JPH039532B2 - - Google Patents
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- JPH039532B2 JPH039532B2 JP58003815A JP381583A JPH039532B2 JP H039532 B2 JPH039532 B2 JP H039532B2 JP 58003815 A JP58003815 A JP 58003815A JP 381583 A JP381583 A JP 381583A JP H039532 B2 JPH039532 B2 JP H039532B2
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- chromium
- cobalt
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- carbon
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明はコバルト・クロム系垂直磁気記録媒体
に関するものである。 磁気記録媒体に高記録密度（短波長）の信号を
記録する場合、記録媒体の面内方向の磁化によつ
て記録を行なう方法よりも、記録媒体の厚さ方
向、すなわち垂直磁化によつて記録を行なう方法
の方が有利であることが知られている。 この垂直磁気記録に用いる記録媒体としては、
膜面に垂直な方向に残留磁化を有する垂直磁化膜
を必要とし、コバルト・クロム（Co−Cr）膜、
バリウムフエライト塗膜、コバルト・ニツケル・
マンガン・リン（Oo−Ni−Mn−Ｐ）膜などが
知られている。なかでも、コバルト・クロム
（Co−Cr）膜は、六方晶の結晶構造を有し、その
Ｃ軸が膜面に垂直に配向した垂直磁化膜が、スパ
ツタリングや蒸着によつて容易に作成できること
から注目されている。この膜では大きい結晶異方
性エネルギーをもつコバルト（Co）の六方晶形
の結晶構造を基本とし、非磁性のクロム（Cr）
を10〜30at％添加することによつて飽和磁化Ms
を低下させ、垂直磁化膜を実現している。 垂直磁化膜としては、コバルト・クロム（Co
−Cr）六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に揃つ
ているほどすぐれており、それは、Ｃ面のＸ線回
折強度が強く、ロツキング・カーブの分散角
Δθ50が小さい、ことにおいて判定できる。 理想的な垂直磁化膜ではΔθ50＝0゜のはずである
が、現実にはＣ軸が垂直方向からずれるため、
Δθ50は、ある大きさ（例えば７〜10゜）をもつも
のが一般である。 これまでの検討により、Ｃ軸の配向性がすぐれ
ているほど、記録密度特性も向上することが明ら
かになつており、より配向性の良いコバルト・ク
ロム（Co−Cr）垂直磁化膜が求められている。 本発明の目的はＣ軸の配向性を、さらに高めた
コバルト・クロム垂直磁化膜を提供することにあ
る。 本発明の垂直磁気記録媒体は、コバルト・クロ
ム垂直磁気記録媒体において、第３の構成元素と
して、カーボンを含有していることを特徴とす
る。 次に、本発明の実施例について説明する。 スパツタ装置内に配置する４インチのコバルト
（Co）ターゲツト上に５mm角・厚さ１mmのクロム
（Cr）ペレツトを面積比で17％、置き、さらに直
径５mm・厚さ１mmのカーボン（Ｃ）ペレツトを面
積比で６％置いた。そして、このターゲツトを下
記条件でスパツタリングして、ガラス基板上にカ
ーボンを含有するコバルト・クロム・カーボン
（Co−Cr−Ｃ）膜を0.5〜1μm厚で形成した。 スパツタパワ 300W アルゴンガス圧 ２×10-2Torr 基板温度 50℃ この試料のカーボン含有量は0.5〜0.6％の範囲
であつた。以上の条件で得られたコバルト・クロ
ム・カーボン（CoCrC）膜の磁気特性を図に示
す。図において、１，２はそれぞれ膜面に垂直方
向及び面内方向に磁界を印加した場合のヒステリ
シス曲線である。また、Ｘ線回折により結晶性を
調べた結果、得られたコバルト・クロム・カーボ
ン（Co−Cr−Ｃ）膜は稠密六方晶構造を有し、
そのＣ軸は膜面に垂直方向に配向していた。この
配向の程度をクロム（Cr）を、同じ量だけ含有
するがカーボン（Ｃ）を含有しない従来のコバル
ト・クロム（Co−Cr）膜と比較した結果を、表
に示す。
に関するものである。 磁気記録媒体に高記録密度（短波長）の信号を
記録する場合、記録媒体の面内方向の磁化によつ
て記録を行なう方法よりも、記録媒体の厚さ方
向、すなわち垂直磁化によつて記録を行なう方法
の方が有利であることが知られている。 この垂直磁気記録に用いる記録媒体としては、
膜面に垂直な方向に残留磁化を有する垂直磁化膜
を必要とし、コバルト・クロム（Co−Cr）膜、
バリウムフエライト塗膜、コバルト・ニツケル・
マンガン・リン（Oo−Ni−Mn−Ｐ）膜などが
知られている。なかでも、コバルト・クロム
（Co−Cr）膜は、六方晶の結晶構造を有し、その
Ｃ軸が膜面に垂直に配向した垂直磁化膜が、スパ
ツタリングや蒸着によつて容易に作成できること
から注目されている。この膜では大きい結晶異方
性エネルギーをもつコバルト（Co）の六方晶形
の結晶構造を基本とし、非磁性のクロム（Cr）
を10〜30at％添加することによつて飽和磁化Ms
を低下させ、垂直磁化膜を実現している。 垂直磁化膜としては、コバルト・クロム（Co
−Cr）六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に揃つ
ているほどすぐれており、それは、Ｃ面のＸ線回
折強度が強く、ロツキング・カーブの分散角
Δθ50が小さい、ことにおいて判定できる。 理想的な垂直磁化膜ではΔθ50＝0゜のはずである
