JPS62276884A - 薄膜太陽電池素子 - Google Patents
薄膜太陽電池素子Info
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- JPS62276884A JPS62276884A JP61119604A JP11960486A JPS62276884A JP S62276884 A JPS62276884 A JP S62276884A JP 61119604 A JP61119604 A JP 61119604A JP 11960486 A JP11960486 A JP 11960486A JP S62276884 A JPS62276884 A JP S62276884A
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- film solar
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〈産業上の利用分野〉
本発明は、アモルファスシリコンを母体とする太陽電池
において更なる高性能化を図った薄膜太陽電池素子に関
する。
において更なる高性能化を図った薄膜太陽電池素子に関
する。
〈従来の技術〉
近年、低コスト太陽電池としてアモルファスノリコンを
母体とした薄膜太陽電池が急速に実用化され、また、実
験室レベルでは光電変換効率で１０％を越えるものが報
告されるに至っている。このような高性能なアモルファ
ス太陽電池は、多くの乙のがｐ型アモルファスＳｉＣを
光の入射側としｆこｐｉｎ型あるいは（ｐｉｎ） （
Ｘ＝２． ３−）型のものであり、又、素子の信頼性と
いう観点からもｐ型層を光の入射側とした方が有利であ
ると言われている。
母体とした薄膜太陽電池が急速に実用化され、また、実
験室レベルでは光電変換効率で１０％を越えるものが報
告されるに至っている。このような高性能なアモルファ
ス太陽電池は、多くの乙のがｐ型アモルファスＳｉＣを
光の入射側としｆこｐｉｎ型あるいは（ｐｉｎ） （
Ｘ＝２． ３−）型のものであり、又、素子の信頼性と
いう観点からもｐ型層を光の入射側とした方が有利であ
ると言われている。
しかしながら、現在のアモルファスシリコンを母体とし
た薄膜太陽電を也の光電変換効率は、上述した如く実験
室レベルでｌＯ〜１２％程度のらのてあり、結晶ノリコ
ン太陽電池の変換効率２０％前後には到底及ばない段階
であり、より一層の高性能化か必要だと考えられる。
た薄膜太陽電を也の光電変換効率は、上述した如く実験
室レベルでｌＯ〜１２％程度のらのてあり、結晶ノリコ
ン太陽電池の変換効率２０％前後には到底及ばない段階
であり、より一層の高性能化か必要だと考えられる。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ｐｉｎ型を基本としＬニアモルファス太陽電池は、すで
に述べたように、従来ｐ型窓層として水素化アモルファ
スノリコン・カーバイド（以下ａ−ＳｉＣ０Ｈと略す）
が用いられて来た。このｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈは以下に述
べる長所と欠点を有していると考えられる。確かにｐ型
ａ−ＳｉＣ：）（は、 ｐ型水素化アモルファスンリコ
ン（ａ−９ｉ：Ｈ）に比べると光学的バンドギャップ（
Ｅ０ｐ’ ）は太きく（ｐ型ａ ＳｉＣ：Ｈの場合Ｅ
０ｐｔ＜１８ｅＶ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：ＨでＥ０ｐ’＞
１．８ｅＶ）、光電変換活性層でである真性（１型）層
での光の利用効率を高めることができ、又、広いバンド
ギャップによる光生成キャリア（電子）の逆拡散を抑え
る効果も期待できる。第４図は、光の有効利用という観
点から、このＥｏｐｔの差による薄膜太陽電池（セル）
の光収集効率を各光の波長に対してシミュレートした計
算結果である。図よりＥｏｐｔが１．８ｅＶ から２．
０ｅＶまで広がることによって５００ｎｍ以下の短波長
域での収集効率が改善される様子がわかる。更にｐ層Ｅ
