・クロム合金薄膜から
なる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
なる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
第１図は従来の高周波スパツタリング装置を示
している。１はチヤンバであり、このチヤンバ１
内には基板２とターゲツト３が配置されている。
上記基板２はアースされている。また上記ターゲ
ツト３はコンデンサ４を介して、高周波電源５に
接続されている。６はバリアブルリークバルブ、
７は排気系を示す。
している。１はチヤンバであり、このチヤンバ１
内には基板２とターゲツト３が配置されている。
上記基板２はアースされている。また上記ターゲ
ツト３はコンデンサ４を介して、高周波電源５に
接続されている。６はバリアブルリークバルブ、
７は排気系を示す。
第１図に示す装置を用いるスパツタリングは、
ターゲツト３、基板２間にプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンをターゲツト３に衝突させる
ことによつて行う。この時、雰囲気ガスとして、
通常、10-3〜10-2torrのArガスが導入される。
ターゲツト３、基板２間にプラズマを発生させ、
プラズマ中のイオンをターゲツト３に衝突させる
ことによつて行う。この時、雰囲気ガスとして、
通常、10-3〜10-2torrのArガスが導入される。
この通常のスパツタリングにより、コバルト・
クロム合金薄膜を作製した場合、投入パワー；50
〜200W、Arガス圧；10-3〜８×10-2torr基板温
度、室温〜250℃など各種条件を変化させても、
垂直磁気異方性を有する薄膜を形成できなかつ
た。
クロム合金薄膜を作製した場合、投入パワー；50
〜200W、Arガス圧；10-3〜８×10-2torr基板温
度、室温〜250℃など各種条件を変化させても、
垂直磁気異方性を有する薄膜を形成できなかつ
た。
本発明者らは、上記高周波スパツタリング装置
を用いスパツタリングにより垂直磁気異方性を有
する薄膜を得る製造方法を種々検討した結果、基
板に負電圧を印加した場合にスパツタリングによ
り、垂直磁気異方性を有するコバルト・クロム合
金薄膜が得られることを見い出したものである。
を用いスパツタリングにより垂直磁気異方性を有
する薄膜を得る製造方法を種々検討した結果、基
板に負電圧を印加した場合にスパツタリングによ
り、垂直磁気異方性を有するコバルト・クロム合
金薄膜が得られることを見い出したものである。
以下に本発明の実施例について説明する。
第２図は本発明の製造方法を実施するためのス
パツタリング装置を示しており基板２には直流電
源８により負電圧が印加されている。
パツタリング装置を示しており基板２には直流電
源８により負電圧が印加されている。
まずチヤンバ１内を４×10-7torrまで排気した
後、バリアブルリークバルブ６により、Arガス
を５×10-4torrチヤンバ１内に導入した。そして
メインバルブにより、Arガス圧が５×10-2torrに
なるように調節し、ターゲツト３表面の吸着ガ
ス、汚れを除去するためのプリスパツタをスパツ
タ入力200Wで10分間行つた。
後、バリアブルリークバルブ６により、Arガス
を５×10-4torrチヤンバ１内に導入した。そして
メインバルブにより、Arガス圧が５×10-2torrに
なるように調節し、ターゲツト３表面の吸着ガ
ス、汚れを除去するためのプリスパツタをスパツ
タ入力200Wで10分間行つた。
その後、再びArガス圧を６×10-3〜５×
10-2torrの範囲で調節しスパツタリングを行い、
ポリイミドフイルム上に約１μｍ厚さのコバル
ト・クロム合金薄膜を作製した。この時、基板２
に、−60Vの電圧を印加した。またスパツタリン
グパワーは200W、基板・ターゲツト間距離約７
cm、基板温度は約180℃である。
10-2torrの範囲で調節しスパツタリングを行い、
ポリイミドフイルム上に約１μｍ厚さのコバル
ト・クロム合金薄膜を作製した。この時、基板２
に、−60Vの電圧を印加した。またスパツタリン
グパワーは200W、基板・ターゲツト間距離約７
cm、基板温度は約180℃である。
ターゲツト３は径４インチ、厚さ1/4インチの
Co板上に４mm角、厚さ２mmのCr片を格子状にな
らべたものを使用した。
Co板上に４mm角、厚さ２mmのCr片を格子状にな
らべたものを使用した。
基板加熱は基板ホルダー内に装備されたヒータ
によつて行い、その温度はクロメル−アルメル熱
電対により測定した。
によつて行い、その温度はクロメル−アルメル熱
電対により測定した。
第３図は、以上のように、基板へ−60Vの電圧
