JPS62277519A - センサ− - Google Patents
センサ−Info
- Publication number
- JPS62277519A JPS62277519A JP61120579A JP12057986A JPS62277519A JP S62277519 A JPS62277519 A JP S62277519A JP 61120579 A JP61120579 A JP 61120579A JP 12057986 A JP12057986 A JP 12057986A JP S62277519 A JPS62277519 A JP S62277519A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010291 electrical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、記録メディアにたとえば磁気的あるいは光
学的に記録されたスケールなどを表わす記録パターンを
非接触で電気的に検出するセンサーに係り、特に、記録
メディアとの間に設けられるギャップの変動補償に関す
る。
学的に記録されたスケールなどを表わす記録パターンを
非接触で電気的に検出するセンサーに係り、特に、記録
メディアとの間に設けられるギャップの変動補償に関す
る。
円板状または棒状の記録メディアにスケールなどを磁化
などの手段によって書き込んだ記録パターンの検出には
、磁気抵抗素子、ホール素子、静電容量検出素子および
光学素子などからなるセンサーが用いられている。
などの手段によって書き込んだ記録パターンの検出には
、磁気抵抗素子、ホール素子、静電容量検出素子および
光学素子などからなるセンサーが用いられている。
従来、このセンサーは、第５図に示すように、記録メデ
ィア２に磁化などによって記録された記録パターン４に
対して、一定のギャップｄを設けて検出素子６を設置し
、記録メディア２の記録パターン４を検出している。
ィア２に磁化などによって記録された記録パターン４に
対して、一定のギャップｄを設けて検出素子６を設置し
、記録メディア２の記録パターン４を検出している。
このように記録メディア２の記録パターン４を非接触で
電気的に検出する場合、記録メディア２の加工精度や取
付精度によって、記録メディア２と検出素子６とのギャ
ップｄが変動すると、そのギャップ変動が出力に表れ、
ＳＮ比の低下や検出精度を低下させる原因になる。たと
えば、磁気抵抗素子を検出素子６として用いた場合では
、動作点の設定によって出力波形の歪や出力レベルの変
動を生じる。
電気的に検出する場合、記録メディア２の加工精度や取
付精度によって、記録メディア２と検出素子６とのギャ
ップｄが変動すると、そのギャップ変動が出力に表れ、
ＳＮ比の低下や検出精度を低下させる原因になる。たと
えば、磁気抵抗素子を検出素子６として用いた場合では
、動作点の設定によって出力波形の歪や出力レベルの変
動を生じる。
そこで、記録メディアの記録パターンを非接触で電気的
に検出する場合、記録メディアと検出素子とのギャップ
変動の影響を原理的に解消したセンサーが提案されてい
る。
に検出する場合、記録メディアと検出素子とのギャップ
変動の影響を原理的に解消したセンサーが提案されてい
る。
このセンサーは、第６図に示すように、回転軸８を中心
にして回転するように設置された記録メディア２に対し
て、その下面側に磁気抵抗素子１０Ａ、ＩＯＢ、その上
面側に磁気抵抗素子１２Ａ、１２Ｂを記録メディア２の
面との間にギャップを設けて設置するとともに、純抵抗
素子１４．１６を付加してブリッジ回路を構成する。
にして回転するように設置された記録メディア２に対し
て、その下面側に磁気抵抗素子１０Ａ、ＩＯＢ、その上
面側に磁気抵抗素子１２Ａ、１２Ｂを記録メディア２の
面との間にギャップを設けて設置するとともに、純抵抗
素子１４．１６を付加してブリッジ回路を構成する。
そして、端子１８に駆動電圧Ｖを加えて、出力端子１９
ａ、１９ｂからブリッジ出力としての検出出力■。１を
取り出すようにしたものである。
ａ、１９ｂからブリッジ出力としての検出出力■。１を
取り出すようにしたものである。
このセンサーは、第７図に示すように、記録メディア２
