JPS62274906A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
- Publication number
- JPS62274906A JPS62274906A JP61118786A JP11878686A JPS62274906A JP S62274906 A JPS62274906 A JP S62274906A JP 61118786 A JP61118786 A JP 61118786A JP 11878686 A JP11878686 A JP 11878686A JP S62274906 A JPS62274906 A JP S62274906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- control circuit
- envelope
- circuit
- voltage control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＝３． 発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波帯の線形増幅器として利用する。
本発明は無線送信装置の電力増幅器として利用するに適
する。本発明は電源効率（直流消費電力に対する高周波
出力の効率）の高い高周波増幅器に関するものである。
する。本発明は電源効率（直流消費電力に対する高周波
出力の効率）の高い高周波増幅器に関するものである。
従来、高周波帯の増幅器の電源効率を高める方法として
Ｆ級増幅が知られている。これは、増幅器をスイッチン
グ動作するまで高い入力レベルで駆動させ、さらに出力
整合回路に、信号周波数の高調波に対しては短絡もしく
は開放となり、かつ基本信号周波数に対しては整合する
ようなフィルタ回路を接続し、増幅器内部における電圧
と電流の位相を９０度ずらして電力の消費がほとんどな
くなるようにしたものである。
Ｆ級増幅が知られている。これは、増幅器をスイッチン
グ動作するまで高い入力レベルで駆動させ、さらに出力
整合回路に、信号周波数の高調波に対しては短絡もしく
は開放となり、かつ基本信号周波数に対しては整合する
ようなフィルタ回路を接続し、増幅器内部における電圧
と電流の位相を９０度ずらして電力の消費がほとんどな
くなるようにしたものである。
この従来回路では、電源効率が一定の値以上であること
が必要であり、このために包絡線成分が時間とともに変
化するような信号の増幅には適さ２＜い欠点があった。
が必要であり、このために包絡線成分が時間とともに変
化するような信号の増幅には適さ２＜い欠点があった。
また、線形増幅が可能な増幅形式としては、Ａ級増幅お
よびＢ級増幅があるが、いずれも包絡線のレベル変化が
大きい場合にはレベルが低い領域において電源効率が低
下する欠点があった。
よびＢ級増幅があるが、いずれも包絡線のレベル変化が
大きい場合にはレベルが低い領域において電源効率が低
下する欠点があった。
本発明は、入力信号の包絡線レベルが変化することがあ
り、特に包絡線レベルが低くなる場合にも電源効率が低
下することなく動作する線形増幅器を提供することを目
的とする。
り、特に包絡線レベルが低くなる場合にも電源効率が低
下することなく動作する線形増幅器を提供することを目
的とする。
本発明の第一の発明は、ソース接地またはエミッタ接地
された半導体増幅素子を備えた高周波増幅器において、
この半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の
包絡線成分を検出する回路と、この回路が検出する包絡
線成分にほぼ比例して上記半導体素子のドレイン電極ま
たはコレクタ電極に印加する電圧を変化させる電圧制御
回路とを備えたことを特徴とする。
された半導体増幅素子を備えた高周波増幅器において、
この半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の
包絡線成分を検出する回路と、この回路が検出する包絡
線成分にほぼ比例して上記半導体素子のドレイン電極ま
たはコレクタ電極に印加する電圧を変化させる電圧制御
回路とを備えたことを特徴とする。
本発明の第二の発明は、上記第一の発明の構成に加えて
、入力信号の包絡線成分にほぼ比例して上記半導体素子
の制御電極に印加するバイアス電圧を変化させる第二の
電圧制御回路を備えたことを特徴とする。
。
、入力信号の包絡線成分にほぼ比例して上記半導体素子
の制御電極に印加するバイアス電圧を変化させる第二の
電圧制御回路を備えたことを特徴とする。
。
第一の電圧制御回路は包絡線成分に比例する制御入力電
圧により制御される半導体可変抵抗素子を含むことがで
きる。
圧により制御される半導体可変抵抗素子を含むことがで
きる。
第一の電圧制御回路は、直流直流変換器を含み、その直
流直流変換器は包絡線成分に比例する制御入力端子に応
じてスイッチング周波数が変化するスイッチング回路を
含むことができる。
流直流変換器は包絡線成分に比例する制御入力端子に応
じてスイッチング周波数が変化するスイッチング回路を
含むことができる。
本発明はドレイン電圧（またはコレクタ電圧）を入力信
号の包絡線レベルに比例して変化させることを最も大き
な特徴とする。これにより、入力信号の包絡線の変化に
よらず動作点を電源利用効率が最も高い点に常に維持で
きるようにしたもので、この点が従来の技術となってい
る。
号の包絡線レベルに比例して変化させることを最も大き
な特徴とする。これにより、入力信号の包絡線の変化に
よらず動作点を電源利用効率が最も高い点に常に維持で
きるようにしたもので、この点が従来の技術となってい
