JPH02149108A - ゲート電圧制御回路 - Google Patents
ゲート電圧制御回路Info
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- JPH02149108A JPH02149108A JP63303068A JP30306888A JPH02149108A JP H02149108 A JPH02149108 A JP H02149108A JP 63303068 A JP63303068 A JP 63303068A JP 30306888 A JP30306888 A JP 30306888A JP H02149108 A JPH02149108 A JP H02149108A
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- JP
- Japan
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- fet
- gate voltage
- gate
- frequency signal
- high frequency
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0266—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/195—A hybrid coupler being used as power measuring circuit at the input of an amplifier circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のドレイン電
流制御を行うためのゲート電圧制御回路に関し、特に非
稼働時の消費電力を低減したゲート電圧制御回路に関す
る。
流制御を行うためのゲート電圧制御回路に関し、特に非
稼働時の消費電力を低減したゲート電圧制御回路に関す
る。
従来、ＦＥＴを用いたゲート電圧制御回路として固定バ
イアスを用いた回路が利用されている。
イアスを用いた回路が利用されている。
第２図はその一例であり、ＦＥＴＩのゲートには直流カ
ットコンデンサ３を介して高周波信号入力ポート２を接
続し、またドレインには直流カットコンデンサ５を介し
て高周波信号出力ポート４を接続し、またドレインバイ
アスポート６を接続している。そして、ゲート電圧制御
回路として、ＦＥＴＩのゲートに可変抵抗器１０を介し
てゲート電圧バイアスポート１１を接続し、このバイア
スポート１１に印加されるゲートバイアス電圧を可変抵
抗器１０によって調節してＦＥＴＩのゲートに印加して
いる。
ットコンデンサ３を介して高周波信号入力ポート２を接
続し、またドレインには直流カットコンデンサ５を介し
て高周波信号出力ポート４を接続し、またドレインバイ
アスポート６を接続している。そして、ゲート電圧制御
回路として、ＦＥＴＩのゲートに可変抵抗器１０を介し
てゲート電圧バイアスポート１１を接続し、このバイア
スポート１１に印加されるゲートバイアス電圧を可変抵
抗器１０によって調節してＦＥＴＩのゲートに印加して
いる。
上述した従来のゲート電圧制御回路では、可変抵抗器１
０によってゲートバイアス電圧が一義的に設定されるた
め、ＦＥＴＩに高周波信号が入力されていない場合でも
、ある一定のドレイン電流が常時流れている。このため
、ＦＥＴ１で大電力の増幅器等を構成した場合には、非
稼働時にも大量のドレイン電流が流れ、大きな電力が消
費されるという問題がある。
０によってゲートバイアス電圧が一義的に設定されるた
め、ＦＥＴＩに高周波信号が入力されていない場合でも
、ある一定のドレイン電流が常時流れている。このため
、ＦＥＴ１で大電力の増幅器等を構成した場合には、非
稼働時にも大量のドレイン電流が流れ、大きな電力が消
費されるという問題がある。
また、増幅器を多段に構成する際に、低消費電力化、各
段のドライブレベル等を考慮しなければならないため、
増幅器の混変調歪特性のばらつきを改善するには多種の
ＦＥＴ、ハイブリッドＩＣを必要とし、高周波回路部、
直流バイアス回路部の回路構成が複雑になるという問題
もある。
段のドライブレベル等を考慮しなければならないため、
増幅器の混変調歪特性のばらつきを改善するには多種の
ＦＥＴ、ハイブリッドＩＣを必要とし、高周波回路部、
直流バイアス回路部の回路構成が複雑になるという問題
もある。
本発明はこれらの問題を解消するためにＦＥＴの消費電
力の低減を可能にしたゲート電圧制御回路を提供するこ
とを目的とする。
力の低減を可能にしたゲート電圧制御回路を提供するこ
とを目的とする。
本発明のゲート電圧制御回路は、ＦＥＴに入力される高
周波信号の一部を取り出す方向性結合器と、この方向性
結合器で取り出した高周波信号を検波する検波器と、こ
の検波器で検波した信号に基づいてＦＥＴのゲートに印
加する電圧を制御するゲート電圧制御器とを備えている
。
周波信号の一部を取り出す方向性結合器と、この方向性
結合器で取り出した高周波信号を検波する検波器と、こ
の検波器で検波した信号に基づいてＦＥＴのゲートに印
加する電圧を制御するゲート電圧制御器とを備えている
。
上述した構成では、高周波信号が入力されない非稼働時
にはゲート電圧制御器からＦＥＴに印加するゲート電圧
をピンチオフ電圧以下とし、ＦＥＴのドレイン電流を低
減ないし零にして消費電力を低減する。
にはゲート電圧制御器からＦＥＴに印加するゲート電圧
をピンチオフ電圧以下とし、ＦＥＴのドレイン電流を低
減ないし零にして消費電力を低減する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。図において
、ＦＥＴＩのゲートには直流カットコンデンサ３を介し
て高周波信号入力ポート２を接続し、またドレインには
直流カットコンデンサ５を介して高周波信号出力ポート
４を接続し、またドレインバイアスポート６を接続して
いる。そして、ゲート電圧制御回路として、前記ＦＥＴ
Ｉのゲートに方向性結合器７を接続して入力される高周
波信号の一部を取り出すように構成し、この高周波信号
の取出線路に検波器８とゲート電圧制御器９を接続し、
このゲート電圧制御器９の出力をＦＥＴ１のゲートに出
力するように構成しているやこの構成によれば、高周波
信号入力ポート３に入力された高周波信号の一部を検波
器８で検波することにより高周波信号の電力レベルをモ
ニターすることができる。そして、この検波した電圧を
ゲート電圧制御器９において制御し、この電圧をゲート
電圧としてＦＥＴＩに入力させることにより、ゲートバ
イアスを制御しドレインバイアスポート６から印加され
るドレイン電流を制御することが可能になる。
、ＦＥＴＩのゲートには直流カットコンデンサ３を介し
て高周波信号入力ポート２を接続し、またドレインには
直流カットコンデンサ５を介して高周波信号出力ポート
４を接続し、またドレインバイアスポート６を接続して
いる。そして、ゲート電圧制御回路として、前記ＦＥＴ
Ｉのゲートに方向性結合器７を接続して入力される高周
波信号の一部を取り出すように構成し、この高周波信号
の取出線路に検波器８とゲート電圧制御器９を接続し、
このゲート電圧制御器９の出力をＦＥＴ１のゲートに出
力するように構成しているやこの構成によれば、高周波
信号入力ポート３に入力された高周波信号の一部を検波
器８で検波することにより高周波信号の電力レベルをモ
ニターすることができる。そして、この検波した電圧を
ゲート電圧制御器９において制御し、この電圧をゲート
電圧としてＦＥＴＩに入力させることにより、ゲートバ
イアスを制御しドレインバイアスポート６から印加され
るドレイン電流を制御することが可能になる。
したがって、高周波信号の入力レベルが低いときにはド
レイン電流を抑制し、入力レベルが上昇するのに従って
ドレイン電流を増加させるようにゲート電圧制御器９を
設定しておけば、非稼働時、つまり入力電力が検波器８
で検出されない場合は、ゲート電圧がピンチオフ電圧に
達し、ドレイン電流が流れな（なり、消費電力の低減を
可能とする。
レイン電流を抑制し、入力レベルが上昇するのに従って
