JPS6227569A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPS6227569A JPS6227569A JP16548485A JP16548485A JPS6227569A JP S6227569 A JPS6227569 A JP S6227569A JP 16548485 A JP16548485 A JP 16548485A JP 16548485 A JP16548485 A JP 16548485A JP S6227569 A JPS6227569 A JP S6227569A
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- Japan
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- film
- tank
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、成膜槽内壁面への薄膜形成物質の付着を防止
し、成膜槽内の汚染を防ぐ防着機構を有する薄膜製造装
置に関する。
し、成膜槽内の汚染を防ぐ防着機構を有する薄膜製造装
置に関する。
近年、各産業分野、特にエレクトロニクス分野において
は、各種物質を薄膜として利用することが多い。薄膜の
形成には真空蒸着、スー（ツタリング、常圧熱ＣＶＤ
、減圧熱ＣＶＤ 、プラス７ ＣＶＤ 。
は、各種物質を薄膜として利用することが多い。薄膜の
形成には真空蒸着、スー（ツタリング、常圧熱ＣＶＤ
、減圧熱ＣＶＤ 、プラス７ ＣＶＤ 。
ＭＯＣＶＤなどの方法が一般に知られている。これらの
方法に用いられる製造装置においては、所定の基板の上
に薄膜を形成する際、基板以外の部分、例えば装置の成
膜槽内−面などにも、薄膜形成物質が膜状、粉末状ある
いはフレーク状などで付着する。このような付着物質は
付着個所よシ剥離しやすく粉塵となって飛散して成膜環
境を悪化させ、形成中の薄膜内に粉塵が混入し、希望す
る良好な薄膜を得る妨げとなる。これを避けるために、
従来は成膜槽内壁温度を制御する、あるいは成膜槽内壁
をあらすなどして付着二吻質がはげ落ちにくいような状
態にし、定期的に装置の運転を停止して成膜槽内壁の付
着物質を剥離しクリーングしていた。あるいは、成膜槽
内壁をカバーするような防着板を設け、この板に薄膜形
成物質を付着させ、防着板を定期的に交換することによ
り付着物質による成膜環境の汚染を防いでいた、しかし
、このような方法では、成膜槽内を清浄に保つために装
置の運転を定期的に停止させる必要があυ、また、運転
再開時には、付°着物質を除去した後の壁面に、あるい
は交換した防着板面に吸着した水分、ガスなどを除く九
めに薄膜形成作業に入る前に装置の空運転を行う必要が
あった。
方法に用いられる製造装置においては、所定の基板の上
に薄膜を形成する際、基板以外の部分、例えば装置の成
膜槽内−面などにも、薄膜形成物質が膜状、粉末状ある
いはフレーク状などで付着する。このような付着物質は
付着個所よシ剥離しやすく粉塵となって飛散して成膜環
境を悪化させ、形成中の薄膜内に粉塵が混入し、希望す
る良好な薄膜を得る妨げとなる。これを避けるために、
従来は成膜槽内壁温度を制御する、あるいは成膜槽内壁
をあらすなどして付着二吻質がはげ落ちにくいような状
態にし、定期的に装置の運転を停止して成膜槽内壁の付
着物質を剥離しクリーングしていた。あるいは、成膜槽
内壁をカバーするような防着板を設け、この板に薄膜形
成物質を付着させ、防着板を定期的に交換することによ
り付着物質による成膜環境の汚染を防いでいた、しかし
、このような方法では、成膜槽内を清浄に保つために装
置の運転を定期的に停止させる必要があυ、また、運転
再開時には、付°着物質を除去した後の壁面に、あるい
は交換した防着板面に吸着した水分、ガスなどを除く九
めに薄膜形成作業に入る前に装置の空運転を行う必要が
あった。
・〔発明の目的〕
本発明は、前述の欠点を除去し、装置を停止して付着物
質を除去することなく、装置の成膜槽内を常に清浄な環
境に維持して高品質の膜を安定して製造し得るような、
薄膜製造装置を提供することを目的とする。
質を除去することなく、装置の成膜槽内を常に清浄な環
境に維持して高品質の膜を安定して製造し得るような、
薄膜製造装置を提供することを目的とする。
本発明の目的は、薄膜製造装置に、成膜槽の雰囲気を破