る。
第１図は本発明の第一実施例を説明する図であって、図
中符号１は信号入力端子、２は信号出力端子、３は増幅
素子となる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。こ
の増幅器はソース接地形である。符号４は包絡線検波器
、５は直流増幅器、６はドレイン電圧制御回路である。
中符号１は信号入力端子、２は信号出力端子、３は増幅
素子となる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。こ
の増幅器はソース接地形である。符号４は包絡線検波器
、５は直流増幅器、６はドレイン電圧制御回路である。
符号７は直流電圧給電端子である。符号８は直流阻止コ
ンデンサ、９は高周波阻止チョーク、１０はゲートバイ
アス給電端子である。ここで、ドレイン電圧制御回路６
には、トランジスタやＰＩＮダイオードを使用して構成
した可変抵抗回路を用いる場合、あるいはスイッチング
レギュレータのスイッチング周波数を可変にすることに
より出力電圧を可変できるようにした電圧可変直流直流
変換回路を用いる場合などがある。このトレイン電圧制
御回路６については後で詳しく説明する。
ンデンサ、９は高周波阻止チョーク、１０はゲートバイ
アス給電端子である。ここで、ドレイン電圧制御回路６
には、トランジスタやＰＩＮダイオードを使用して構成
した可変抵抗回路を用いる場合、あるいはスイッチング
レギュレータのスイッチング周波数を可変にすることに
より出力電圧を可変できるようにした電圧可変直流直流
変換回路を用いる場合などがある。このトレイン電圧制
御回路６については後で詳しく説明する。
包絡線検波器４は入力信号の包絡線成分を検出する。こ
の包絡線信号は直流増幅器５により増幅されドレイン電
圧制御回路６に入力される。ドレイン電圧制御回路６は
ＦＥＴ３のドレイン電圧を包絡線信号に比例して変化さ
せる。ここでこのドレイン電圧制御回路６は、入力信号
のレベルが最大のときに直流電圧給電端子７から給電さ
れている電圧がＦＥＴ３のドレインに直接印加され、か
つ入力信号のレベルが零のときにドレイン電圧が零とな
るように設定する。
の包絡線信号は直流増幅器５により増幅されドレイン電
圧制御回路６に入力される。ドレイン電圧制御回路６は
ＦＥＴ３のドレイン電圧を包絡線信号に比例して変化さ
せる。ここでこのドレイン電圧制御回路６は、入力信号
のレベルが最大のときに直流電圧給電端子７から給電さ
れている電圧がＦＥＴ３のドレインに直接印加され、か
つ入力信号のレベルが零のときにドレイン電圧が零とな
るように設定する。
つぎにＦ Ｅ Ｔ ３の動作点がＢ級増幅となるように
ゲートバイアスを設定し、かつ信号の増幅が負荷線いっ
ばいになるようなドレイン電圧をＦＥＴ３に対して与え
るように直流増幅器５の増幅度を設定する。
ゲートバイアスを設定し、かつ信号の増幅が負荷線いっ
ばいになるようなドレイン電圧をＦＥＴ３に対して与え
るように直流増幅器５の増幅度を設定する。
このように設定して動作させることにより、ドレイン電
圧の変化と出力信号のレベルの変化量を−・致させるこ
とができる。これにより線形動作が可能となるから、人
力信号のレベルの変化、すなわち入力信号の包絡線の変
化によらず、常に許容できる最大の振幅でＦＥＴをＢ級
増幅器として動作さ−ｌることが可能になる。
圧の変化と出力信号のレベルの変化量を−・致させるこ
とができる。これにより線形動作が可能となるから、人
力信号のレベルの変化、すなわち入力信号の包絡線の変
化によらず、常に許容できる最大の振幅でＦＥＴをＢ級
増幅器として動作さ−ｌることが可能になる。
第２図は入力信号の包絡線の大きいときと小さいときの
二つのレベルに対応した負荷線と出力波形の様子を示し
たものである。同図かられかるように本発明はドレイン
電圧を制御することにより負荷線を変化させ、信号の包
絡線の変化によらず常に最大の電源効率で増幅動作をす
るようにしたものでこの点に最大の特徴がある。
二つのレベルに対応した負荷線と出力波形の様子を示し
たものである。同図かられかるように本発明はドレイン
電圧を制御することにより負荷線を変化させ、信号の包
絡線の変化によらず常に最大の電源効率で増幅動作をす
るようにしたものでこの点に最大の特徴がある。
次に第３図は本発明の第二の実施例を説明する図である
。図中符号１）は高調波阻止フィルタ、１２は基本周波
数同調フィルタ、１３はゲートバイアス電圧制御回路で
ある。符号１５は別の直流増幅器である。
。図中符号１）は高調波阻止フィルタ、１２は基本周波
数同調フィルタ、１３はゲートバイアス電圧制御回路で
ある。符号１５は別の直流増幅器である。
第３図に示す回路はＦ級増幅に対応した回路を示してい
る。包絡線検波器４、直流増幅器５、ドレイン電圧制御
回路６は第１図のものと同様である。ゲートバイアス電
圧制御回路１３は入力信号の包絡線の変化に追従してゲ
ート電圧を変化させ、包絡線の各レベルに対してＦ級と
しての動作が良好に行われるように、ＦＥＴ３のバイア
ス電圧を制御する。高調波阻止フィルタ１）は出力信号
の波形を整形し、ＦＥＴに印加される電圧と電流の位相
差が９０度になるように機能する。基本周波数同調フィ
ルタ１２は基本波出力のみが出力されるように機能する
。これら二つのフィルタはＦ級増幅するために必要な基
本回路であり、このように構成された回路を使用し、さ
らに増幅器をスイッチング動作するまで高い入カレベル
で駆動させることにより、論理的には１００％近い効率
を達成できる。
る。包絡線検波器４、直流増幅器５、ドレイン電圧制御
回路６は第１図のものと同様である。ゲートバイアス電
圧制御回路１３は入力信号の包絡線の変化に追従してゲ