ｏｐｔが大きくなった場合の計算結果ら第４図に示して
おいたが、収集効率は一層改善されろ傾向を示している
。
に述べたように、従来ｐ型窓層として水素化アモルファ
スノリコン・カーバイド（以下ａ−ＳｉＣ０Ｈと略す）
が用いられて来た。このｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈは以下に述
べる長所と欠点を有していると考えられる。確かにｐ型
ａ−ＳｉＣ：）（は、 ｐ型水素化アモルファスンリコ
ン（ａ−９ｉ：Ｈ）に比べると光学的バンドギャップ（
Ｅ０ｐ’ ）は太きく（ｐ型ａ ＳｉＣ：Ｈの場合Ｅ
０ｐｔ＜１８ｅＶ、ｐ型ａ−ＳｉＣ：ＨでＥ０ｐ’＞
１．８ｅＶ）、光電変換活性層でである真性（１型）層
での光の利用効率を高めることができ、又、広いバンド
ギャップによる光生成キャリア（電子）の逆拡散を抑え
る効果も期待できる。第４図は、光の有効利用という観
点から、このＥｏｐｔの差による薄膜太陽電池（セル）
の光収集効率を各光の波長に対してシミュレートした計
算結果である。図よりＥｏｐｔが１．８ｅＶ から２．
０ｅＶまで広がることによって５００ｎｍ以下の短波長
域での収集効率が改善される様子がわかる。更にｐ層Ｅ
ｏｐｔが大きくなった場合の計算結果ら第４図に示して
おいたが、収集効率は一層改善されろ傾向を示している
。
しかしながら、他方では、以下に示すような問題があっ
た。第５図は、上記のような様々なｐ ｏ ｐ Ｅを持
つｐ層を実際のアモルファス太陽電池の窓層として用い
た場合のアモルファス太陽電池（１００ｍＷ／ａｍ２）
のセル特性結果である。開放電圧Ｖ。Ｃはｐ型ａ−Ｓｉ
Ｃ・Ｈのワイドバンドギャップによる（見かけの）拡散
電位が増大することによってＥ Ｏｐｔが大きくなるに
つれて向上している。短絡１１流Ｊｓｃも第４図の計算
結果から予想されるρ型ａ −３ｉＣ：Ｈ吸収ロスの低
減等によって単調な増加傾向を示している。しかし、Ｈ
Ｖカーブの曲線因子ＦＦがＥｏ ｐ ｔ〜１．９ｅＶ程
度から減少し始めるために、上記Ｊｓｃ、”ｏｃの増加
にも拘わらず、光電変換効率ｙ７（−Ｊ ｘＶ Ｘ
ＦＦ）はｃ ｏ ｐ ｔｓｃ ｏｃ
ｇ〜２．ＯｅＶて極大となってしまう。
た。第５図は、上記のような様々なｐ ｏ ｐ Ｅを持
つｐ層を実際のアモルファス太陽電池の窓層として用い
た場合のアモルファス太陽電池（１００ｍＷ／ａｍ２）
のセル特性結果である。開放電圧Ｖ。Ｃはｐ型ａ−Ｓｉ
Ｃ・Ｈのワイドバンドギャップによる（見かけの）拡散
電位が増大することによってＥ Ｏｐｔが大きくなるに
つれて向上している。短絡１１流Ｊｓｃも第４図の計算
結果から予想されるρ型ａ −３ｉＣ：Ｈ吸収ロスの低
減等によって単調な増加傾向を示している。しかし、Ｈ
Ｖカーブの曲線因子ＦＦがＥｏ ｐ ｔ〜１．９ｅＶ程
度から減少し始めるために、上記Ｊｓｃ、”ｏｃの増加
にも拘わらず、光電変換効率ｙ７（−Ｊ ｘＶ Ｘ
ＦＦ）はｃ ｏ ｐ ｔｓｃ ｏｃ
ｇ〜２．ＯｅＶて極大となってしまう。
本発明者等は、上記のような曲線因子ＦＦの低下の主な
原因が、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｉ（の導電率がＥ０ｐｔ＞２
．ＯｅＶで急激に低下し、ｌＸｌ０−’（Ωｃｍ）−’
以下となりシリーズ抵抗によるロスが現れることが主な
原因であることを見出だした。表はｐ層（膜厚〜１００
人）の導電率と太陽電池素子内におけるｐ層のシリーズ
抵抗によるパワーロスを見積らったものである。１０’
（Ωｃｍ）”−’の導電率て〜１％のロスが生じ、１０
％の光電変換効率を有するセルでさえ、実に１割程度の
ロスが出て来る計算になる。
原因が、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｉ（の導電率がＥ０ｐｔ＞２
．ＯｅＶで急激に低下し、ｌＸｌ０−’（Ωｃｍ）−’
以下となりシリーズ抵抗によるロスが現れることが主な
原因であることを見出だした。表はｐ層（膜厚〜１００
人）の導電率と太陽電池素子内におけるｐ層のシリーズ
抵抗によるパワーロスを見積らったものである。１０’