ることなしに、外部から槽内へ長尺の防着板を連続して
供給し、この防着板を成膜槽内壁に宿って移動させた後
、成膜槽外へ気密に送出することが可能な防着機構を設
けることによシ達成される。
ることなしに、外部から槽内へ長尺の防着板を連続して
供給し、この防着板を成膜槽内壁に宿って移動させた後
、成膜槽外へ気密に送出することが可能な防着機構を設
けることによシ達成される。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第１図はプラズマ０ＶＤ装置における本発明の一実施例
を原理的に示す断面図であって、反応槽である成膜槽１
内を真空バルブ１４を介して真空に排気し、ガス供給バ
ルブ１５を介して成膜に必要なガスを供給し、バルブ１
４とバルブ１５によ）成膜槽内のガス圧を所要の範囲に
制御しながら基板トレー３と電極４との間に高周波電力
によりプラズマを発生させ、基板トレー３に装着された
被成膜基板５の上に薄膜を形成する。なお基板トレー３
、従って基′ｆＩＬ５は加熱源２により所要の温度に制
御される。その際、薄膜形成物質である反応生成物は基
板５に付着して薄膜を形成するだけでなく成膜槽１の内
Ｊ！面のいたる所に付着し、その堆積量は薄膜の成膜量
とともに増大し、付着物質が再飛散して成膜環境を汚染
する。そこで実施例に訃いては屈曲性で長尺の防着板を
ロールに巻いて収納し気密弁７により気密に保持してい
る気密カセット（以下単にカセットとも称す）６から、
成膜槽１に設けられている気密仕切り弁８を介して気密
に成膜槽内へ防着板９を供給しテンションローラ１０に
よシ防着板９を成膜槽内壁に旧ってたわみなどが生じな
いように張シわたし、矢印の方向に移動させて別の気密
仕切り弁１３を介して気密に気密弁１２を有する気密カ
セット１１内のロールに巻き取るような機構を設ける。
を原理的に示す断面図であって、反応槽である成膜槽１
内を真空バルブ１４を介して真空に排気し、ガス供給バ
ルブ１５を介して成膜に必要なガスを供給し、バルブ１
４とバルブ１５によ）成膜槽内のガス圧を所要の範囲に
制御しながら基板トレー３と電極４との間に高周波電力
によりプラズマを発生させ、基板トレー３に装着された
被成膜基板５の上に薄膜を形成する。なお基板トレー３
、従って基′ｆＩＬ５は加熱源２により所要の温度に制
御される。その際、薄膜形成物質である反応生成物は基
板５に付着して薄膜を形成するだけでなく成膜槽１の内
Ｊ！面のいたる所に付着し、その堆積量は薄膜の成膜量
とともに増大し、付着物質が再飛散して成膜環境を汚染
する。そこで実施例に訃いては屈曲性で長尺の防着板を
ロールに巻いて収納し気密弁７により気密に保持してい
る気密カセット（以下単にカセットとも称す）６から、
成膜槽１に設けられている気密仕切り弁８を介して気密
に成膜槽内へ防着板９を供給しテンションローラ１０に
よシ防着板９を成膜槽内壁に旧ってたわみなどが生じな
いように張シわたし、矢印の方向に移動させて別の気密
仕切り弁１３を介して気密に気密弁１２を有する気密カ
セット１１内のロールに巻き取るような機構を設ける。
このような機構によシ、薄膜形成時成膜槽内壁面に向っ
て飛来する反応生成物をこの防着板９の表面に付着させ
、この反応生成物の付着した防着板を遂次カセット１１
内に巻き取シそれにつれて成膜槽内壁面上には新しい防
着板がカセット６より供給されてくることになり、成膜
槽内は内壁面からの付着物質の剥離、飛散がなくなシ清
浄な環境下で薄膜の形成を続けることが可能となる。
て飛来する反応生成物をこの防着板９の表面に付着させ
、この反応生成物の付着した防着板を遂次カセット１１
内に巻き取シそれにつれて成膜槽内壁面上には新しい防
着板がカセット６より供給されてくることになり、成膜
槽内は内壁面からの付着物質の剥離、飛散がなくなシ清
浄な環境下で薄膜の形成を続けることが可能となる。
本実施例においては防着板９の供給および巻き取りは成
膜槽に形成された気密の仕切シ弁８，１３を介して、成
膜槽の外部に気密に取シ付けられたカセット６ 、 Ｉ
ＩＫよって行なわれる。従って薄膜製造装置の運転中に
も成膜槽ｌの雰囲気を破ることなくこれらのカセットの
着脱ができる。かくして、基板トレーに装着された基板
を雰囲気を破ることなく自動供給して連続して繰り返し
成膜する装置、あるいは長尺のシート状基板に成膜する
装置のように長期間連続運転される連続薄膜製造装置の
場合でも、装置の運転を止めることなく新旧カセットの