ート電圧を変化させ、包絡線の各レベルに対してＦ級と
しての動作が良好に行われるように、ＦＥＴ３のバイア
ス電圧を制御する。高調波阻止フィルタ１）は出力信号
の波形を整形し、ＦＥＴに印加される電圧と電流の位相
差が９０度になるように機能する。基本周波数同調フィ
ルタ１２は基本波出力のみが出力されるように機能する
。これら二つのフィルタはＦ級増幅するために必要な基
本回路であり、このように構成された回路を使用し、さ
らに増幅器をスイッチング動作するまで高い入カレベル
で駆動させることにより、論理的には１００％近い効率
を達成できる。
第１図の説明で述べた動作と同様に本実施例の場合にも
、トレイン電圧制御回路６は、入力信号の包絡線の変化
に追随してドレイン電圧を変化させる。同時にゲートバ
イアス電圧制御回路１３が、同様に入力信号の包絡線の
変化に追随してゲート電圧を変化させる。この結果、第
４図に示すように負荷線とバイアス点は入力信号の包絡
線変化に追随して変化することになる。図では、ゲート
電圧は包絡線が大きいときと小さいとき、それぞれ７ｇ
１、Ｖ９２により、そのためドレインバイアス電圧もそ
れぞれ■、ｏ、Ｖ、Ｈ’になっている。このようにして
包絡線変化によらず定常的にＦ級で増幅動作することが
できる。すなわちＦ級動作にもかかわらず増幅器は線形
増幅器として機能することになる。
、トレイン電圧制御回路６は、入力信号の包絡線の変化
に追随してドレイン電圧を変化させる。同時にゲートバ
イアス電圧制御回路１３が、同様に入力信号の包絡線の
変化に追随してゲート電圧を変化させる。この結果、第
４図に示すように負荷線とバイアス点は入力信号の包絡
線変化に追随して変化することになる。図では、ゲート
電圧は包絡線が大きいときと小さいとき、それぞれ７ｇ
１、Ｖ９２により、そのためドレインバイアス電圧もそ
れぞれ■、ｏ、Ｖ、Ｈ’になっている。このようにして
包絡線変化によらず定常的にＦ級で増幅動作することが
できる。すなわちＦ級動作にもかかわらず増幅器は線形
増幅器として機能することになる。
以上の説明はＦ級動作についてであったが、入力電力を
過負荷動作まで増大させない場合にはＡ級増幅となるが
、この場合にも同様に入力信号レベルによらず常に負荷
線いっばいに信号を振って増幅することが可能である。
過負荷動作まで増大させない場合にはＡ級増幅となるが
、この場合にも同様に入力信号レベルによらず常に負荷
線いっばいに信号を振って増幅することが可能である。
第５図は本発明第三実施例回路の回路図である。
この例は増幅素子としてハイポーラトランジスク３を用
いたものである。端子】からトランジスタ３のベースに
与えられる高周波信号の包絡線を包絡線検波器４により
検出し、この出力を直流増幅器５で増幅して、コレクタ
電圧制御回路６に与える。コレクタ電圧制御回路６はト
ランジスタ３のコレクタ電圧を入力高周波信号の包絡線
に比例する値に制御する。この構成により、増幅素子が
バイポーラトランジスタであっても同様に電源効率の高
い増幅器が実現できる。
いたものである。端子】からトランジスタ３のベースに
与えられる高周波信号の包絡線を包絡線検波器４により
検出し、この出力を直流増幅器５で増幅して、コレクタ
電圧制御回路６に与える。コレクタ電圧制御回路６はト
ランジスタ３のコレクタ電圧を入力高周波信号の包絡線
に比例する値に制御する。この構成により、増幅素子が
バイポーラトランジスタであっても同様に電源効率の高
い増幅器が実現できる。
第６図は本発明を実施するための電圧制御回路６の構成
の一例を示す図である。端子２１には制御入力が上述の
直流増幅器５から与えられる。この制御入力はトランジ
スタ２３のベースに与えられる。
の一例を示す図である。端子２１には制御入力が上述の
直流増幅器５から与えられる。この制御入力はトランジ
スタ２３のベースに与えられる。
トランジスタ２３は可変抵抗器として作用する。端子７
に与えられる電源電圧はこの制御入力にほぼ比例する電
圧として端子２２に送出される。
に与えられる電源電圧はこの制御入力にほぼ比例する電
圧として端子２２に送出される。
第７図は電圧制御回路６の別の構成例を示す図である。
この例は直流直流変換器を用いたものでその制御精度は
高い。トランス３１の一次側に二つのトランジスタ３２
および３３が、自動発振形のスイッチング素子として接
続される。端子２１に与えられる制御入力により電界効
果トランジスタ３４の特性が変化して、このスイッチン
グ素子の発振周波数を変化させる。トランス３１は一次
側の電圧を昇圧して、その二次側では整流回路３５によ
りこれを整流平滑して直流を得る。この回路により、端
子２１の制御入力にしたがってこの直流直流変換器の動
作発振周波数が変化し、その出力端子２２に送出される
直流電圧を制御入力にほぼ比例するように制御すること
ができる。
高い。トランス３１の一次側に二つのトランジスタ３２
および３３が、自動発振形のスイッチング素子として接
続される。端子２１に与えられる制御入力により電界効
果トランジスタ３４の特性が変化して、このスイッチン
グ素子の発振周波数を変化させる。トランス３１は一次
側の電圧を昇圧して、その二次側では整流回路３５によ
りこれを整流平滑して直流を得る。この回路により、端
子２１の制御入力にしたがってこの直流直流変換器の動
作発振周波数が変化し、その出力端子２２に送出される
直流電圧を制御入力にほぼ比例するように制御すること
ができる。
第８図は電圧制御回路６の別の構成例を示す図である。
この例は端子２１に与えられる制御入力を電圧制御発振
器３６の制御電圧として、制御入力電圧に対応する周波
数の発振出力を得る。この発振出力をトランジスタ３７
によるコレクタ接地シングル形チョッパ増幅器の制御信
