JPS62277751A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62277751A JPS62277751A JP12174486A JP12174486A JPS62277751A JP S62277751 A JPS62277751 A JP S62277751A JP 12174486 A JP12174486 A JP 12174486A JP 12174486 A JP12174486 A JP 12174486A JP S62277751 A JPS62277751 A JP S62277751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- mask
- semiconductor wafer
- bumps
- printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、更に詳述すれば
半導体装置を構成する基板上に半田層を形成する方法に
関するものである。
半導体装置を構成する基板上に半田層を形成する方法に
関するものである。
従来、この種の方法において、例えばフリップチップの
Ｃｕバンプ上に半田層を形成する場合、第２図に示すよ
うな印刷法を採用している。即ち、第２図（ａｌに示す
ように半導体ウェハ１上に形成されたＣｕバンプ２に対
応してスルーホール１０が形成されたメタルマスク４を
、半導体ウェハ１との間に所定の間隔をもって配置し、
スキージ５によりメタルマスク４に圧力を加えた状態で
スキージ５を移動させて半田ペースト３をＣｕバンプ２
上に印刷し、その後半田ペースト３をリフローさせて同
図（ｂｌに示すように半田層３ａを形成している。尚、
図中６は印刷台であり、８はメタルマスク４の枠である
。
Ｃｕバンプ上に半田層を形成する場合、第２図に示すよ
うな印刷法を採用している。即ち、第２図（ａｌに示す
ように半導体ウェハ１上に形成されたＣｕバンプ２に対
応してスルーホール１０が形成されたメタルマスク４を
、半導体ウェハ１との間に所定の間隔をもって配置し、
スキージ５によりメタルマスク４に圧力を加えた状態で
スキージ５を移動させて半田ペースト３をＣｕバンプ２
上に印刷し、その後半田ペースト３をリフローさせて同
図（ｂｌに示すように半田層３ａを形成している。尚、
図中６は印刷台であり、８はメタルマスク４の枠である
。
又、他の方法としては、第３図（ａｌに示すように半導
体ウェハ１上に形成されたＣｕバンプ２に対応してスル
ーホール１０が形成されたメタルマスク４を、半導体ウ
ェハ１上にそのスルーホール１０内にＣｕハンプ２が入
るように配置し、所定の量で形成された半田ボール９を
スルーホール１０内に入れ、その後半田ボール９をリフ
ローさせて同図（ｂ）に示すように半田層９ａを形成し
ている。
体ウェハ１上に形成されたＣｕバンプ２に対応してスル
ーホール１０が形成されたメタルマスク４を、半導体ウ
ェハ１上にそのスルーホール１０内にＣｕハンプ２が入
るように配置し、所定の量で形成された半田ボール９を
スルーホール１０内に入れ、その後半田ボール９をリフ
ローさせて同図（ｂ）に示すように半田層９ａを形成し
ている。
尚、図中６ａはその両面に四部が形成された印刷台であ
り、７はメタルマスク４が半導体ウェハｌ上から離れる
のを防止するための永久磁石である。
り、７はメタルマスク４が半導体ウェハｌ上から離れる
のを防止するための永久磁石である。
しかしながら、上記のスキージを用いて半田バーストを
印刷する方法においては、第４図に示すように半田ペー
スト３を印刷する際、半導体ウェハｌからメタルマスク
４が離れる時にメタルマスク４にも半田ペースト３が一
部付着しており、そのメタルマスク４に付着する半田ペ
ースト３の量すと、Ｃｕバンプ２に付着する半田ペース
ト３の量ａとが個々の部分においてばらつきがあり、従
って、Ｃｕバンプ２上に形成される半田Ｎ ３ ａの量
、高さにばらつきが生じている。さらに、半田層３ａの
高さを高くした場合、半田のりフロ一時に半田が流れ出
すことがあるので隣接する半田同士がフリンジを形成し
てしまうという問題がしばしば生じている。
印刷する方法においては、第４図に示すように半田ペー
スト３を印刷する際、半導体ウェハｌからメタルマスク
４が離れる時にメタルマスク４にも半田ペースト３が一
部付着しており、そのメタルマスク４に付着する半田ペ
ースト３の量すと、Ｃｕバンプ２に付着する半田ペース
ト３の量ａとが個々の部分においてばらつきがあり、従
って、Ｃｕバンプ２上に形成される半田Ｎ ３ ａの量
、高さにばらつきが生じている。さらに、半田層３ａの
高さを高くした場合、半田のりフロ一時に半田が流れ出
すことがあるので隣接する半田同士がフリンジを形成し
てしまうという問題がしばしば生じている。
又、半田ボール９を使用する方法においては、メタルマ
スク４のスルーホール１０内に半田ボール９を確実に１
個ずつ入れる事は困難であり、又、半田ボール９のコス
トが高いという問題がある。
スク４のスルーホール１０内に半田ボール９を確実に１
個ずつ入れる事は困難であり、又、半田ボール９のコス
トが高いという問題がある。
そこで本発明は上記の問題点に鑑みて、基板上に形成す
る半田層の量及び高さのばらつきを低減し、その高さを
高くする事が可能であり、しかもそれらを低コストで実