（Ωｃｍ）”−’の導電率て〜１％のロスが生じ、１０
％の光電変換効率を有するセルでさえ、実に１割程度の
ロスが出て来る計算になる。
表
本発明の目的は、上記の如き問題に鑑み、ｐ型２−Ｓｉ
Ｃ：Ｈの光学的特性が良好であることを最大限に生かす
べくその電気的特性の向上を図り更なる高性能薄膜太陽
電池を提供することにある。
Ｃ：Ｈの光学的特性が良好であることを最大限に生かす
べくその電気的特性の向上を図り更なる高性能薄膜太陽
電池を提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明に係る薄膜太陽電池素子は、ｎ型、ｉ（真性）型
、ｐ型の水素化（フッ素化）アモルファスノリコン（ａ
−ＳｉＣ・Ｈ（：Ｆ））を母体とした半導体薄膜を積層
したｐｉｎ型あるいはｐｉｎｐｉｎ−（（ｐｉｎ） 。
、ｐ型の水素化（フッ素化）アモルファスノリコン（ａ
−ＳｉＣ・Ｈ（：Ｆ））を母体とした半導体薄膜を積層
したｐｉｎ型あるいはｐｉｎｐｉｎ−（（ｐｉｎ） 。
Ｘ＝２．３・・）型薄膜太陽電池において、少なくとも
光の入射側のｐ型半導体薄膜としてアモルファス川と微
結品相の混在する水素化（フッ素化）ノリコン・カーバ
イド（ｐ型μｃ −Ｓ ｉＣ：Ｈ（：Ｆ））薄膜を用い
たことを特徴とする。
光の入射側のｐ型半導体薄膜としてアモルファス川と微
結品相の混在する水素化（フッ素化）ノリコン・カーバ
イド（ｐ型μｃ −Ｓ ｉＣ：Ｈ（：Ｆ））薄膜を用い
たことを特徴とする。
く作 用〉
光の入射側のｐ型μｃ −Ｓ ｉＣ：Ｈ（：Ｆ ）薄膜
において、光学的バンドギャップは低下仕ずに導電率が
向上するので、太陽電池素子内のシリーズ抵抗が減少し
、パワーロスが減少する。さらに、拡散電位ら大きくな
る。その結果、光電変換率か増加ずろ。
において、光学的バンドギャップは低下仕ずに導電率が
向上するので、太陽電池素子内のシリーズ抵抗が減少し
、パワーロスが減少する。さらに、拡散電位ら大きくな
る。その結果、光電変換率か増加ずろ。
〈実施例〉
本発明の実施例として、ｐ型半導体薄膜として微結晶相
とアモルファス相の混在する水素化（フッ素化）ＳｉＣ
（ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ））をアモルファス太陽
電池の窓層に応用することを揚げ、特にＴＣＯ／ｐｉｎ
／基板型太陽電池素子の場合についてその効果を説明す
る。
とアモルファス相の混在する水素化（フッ素化）ＳｉＣ
（ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ））をアモルファス太陽
電池の窓層に応用することを揚げ、特にＴＣＯ／ｐｉｎ
／基板型太陽電池素子の場合についてその効果を説明す
る。
このような太陽電池素子のセル構造を第１図に示す。基
板１として例えばステンレス等を用い、その上にグロー
放電法あるいは光ＣＶＤ法等によりｎ型水素化アモルフ
ァスシリコンあるいはｎ型の微結晶相とアモルファス相
の混在する水素化（フッ素化）ノリコン層２を２０〜ｌ
ｏｏｎｍの範囲で堆積する。次に、光電変換活性層とし
ての真性（１）型水素化アモルファスノリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）層３を４００〜７００ｎｍの範囲て積層する。
板１として例えばステンレス等を用い、その上にグロー
放電法あるいは光ＣＶＤ法等によりｎ型水素化アモルフ
ァスシリコンあるいはｎ型の微結晶相とアモルファス相
の混在する水素化（フッ素化）ノリコン層２を２０〜ｌ
ｏｏｎｍの範囲で堆積する。次に、光電変換活性層とし
ての真性（１）型水素化アモルファスノリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）層３を４００〜７００ｎｍの範囲て積層する。
さらに微結晶相とアモルファス相の混在する水素化（フ
ッ素化）ｐ型５ｉｃ（ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ））
層４を３〜２０ｎｍの範囲で積層し、最後にＥＢ法ある
いはスパッタ法等により透明導電膜（ＴＣ○）５と、集