号とし、その増幅出力を整流回路３５により整流するこ
とにより出力電圧を得る。
器３６の制御電圧として、制御入力電圧に対応する周波
数の発振出力を得る。この発振出力をトランジスタ３７
によるコレクタ接地シングル形チョッパ増幅器の制御信
号とし、その増幅出力を整流回路３５により整流するこ
とにより出力電圧を得る。
第９図はゲートバイアス用の電圧制御回路１３の一例を
示す回路図である。端子旧には直流増幅器１５から制御
入力が与えられる。端子４２には出力電圧が送出される
。この回路は直流差動増幅器４３を備え、端子４５およ
び４６から正負の直流動作電流が供給される。端子４７
には基準電圧Ｖｓが与えられる。この回路により高周波
増幅器の増幅素子の制御電極に一定の直流バイアス電圧
を与えたうえで、そのバイアス電圧の変化分を制御入力
に比例した値とすることができる。
示す回路図である。端子旧には直流増幅器１５から制御
入力が与えられる。端子４２には出力電圧が送出される
。この回路は直流差動増幅器４３を備え、端子４５およ
び４６から正負の直流動作電流が供給される。端子４７
には基準電圧Ｖｓが与えられる。この回路により高周波
増幅器の増幅素子の制御電極に一定の直流バイアス電圧
を与えたうえで、そのバイアス電圧の変化分を制御入力
に比例した値とすることができる。
第１０図は増幅器の各バイアス形式について、入力信号
レベルに対する増幅効率のシュミレーション結果を示す
図である。図中実線は従来形式によるもの、波線はドレ
イン電圧制御回路としてトランジスタやＰＩＮダイオー
ドを用いて構成した可変抵抗器を適用した場合のもので
、ドレイン制御回路での損失が生じている。一点鎖線は
スイソチンダレギュレータのスイッチング周波数を可変
することにより出力電圧を可変できる電圧可変形の直流
直流変換器（第７図の例）を適用した場合のものであり
、この場合には原理的にはドレイン電圧を損失なしに変
化できる。ここで、Ｖｆｆ１！ＬＸ−、ｖ。
レベルに対する増幅効率のシュミレーション結果を示す
図である。図中実線は従来形式によるもの、波線はドレ
イン電圧制御回路としてトランジスタやＰＩＮダイオー
ドを用いて構成した可変抵抗器を適用した場合のもので
、ドレイン制御回路での損失が生じている。一点鎖線は
スイソチンダレギュレータのスイッチング周波数を可変
することにより出力電圧を可変できる電圧可変形の直流
直流変換器（第７図の例）を適用した場合のものであり
、この場合には原理的にはドレイン電圧を損失なしに変
化できる。ここで、Ｖｆｆ１！ＬＸ−、ｖ。
はそれぞれ出力信号のピーク電圧と直流電圧給電端子７
の給電電圧である。
の給電電圧である。
この結果かられかるように、本発明を適用することによ
り、可変抵抗器型のドレイン電圧制御回路を用いた場合
でも、Ａ級増幅でＶ 、−Ｘ／ Ｖ ａが０．２５〜０
．７５の範囲で約１０％の効率改善が達成されている。
り、可変抵抗器型のドレイン電圧制御回路を用いた場合
でも、Ａ級増幅でＶ 、−Ｘ／ Ｖ ａが０．２５〜０
．７５の範囲で約１０％の効率改善が達成されている。
また、Ｆ級増幅の場合には線形増幅器として機能するよ
うになり、かつその効率はＢ級におけるものよりも２０
％以上良好になっている。ただし、Ｂ級の場合には可変
抵抗器では効率の改善は見られない。しかし、電圧可変
形の直流直流変換器を用いた場合には、Ａ級、Ｂ級、Ｆ
級それぞれについて、従来の場合の最大振幅動作時の効
率を入力信号の包絡線の変化によらず定常的に維持でき
るため高い増幅効率を達成できる。
うになり、かつその効率はＢ級におけるものよりも２０
％以上良好になっている。ただし、Ｂ級の場合には可変
抵抗器では効率の改善は見られない。しかし、電圧可変
形の直流直流変換器を用いた場合には、Ａ級、Ｂ級、Ｆ
級それぞれについて、従来の場合の最大振幅動作時の効
率を入力信号の包絡線の変化によらず定常的に維持でき
るため高い増幅効率を達成できる。
以上の結果から明らかなように、本発明の適用により高
周波増幅器を従来の技術では達成できなかった高い電源
効率で線形増幅動作させることが可能になる。
周波増幅器を従来の技術では達成できなかった高い電源
効率で線形増幅動作させることが可能になる。
以上説明したように、本発明は従来になく高い効率で線
形増幅することが可能であるため、高周波帯の送信用線
形電力増幅器の低消費電力化を達成する方法とし有効で
ある。大電力送信が必要な放送局用の送信器や消費電力
のきわめて低いことが要求される移動通信用無線装置、
ならびに線形変調を用いるマイクロ波通信用の無線装置
に適用しこれらを小形・経済化・低消費電力化できる利
点がある。
形増幅することが可能であるため、高周波帯の送信用線
形電力増幅器の低消費電力化を達成する方法とし有効で
ある。大電力送信が必要な放送局用の送信器や消費電力
のきわめて低いことが要求される移動通信用無線装置、
ならびに線形変調を用いるマイクロ波通信用の無線装置
に適用しこれらを小形・経済化・低消費電力化できる利
点がある。
第１図は本発明の第一実施例回路図。
第２図はこの第一実施例の動作を説明するための負荷線
図と出力波形図。 第３図は本発明の第二実施例回路図。 第４図は第二実施例の動作を説明するための負荷線図と
出力波形図。 第５図は本発明の第三実施例回路の構成図。 第６図は本発明を実施するために使用する電圧制御回路
の構成例を示す図。 第７図は電圧制御回路の別の構成例を示す図。 第８図は電圧制御回路のさらに別の構成例を示す図。 第９図は制御電極に与えるバイアス電圧を制御する電圧
制御回路の構成例を示す図。 第１０図は本発明の効果を示すだめの各バイアス形式に
対する効率のシュミレーション結果を示す図。 １・・・入力端子、２・・・出力端子、３・・・ＦＥＴ