を印加して垂直磁気異方性を誘起したコバルト・
クロム合金薄膜を作製した場合の実施例のＸ線回
折チヤートで、Ｘ線源はCuである。
を印加して垂直磁気異方性を誘起したコバルト・
クロム合金薄膜を作製した場合の実施例のＸ線回
折チヤートで、Ｘ線源はCuである。
回折のピークは、回折角２θ44゜〜45゜の角
度で見られる。これはコバルト・クロム合金の
（00.2）面からの回折である。また（10.0）面か
らの回折は、回折角２θ48゜に対応するが、本
実施例では、これらはほとんど存在せず、コバル
ト・クロム合金薄膜のＣ軸は、面内の垂直方向に
強く配向していることが分る。
度で見られる。これはコバルト・クロム合金の
（00.2）面からの回折である。また（10.0）面か
らの回折は、回折角２θ48゜に対応するが、本
実施例では、これらはほとんど存在せず、コバル
ト・クロム合金薄膜のＣ軸は、面内の垂直方向に
強く配向していることが分る。
第４図は、本実施例により得たコバルト・クロ
ム合金薄膜のＢ−Ｈカーブを示しており、実線は
薄膜面内に垂直方向のＢ−Ｈカーブ、破線は薄膜
面内のＢ−Ｈカーブを示している。第４図は、本
実施例により得たコバルト・クロム合金が垂直磁
気異方性を有していることを示している。
ム合金薄膜のＢ−Ｈカーブを示しており、実線は
薄膜面内に垂直方向のＢ−Ｈカーブ、破線は薄膜
面内のＢ−Ｈカーブを示している。第４図は、本
実施例により得たコバルト・クロム合金が垂直磁
気異方性を有していることを示している。
第５図は、基板２に負電圧を印加せず、その他
の条件を、上記実施例と同じにして作製したコバ
ルト・クロム合金薄膜のＸ線回折チヤートであ
る。この場合、（00.2）面からの回折強度も弱
く、（10.0）面、（10.1）面からの回折もみられ、
Ｃ軸が、面内の垂直方向に強く配向していないこ
とを示している。第６図は、上記試料のＢ−Ｈカ
ーブであり、垂直磁気異方性を誘起していないこ
とを示す。
の条件を、上記実施例と同じにして作製したコバ
ルト・クロム合金薄膜のＸ線回折チヤートであ
る。この場合、（00.2）面からの回折強度も弱
く、（10.0）面、（10.1）面からの回折もみられ、
Ｃ軸が、面内の垂直方向に強く配向していないこ
とを示している。第６図は、上記試料のＢ−Ｈカ
ーブであり、垂直磁気異方性を誘起していないこ
とを示す。
第３図、第５図に示すように、コバルト・クロ
ム合金薄膜のＸ線回折チヤートにおいて、
（00.2）面からの回折強度Ｉ（00.2）と（10.1）面
あるいは（10.0）面からの回折強度Ｉ（10.1）、
Ｉ（10.0）との比Ｉ（00.2）／Ｉ（10.1）、Ｉ
（00.2）／Ｉ（10.0）の値と垂直磁気異方性との
間には非常に密接な関係がある。第５図に示す垂
直磁気異方性を誘起しなかつた場合には、Ｉ
（00.2）／Ｉ（10.1）３、Ｉ（002）／Ｉ
（101）５であるのに対し、第３図に示す垂直磁
気異方性を誘起した場合には、Ｉ（00.2）／Ｉ
（10.1）、Ｉ（00.2）／Ｉ（10.0）の値はそれぞれ
100以上となつている。即ち、基板２に印加する
電圧が−10V〜−100Vの範囲内であれば垂直磁気
異方性を有する薄膜が得られるものである。第７
図は、基板印加電圧と回折強度比との関係を示す
もので、Ｉ（00.2）／Ｉ（10.1）の値が100以上
になつた場合だけ、コバルト・クロム合金薄膜は
垂直磁気異方性を誘起するものである。
ム合金薄膜のＸ線回折チヤートにおいて、
（00.2）面からの回折強度Ｉ（00.2）と（10.1）面
あるいは（10.0）面からの回折強度Ｉ（10.1）、
Ｉ（10.0）との比Ｉ（00.2）／Ｉ（10.1）、Ｉ
（00.2）／Ｉ（10.0）の値と垂直磁気異方性との
間には非常に密接な関係がある。第５図に示す垂
直磁気異方性を誘起しなかつた場合には、Ｉ
（00.2）／Ｉ（10.1）３、Ｉ（002）／Ｉ
（101）５であるのに対し、第３図に示す垂直磁
気異方性を誘起した場合には、Ｉ（00.2）／Ｉ
（10.1）、Ｉ（00.2）／Ｉ（10.0）の値はそれぞれ
100以上となつている。即ち、基板２に印加する
電圧が−10V〜−100Vの範囲内であれば垂直磁気
異方性を有する薄膜が得られるものである。第７
図は、基板印加電圧と回折強度比との関係を示す
もので、Ｉ（00.2）／Ｉ（10.1）の値が100以上
になつた場合だけ、コバルト・クロム合金薄膜は
垂直磁気異方性を誘起するものである。
第７図において、第３図に示す場合は、基板電
圧を−60Vとして最も垂直磁気異方性を強く誘起
した場合を示すものであり、第５図に示す場合は
基板電圧を0Vとして垂直磁気異方性を誘起しな
かつた場合を示すものである。