現する半導体装置の製造方法を提供する事を目的として
いる。
る半田層の量及び高さのばらつきを低減し、その高さを
高くする事が可能であり、しかもそれらを低コストで実
現する半導体装置の製造方法を提供する事を目的として
いる。
上記の目的を達成する為に本発明は、基板上の所定の位
置に、前記基板上の半田を印刷すべき部分に対応する部
分に孔を有したマスクを配設し、前記基板上の前記半田
を印刷すべき部分に半田ペーストを印刷し、その状態に
て半田のりフロー、引き続き固化を行ない、その後、前
記マスクを前記基板より取りはずす事を特徴とした半導
体装置の製造方法を採用している。
置に、前記基板上の半田を印刷すべき部分に対応する部
分に孔を有したマスクを配設し、前記基板上の前記半田
を印刷すべき部分に半田ペーストを印刷し、その状態に
て半田のりフロー、引き続き固化を行ない、その後、前
記マスクを前記基板より取りはずす事を特徴とした半導
体装置の製造方法を採用している。
そして上記の手段を採用する事により、基板上に形成さ
れる半田層の半田量はマスクに形成された孔の容積で決
まり、又、その高さはマスクの厚みで決まるのでばらつ
きを低減する事ができ、さらに、半田のりフロ一時にお
いて、個々の半田はマスクの孔により隔離されているの
でブリッジを形成するといった不具合は生じない。
れる半田層の半田量はマスクに形成された孔の容積で決
まり、又、その高さはマスクの厚みで決まるのでばらつ
きを低減する事ができ、さらに、半田のりフロ一時にお
いて、個々の半田はマスクの孔により隔離されているの
でブリッジを形成するといった不具合は生じない。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。第１図（ａｌ
乃至（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する為の工程順の
説明図である。まず第１図ｆａｌに示すように、その両
面に凹部が形成された印刷台６ａの一方の凹部にＣｕバ
ンプ２の形成された半導体ウェハ１を嵌合し、そのＣｕ
バンプ２に対応してスルーホール１０が形成されたメタ
ルマスク４を半導体ウェハ１上に配置する。このメタル
マスク４の材質としては、半田のりフロー後に半田が付
着しないように、又、磁石により固定する場合には強磁
性体を使用するとよく、本実施例ではステンレス鋼（Ｓ
ＵＳ）を用いている。７はメタルマスク４を位置合せし
た状態で固定する為に印刷台６ａの他方の凹部に配置し
た永久磁石である。そしてこの状態の印刷台６ａを印刷
保持台１３によって保持し、スキージ５によって半田ペ
ースト３をスルーホール１０に完全に充填するように印
刷する。尚、図において点線はスキージ５が折返移動す
る様子を示したものであり、８はメタルマスク４の枠で
ある。
乃至（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する為の工程順の
説明図である。まず第１図ｆａｌに示すように、その両
面に凹部が形成された印刷台６ａの一方の凹部にＣｕバ
ンプ２の形成された半導体ウェハ１を嵌合し、そのＣｕ
バンプ２に対応してスルーホール１０が形成されたメタ
ルマスク４を半導体ウェハ１上に配置する。このメタル
マスク４の材質としては、半田のりフロー後に半田が付
着しないように、又、磁石により固定する場合には強磁
性体を使用するとよく、本実施例ではステンレス鋼（Ｓ
ＵＳ）を用いている。７はメタルマスク４を位置合せし
た状態で固定する為に印刷台６ａの他方の凹部に配置し
た永久磁石である。そしてこの状態の印刷台６ａを印刷
保持台１３によって保持し、スキージ５によって半田ペ
ースト３をスルーホール１０に完全に充填するように印
刷する。尚、図において点線はスキージ５が折返移動す
る様子を示したものであり、８はメタルマスク４の枠で
ある。
次に、第１図（ｂ）に示すように、印刷台６を印刷保持
台１３より取はずし、熱板１１又はベルト炉（図は前者
）によって加熱し、半田ペースト３をリフローする。そ
して、半田を固化してＣｕハンプ２上に半田層３ｂを形
成する。この際、メタルマスク４の浮き上りを防止する
為に永久磁石は取り付けたままとする。
台１３より取はずし、熱板１１又はベルト炉（図は前者
）によって加熱し、半田ペースト３をリフローする。そ
して、半田を固化してＣｕハンプ２上に半田層３ｂを形
成する。この際、メタルマスク４の浮き上りを防止する
為に永久磁石は取り付けたままとする。
次に、第１図（Ｃ１に示すように、半導体ウェハ１及び
メタルマスク４を超音波洗浄器１２により超音波洗浄し
て剥れ易くした後に両者を引き離す。
メタルマスク４を超音波洗浄器１２により超音波洗浄し
て剥れ易くした後に両者を引き離す。
そこで上記のような半田層３ｂの形成方法によると、半
田層３ｂの半田量はスルーホール１０の容積に応じて決
まり、又、その高さはメタルマスク４の厚みに応じて決
まるのでそれらのばらつきを低減できる。さらに、半田
層３ｂの高さを高くしても個々の半田はスルーホール１
０によって隔離されているので半田によるブリッジを形
成するといった不具合を生じる事はない。そして上記の
事を実現するのに何ら半田ボール９を用いていないので
、その分コストは低くなる。
田層３ｂの半田量はスルーホール１０の容積に応じて決
まり、又、その高さはメタルマスク４の厚みに応じて決