の記録パターン４を検出して抵抗値が変化するとともに
、ギャップの変動に対応して抵抗値が変動する磁気抵抗
素子１０Ａ、１２Ａ、１０Ｂ、１２Ｂからなる変動辺と
、抵抗値の変化を生じない純抵抗素子１４．１６からな
る固定辺とからなるブリッジ回路を成している。
の記録パターン４を検出して抵抗値が変化するとともに
、ギャップの変動に対応して抵抗値が変動する磁気抵抗
素子１０Ａ、１２Ａ、１０Ｂ、１２Ｂからなる変動辺と
、抵抗値の変化を生じない純抵抗素子１４．１６からな
る固定辺とからなるブリッジ回路を成している。
このセンサーにおいて、記録パターン４による磁界がＯ
の場合の磁気抵抗素子１０Ａ、１２Ａ、１０Ｂ、１２Ｂ
の抵抗値をＲ１記録メディア２とのギャップの最大変位
量に対する抵抗値変化をΔＲ□８、記録パターン４の記
録信号の検出による抵抗値変化をＫｌ ％ Ｋｇ 、純
抵抗素子１４．１６の抵抗値を２Ｒとし、たとえば、磁
気抵抗素子１０Ａ、ＩＯＢ側のギャップが最小、磁気抵
抗素子１２Ａ、１２Ｂ側のギャップが最大になった場合
を想定すると、磁気抵抗素子１０Ａの抵抗値はに、（Ｒ
＋ΔＲ１□）、磁気抵抗素子１２Ａの抵抗値はに＋ （
Ｒ−ΔＲ１□）、磁気抵抗素子１０Ｂの抵抗値はＫｇ（
Ｒ＋ΔＲ□、ｌ）、磁気抵抗素子１２Ｂの抵抗値はＫｇ
（Ｒ−ΔＲ□Ｘ）となる。
の場合の磁気抵抗素子１０Ａ、１２Ａ、１０Ｂ、１２Ｂ
の抵抗値をＲ１記録メディア２とのギャップの最大変位
量に対する抵抗値変化をΔＲ□８、記録パターン４の記
録信号の検出による抵抗値変化をＫｌ ％ Ｋｇ 、純
抵抗素子１４．１６の抵抗値を２Ｒとし、たとえば、磁
気抵抗素子１０Ａ、ＩＯＢ側のギャップが最小、磁気抵
抗素子１２Ａ、１２Ｂ側のギャップが最大になった場合
を想定すると、磁気抵抗素子１０Ａの抵抗値はに、（Ｒ
＋ΔＲ１□）、磁気抵抗素子１２Ａの抵抗値はに＋ （
Ｒ−ΔＲ１□）、磁気抵抗素子１０Ｂの抵抗値はＫｇ（
Ｒ＋ΔＲ□、ｌ）、磁気抵抗素子１２Ｂの抵抗値はＫｇ
（Ｒ−ΔＲ□Ｘ）となる。
そこで、このセンサーにおいて、記録信号の検出による
最大抵抗変化率を±４％とすると、Ｋ。
最大抵抗変化率を±４％とすると、Ｋ。
＝１．０４、Ｋｚ−０，９６となるから、磁気抵抗素子
１０Ａ、１２Ａ間に発生する電圧をＶｌ、純抵抗素子１
４の端子間に発生する電圧をＶ、とすると、電圧Ｖ、、
Ｖ、は、 Ｖ、 −２，０８Ｒ−Ｖ／４ Ｒ＝０．５２Ｖ −・・
（１）Ｖ、−２Ｒ−Ｖ／４Ｒ＝０．５Ｖ ・・・（２
）となり、出力端子１９ａ、１９ｂ間に発生する検出出
力Ｖ。ｕ７は、 Ｖｏｕｔ ”Ｖｔ −Ｖｔ ＝’０．０２Ｖ ・・
・（３１となる。
１０Ａ、１２Ａ間に発生する電圧をＶｌ、純抵抗素子１
４の端子間に発生する電圧をＶ、とすると、電圧Ｖ、、
Ｖ、は、 Ｖ、 −２，０８Ｒ−Ｖ／４ Ｒ＝０．５２Ｖ −・・
（１）Ｖ、−２Ｒ−Ｖ／４Ｒ＝０．５Ｖ ・・・（２
）となり、出力端子１９ａ、１９ｂ間に発生する検出出
力Ｖ。ｕ７は、 Ｖｏｕｔ ”Ｖｔ −Ｖｔ ＝’０．０２Ｖ ・・
・（３１となる。
したがって、このようなセンサーの出力は、電圧Ｖのみ
に依存し、ギャップ変動の影響を受けない検出出力とな
るが、外部素子としての純抵抗素子を設置しなければな
らず、出力振幅が０．０２Ｖと小さいためにＳＮ比が問
題となる。
に依存し、ギャップ変動の影響を受けない検出出力とな
るが、外部素子としての純抵抗素子を設置しなければな
らず、出力振幅が０．０２Ｖと小さいためにＳＮ比が問
題となる。
そこで、この発明は、外部素子を省略して構成の簡略化
を図るとともに、出力振幅を増加させたセンサーを提供
しようとするものである。
を図るとともに、出力振幅を増加させたセンサーを提供
しようとするものである。
この発明のセンサーは、第１図に示すように、記録メデ
ィア２の下面側から非接触で記録パターン４を電気的に
検出する一対の検出素子（磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ
）を特定の電気的位相角だけ変位させて設置するととも
に、記録メディア２の上面側の同位置から非接触で記録
パターン４を電気的に検出する一対の検出素子（磁気抵
抗素子２２Ａ、２２Ｂ）を設置し、同相出力を生じる検