圧を−60Vとして最も垂直磁気異方性を強く誘起
した場合を示すものであり、第５図に示す場合は
基板電圧を0Vとして垂直磁気異方性を誘起しな
かつた場合を示すものである。
また第４図、第６図のＢ−ＨカーブはＩ
（00.2）／Ｉ（10.1）が大きいほど、垂直磁気異
方性は大きく、垂直方向の磁化特性における抗磁
力Hc⊥が増大し、角型比も大きくなり垂直磁気
記録媒体として優れたものになることを示してい
る。
（00.2）／Ｉ（10.1）が大きいほど、垂直磁気異
方性は大きく、垂直方向の磁化特性における抗磁
力Hc⊥が増大し、角型比も大きくなり垂直磁気
記録媒体として優れたものになることを示してい
る。
このような傾向はＩ（00.2）／Ｉ（10.0）の値
についても同様の傾向がある。
についても同様の傾向がある。
本発明は上記のように、高周波スパツタリング
により、コバルト・クロム合金薄膜を形成する際
に、基板に−10V〜−100Vの負電圧を印加し、形
成するコバルト・クロム薄膜の結晶性を制御する
ものであり、本発明によれば容易に垂直磁気異方
性のコバルト・クロム合金薄膜が得られるもので
ある。
により、コバルト・クロム合金薄膜を形成する際
に、基板に−10V〜−100Vの負電圧を印加し、形
成するコバルト・クロム薄膜の結晶性を制御する
ものであり、本発明によれば容易に垂直磁気異方
性のコバルト・クロム合金薄膜が得られるもので
ある。
第１図は従来の高周波スパツタリング装置の概
略図、第２図は本発明の製造方法を実施するため
の高周波スパツタリング装置の概略図、第３図は
本発明の製造方法により製造したコバルト・クロ
ム合金薄膜のＸ線回折チヤート、第４図は同薄膜
のＢ−Ｈカーブを示す図、第５図は従来の製造方
法により製造したコバルト・クロム合金薄膜のＸ
線回折チヤート、第６図は同膜薄のＢ−Ｈカーブ
を示す特性図、第７図は基板印加電圧と回折強度
比との関係を示す特性図である。 １……チヤンバ、２……基板、３……ターゲツ
ト、４……コンデンサ、５……高周波電源、６…
…バリアブルリークバルブ、７……排気系、８…
…直流電源。
略図、第２図は本発明の製造方法を実施するため
の高周波スパツタリング装置の概略図、第３図は
本発明の製造方法により製造したコバルト・クロ
ム合金薄膜のＸ線回折チヤート、第４図は同薄膜
のＢ−Ｈカーブを示す図、第５図は従来の製造方
法により製造したコバルト・クロム合金薄膜のＸ
線回折チヤート、第６図は同膜薄のＢ−Ｈカーブ
を示す特性図、第７図は基板印加電圧と回折強度
比との関係を示す特性図である。 １……チヤンバ、２……基板、３……ターゲツ
ト、４……コンデンサ、５……高周波電源、６…
…バリアブルリークバルブ、７……排気系、８…
…直流電源。
Claims (1)
- １ ターゲツトと基板との間に高周波電圧を印加
し、高周波スパツタリングにより上記基板上にコ
バルト・クロム合金薄膜を形成する垂直磁気記録
媒体の製造方法において、上記基板に−10V〜−
100Vの負の直流電圧を印加し、形成するコバル
ト・クロム合金薄膜のＣ軸を膜面に垂直に配向さ
せるようにしたことを特徴とする垂直磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9923180A JPS5724031A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Production of vertical magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9923180A JPS5724031A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Production of vertical magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5724031A JPS5724031A (en) | 1982-02-08 |
| JPS6227453B2 true JPS6227453B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=14241895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9923180A Granted JPS5724031A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Production of vertical magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5724031A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59215025A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-04 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体の製造法 |