、４・・・包絡線検波器、５・・・直流増幅器、６・・
・ドレイン用またはコレクタ用の電圧制御回路（第一の
電圧制御回路）、７・・・直流電圧給電端子、８・・・
直流阻止コンデンサ、９・・・高周波阻止チョーク、１
０・・・ゲートバイアス給電端子、１）・・・高調波阻
止フィルタ、Ｉ２・・・基本周波数同調フィルタ、１３
・・・ゲートバイアス用の電圧制御回路（第二の電圧制
御回路）、１５・・・直流増幅器、１６・・・第二の電
圧制御回路。 第−実施例 亮 １ 図 兇 ２ 図 肩三尖＠俊ｊ エ ５ 図 制御回路 九 ６ 図 電圧制御回路 萬 ７ 図 電圧制御回路 九８図 電圧制御回路（ゲートへイ了ス用） ０ ０．２５ ０．５ ０．７５
１ｍａｘ ｄ 萬 １０ 図
図と出力波形図。 第３図は本発明の第二実施例回路図。 第４図は第二実施例の動作を説明するための負荷線図と
出力波形図。 第５図は本発明の第三実施例回路の構成図。 第６図は本発明を実施するために使用する電圧制御回路
の構成例を示す図。 第７図は電圧制御回路の別の構成例を示す図。 第８図は電圧制御回路のさらに別の構成例を示す図。 第９図は制御電極に与えるバイアス電圧を制御する電圧
制御回路の構成例を示す図。 第１０図は本発明の効果を示すだめの各バイアス形式に
対する効率のシュミレーション結果を示す図。 １・・・入力端子、２・・・出力端子、３・・・ＦＥＴ
、４・・・包絡線検波器、５・・・直流増幅器、６・・
・ドレイン用またはコレクタ用の電圧制御回路（第一の
電圧制御回路）、７・・・直流電圧給電端子、８・・・
直流阻止コンデンサ、９・・・高周波阻止チョーク、１
０・・・ゲートバイアス給電端子、１）・・・高調波阻
止フィルタ、Ｉ２・・・基本周波数同調フィルタ、１３
・・・ゲートバイアス用の電圧制御回路（第二の電圧制
御回路）、１５・・・直流増幅器、１６・・・第二の電
圧制御回路。 第−実施例 亮 １ 図 兇 ２ 図 肩三尖＠俊ｊ エ ５ 図 制御回路 九 ６ 図 電圧制御回路 萬 ７ 図 電圧制御回路 九８図 電圧制御回路（ゲートへイ了ス用） ０ ０．２５ ０．５ ０．７５
１ｍａｘ ｄ 萬 １０ 図
Claims (4)
- （１）ソース接地またはエミッタ接地された半導体増幅
素子を備えた高周波増幅器において、 この半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の
包絡線成分を検出する回路と、 この回路が検出する包絡線成分にほぼ比例して上記半導
体素子のドレイン電極またはコレクタ電極に印加する電
圧を変化させる電圧制御回路とを備えたことを特徴とす
る高周波増幅器。 - （２）ソース接地またはエミッタ接地された半導体増幅
素子を備えた高周波増幅器において、 この半導体増幅素子の制御電極に印加される入力信号の
包絡線成分を検出する回路と、 この回路が検出する包絡線成分にほぼ比例して上記半導
体素子のドレイン電極またはコレクタ電極に印加する電
圧を変化させる第一の電圧制御回路と、 前記包絡線成分にほぼ比例して上記半導体素子の制御電
極に印加するバイアス電圧を変化させる第二の電圧制御
回路と を備えたことを特徴とする高周波増幅器。 - （３）第一の電圧制御回路は包絡線成分に比例する制御
入力電圧により制御される半導体可変抵抗素子を含む特
許請求の範囲第（２）項に記載の高周波増幅器。 - （４）第一の電圧制御回路は、直流直流変換器を含み、
その直流直流変換器は包絡線成分に比例する制御入力電
圧に応じてスイッチング周波数が変化するスイッチング
回路を含む特許請求の範囲第（２）項に記載の高周波増
幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61118786A JPH0669002B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61118786A JPH0669002B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 高周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274906A true JPS62274906A (ja) | 1987-11-28 |
| JPH0669002B2 JPH0669002B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=14745051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61118786A Expired - Lifetime JPH0669002B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669002B2 (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265605A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段出力制御装置 |
| JPH02149108A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Corp | ゲート電圧制御回路 |
| WO1991000653A1 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Linear transmitter |
| US5422598A (en) * | 1992-12-28 | 1995-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency power amplifier device with drain-control linearizer circuitry |