交換ができ常に新しい防着板の供給が可能となるので、
成膜槽内の成膜環境を汚染することなく装置の正常運転
を永続することができるようになシ、その結果、品質の
安定した良好な薄膜を継続して得ることが可能となる。
膜槽に形成された気密の仕切シ弁８，１３を介して、成
膜槽の外部に気密に取シ付けられたカセット６ 、 Ｉ
ＩＫよって行なわれる。従って薄膜製造装置の運転中に
も成膜槽ｌの雰囲気を破ることなくこれらのカセットの
着脱ができる。かくして、基板トレーに装着された基板
を雰囲気を破ることなく自動供給して連続して繰り返し
成膜する装置、あるいは長尺のシート状基板に成膜する
装置のように長期間連続運転される連続薄膜製造装置の
場合でも、装置の運転を止めることなく新旧カセットの
交換ができ常に新しい防着板の供給が可能となるので、
成膜槽内の成膜環境を汚染することなく装置の正常運転
を永続することができるようになシ、その結果、品質の
安定した良好な薄膜を継続して得ることが可能となる。
新しいカセットを装着した時、成膜槽内に供給されてく
る新しい防着板を槽内壁面に６って張シわたし防着板を
巻き取るカセットまで導びく操作は周知のオートローデ
ィング機構（図示はされていない）を用いて行なう。ま
た、防着板の移動は連続的でも間欠的でもよい。
る新しい防着板を槽内壁面に６って張シわたし防着板を
巻き取るカセットまで導びく操作は周知のオートローデ
ィング機構（図示はされていない）を用いて行なう。ま
た、防着板の移動は連続的でも間欠的でもよい。
防着板は成膜槽内雰囲気において物理的、化学的に安定
な物質で構成されなければならずステンレンス板が多用
されるが、雰囲気によってはアルミニウムなどの金属あ
るいは各種有機物板を用いることも可能である。
な物質で構成されなければならずステンレンス板が多用
されるが、雰囲気によってはアルミニウムなどの金属あ
るいは各種有機物板を用いることも可能である。
また、防着板は適切な前処理を施さずに使用すると、付
着している汚れや吸着している水分、ガスなどによシ成
膜槽内を汚染する可能性が高い。
着している汚れや吸着している水分、ガスなどによシ成
膜槽内を汚染する可能性が高い。
これを防ぐために、防着板はまず化学的、物理的に清浄
にされ、その後脱ガス処理を行なわれ、このような処理
を施した後は大気中にさらされることなく成膜槽内へ供
給しなければならなり０そこで本実施例においては、防
着シートを化学的、物理的に清浄化した後、第２図に原
理的１ｌｆｒ面図を示すような装置で脱ガスを行ない、
その後気密力セツ）Ｋ保管する。すなわち、真空加熱槽
１６に設けられた気密仕切り弁２３の外側に１気密弁１
８を有し第１図の６，１１と同構造の気密カセット１７
を気密に取９つける。カセット１７には清浄化された防
着テープ９がロールに巻かれて収納されている。真空加
熱４４１６の気密仕切シ弁２３の設けられた壁の対向壁
に設けられた気密仕切シ弁２４の外側には気密弁２０ｔ
−ＭＬ、カセット１７と同構造の気密カセット１９が気
密に取りつけられる。カセット１９内には防着板９を巻
くロールが内蔵されている。防着板９は、バルブ２５に
よシ真空にされた真空加熱槽１６内にカセット１７から
供給され槽内全通過してカセッ）１９内のロールに巻き
取られる。その間に加熱源２２により加熱され脱ガスさ
れる。槽内を通過するとき防着板がたわまな゛いように
テンションロール１０が用いられる。脱ガス処理を施さ
れた防着板をロールに巻き取ったカセット１９はカセッ
ト内を真空にして、あるいは不活性ガスを封入して気密
弁２０を閉じて真空加熱槽１６からはずされる。このよ
うにして防着テープは気密カセットに保管されるので使
用にあたっては薄膜製造装置の成膜槽にこのカセットを
気密に接続すればよいことになる。
にされ、その後脱ガス処理を行なわれ、このような処理
を施した後は大気中にさらされることなく成膜槽内へ供
給しなければならなり０そこで本実施例においては、防
着シートを化学的、物理的に清浄化した後、第２図に原
理的１ｌｆｒ面図を示すような装置で脱ガスを行ない、
その後気密力セツ）Ｋ保管する。すなわち、真空加熱槽
１６に設けられた気密仕切り弁２３の外側に１気密弁１
８を有し第１図の６，１１と同構造の気密カセット１７
を気密に取９つける。カセット１７には清浄化された防
着テープ９がロールに巻かれて収納されている。真空加
熱４４１６の気密仕切シ弁２３の設けられた壁の対向壁
に設けられた気密仕切シ弁２４の外側には気密弁２０ｔ