電極としてＡＱ層６．６を順次形成することにより上記
のＴＣＯ／ｐｉｎ／基板型薄膜太陽電池を作成すること
ができる。
ッ素化）ｐ型５ｉｃ（ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ））
層４を３〜２０ｎｍの範囲で積層し、最後にＥＢ法ある
いはスパッタ法等により透明導電膜（ＴＣ○）５と、集
電極としてＡＱ層６．６を順次形成することにより上記
のＴＣＯ／ｐｉｎ／基板型薄膜太陽電池を作成すること
ができる。
アモルファスシリコンの微結晶化は特に不純物ドープ膜
（ｐ型、ｎ型）において容易に得られ、光学的バンドギ
ャップの低下を招かずに導電率の飛躍的向上（１ｘｌＯ
−’（Ωｃｍ）−’ ぐらいまで向上）が可能である。
（ｐ型、ｎ型）において容易に得られ、光学的バンドギ
ャップの低下を招かずに導電率の飛躍的向上（１ｘｌＯ
−’（Ωｃｍ）−’ ぐらいまで向上）が可能である。
本発明者らはこの方法をｐ型アモルファスノリコン・カ
ーバイドに応用したものであり、特に水素化（フッ素化
）ｐ型ＳｉＣの光学的ワイドバンドギャップをより一層
有効に利用することが可能となる。従って、ｐｉｎ型太
陽電池の少なくとも窓層として微結晶相とアモルファス
相の混在する水素化（フッ素化）ｐ型５ｉＣ（ｐ型μｃ
−８ｉＣ：Ｈ（：Ｆ乃を用いることにより、（１）
ワイドバンドギャップを維持しつつ導電率の向上が可能
であり、太陽電池素子内のノリーズ抵抗成分によるパワ
ーロスを抑えることができ、入射光をより一層活性層で
ある １層で有効に利用−できる。
ーバイドに応用したものであり、特に水素化（フッ素化
）ｐ型ＳｉＣの光学的ワイドバンドギャップをより一層
有効に利用することが可能となる。従って、ｐｉｎ型太
陽電池の少なくとも窓層として微結晶相とアモルファス
相の混在する水素化（フッ素化）ｐ型５ｉＣ（ｐ型μｃ
−８ｉＣ：Ｈ（：Ｆ乃を用いることにより、（１）
ワイドバンドギャップを維持しつつ導電率の向上が可能
であり、太陽電池素子内のノリーズ抵抗成分によるパワ
ーロスを抑えることができ、入射光をより一層活性層で
ある １層で有効に利用−できる。
（２）又、微結晶化することによりｐ型層のフェルミレ
ベルを一層価電子帯側に近ずけることになる（ｐ型ａ−
３ｉＣに比べ０．２〜０．５ ｅＶ程度近付けろことが
可能）。このため、従来のちのより０２〜０．５ｅＶ程
度大きな拡散電位が得られ、１型光型活性層内により大
きな電界を組み込むことが可能であり、この効果により
ざらにＪｓｏ、ｖｏ。。
ベルを一層価電子帯側に近ずけることになる（ｐ型ａ−
３ｉＣに比べ０．２〜０．５ ｅＶ程度近付けろことが
可能）。このため、従来のちのより０２〜０．５ｅＶ程
度大きな拡散電位が得られ、１型光型活性層内により大
きな電界を組み込むことが可能であり、この効果により
ざらにＪｓｏ、ｖｏ。。
ｒ’Ｆの向上が期待できる。
この様子をバンドプロファイルとして第２図（ａ）（ｂ
）に示した。ここに、第２図（ａ）は、従来のｐ型ａ−
３ｉＣ：Ｈの場合を示し、第２図（ｂ）は、本実施例の
ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（・Ｆ）の場合を示す。
）に示した。ここに、第２図（ａ）は、従来のｐ型ａ−
３ｉＣ：Ｈの場合を示し、第２図（ｂ）は、本実施例の
ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（・Ｆ）の場合を示す。
○と・は、それぞれ、光生成キャリアを示し、一点Ｒ１
ｍはフェルミレベルを示す。本実施例の拡散電位１ビ
２１２′は、従来例の拡散電位１１゜１２より大きい。
ｍはフェルミレベルを示す。本実施例の拡散電位１ビ
２１２′は、従来例の拡散電位１１゜１２より大きい。
（３）更に、一般に微結晶化により短波長側４００ｎｍ
付近での吸収係数は従来に比べて小さくなる（ ｌ Ｘ
Ｉ Ｏ−５（０−５（’程度まては）ために、短波長
側４００ ｎｍ付近でのｐ層による吸収ロスは更に低、
威することが予想される。第３図はこの【００ｎｍ前後
での吸収係数の違いによる太陽電池の収集効率（分光感