ドレイン電流を増加させるようにゲート電圧制御器９を
設定しておけば、非稼働時、つまり入力電力が検波器８
で検出されない場合は、ゲート電圧がピンチオフ電圧に
達し、ドレイン電流が流れな（なり、消費電力の低減を
可能とする。
これにより、ＦＥＴで大電力増幅器を構成した場合にも
、非稼働時における消費電力を低減できる。また、同等
の混変調歪特性を得るために、高周波回路部や直流バイ
アス回路部の回路構成を簡略化することが可能となる。
、非稼働時における消費電力を低減できる。また、同等
の混変調歪特性を得るために、高周波回路部や直流バイ
アス回路部の回路構成を簡略化することが可能となる。
以上説明したように本発明は、ＦＥＴに人力される高周
波信号を検波し、この検波信号に基づいてＦＥＴのゲー
トに印加する電圧をゲート電圧制御器で制御するように
構成しているので、高周波信号が入力されない非稼働時
にはゲート電圧制御器からＦＥＴに印加するゲート電圧
をピンチオフ電圧以下とし、ＦＥＴのドレイン電流を低
減して消費電力の低減を図ることができる効果がある。
波信号を検波し、この検波信号に基づいてＦＥＴのゲー
トに印加する電圧をゲート電圧制御器で制御するように
構成しているので、高周波信号が入力されない非稼働時
にはゲート電圧制御器からＦＥＴに印加するゲート電圧
をピンチオフ電圧以下とし、ＦＥＴのドレイン電流を低
減して消費電力の低減を図ることができる効果がある。
また、ＦＥＴの混変調歪特性のばらつきを補正し、かつ
混変調歪特性の温度補償も実現できる効果がある。
混変調歪特性の温度補償も実現できる効果がある。
第１図は本発明の・一実施例の回路図、第２図は従来の
ゲート電圧制御回路の回路図である。
ゲート電圧制御回路の回路図である。
Claims (1)
- １、ＦＥＴのゲートに印加するゲート電圧を制御するゲ
ート電圧制御回路において、前記ＦＥＴに入力される高
周波信号の一部を取り出す方向性結合器と、この方向性
結合器で取り出した高周波信号を検波する検波器と、こ
の検波器で検波した信号に基づいて前記ＦＥＴのゲート
に印加する電圧を制御するゲート電圧制御器とを備える
ことを特徴とするゲート電圧制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303068A JPH02149108A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | ゲート電圧制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63303068A JPH02149108A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | ゲート電圧制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149108A true JPH02149108A (ja) | 1990-06-07 |
Family
ID=17916511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63303068A Pending JPH02149108A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | ゲート電圧制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02149108A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363058A (en) * | 1992-03-19 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplifier having linear input-output characteristics and high efficiency |
| US5532646A (en) * | 1993-11-30 | 1996-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency power amplifier |
| JPH08237041A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | 高周波増幅器 |
| WO2002003543A1 (fr) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
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| WO2003073605A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Fujitsu Limited | Amplificateur haute frequence |
| JP2004534471A (ja) * | 2001-07-06 | 2004-11-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 通信システムおよびかかる通信システムを備える装置 |
| EP1783896A3 (en) * | 2005-11-04 | 2008-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for optimizing gate bias of radio frequency amplifier and method thereof |
| WO2008136124A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Panasonic Corporation | 増幅器 |
| EP1861923A4 (en) * | 2005-03-21 | 2010-01-06 | Skyworks Solutions Inc | BIAS CONTROL TO REDUCE AMPLIFIER POWER AND LINEARITY MANAGEMENT |
| US7729674B2 (en) | 2007-01-09 | 2010-06-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Multiband or multimode receiver with shared bias circuit |
| WO2015121891A1 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-20 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274906A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波増幅器 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63303068A patent/JPH02149108A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002003544A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High-frequency amplifier |
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| WO2008136124A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Panasonic Corporation | 増幅器 |
| JPWO2008136124A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 増幅器 |
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