−ＭＬ、カセット１７と同構造の気密カセット１９が気
密に取りつけられる。カセット１９内には防着板９を巻
くロールが内蔵されている。防着板９は、バルブ２５に
よシ真空にされた真空加熱槽１６内にカセット１７から
供給され槽内全通過してカセッ）１９内のロールに巻き
取られる。その間に加熱源２２により加熱され脱ガスさ
れる。槽内を通過するとき防着板がたわまな゛いように
テンションロール１０が用いられる。脱ガス処理を施さ
れた防着板をロールに巻き取ったカセット１９はカセッ
ト内を真空にして、あるいは不活性ガスを封入して気密
弁２０を閉じて真空加熱槽１６からはずされる。このよ
うにして防着テープは気密カセットに保管されるので使
用にあたっては薄膜製造装置の成膜槽にこのカセットを
気密に接続すればよいことになる。
本実施例においては防着板の供給および巻き取りを気密
カセットを用いて成膜槽外部よシ行ったが、その必然性
はなく、防着板の長さが長く、かつ薄膜製造装置の連続
運転が比較的短期間でよい場合には、供給および巻き取
りカセットを、あるいはそのうちのどちらか一方のカセ
ットを成膜槽内にセットしてもよく、その場合には装置
の構造が簡単になる利点がある。
カセットを用いて成膜槽外部よシ行ったが、その必然性
はなく、防着板の長さが長く、かつ薄膜製造装置の連続
運転が比較的短期間でよい場合には、供給および巻き取
りカセットを、あるいはそのうちのどちらか一方のカセ
ットを成膜槽内にセットしてもよく、その場合には装置
の構造が簡単になる利点がある。
また、本実施例においては、防着板を前もって別の装置
で清浄化し脱ガスを行ない気密カセット内に真空中また
は不活性ガス中で保管しておき、使用に際しては、この
気密カセットから薄Ｉｊｘ製造装置の成膜槽内へ気密金
破ることなく防着板を供給する方法をとったが、その代
りに、防着板の清浄化および脱ガス装置を前処理装置と
して７４膜製造装置に直結して設け、これらの装置によ
シ前処理を施された防７ｉｉ仮を直接薄ｇ製造装置の成
膜槽内へ気密に供給することも可能である。
で清浄化し脱ガスを行ない気密カセット内に真空中また
は不活性ガス中で保管しておき、使用に際しては、この
気密カセットから薄Ｉｊｘ製造装置の成膜槽内へ気密金
破ることなく防着板を供給する方法をとったが、その代
りに、防着板の清浄化および脱ガス装置を前処理装置と
して７４膜製造装置に直結して設け、これらの装置によ
シ前処理を施された防７ｉｉ仮を直接薄ｇ製造装置の成
膜槽内へ気密に供給することも可能である。
以上、プラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、本
発明は真空蒸着、スパッタリング、常圧熱ｃｖｐ 、減
圧熱ＯＶＤなどの薄膜形成法に用いられる装置にはすべ
て有効に適用できる。
発明は真空蒸着、スパッタリング、常圧熱ｃｖｐ 、減
圧熱ＯＶＤなどの薄膜形成法に用いられる装置にはすべ
て有効に適用できる。
本発明によれば、成膜槽外部から内部へ屈曲性で長尺の
防着板を連続して供給すること、供給された防着板を成
膜槽内壁面に宿って移動させること、移動後の防着板を
槽外へ送出することを、成膜槽の雰囲気を破らずに行な
うことのできる機構を薄膜製造装置に設ける。このよう
な機構によシ長尺の防着板を供給し移動させることによ
り、薄膜形成時に成膜槽内壁に向って飛来する膜形成物
質は、防着板表面に付着し、防着板と共に移動し槽外へ
送出されるので、成膜槽内に再飛散することはなく成膜
槽内の成膜環境を汚染することはなくなる。この排出は
装置運転中に行なわれ、従って成膜を行ないながらその
成膜環境の清浄化が同時に行なわれることになう、常に
清浄で安定した成膜環境を確保でき、高品質の膜を継続
して製造できることくなる。しかも新旧カセットの交換
が装置を止めることなく可能なため、継続して成膜でき
る期間を非常に長くすることができ、長期間にわたって
安定な高品質の薄膜を得ることができるのみならず、薄
膜製造装置のメンテナンス時間を大幅に短縮することが
可能となる。
防着板を連続して供給すること、供給された防着板を成
膜槽内壁面に宿って移動させること、移動後の防着板を
槽外へ送出することを、成膜槽の雰囲気を破らずに行な
うことのできる機構を薄膜製造装置に設ける。このよう
な機構によシ長尺の防着板を供給し移動させることによ
り、薄膜形成時に成膜槽内壁に向って飛来する膜形成物
質は、防着板表面に付着し、防着板と共に移動し槽外へ