出素子同士（磁気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素子２２Ａ
、磁気抵抗素子２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）を対辺に
設置して各検出素子（磁気抵抗素子２０Ａ、２２Ａ、２
０Ｂ、２２Ｂ）でブリッジ回路を構成したものである。
ィア２の下面側から非接触で記録パターン４を電気的に
検出する一対の検出素子（磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ
）を特定の電気的位相角だけ変位させて設置するととも
に、記録メディア２の上面側の同位置から非接触で記録
パターン４を電気的に検出する一対の検出素子（磁気抵
抗素子２２Ａ、２２Ｂ）を設置し、同相出力を生じる検
出素子同士（磁気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素子２２Ａ
、磁気抵抗素子２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）を対辺に
設置して各検出素子（磁気抵抗素子２０Ａ、２２Ａ、２
０Ｂ、２２Ｂ）でブリッジ回路を構成したものである。
電気的位相角をたとえばπラジアンだけ変位させて記録
メディア２の下面側に一対の検出素子（磁気抵抗素子２
０Ａ、２０Ｂ）を設置するとともに、この検出素子（磁
気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ）に対応して記録メディア２
の上面側に一対の検出素手（磁気抵抗素子２２Ａ、２２
Ｂ）を設置すると、各対をなす検出素子（磁気抵抗素子
２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ）間において、同相出
力を生じる検出素子（磁気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素
子２２Ａ、磁気抵抗素子２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）
対がある。そこで、その同相出力を生じる検出素子（磁
気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素子２２Ａ、磁気抵抗素子
２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）を対辺上に設置してブリ
ッジ回路を構成すると、同相分出力に現れたギャップ変
動の影響を検出素子間において相殺することができ、ブ
リッジ出力には、ギャップ変動の影響を受けない検出出
力が得られる。
メディア２の下面側に一対の検出素子（磁気抵抗素子２
０Ａ、２０Ｂ）を設置するとともに、この検出素子（磁
気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ）に対応して記録メディア２
の上面側に一対の検出素手（磁気抵抗素子２２Ａ、２２
Ｂ）を設置すると、各対をなす検出素子（磁気抵抗素子
２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ）間において、同相出
力を生じる検出素子（磁気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素
子２２Ａ、磁気抵抗素子２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）
対がある。そこで、その同相出力を生じる検出素子（磁
気抵抗素子２０Ａと磁気抵抗素子２２Ａ、磁気抵抗素子
２０Ｂと磁気抵抗素子２２Ｂ）を対辺上に設置してブリ
ッジ回路を構成すると、同相分出力に現れたギャップ変
動の影響を検出素子間において相殺することができ、ブ
リッジ出力には、ギャップ変動の影響を受けない検出出
力が得られる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、この発明のセンサーの実施例を示す。
記録メディア２の下面側から記録パターン４を検出する
一対の検出素子として磁気抵抗素子２ＯＡ、２０Ｂを設