| JPS6076026A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62112226A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH02161617A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体の製造方法 |
| JPH10228621A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| JP2007146574A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Noda Corp | 基板およびこれを使用した建築用板 |
-
1980
- 1980-07-18 JP JP9923180A patent/JPS5724031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5724031A (en) | 1982-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04504023A (ja) | 厚い蒸着コバルト白金磁気フィルムおよびその製法 | |
| EP0140513A1 (en) | Thin film magnetic recording structures | |
| JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
| JPS6227453B2 (ja) | ||
| JPH0582723B2 (ja) | ||
| WO1996027877A1 (en) | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH08180360A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JP2758407B2 (ja) | 極微細柱状晶構造薄膜 | |
| JPH0513323B2 (ja) | ||
| JPS6255207B2 (ja) | ||
| JPH0338655B2 (ja) | ||
| Pan | Investigation into the Microstructure, Magnetic Properties and Read/write Performance of Thin-film Media for Perpendicular Recording Computer Disks | |
| JPH06223355A (ja) | 薄膜磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0334614B2 (ja) | ||
| JPH039532B2 (ja) | ||
| JPH02148417A (ja) | 垂直磁気記録媒体の作製方法 | |
| JPH02232810A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH0261819A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS6138530B2 (ja) | ||
| Tohma et al. | Effect of initial incident angle on magnetic properties of vacuum deposited Co-Cr films | |
| JPH0544728B2 (ja) | ||
| JPS58137134A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH07109809B2 (ja) | ＣｏＣｒ系垂直磁気記録媒体 | |
| JPS61292219A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| Duan | Investigation of cobalt-nickel-chromium thin films for magnetic recording |