度特性）の差をシミュレートした計算結果である。本実
施例のｐ型μｃ−３ｉＣ：Ｈ（：Ｆ）（Ｅ０ｐｔ〜２．
０ｅｖ）の収集効率（ｂ）は、従来例のｐ型ａ−ＳｉＣ
：Ｈ（Ｅ０ｐ’ 〜２．１ｅＶ）の収集効率（ａ）に比
べて低波長側で大きくなっている。
付近での吸収係数は従来に比べて小さくなる（ ｌ Ｘ
Ｉ Ｏ−５（０−５（’程度まては）ために、短波長
側４００ ｎｍ付近でのｐ層による吸収ロスは更に低、
威することが予想される。第３図はこの【００ｎｍ前後
での吸収係数の違いによる太陽電池の収集効率（分光感
度特性）の差をシミュレートした計算結果である。本実
施例のｐ型μｃ−３ｉＣ：Ｈ（：Ｆ）（Ｅ０ｐｔ〜２．
０ｅｖ）の収集効率（ｂ）は、従来例のｐ型ａ−ＳｉＣ
：Ｈ（Ｅ０ｐ’ 〜２．１ｅＶ）の収集効率（ａ）に比
べて低波長側で大きくなっている。
以上に説明した例では、ｐｉｎ型薄膜太陽電池について
説明したか、（ｐｉｎ）型薄膜太陽電池（ｘ＝ ２ 。
説明したか、（ｐｉｎ）型薄膜太陽電池（ｘ＝ ２ 。
３、 ・）についてら、光の入射側のｐ型半導体として
μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（・Ｆ）を用いても同様の効果か得ら
れる。
μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（・Ｆ）を用いても同様の効果か得ら
れる。
〈発明の効果〉
以上詳述した如く、 ｐｉｎ型を基本とじ１こアモルフ
ァス太陽？ｒｉ池の窓層として微結晶相とアモルファス
相の混在する水素化（フッ素化）ｐ型５ｉＣ（ｐ型μｃ
−３ｉＣ：Ｈ（：Ｆ））を用いることにより収集効率の
高い薄膜太陽ＴＬ池素子が得られることが明らかになっ
た。
ァス太陽？ｒｉ池の窓層として微結晶相とアモルファス
相の混在する水素化（フッ素化）ｐ型５ｉＣ（ｐ型μｃ
−３ｉＣ：Ｈ（：Ｆ））を用いることにより収集効率の
高い薄膜太陽ＴＬ池素子が得られることが明らかになっ
た。
第１図は、薄膜太陽電池素子の図式的な断面図である。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は、それぞれ、従来のｐ型層
−ＳｉＣ：Ｈ膜と本実施例のｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：
Ｆ）膜のバンドプロファイルの模式図である。 第３図は、太陽Ｎ、池の収集効率のグラフである。 第４図は、太陽電池の収集効率を光学的バンドギャップ
Ｅ Ｏｐｔについて示すグラフである。 第５図は、従来のｐ型層−３ｉＣ：Ｈの太陽電池特性（
Ｊｓｃ、■。。、ＦＦ）を光学的バンドギャップＥｏｌ
：Ｈに対して示すグラフである。 Ｉ・・基板、２・・・ｎ型層、３・・・ｉ型層、４・・
・ｐ型層、５ ・透明導電膜、 ６，６・・集電極
。 特許出願人 ンヤープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆ほか２名第４図 億畏＋ｎｍ１ １．８ｓｖ 第５図 ｐ４Ｅｇ （ｅＶｌ
−ＳｉＣ：Ｈ膜と本実施例のｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：
Ｆ）膜のバンドプロファイルの模式図である。 第３図は、太陽Ｎ、池の収集効率のグラフである。 第４図は、太陽電池の収集効率を光学的バンドギャップ
Ｅ Ｏｐｔについて示すグラフである。 第５図は、従来のｐ型層−３ｉＣ：Ｈの太陽電池特性（
Ｊｓｃ、■。。、ＦＦ）を光学的バンドギャップＥｏｌ
：Ｈに対して示すグラフである。 Ｉ・・基板、２・・・ｎ型層、３・・・ｉ型層、４・・
・ｐ型層、５ ・透明導電膜、 ６，６・・集電極
。 特許出願人 ンヤープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆ほか２名第４図 億畏＋ｎｍ１ １．８ｓｖ 第５図 ｐ４Ｅｇ （ｅＶｌ
Claims (2)
- （１）ｎ型、ｉ（真性）型、ｐ型の水素化（フッ素化）
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ（：Ｆ））を母体