が、現実にはＣ軸が垂直方向からずれるため、
Δθ50は、ある大きさ（例えば７〜10゜）をもつも
のが一般である。 これまでの検討により、Ｃ軸の配向性がすぐれ
ているほど、記録密度特性も向上することが明ら
かになつており、より配向性の良いコバルト・ク
ロム（Co−Cr）垂直磁化膜が求められている。 本発明の目的はＣ軸の配向性を、さらに高めた
コバルト・クロム垂直磁化膜を提供することにあ
る。 本発明の垂直磁気記録媒体は、コバルト・クロ
ム垂直磁気記録媒体において、第３の構成元素と
して、カーボンを含有していることを特徴とす
る。 次に、本発明の実施例について説明する。 スパツタ装置内に配置する４インチのコバルト
（Co）ターゲツト上に５mm角・厚さ１mmのクロム
（Cr）ペレツトを面積比で17％、置き、さらに直
径５mm・厚さ１mmのカーボン（Ｃ）ペレツトを面
積比で６％置いた。そして、このターゲツトを下
記条件でスパツタリングして、ガラス基板上にカ
ーボンを含有するコバルト・クロム・カーボン
（Co−Cr−Ｃ）膜を0.5〜1μm厚で形成した。 スパツタパワ 300W アルゴンガス圧 ２×10-2Torr 基板温度 50℃ この試料のカーボン含有量は0.5〜0.6％の範囲
であつた。以上の条件で得られたコバルト・クロ
ム・カーボン（CoCrC）膜の磁気特性を図に示
す。図において、１，２はそれぞれ膜面に垂直方
向及び面内方向に磁界を印加した場合のヒステリ
シス曲線である。また、Ｘ線回折により結晶性を
調べた結果、得られたコバルト・クロム・カーボ
ン（Co−Cr−Ｃ）膜は稠密六方晶構造を有し、
そのＣ軸は膜面に垂直方向に配向していた。この
配向の程度をクロム（Cr）を、同じ量だけ含有
するがカーボン（Ｃ）を含有しない従来のコバル
ト・クロム（Co−Cr）膜と比較した結果を、表
に示す。
【表】
カーボン（Ｃ）を添加することにより、Ｘ線に
よるＣ軸の回折強度は1.5〜２倍になり、しかも、
このＣ軸の配向性を示すＸ線によるロツキングカ
ーブの分散角Δθ50は、7゜から5゜へと小さくなつて
おり、Ｃ軸の配向性が向上している。これと同様
の傾向が、ポリイミド基板を用いた時にも見られ
た。 以上述べた様に、本発明に係るコバルト・クロ
ム・カーボン（Co−Cr−Ｃ）膜は、従来のコバ
ルト・クロム（Co−Cr）膜よりも磁化容易軸で
あるＣ軸の配向性が良いので、高密度記録用垂直
磁気記録媒体として適している。なおコバルト・
クロム・カーボン膜におけるカーボン量は膜の
種々の磁的特性や記録媒体として必要な特性を劣
化させない範囲に限定されることは当然である。
よるＣ軸の回折強度は1.5〜２倍になり、しかも、
このＣ軸の配向性を示すＸ線によるロツキングカ
ーブの分散角Δθ50は、7゜から5゜へと小さくなつて
おり、Ｃ軸の配向性が向上している。これと同様
の傾向が、ポリイミド基板を用いた時にも見られ
た。 以上述べた様に、本発明に係るコバルト・クロ
ム・カーボン（Co−Cr−Ｃ）膜は、従来のコバ
ルト・クロム（Co−Cr）膜よりも磁化容易軸で
あるＣ軸の配向性が良いので、高密度記録用垂直
磁気記録媒体として適している。なおコバルト・
クロム・カーボン膜におけるカーボン量は膜の
種々の磁的特性や記録媒体として必要な特性を劣
化させない範囲に限定されることは当然である。
図は、本発明に係るコバルト・クロム・カーボ
ン（Co−Cr−Ｃ）膜のヒステリシス特性図。
ン（Co−Cr−Ｃ）膜のヒステリシス特性図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ カーボンを含有していることを特徴とするコ
バルト・クロム系垂直磁気記録媒体。 ２ カーボンの量が0.5％以上である特許請求の
範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003815A JPS59129934A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003815A JPS59129934A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129934A JPS59129934A (ja) | 1984-07-26 |
| JPH039532B2 true JPH039532B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=11567679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003815A Granted JPS59129934A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129934A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083839A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Seagate Technology, Llc | Multilayer perpendicular media with high-boron or high-carbon additives to cocr films |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58003815A patent/JPS59129934A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59129934A (ja) | 1984-07-26 |
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