| JPH07273560A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| WO2002003546A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| WO2002003545A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| US6388530B1 (en) | 1998-12-28 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Microwave amplifier implemented by heterojunction field effect transistors |
| JP2002208823A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 増幅回路 |
| US7116946B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmitter |
| JP2007081561A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器及び無線通信装置 |
| US7209715B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power amplifying method, power amplifier, and communication apparatus |
| JP2007215248A (ja) * | 2007-05-30 | 2007-08-23 | Sony Corp | 電力増幅装置およびこれを用いた無線通信装置 |
| KR100801872B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-02-11 | 지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드 | 선형성이 개선된 저잡음 증폭기 |
| JP2009296633A (ja) * | 2000-11-24 | 2009-12-17 | Qualcomm Inc | 増幅器回路 |
| EP1861923A4 (en) * | 2005-03-21 | 2010-01-06 | Skyworks Solutions Inc | BIAS CONTROL TO REDUCE AMPLIFIER POWER AND LINEARITY MANAGEMENT |
| US7729674B2 (en) | 2007-01-09 | 2010-06-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiband or multimode receiver with shared bias circuit |
| JP2012004619A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅装置 |
| US8183917B2 (en) | 2010-06-04 | 2012-05-22 | Quantance, Inc. | RF power amplifier circuit with mismatch tolerance |
| JP5131200B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2013-01-30 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器 |
| JPWO2013031865A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 国立大学法人電気通信大学 | 高効率電力増幅器 |
| WO2023153526A1 (ja) * | 2022-02-14 | 2023-08-17 | 株式会社村田製作所 | リミッタ回路及び電力増幅回路 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005574A2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A communication system and arrangements comprising such a communication system |
| US8428181B2 (en) | 2002-12-02 | 2013-04-23 | Research In Motion Limited | Method and apparatus for optimizing transmitter power efficiency |