送出されるので、成膜槽内に再飛散することはなく成膜
槽内の成膜環境を汚染することはなくなる。この排出は
装置運転中に行なわれ、従って成膜を行ないながらその
成膜環境の清浄化が同時に行なわれることになう、常に
清浄で安定した成膜環境を確保でき、高品質の膜を継続
して製造できることくなる。しかも新旧カセットの交換
が装置を止めることなく可能なため、継続して成膜でき
る期間を非常に長くすることができ、長期間にわたって
安定な高品質の薄膜を得ることができるのみならず、薄
膜製造装置のメンテナンス時間を大幅に短縮することが
可能となる。
牙１図はプラズマＣＶＤ装置における本発明の一実施例
の原理的断面図、第２図は防着板の真空加熱処理装置の
一例の原理的断面図である。 １・・・成膜槽、６・・・気密カセット、８．１３・・
・気密仕切り弁、９・・・防着板、１０・・・テンジョ
ンローラ。 （）７．１、：ｈｉｉｋ ＪＪ Ｔｊ ゾ（２，′第
１ 図 第２ 図
の原理的断面図、第２図は防着板の真空加熱処理装置の
一例の原理的断面図である。 １・・・成膜槽、６・・・気密カセット、８．１３・・
・気密仕切り弁、９・・・防着板、１０・・・テンジョ
ンローラ。 （）７．１、：ｈｉｉｋ ＪＪ Ｔｊ ゾ（２，′第
１ 図 第２ 図
Claims (1)
- １）成膜槽の内壁に沿つて、屈曲性の長尺防着板を該壁
面を覆うように移動させる長尺防着板送り機構を備え、
成膜時の前記槽内気密が維持されるように、前記長尺防
着板を供給及び収納する長尺防着板カセットがそれぞれ
前記槽壁に気密仕切り弁を介して装着されたことを特徴
とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548485A JPS6227569A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16548485A JPS6227569A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227569A true JPS6227569A (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=15813278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16548485A Pending JPS6227569A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6227569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141575A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Anelva Corp | 薄膜堆積装置 |
| JP2007126727A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着用防着装置 |
| JP2012062568A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-29 | Canon Anelva Corp | プラズマ処理装置，成膜方法，ｄｌｃ皮膜を有する金属板の製造方法，セパレータの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16548485A patent/JPS6227569A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141575A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Anelva Corp | 薄膜堆積装置 |
| JP2007126727A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着用防着装置 |
| JP2012062568A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-29 | Canon Anelva Corp | プラズマ処理装置，成膜方法，ｄｌｃ皮膜を有する金属板の製造方法，セパレータの製造方法 |
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