置するとともに、記録メディア２の上面側から記録パタ
ーン４を検出する一対の検出素子として磁気抵抗素子２
２Ａ、２２Ｂを設置する。磁気抵抗素子２０Ａ、２２Ａ
と磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂとは、第３図に示すよう
に、互いに一定の電気的位相角、たとえば、πラジアン
の位相角を持ち、記録メディア２との間にギャップｄを
設けて設置されている。したがって、磁気抵抗素子２０
Ａ、２２Ａには、位相角の関係から第３図のＡに示す出
力が得られ、磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂには第３図の
Ｂに示すように、出力Ａに対してπラジアンの位相差を
持つ出力が得られる。
一対の検出素子として磁気抵抗素子２ＯＡ、２０Ｂを設
置するとともに、記録メディア２の上面側から記録パタ
ーン４を検出する一対の検出素子として磁気抵抗素子２
２Ａ、２２Ｂを設置する。磁気抵抗素子２０Ａ、２２Ａ
と磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂとは、第３図に示すよう
に、互いに一定の電気的位相角、たとえば、πラジアン
の位相角を持ち、記録メディア２との間にギャップｄを
設けて設置されている。したがって、磁気抵抗素子２０
Ａ、２２Ａには、位相角の関係から第３図のＡに示す出
力が得られ、磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂには第３図の
Ｂに示すように、出力Ａに対してπラジアンの位相差を
持つ出力が得られる。
そして、磁気抵抗素子２０Ａ、２２Ａは直列に接続され
ているとともに、磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂも直列に
接続され、かつ、端子ｆ、ｇ間、端子ｅ、ｈ間をそれぞ
れ共通に接続してブリッジ回路を構成し、端子ｆ、ｇ間
を接地し、端子ｅ、ｈには外部端子２４から電圧■を加
えて、出力端子２６ａ、２６ｂからブリッジ出力として
の検出出力■。ｕ７を得る。
ているとともに、磁気抵抗素子２０Ｂ、２２Ｂも直列に
接続され、かつ、端子ｆ、ｇ間、端子ｅ、ｈ間をそれぞ
れ共通に接続してブリッジ回路を構成し、端子ｆ、ｇ間
を接地し、端子ｅ、ｈには外部端子２４から電圧■を加
えて、出力端子２６ａ、２６ｂからブリッジ出力として
の検出出力■。ｕ７を得る。
このセンサーは、第４図に示すように、対辺間が同相出
力となるように、磁気抵抗素子２ＯＡ、２０Ｂ、２２Ａ
、２２Ｂを配宜してブリッジ回路を構成している。
力となるように、磁気抵抗素子２ＯＡ、２０Ｂ、２２Ａ
、２２Ｂを配宜してブリッジ回路を構成している。
したがって、このセンサーにおいて、記録パターン４に
よる磁界がＯの場合の磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ、２
２Ａ、２２Ｂの抵抗値をＲ１記録メディア２とのギャッ
プの最大変位量に対する抵抗値変化をΔＲ□８、記録パ
ターン４の記録信号の検出による抵抗値変化をに１、Ｒ
２とし、磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ側のギャップが最
大、磁気抵抗素子２２Ａ、２２Ｂ側のギャップが最小に
なった場合を想定すると、磁気抵抗素子２０Ａの抵抗値
はに＋（Ｒ−ΔＲ１□）、磁気抵抗素子２０Ｂの抵抗値
はに、（Ｒ−ΔＲ，，，） 、磁気抵抗素子２２Ａの抵
抗値はに、（Ｒ＋ΔＲ，、、）、磁気抵抗素子２２Ｂの
抵抗値はに、（Ｒ＋ΔＲ，、Ｘ）となる。
よる磁界がＯの場合の磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ、２
２Ａ、２２Ｂの抵抗値をＲ１記録メディア２とのギャッ
プの最大変位量に対する抵抗値変化をΔＲ□８、記録パ
ターン４の記録信号の検出による抵抗値変化をに１、Ｒ
２とし、磁気抵抗素子２０Ａ、２０Ｂ側のギャップが最
大、磁気抵抗素子２２Ａ、２２Ｂ側のギャップが最小に
なった場合を想定すると、磁気抵抗素子２０Ａの抵抗値
はに＋（Ｒ−ΔＲ１□）、磁気抵抗素子２０Ｂの抵抗値
はに、（Ｒ−ΔＲ，，，） 、磁気抵抗素子２２Ａの抵