まるのでそれらのばらつきを低減できる。さらに、半田
層３ｂの高さを高くしても個々の半田はスルーホール１
０によって隔離されているので半田によるブリッジを形
成するといった不具合を生じる事はない。そして上記の
事を実現するのに何ら半田ボール９を用いていないので
、その分コストは低くなる。
尚、本発明は上記の実施例に限定される事なく、その主
旨を逸脱しない限り種々変形可能であり、例えば、被印
刷物としては半導体ウェハでなくとも、厚膜基板等であ
ってもよい。又、スルーホールの形状を半田リフロー後
にメタルマスクを剥れ易くするために、その断面がへの
字型になるように形成してもよい。
旨を逸脱しない限り種々変形可能であり、例えば、被印
刷物としては半導体ウェハでなくとも、厚膜基板等であ
ってもよい。又、スルーホールの形状を半田リフロー後
にメタルマスクを剥れ易くするために、その断面がへの
字型になるように形成してもよい。
〔発明の効果］
以上述べた如く、本発明の半導体装置の製造方法による
と基板上に半田層を形成後にマスクを取りはずしており
、その際に何ら半田ボールを用いる事がないので、製造
コストはその分低くなり、又、半田量、高さのばらつき
を低減する事が出来るという効果がある。
と基板上に半田層を形成後にマスクを取りはずしており
、その際に何ら半田ボールを用いる事がないので、製造
コストはその分低くなり、又、半田量、高さのばらつき
を低減する事が出来るという効果がある。
第１図（ａｌ乃至（Ｃ）は本発明の一実施例を説明する
為の工程順の説明図、第２図（ａｌ及び（ｂ）は従来の
方法の一例を説明する為の図、第３図（ａｌ及び（ｂｌ
は従来の方法の他の例を説明する為の図、第４図は第２
図における従来の方法の不具合を説明する為の図である
。 １・・・半導体ウェハ、３・・・半田ペースト、４・・
・メタルマスク、１０・・・スルーホール。
為の工程順の説明図、第２図（ａｌ及び（ｂ）は従来の
方法の一例を説明する為の図、第３図（ａｌ及び（ｂｌ
は従来の方法の他の例を説明する為の図、第４図は第２
図における従来の方法の不具合を説明する為の図である
。 １・・・半導体ウェハ、３・・・半田ペースト、４・・
・メタルマスク、１０・・・スルーホール。
Claims (1)
- 基板上の所定の位置に、前記基板上の半田を印刷すべ
き部分に対応する部分に孔を有したマスクを配設し、前
記基板上の前記半田を印刷すべき部分に半田ペーストを
印刷し、その状態にて半田リフローし、半田の融点以下
まで冷却した後、前記マスクを前記基板より取りはずす
事を特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12174486A JPS62277751A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12174486A JPS62277751A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277751A true JPS62277751A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14818805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12174486A Pending JPS62277751A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706621B2 (en) | 1999-10-21 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Wafer integrated rigid support ring |
| US6709966B1 (en) * | 1999-06-29 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, its manufacturing process, position matching mark, pattern forming method and pattern forming device |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12174486A patent/JPS62277751A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6709966B1 (en) * | 1999-06-29 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, its manufacturing process, position matching mark, pattern forming method and pattern forming device |
| US6706621B2 (en) | 1999-10-21 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Wafer integrated rigid support ring |
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