| US7907920B2 (en) * | 2006-06-14 | 2011-03-15 | Research In Motion Limited | Control of switcher regulated power amplifier modules |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723309A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Electric power amplifying circuit of pulse width modulation system |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61118786A patent/JPH0669002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723309A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Electric power amplifying circuit of pulse width modulation system |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265605A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段出力制御装置 |
| JPH02149108A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Corp | ゲート電圧制御回路 |
| WO1991000653A1 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Linear transmitter |
| US5251330A (en) * | 1989-06-30 | 1993-10-05 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Linear transmitter |
| US5422598A (en) * | 1992-12-28 | 1995-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency power amplifier device with drain-control linearizer circuitry |
| JPH07273560A (ja) * | 1994-04-01 | 1995-10-20 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| US6388530B1 (en) | 1998-12-28 | 2002-05-14 | Nec Corporation | Microwave amplifier implemented by heterojunction field effect transistors |
| WO2002003546A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| WO2002003545A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
| US6650181B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-11-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
| US6873208B2 (en) | 2000-06-30 | 2005-03-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
| JP2009296633A (ja) * | 2000-11-24 | 2009-12-17 | Qualcomm Inc | 増幅器回路 |
| JP2002208823A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 増幅回路 |
| US7209715B2 (en) | 2002-07-30 | 2007-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power amplifying method, power amplifier, and communication apparatus |
| US7116946B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transmitter |
| EP1861923A4 (en) * | 2005-03-21 | 2010-01-06 | Skyworks Solutions Inc | BIAS CONTROL TO REDUCE AMPLIFIER POWER AND LINEARITY MANAGEMENT |
| JP2007081561A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器及び無線通信装置 |
| KR100801872B1 (ko) | 2006-10-30 | 2008-02-11 | 지씨티 세미컨덕터 인코포레이티드 | 선형성이 개선된 저잡음 증폭기 |
| US7729674B2 (en) | 2007-01-09 | 2010-06-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiband or multimode receiver with shared bias circuit |
| JP5131200B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2013-01-30 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器 |