抗値はに、（Ｒ＋ΔＲ，、、）、磁気抵抗素子２２Ｂの
抵抗値はに、（Ｒ＋ΔＲ，、Ｘ）となる。
そこで、磁気抵抗素子２２Ａの端子間に発生する電圧を
■１、磁気抵抗素子２０Ｂの端子間に発生する電圧を■
２とすると、各電圧Ｖ、 、Ｒ２は、Ｖｌ ＝Ｋｌ
・ｖ／ （Ｋｌ ＋に２ ） ・・・（４）ｖｚ
＝に２ ・Ｖ／ （Ｋｌ ＋Ｋｚ ） ・・・（
５）となり、記録信号の検出による最大抵抗変化率を±
４％とすると、Ｋｌ ＝１．０４、Ｋｚ ＝０．９６
となるので、ｖ、 ＝ｖ１０．９６、Ｖ、＝Ｖ／１．０
４となる。
■１、磁気抵抗素子２０Ｂの端子間に発生する電圧を■
２とすると、各電圧Ｖ、 、Ｒ２は、Ｖｌ ＝Ｋｌ
・ｖ／ （Ｋｌ ＋に２ ） ・・・（４）ｖｚ
＝に２ ・Ｖ／ （Ｋｌ ＋Ｋｚ ） ・・・（
５）となり、記録信号の検出による最大抵抗変化率を±
４％とすると、Ｋｌ ＝１．０４、Ｋｚ ＝０．９６
となるので、ｖ、 ＝ｖ１０．９６、Ｖ、＝Ｖ／１．０
４となる。
したがって、出力端子２６ａ、２６ｂ間に発生する検出
出力■。ｕ７は、 ■。ｕｔ ＝Ｖ＋ Ｖｚ ＝Ｖ１０．９６ Ｖ／
１．０４＝ｏ、ｏｓｖ ・・・（６
）となり、弐（３）との比較から明らかなように、第６
図に示したセンサーの場合の約４倍のレベルを持つ検出
出力が得られ、これによって、ＳＮ比が改善される。
出力■。ｕ７は、 ■。ｕｔ ＝Ｖ＋ Ｖｚ ＝Ｖ１０．９６ Ｖ／
１．０４＝ｏ、ｏｓｖ ・・・（６
）となり、弐（３）との比較から明らかなように、第６
図に示したセンサーの場合の約４倍のレベルを持つ検出
出力が得られ、これによって、ＳＮ比が改善される。
なお、実施例では検出素子として磁気抵抗素子を用いた
場合について示したが、この発明は、ホール素子、静電
容量検出素子および光学素子などの検出素子を用いた場
合にも適用できる。
場合について示したが、この発明は、ホール素子、静電
容量検出素子および光学素子などの検出素子を用いた場
合にも適用できる。
以上説明したように、この発明によれば、２対の検出素
子を用いて、互いに同相出力を生じる検出素子を対辺に
したブリッジ回路を構成したので、純抵抗素子などを設
置することなく、簡単な構成によって、検出出力の振幅
の増大を図り、ＳＮ比を改善することができる。
子を用いて、互いに同相出力を生じる検出素子を対辺に
したブリッジ回路を構成したので、純抵抗素子などを設
置することなく、簡単な構成によって、検出出力の振幅
の増大を図り、ＳＮ比を改善することができる。
第１図はこの発明のセンサーの実施例を示す図、第２図
は第１図に示したセンサーにおける磁気抵抗素子の配置
関係を示す図、第３図は磁気抵抗素子の検出出力を示す
図、第４図は第１図に示したセンサーの等価回路を示す
回路図、第５図は記録メディアに対する従来の検出素子
の配置を示す図、第６図は記録メディアの上下面に検出
素子を配置した場合のセンサーを示す図、第７図は第６
図に示したセンサーの等価回路を示す回路図である。 ２・・・記録メディア、４・・・記録パターン、２０Ａ
、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ・・・検出素子としての磁気
抵抗素子。 第２図 第４図 第５図 第６図
は第１図に示したセンサーにおける磁気抵抗素子の配置
関係を示す図、第３図は磁気抵抗素子の検出出力を示す
図、第４図は第１図に示したセンサーの等価回路を示す
回路図、第５図は記録メディアに対する従来の検出素子
の配置を示す図、第６図は記録メディアの上下面に検出
素子を配置した場合のセンサーを示す図、第７図は第６
図に示したセンサーの等価回路を示す回路図である。 ２・・・記録メディア、４・・・記録パターン、２０Ａ
、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ・・・検出素子としての磁気
抵抗素子。 第２図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 記録メディアの下面側から非接触で記録パターンを電気
的に検出する一対の検出素子を特定の電気的位相角だけ
変位させて設置するとともに、記録メディアの上面側の
同位置から非接触で前記記録パターンを電気的に検出す