とした半導体薄膜を積層したｐｉｎ型あるいはｐｉｎｐ
ｉｎ・・・（（ｐｉｎ）＿ｘ、ｘ＝２、３・・・）型薄
膜太陽電池において、少なくとも光の入射側のｐ型半導
体薄膜としてアモルファス相と微結晶相の混在する水素
化（フッ素化）シリコン・カーバイド（ｐ型μｃ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ（：Ｆ））薄膜を用いたことを特徴とする薄膜太
陽電池素子。 - （２）上記ｐ型半導体薄膜として室温での導電率が１０
＾−＾３（Ωｃｍ）＾−＾１以上、活性化エネルギーが
０．１ｅＶ以下、光学的バンドギャップが２．０ｅＶ以
上の特性を有するアモルファス相と微結晶相の混在する
ｐ型μｃ−ＳｉＣ：Ｈ（：Ｆ）薄膜を用いたことを特性
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119604A JPS62276884A (ja) | 1986-05-24 | 1986-05-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61119604A JPS62276884A (ja) | 1986-05-24 | 1986-05-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62276884A true JPS62276884A (ja) | 1987-12-01 |
Family
ID=14765507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61119604A Pending JPS62276884A (ja) | 1986-05-24 | 1986-05-24 | 薄膜太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62276884A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02164078A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Hitachi Ltd | アモルファス太陽電池 |
| JPH02164079A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Hitachi Ltd | アモルファスシリコン太陽電池 |
| JPH02164077A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Hitachi Ltd | アモルファスシリコン太陽電池 |
| JP2011029625A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109271A (en) * | 1977-05-27 | 1978-08-22 | Rca Corporation | Amorphous silicon-amorphous silicon carbide photovoltaic device |
| JPS57204178A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optoelectric transducer |
| JPS6091626A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-05-23 | エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー | アモルフアスシリコンｐｉｎ半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-24 JP JP61119604A patent/JPS62276884A/ja active Pending
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