| JP2007215248A (ja) * | 2007-05-30 | 2007-08-23 | Sony Corp | 電力増幅装置およびこれを用いた無線通信装置 |
| US8183917B2 (en) | 2010-06-04 | 2012-05-22 | Quantance, Inc. | RF power amplifier circuit with mismatch tolerance |
| US8400217B2 (en) | 2010-06-04 | 2013-03-19 | Quantance, Inc. | RF power amplifier circuit with mismatch tolerance |
| US8710925B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-29 | Quantance, Inc. | RF power amplifier circuit with mismatch tolerance |
| JP2012004619A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅装置 |
| JPWO2013031865A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2015-03-23 | 国立大学法人電気通信大学 | 高効率電力増幅器 |
| WO2023153526A1 (ja) * | 2022-02-14 | 2023-08-17 | 株式会社村田製作所 | リミッタ回路及び電力増幅回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669002B2 (ja) | 1994-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62274906A (ja) | 高周波増幅器 | |
| US11588513B2 (en) | Integrated RF front end with stacked transistor switch | |
| EP2884586B1 (en) | Intergrated rf front end | |
| US5493255A (en) | Bias control circuit for an RF power amplifier | |
| EP0431201A1 (en) | Linear transmitter | |
| KR20010006525A (ko) | 이동무선장치의 배터리 수명 연장 방법 및 이동무선장치 | |
| KR20040099676A (ko) | 집적 가능한 전압조정 초고주파 전력 증폭기 | |
| US6624700B2 (en) | Radio frequency power amplifier for cellular telephones | |
| US5757237A (en) | Method for dynamically biasing an amplifier and circuit therefor | |
| EP1348254B1 (en) | Amplifier circuit | |
| JP2689011B2 (ja) | 線形送信装置 | |
| US4158182A (en) | Low noise oscillator circuit | |
| US11114982B2 (en) | Power amplifier circuit | |
| US4319196A (en) | Temperature compensated wide dynamic range linear envelope detector | |
| EP1352468B1 (en) | Power amplifier (pa) with increased dynamics and efficiency | |
| AU705429B2 (en) | Bias controller for decreasing bias current supplied to amplifier without sacrifice of distortion | |
| US6657494B2 (en) | Variable gain mixer-amplifier with fixed DC operating voltage level | |
| JPS62277806A (ja) | 高周波増幅器 | |
| JPH05259766A (ja) | 可変利得増幅器を具える集積回路 | |
| US20060202756A1 (en) | Radio-frequency power amplifier apparatus and method of adjusting output power thereof | |
| US4085389A (en) | Amplitude modulation circuit | |
| EP1876704B1 (en) | Regulation of an amplification apparatus | |
| US6271737B1 (en) | Communication device with feedback for cancellation of perturbations | |
| US6967533B2 (en) | Arrangement for saving energy in transmitter | |
| US5210508A (en) | High-frequency amplifier of a radio transmitter |