る一対の検出素子を設置し、同相出力を生じる検出素子
同士を対辺に設置して各検出素子でブリッジ回路を構成
したことを特徴とするセンサー。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120579A JPH0812084B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | セ ン サ ー |
| EP86810603A EP0242492B1 (en) | 1985-12-28 | 1986-12-18 | An improved non-contact type pattern sensor |
| DE8686810603T DE3686330T2 (de) | 1985-12-28 | 1986-12-18 | Kontaktloser markierungssensor. |
| KR1019860011227A KR910006670B1 (ko) | 1985-12-28 | 1986-12-24 | 개량된 비 접촉형 패턴 센서 |
| US07/271,388 US4944028A (en) | 1985-12-28 | 1988-11-10 | Non-contact type pattern sensor with variable clearance compensation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61120579A JPH0812084B2 (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | セ ン サ ー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277519A true JPS62277519A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH0812084B2 JPH0812084B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=14789775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61120579A Expired - Fee Related JPH0812084B2 (ja) | 1985-12-28 | 1986-05-26 | セ ン サ ー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812084B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119469234A (zh) * | 2024-11-18 | 2025-02-18 | 北京航空航天大学 | 一种磁编码器输入正弦信号的实时矫正系统、方法及芯片 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647580U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-27 |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP61120579A patent/JPH0812084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5647580U (ja) * | 1979-09-18 | 1981-04-27 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119469234A (zh) * | 2024-11-18 | 2025-02-18 | 北京航空航天大学 | 一种磁编码器输入正弦信号的实时矫正系统、方法及芯片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0812084B2 (ja) | 1996-02-07 |
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